Tiêu chuẩn TCVN 14450-3:2025 Hệ thống truyền công suất không dây cho xe điện - Phần 3

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 14450-3:2025

IEC 61980-3:2022

HỆ THỐNG TRUYỀN CÔNG SUẤT KHÔNG DÂY (WPT) DÙNG CHO XE ĐIỆN - PHẦN 3: YÊU CẦU CỤ THỂ ĐỐI VỚI HỆ THỐNG TRUYỀN CÔNG SUẤT KHÔNG DÂY SỬ DỤNG TRƯỜNG TỪ

Electric vehicle wireless power transfer (WPT) systems - Part 3: Specific requirements for magnetic field wireless power transfer systems

Mục lục

Lời nói đầu

1 Phạm vi áp dụng

2 Tài liệu viện dẫn

3 Thuật ngữ và định nghĩa

4 Các thuật ngữ viết tắt

5 Quy định chung

6 Phân loại

7 Yêu cầu chung về thiết bị cấp nguồn

8 Truyền thông

9 Khả năng tương tác truyền công suất

10 Bảo vệ chống điện giật

11 Yêu cầu cụ thể cho hệ thống WPT

12 Yêu cầu cáp nguồn

13 Yêu cầu về cấu tạo

14 Độ bền của vật liệu và bộ phận

15 Điều kiện dịch vụ và điều kiện thử nghiệm

16 Tương thích điện từ (EMC)

17 Ghi nhãn và hướng dẫn

101 Quy trình thử nghiệm

Phụ lục A (quy định) - EVPC tham chiếu vòng tròn

Phụ lục B (tham khảo) - Ví dụ về các thiết bị thứ cấp khác

Phụ lục C (tham khảo) - Vị trí cuộn dây trong chỗ đỗ xe

Phụ lục D (tham khảo) - Tiếp cận lý thuyết cho khả năng tương tác của hệ thống

Phụ lục E (tham khảo) - Xác định điểm căn chỉnh trung tâm

Thư mục tài liệu tham khảo

 

Lời nói đầu

TCVN 14450-2:2024 hoàn toàn tương đương với IEC 61980-2:2023;

TCVN 14450-2:2024 do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/TC/E16 Hệ thống truyền điện cho xe điện biên soạn, Viện Tiêu chuẩn Chất lượng Việt Nam đề nghị, Ủy ban Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng Quốc gia thẩm định, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

Bộ tiêu chuẩn TCVN 14450 (IEC 61980), Hệ thống truyền công suất không dây (WPT) dùng cho xe điện gồm các tiêu chuẩn sau:

- TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), Phần 1: Yêu cầu chung;

- TCVN 14450-2:2025 (IEC 61980-2:2023), Phần 2: Yêu cầu cụ thể đối với truyền thông và hoạt động của hệ thống truyền công suất không dây sử dụng trường từ;

- TCVN 14450-3:2025 (IEC 61980-3:2022), Phần 3: Yêu cầu cụ thể đối với hệ thống truyền công suất không dây sử dụng trường từ.

 

HỆ THỐNG TRUYỀN CÔNG SUẤT KHÔNG DÂY (WPT) DÙNG CHO XE ĐIỆN - PHẦN 3: YÊU CẦU CỤ THỂ ĐỐI VỚI HỆ THỐNG TRUYỀN CÔNG SUẤT KHÔNG DÂY SỬ DỤNG TRƯỜNG TỪ

Electric vehicle wireless power transfer (WPT) systems - Part 3: Specific requirements for magnetic field wireless power transfer systems

1 Phạm vi áp dụng

Tiêu chuẩn này áp dụng cho thiết bị cấp điện nằm ngoài xe dành cho việc truyền công suất không dây sử dụng trường từ (MF-WPT) cho các phương tiện giao thông đường bộ chạy điện (sau đây được gọi là xe điện) nhằm mục đích cung cấp năng lượng điện cho hệ thống lưu trữ năng lượng có thể sạc lại (RESS) và/hoặc các hệ thống điện trên xe điện khác. Hệ thống MF-WPT hoạt động ở mức điện áp cung cấp tiêu chuẩn theo IEC 60038 đến 1 000 V AC và 1 500 V DC từ mạng cấp nguồn. Việc truyền công suất diễn ra khi xe điện (EV) đang đứng yên.

Thiết bị cấp điện ngoài xe đáp ứng các yêu cầu trong tiêu chuẩn này nhằm mục đích hoạt động với các thiết bị EV đáp ứng các yêu cầu được mô tả trong ISO 19363.

Các khía cạnh được đề cập trong tiêu chuẩn này bao gồm

- các đặc tính và điều kiện hoạt động,

- mức độ an toàn điện yêu cầu,

- yêu cầu về truyền thông cơ bản cho các vấn đề an toàn và quy trình nếu cần thiết bởi hệ thống MF- WPT,

- yêu cầu về định vị để đảm bảo việc truyền công suất MF-WPT hiệu quả và an toàn, và

- yêu cầu EMC cụ thể cho các hệ thống MF-WPT.

Các khía cạnh sau đang được xem xét cho tiêu chuẩn trong tương lai:

- yêu cầu về các hệ thống MF-WPT cho các xe hai bánh và ba bánh,

- yêu cầu về các hệ thống MF-WPT cung cấp năng lượng cho EV khi di chuyển,

- yêu cầu về việc truyền công suất hai chiều,

- yêu cầu về thiết bị sơ cấp lắp đặt phẳng,

- yêu cầu về các hệ thống MF-WPT cho xe hạng nặng, và

- yêu cầu về các hệ thống MF-WPT với đầu vào lớn hơn 11,1 kVA.

