Tiêu chuẩn TCVN 6989-2-4:2008 Đo miễn nhiễm tần số radio

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 6989-2-4:2008

CISPR 16-2-4:2003

YÊU CẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ - PHẦN 2-4: PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỂU VÀ MIỄN NHIỄM - ĐO MIỄN NHIỄM

Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-4: Methods of measurement of disturbances and immunity - Immunity measurements

Lời nói đầu

TCVN 6989-2-4 : 2008 hoàn toàn tương đương với tiêu chuẩn CISPR 16-2-4 : 2003;

TCVN 6989-2-4 : 2008 do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn TCVN/TC/E9 Tương thích điện từ biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

Lời giới thiệu

TCVN 6989-2 : 2001 (CISPR 16-2) được biên soạn lại thành 4 tiêu chuẩn mới theo phương pháp chấp nhận tiêu chuẩn quốc tế, có tiêu đề chung là "Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio". Các phần mới của TCVN như sau:

TCVN 6989-2-2 : 2008, Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm - Đo công suất nhiễu

TCVN 6989-2-4 : 2008, Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm - Đo miễn nhiễm

Trong thời gian chưa có TCVN 6989-2-1 và TCVN 6989-2-3, các nội dung tương ứng trong TCVN 6989-2 : 2003 (CISPR 16-2) vẫn có hiệu lực áp dụng.

Cấu trúc của bộ tiêu chuẩn quốc tế CISPR 16 gồm 4 phần  chia thành 14 tiêu chuẩn như sau:

1) CISPR 16-1-1, Specification for radio disturbance and  immunity measuring apparatus and methods - Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Measurement apparatus

2) CISPR 16-1-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equipment - Conducted disturbance

3) CISPR 16-1-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-3: Radio disturbance and immunity measuring  apparatus - Ancillary equiqment – Disturbance power

4) CISPR 16-1-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equiqment - Radiated disturbance

5) CISPR 16-1-5, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-5: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Antenna calibration test sites for 30 MHz to 1 000 MHz

6) CISPR 16-2-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods  Part 2-1: Methods of measurement of disturbances and immunity - Conducted disturbance  measurements

7) CISPR 16-2-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods  Part 2-2: Methods of measurement of disturbances and immunity - Measurements of disturbance power

8) CISPR 16-2-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods -  Part 2-3: Methods of measurement of disturbances and immunity - Radiated disturbance measurements.

9) CISPR 16-2-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods -  Part 2-4: Methods of measurement of disturbances and immunity - Immunity measurements

10) CISPR 16-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods -  Part 3: CISPR technical reports

11) CISPR 16-4-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods -  Part 4-1: Uncertainties, statistics and limit modelling - Uncertainties in standardized EM C tests

12) CISPR 16-4-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods -  Part 4-2: Uncertainties, statistics and limit modelling - Uncertainties in EMC measurements

13) CISPR 16-4-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods -  Part 4-3: Uncertainties, statistics and limit modelling - Statistics considerations in the determination of EMC compliance of mass-produced products

14) CISPR 16-4-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods -  Part 4-4: Uncertainties, statistics and limit modelling - Statistics of compliants and a model for the calculation of limits

YÊU CẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ - PHẦN 2-4: PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỂU VÀ MIỄN NHIỄM - ĐO MIỄN NHIỄM

Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-4: Methods of measurement of disturbances and immunity - Immunity measurements

1. Phạm vi áp dụng

Tiêu chuẩn này là tiêu chuẩn cơ bản qui định phương pháp đo miễn nhiễm với các hiện tượng EMC trong dải tần từ 9 kHz đến 18 GHz.

2. Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu viện dẫn dưới đây là cần thiết để áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu có ghi năm công bố, chỉ áp dụng các bản được nêu. Đối với các tài liệu không ghi năm công bố, áp dụng bản mới nhất (kể cả các sửa đổi).

TCVN 7447-4 (IEC 60364-4), Lắp đặt điện cho các tòa nhà - Phần 4: Bảo vệ an toàn

IEC 60083: 1997, Plugs and socket-outlets for domestic and similar general use standardized in member countries of IEC (Ổ cắm và phích cắm dùng trong gia đình và các mục đích tương tự được tiêu chuẩn hóa trong các nước thành viên của IEC)

CISPR 16-1-2: 2003, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equipment - Conducted disturbances (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô - Phần 1-2: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô - Thiết bị phụ trợ - Nhiễu dẫn)

CISPR 16-1-4:2003, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring  apparatus - Ancillary equipment - Radiated disturbances (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô - Phần 1-4: Thiết bị đo nhiễu và nhiễm tần số rađiô - Phần 1-4: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô - Thiết bị phụ trợ - Nhiễu bức xạ)

ITU-R Recommendation 8B.468-4: Measurement of audio-frequency noise voltage level in sound broadcasting (Đo mức điện áp tạp tần số âm thanh trong quảng bá âm thanh)

3. Thuật ngữ và định nghĩa

Tiêu chuẩn này áp dụng các định nghĩa của IEC 60050(161), cùng với các định nghĩa dưới đây.

3.1

Thiết bị kết hợp (associated equipment)

1) Bộ chuyển đổi (ví dụ đầu dò, mạng và anten) nối đến máy thu đo hoặc máy phát thử nghiệm.

2) Bộ  chuyển đổi (ví dụ đầu dò, mạng, anten) được sử dụng trong việc truyền tín hiệu hoặc truyền nhiễu giữa EUT và thiết bị đo hoặc máy phát tín hiệu (thử nghiệm).

3.2

EUT (EUT)

Trang thiết bị (dụng cụ, thiết bị và hệ thống) chịu các thử nghiệm chứng tỏ sự phù hợp về EMC (phát xạ và miễn nhiễm).

3.3

Tiêu chuẩn sản phẩm (product publication)

Tiêu chuẩn qui định các yêu cầu về EMC đối với sản phẩm hoặc họ sản phẩm, có tính đến các khía cạnh cụ thể của sản phẩm hoặc họ sản phẩm này.

3.4

Giới hạn miễn nhiễm (immunity limit)

Mức miễn nhiễm nhỏ nhất qui định.

[IEV 161-03-15]

3.5

Đất chuẩn (ground reference)

Việc ghép nối mà tạo ra điện dung ký sinh xác định xác định ở xung quanh EUT và đóng vai trò là điện thế chuẩn.

CHÚ THÍCH: Xem thêm IEV 161-04-36.

3.6

Phát xạ (điện tử) ((electromagnetic) emission)

Hiện tượng mà nhờ đó năng lượng điện từ được phát ra từ nguồn.

[IEV 161-01-08]

3.7

Cáp đồng trục (coaxial cable)

Cáp gồm một hoặc nhiều dây đồng trục, được sử dụng chủ yếu để nối thiết bị kết hợp với thiết bị đo hoặc máy phát tín hiệu (thử nghiệm) một cách tương thích để có trở kháng đặc tính qui định và trở kháng đường truyền cáp lớn nhất cho phép qui định.

3.8

Phương thức chung (điện áp nhiễu không đối xứng) (common mode (asymmetrical disturbance voltage)

Điện áp RF giữa điểm giữa giả của một tuyến hai dây dẫn và điểm đất chuẩn, hoặc trong trường hợp một bó dây, điện áp nhiễu RF hiệu dụng của cả bó dây (tổng vectơ các điện áp mất đối xứng) so với điểm đất chuẩn được đo bằng kẹp (máy biến dòng) tại trở kháng đầu cuối xác định.

CHÚ THÍCH: Xem thêm IEV 161-04-09.

3.9

Dòng điện phương thức chung (common mode current)

Tổng vectơ của các dòng điện chạy qua hai hoặc nhiều dây dẫn tại một mặt cắt qui định của một mặt phẳng "toán học" cắt ngang các dây dẫn đó.

3.10

Điện áp phương thức vi sai; điện áp đối xứng (differential mode voltage; symmetrical voltage)

Điện áp nhiễu RF giữa các sợi dây của hai dây dẫn

[IEV 161-04-08, có sửa đổi].

3.11

Dòng điện phương thức vi sai (differential mode current)

Nửa hiệu véctơ giữa các dòng điện chạy qua hai dây dẫn bất kỳ của tập hợp dây dẫn qui định mang dòng tại mặt cắt qui định của mặt phẳng "toán học" cắt ngang các dây dẫn đó.

3.12

Phương thức mất đối xứng (điện áp đầu nối chữ V) (unsymmetrical mode (V-terminal voltage))

Điện áp giữa một dây dẫn hoặc đầu nối của thiết bị, trang bị hoặc hệ thống và đất chuẩn qui định. Đối với trường hợp mạng hai - cửa, hai điện áp mất đối xứng cho bởi:

a) tổng véctơ của điện áp không đối xứng và nửa điện áp đối xứng; và

b) hiệu véctơ giữa điện áp không đối xứng và nửa điện áp đối xứng.

CHÚ THÍCH: Xem thêm IEV 161-04-13.

3.13

Cấu hình thử nghiệm (test configuration)

Bố trí đo theo qui định để đo mức phát xạ của EUT.

CHÚ THÍCH: Mức phát xạ được đo theo yêu cầu của IEV 161-03-11, IEV 161-03-12, IEV 161-03-14 và IEV 161-03-15, các định nghĩa về mức phát xạ.

3.14

Mạng giả (AN) (artificial network (AN))

Trở kháng tải chuẩn (mô phỏng) được thỏa thuận thay cho mạng thực đối với EUT (ví dụ: thay cho dây dẫn nguồn hoặc đường dây liên lạc kéo dài) trên đó điện áp nhiễu RF được đo.

3.15

Buồng hoàn toàn không có tiếng vọng lại (FAC) hoặc phòng hoàn toàn không có tiếng vọng lại (FAR) (fully anechoic chamber (FAC) or fully anechoic room (FAR))

Phòng được che chắn, bề mặt bên trong được lót vật liệu hấp thụ tần số rađiô (RAM), hấp thụ năng lượng điện từ ở dải tần cần xét. Phòng được lót vật liệu hấp thụ hoàn toàn được thiết kế để mô phỏng môi trường không gian tự do trong đó chỉ có tia trực tiếp từ anten phát đến anten thu. Tất cả các sóng gián tiếp và sóng phản xạ được giảm thiểu nhờ sử dụng vật liệu hấp thụ thích hợp trên tất cả các vách, trần và sàn của FAR.

4. Tiêu chí thử nghiệm miễn nhiễm và các qui trình đo chung

Các phép đo miễn nhiễm dựa trên đánh giá điểm khi hiệu ứng nhiễu trên EUT (thiết bị thử nghiệm) đạt đến qui định.

Phép đo miễn nhiễm nói chung được thực hiện bằng việc đặt tín hiệu thử nghiệm mong muốn và không mong muốn vào EUT. Căn cứ cơ bản của phép đo được trình bày trong điều này, cùng với danh mục các điều kiện cần được qui định trong các khuyến cáo chi tiết do các ban kỹ thuật về sản phẩm CISPR đưa ra. Nguyên tắc chung của các phương pháp đo miễn nhiễm được đề cập ở điều 5, các phương pháp bức xạ nêu trong điều 6.

4.1 Phương pháp đo chung

Hình 1 đưa ra khái niệm cơ bản làm cơ sở cho tất cả các phương pháp đo miễn nhiễm.

EUT được bố trí như qui định để đại diện cho các điều kiện làm việc bình thường. Tín hiệu không mong muốn được đặt với mức khắc nghiệt tăng dần cho đến khi nhận được mức suy giảm tính năng qui định hoặc đạt được mức miễn nhiễm qui định, chọn giá trị nào thấp hơn.

Tín hiệu không mong muốn có thể được đưa vào bằng bức xạ trực tiếp hoặc truyền dòng điện/điện áp. Trong hầu hết các trường hợp, cả kỹ thuật bức xạ trực tiếp và kỹ thuật truyền đều cần phải đánh giá đầy đủ khả năng miễn nhiễm của EUT. Phương pháp truyền là thích hợp nhất đối với các tần số dưới 150 MHz, mặc dù các thử nghiệm bức xạ trực tiếp trên 30 MHz đang được sử dụng. Các thử nghiệm bức xạ trực tiếp có thể được thực hiện bằng cách sử dụng các trường do anten phóng ra và bị EUT chặn. Trong một số trường hợp, trường "có giới hạn" có hiệu quả nhất đối với các EUT có độ cao dưới 1m. Ví dụ về trường có giới hạn xuất hiện với phần tử TEM, anten tấm dẫn sóng và vỏ phương thức kích thích.

Hình 1 - Khái niệm cơ bản về phép đo miễn nhiễm

4.1.1 Đánh giá khách quan độ suy giảm tính năng

Đánh giá khách quan sự miễn nhiễm của EUT được thực hiện bằng cách kiểm soát các mức điện áp, dòng điện, tín hiệu riêng, chỉnh lưu tín hiệu tiếng, v.v… có thể ghi bằng kỹ thuật ghi tương tự hoặc số.

Ví dụ về đánh giá độ suy giảm tính năng, miễn nhiễm của máy thu hình với nhiễu RF điều biên được trình bày dưới đây.

Trước tiên, chỉ đặt tín hiệu thử nghiệm mong muốn vào EUT. Việc này tạo ra tín hiệu âm thanh mong muốn để đo. Núm điều khiển của EUT hoặc của cơ cấu thử nghiệm được điều chỉnh để đặt tín hiệu âm thanh này ở mức yêu cầu. Sau đó, tín hiệu âm thanh mong muốn được loại bỏ bằng việc ngắt tín hiệu điều biến hoặc ngắt tín hiệu thử nghiệm âm thanh. Ngoài ra, tín hiệu không mong muốn được đặt vào và điều chỉnh mức để đạt được tín hiệu âm thanh không mong muốn ở mức qui định thấp hơn mức tín hiệu âm thanh mong muốn. Mức tín hiệu không mong muốn là giá trị miễn nhiễm đo được của EUT ở tần số thử nghiệm liên quan. Cần chú ý để không làm hỏng EUT do mức tín hiệu không mong muốn quá cao.

4.1.2 Đánh giá chủ quan độ suy giảm tính năng

Đánh giá chủ quan miễn nhiễm của EUT được thực hiện bằng cách giám sát độ suy giảm tính năng đối với các EUT bằng mắt hoặc tai hoặc cả hai cách. Phương pháp này khác với phương pháp nêu trong 4.1.1 ở chỗ các tín hiệu điện hoặc tín hiệu tương tự đặc trưng và các mức không được ghi trực tiếp bằng kỹ thuật tương tự hoặc kỹ thuật số. Để thay thế, độ suy giảm tính năng không được ghi trực tiếp bằng kỹ thuật tương tự hoặc kỹ thuật số. Để thay thế, độ suy giảm tính năng không được trình bày theo nghĩa đo được mà theo nghĩa cảm nhận của con người, ví dụ, cảm giác về thính giác hoặc thị giác của con người về hiệu ứng gây khó chịu. Các tín hiệu miễn nhiễm không mong muốn có thể giống hoặc tương tự như các tín hiệu dùng để đánh giá miễn nhiễm khách quan.

Ví dụ về đánh giá chủ quan độ suy giảm tính năng, miễn nhiễm của máy thu hình đối với tín hiệu không mong muốn, bằng cảm nhận của con người theo độ suy giảm thị giác và thính giác, được trình bày dưới đây.

Trong trường hợp nhiễu hình ảnh, tín hiệu thử nghiệm mong muốn tạo ra hình ảnh tiêu chuẩn còn tín hiệu không mong muốn  tạo ra độ suy giảm của hình ảnh. Độ suy giảm có thể có nhiều hình dạng, ví dụ như dạng bóng hình, nhiễu đồng bộ, méo hình học, mất tương phản hình ảnh hoặc màu, v.v…

Tiêu chí cấu thành độ suy giảm tính năng cần được qui định, các điều kiện để thực hiện việc đánh giá chủ quan phải được qui định.

Trước tiên, chỉ tín hiệu mong muốn được đưa đến EUT. Các núm điều khiển của EUT được điều chỉnh để có được hình ảnh với độ sáng, độ tương phản và độ bão hòa màu bình thường. Sau đó, tín hiệu không mong muốn được bổ sung vào và điều chỉnh mức để đạt được độ suy giảm hình ảnh theo cảm nhận của người xem hình ảnh. Mức này là giá trị miễn nhiễm của EUT đo được ở tần số thử nghiệm liên quan.

4.1.3 Phép đo theo giới hạn

Phép đo miễn nhiễm thực tế có thể không yêu cầu, nghĩa là, chỉ cần biết được EUT thỏa mãn hay không thỏa mãn giới hạn là đủ. Tín hiệu không mong muốn, thay vì được điều chỉnh ở từng tần số thử nghiệm, được giữ ở mức giới hạn và tần số của nó quét hết dải thử nghiệm. EUT được coi là thỏa mãn giới hạn nếu quan sát ở mọi thời điểm không có suy giảm, dù là khách quan hay chủ quan. Qui trình này được gọi là thử nghiệm "chấp nhận/không chấp nhận".

4.2 Tiêu chí suy giảm miễn nhiễm

Để thiết lập tiêu chí miễn nhiễm hợp lý cần xác định được suy giảm tính năng có ý nghĩa gì. Một quan điểm về tiến trình suy giảm tính năng như vậy có thể như sau:

a) không suy giảm: thiết bị tuân thủ các yêu cầu kỹ thuật thiết kế. Loại tiêu chí này phải được chọn với thiết bị an toàn và độ nhạy tốt, đồng thời các dịch vụ có ảnh hưởng với số đông người tiêu dùng. Nó cũng có thể được dùng như một tiêu chí miễn nhiễm với một số quá trình hoặc thiết bị làm việc quan trọng;

b) suy giảm đáng kể: trong trường hợp này, tính năng bị ảnh hưởng bởi nhiễu EM. Tạp gia tăng trong các mạch hình ảnh và âm thanh, tỷ số tín hiệu trên tạp giảm trong mạch điều khiển, tỷ lệ lỗi trong hệ thống số đạt đến mức lớn nhất cho phép của hệ thống, hoặc nhiễu tiếng hoặc nhiễu hình là ví dụ của sự suy giảm đáng kể. Không yêu cầu người vận hành can thiệp để tiếp tục sử dụng sản phẩm/thiết bị điện tử. Sự suy giảm này thường dùng với các sản phẩm sản xuất hàng loạt. Suy giảm mất đi khi loại bỏ tín hiệu miễn nhiễm;

c) suy giảm nghiêm trọng: với loại này, sản phẩm không thể có chế độ làm việc thỏa đáng liên tục. Để khắc phục vấn đề này, kỹ sư hoặc đại diện dịch vụ khách hàng sẽ tốn khoảng thời gian đáng kể trong việc thử để nhận biết và khắc phục. Mức miễn nhiễm này cần đặt sao cho rất ít khả năng xảy ra. Cần có sự can thiệp của người vận hành để phục hồi hoạt động đặc trưng của sản phẩm/thiết bị điện tử như hệ thống khóa, đặt lại, ghi không chọn lọc vào đĩa mềm và các thay đổi khác của bộ nhớ;

d) hỏng/mất hoàn toàn khả năng hoạt động: đây là loại nghiêm trọng nhất, trong đó sản phẩm hỏng hoàn toàn và không thể đặt lại để khôi phục khả năng hoạt động. Cuối cùng, sẽ xảy ra hỏng cơ khí. Việc sửa chữa không thể thực hiện được. Điều này tạo ra nhu cầu thay thế hoàn toàn thiết bị có tái thiết kế khẩn cấp để tăng mức miễn nhiễm lên. Dịch vụ khách hàng có thể dừng trong một thời gian không xác định tùy thuộc vào năng lực của nhà chế tạo tạo ra sản phẩm thay thế thỏa đáng.

Nhiệm vụ của ban kỹ thuật về sản phẩm là xác định tiêu chí suy giảm của sản phẩm với các điều kiện nêu trên.

4.3 Nội dung của yêu cầu kỹ thuật sản phẩm

Bên cạnh việc qui định chi tiết phương pháp đo miễn nhiễm và các phương tiện xác định độ suy giảm tính năng chấp nhận được, các yêu cầu kỹ thuật sản phẩm còn phải nêu các nội dung liên quan khác dưới đây.

4.3.1 Môi trường thử nghiệm

Các yêu cầu về môi trường thử nghiệm phải được xem xét. Môi trường vật lý cần được qui định, ví dụ như dải nhiệt độ hoặc độ ẩm. Môi trường EM cũng phải được qui định, đặc biệt là mức tín hiệu xung quanh lớn nhất.

4.3.2 Điều kiện làm việc của EUT

Các điều kiện làm việc của EUT phải được qui định, ví dụ các đặc tính tín hiệu đầu vào mong muốn, các phương thức làm việc của EUT, v.v….

4.3.3 Mối nguy hiểm EM

Có nhiều dạng nhiễu EM có thể gây sự cố cho EUT. Ban kỹ thuật về sản phẩm phải xem xét yêu cầu kỹ thuật miễn nhiễm có hay không cần đề cập tất cả các khả năng có thể xảy ra, nghĩa là miễn nhiễm từ sóng rađiô phát ra, từ việc dẫn tín hiệu, từ các đỉnh nhọn/lõm/ngừng hoạt động/méo trên mạng điện nguồn, từ việc phóng tĩnh điện, quá điện áp xung do sét, v.v…

Đối với mỗi nguy cơ tiềm ẩn, phương thức ghép nối phải được đánh giá sao cho thiết bị thử nghiệm chuyên dụng thích hợp có thể được qui định cùng với phương pháp đo được nêu. Do đó, ban kỹ thuật về sản phẩm cần điều chỉnh cho sản phẩm cụ thể của mình các nguyên tắc đo chung trình bày trong điều này.

Các đặc tính của tín hiệu không mong muốn phải được qui định, ví dụ như biên độ, điều biến, hướng, phân cực, v.v… Dải tần có thể áp dụng được cho mỗi phương pháp phải được xác định, ví dụ, dải tần hữu ích của phần tử TEM phụ thuộc vào độ rộng của TEM và tiếp theo là tùy thuộc vào kích thước của EUT.

EUT phải được kiểm tra để xác định xem nó có dễ bị ảnh hưởng theo phương thức làm việc hoặc với tần số tín hiệu không mong muốn cụ thể hay không.

4.3.4 Hiệu chuẩn

Yêu cầu kỹ thuật sản phẩm phải nêu các yêu cầu hiệu chuẩn, bằng cách viện dẫn tiêu chuẩn cơ bản hoặc nêu qui trình hiệu chuẩn trong yêu cầu kỹ thuật của sản phẩm hoặc họ sản phẩm. Yêu cầu này phải đề cập đến việc hiệu chuẩn định kỳ thiết bị thử nghiệm sử dụng và đặc biệt là phương tiện hiệu chuẩn đưa ra các thông số như biên độ và độ đồng nhất của tín hiệu không mong muốn khi được sử dụng trong phương pháp bức xạ trực tiếp hoặc truyền.

4.3.5 Đánh giá thống kê

Yêu cầu kỹ thuật sản phẩm phải nêu ý nghĩa của giới hạn CISPR. Đặc biệt, yêu cầu này cần đặt ra câu hỏi xem thử nghiệm có tuân thủ nguyên tắc 80/80 của Khuyến cáo 46/1 hay không, và nếu có thì phương pháp lấy mẫu nào cần được sử dụng.

Đối với thử nghiệm miễn nhiễm cho đến khi xuất hiện suy giảm tính năng, có thể đánh giá sự phù hợp với giới hạn CISPR về miễn nhiễm bằng cách sử dụng cỡ mẫu thích hợp sao cho một phần mẫu có thể vượt quá giới hạn cho phép. Đối với thử nghiệm miễn nhiễm thực hiện tại giới hạn miễn nhiễm để xác định sự phù hợp, ví dụ thử nghiệm chấp nhận/không chấp nhận, mà không đo biên dự phòng cho miễn nhiễm, có thể không áp dụng kỹ thuật thống kê.

5. Phương pháp đo miễn nhiễm đối với tín hiệu dẫn

Phương pháp cơ bản là truyền tín hiệu không mong muốn vào dây dẫn và tăng cho đến khi đạt mức suy giảm qui định hoặc đạt mức miễn nhiễm qui định, chọn mức nào xuất hiện trước. Dây dẫn có thể là dây dẫn tín hiệu, dây dẫn điều khiển hoặc dây dẫn nguồn. Có hai phương pháp khác nhau. Phương pháp truyền dòng điện được dùng để đánh giá miễn nhiễm với tín hiệu phương thức chung (không đối xứng), phương pháp truyền điện áp dùng để đánh giá miễn nhiễm với tín hiệu phương thức vi sai (đối xứng). Nói chung, truyền dòng điện ít được thực hiện vì phương thức này dễ gây ảnh hưởng xấu đến môi trường bức xạ RF.

Máy thu hình được đặt cách mặt phẳng đất kim loại kích thước 2 m x 1 m một khoảng 100 mm về phía trên. Các bộ ghép nối được cài vào các dây dẫn khác nhau tương ứng. Dây dẫn nối bộ phận ghép nối với EUT phải càng ngắn càng tốt, đặc biệt, dây dẫn đến đầu vào anten của EUT không được dài hơn 300 mm.

Dây dẫn nguồn phải dài 300 mm. Nếu dài hơn, thì phải bó lại để có chiều dài 300 mm. Dây dẫn nguồn phải được cố định ở vị trí xác định và ghi vào báo cáo thử nghiệm. Khoảng cách giữa các dây dẫn và mặt phẳng đất không được nhỏ hơn 30 mm.

Số lượng bộ ghép nối dùng trong một thử nghiệm nhiều nhất phải là sáu. Trong trường hợp EUT có nhiều hơn sáu đầu ra, các bộ ghép nối phải được sử dụng cho mỗi trong số các loại đầu ra.

CHÚ THÍCH: Ban kỹ thuật về sản phẩm phải nêu các nội dung này trong yêu cầu kỹ thuật sản phẩm.

5.3 Phương pháp đo miễn nhiễm đầu vào

Tín hiệu không mong muốn được đặt đến đầu vào của các EUT theo cách mà EUT vẫn thường thu tín hiệu tần số rađiô. Tín hiệu không mong muốn này được hòa với tín hiệu mong muốn. Các điều sau đây nêu làm ví dụ các thử nghiệm có thể áp dụng với máy thu thanh và máy thu hình. Xem thêm TCVN 7600 (CISPR 13).

5.3.1 Phép đo nối với máy thu thanh

Đối với các phép đo này, các tần số tín hiệu mong muốn và không mong muốn phải được qui định theo độ chính xác, ví dụ ± 1kHz.

Sơ đồ đo được cho trên Hình 3. Máy phát tín hiệu không mong muốn (1) và máy phát tín hiệu mong muốn (2) được nối với nhau bằng mạng ghép nối (6). Để tránh nhiễu ảnh hưởng qua lại giữa hai máy phát, có thể tăng tổn hao ghép nối bằng bộ suy giảm (7). Đầu ra của mạng ghép nối có trở kháng nguồn qui định phải được phối hợp trở kháng với đầu vào của EUT bằng mạng (8). Đầu ra âm thanh được đo như qui định.

Hình 2 - Nguyên tắc chung của phương pháp truyền dòng điện