Tiêu chuẩn này không áp dụng cho

- các khía cạnh an toàn liên quan đến việc bảo trì, và

- xe buýt điện, phương tiện đường sắt và các phương tiện được thiết kế chủ yếu để sử dụng ngoài địa hình.

CHÚ THÍCH: Các thuật ngữ được sử dụng trong tiêu chuẩn này dành riêng cho MF-WPT.

2 Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu viện dẫn dưới đây rất cần thiết để áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn có ghi năm công bố thì áp dụng các phiên bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản mới nhất, bao gồm cả các sửa đổi (nếu có).

TCVN 4255 (IEC 60529), cấp bảo vệ bằng vỏ ngoài (mã IP)

TCVN 13724-1:2023 (IEC 61439-1:2020), Cụm đóng cắt và điều khiển hạ áp - Phần 1: Quy tắc chung

TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), Hệ thống truyền công suất không dây (WPT) dùng cho xe điện - Phần 1: Yêu cầu chung

TCVN 14450-2:2025 (IEC 61980-2:2023), Hệ thống truyền công suất không dây (WPT) dùng cho xe điện - Phần 2: Yêu cầu cụ thể đối với truyền thông và hoạt động của hệ thống MF-WPT

IEC 61439-7:2018 ^[1] , Low-voltage switchgear and controlgear assemblies - Part 7: Assemblies for specific applications such as marinas, camping sites, market squares, electric vehicles charging stations (Cụm đóng cắt và điều khiển hạ áp - Phần 1: Cụm lắp ráp dùng cho các ứng dụng đặc biệt như bến du thuyền, khu vực cắm trại, khu vực chợ, trạm sạc xe điện)

ISO 19363:2020, Electrically propelled road vehicles - Magnetic field wireless power transfer - Safety and interoperability requirements (Phương tiện giao thông đường bộ chạy điện - Truyền công suất không dây sử dụng trường từ- An toàn và yêu cầu về khả năng tương tác)

ISO 20653, Road vehicles - Degrees of protection (IP code) - Protection of electrical equipment against foreign objects, water and access (Phương tiện giao thông đường bộ - Mã bảo vệ (Mã IP) - Bảo vệ thiết bị điện chống vật thể ngoại lai, nước và tiếp cận)

ICNIRP guidelines for limiting exposure to time-varying electric and magnetic fields (1 Hz - 100 kHz), Health Physics 99(6):818-836; 2010 (Hướng dẫn của ICNIRP về giới hạn phơi nhiễm các trường điện và trường từ thay đổi theo thời gian (1 Hz- 100 kHz))

Recommendation ITU-R SM.2110-1:2019, Guidance on frequency ranges for operation of nonbeam wireless power transmission for electric vehicles (Hướng dẫn dải tần số đối với hoạt động của truyền công suất không dây cho xe điện)

3 Thuật ngữ và định nghĩa

Tiêu chuẩn này áp dụng Điều 3 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020) và các thuật ngữ và định nghĩa sau.

3.101

Bộ phận có thể tiếp cận (accessible part)

Bộ phận của thiết bị có thể chạm tới mà không cần sử dụng dụng cụ, ngoại trừ khi nằm bên dưới xe.

3.102

Căn chỉnh (alignment)

Vị trí tương đối theo hướng X và Y của thiết bị thứ cấp so với thiết bị sơ cấp với khoảng sáng gầm cho trước của thiết bị thứ cấp.

3.103

Vùng dung sai căn chỉnh (alignment tolerance area)

Khu vực hoạt động dự kiến của hệ thống truyền công suất không dây (WPT) theo hướng X và Y với khoảng sáng gầm của thiết bị thứ cấp cho trước.

3.104

Điểm căn chỉnh trung tâm (centre alignment point)

Tâm không gian X, Y của vùng dung sai căn chỉnh.

CHÚ THÍCH 1: Điểm căn chỉnh trung tâm không phải là một điểm cố định cho bất kỳ cuộn dây đơn lẻ nào. Nó chỉ có liên quan đối với sự kết hợp giữa thiết bị sơ cấp và thứ cấp và đặc trưng cho sự kết hợp đó.

3.105

Phiên sạc (charge session)

Khoảng thời gian khi SECC ở trạng thái WPT_S_PTA hoặc WPT_S_PT như được định nghĩa trong IEC 61980-2.

3.106

Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A (compatibility class A supply device)

Thiết bị cấp nguồn có khả năng tương tác với các thiết bị EV tương thích cấp A.

CHÚ THÍCH 1: Xem ISO 19363:2020, Điều 6.

CHÚ THÍCH 2: Một thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A có thể tương tác với tất cả các EVPC tham chiếu chuẩn - xem Phụ lục A.

3.107

Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B (compatibility class B supply device)

Thiết bị cấp nguồn hoạt động với ít nhất một thiết bị EV tương thích cấp B và có thể tương tác với một hoặc nhiều thiết bị EV tương thích cấp A.

CHÚ THÍCH 1: Xem ISO 19363:2020, Điều 6.

CHÚ THÍCH 2: Khả năng tương tác với bất kỳ EVPC tham chiếu chuẩn nào là tùy chọn.

3.108

Cáp kết nối (connecting cable)

Cáp kết nối các đơn vị vật lý khác nhau của SPC.

CHÚ THÍCH 1: Cáp bên trong một đơn vị vật lý không phải là cáp kết nối.

3.109

DUT (device under test)

Thiết bị cần thử nghiệm.

3.110

Bộ điều khiển truyền thông xe điện (electric vehicle communication controller)

EVCC

Hệ thống tích hợp trên xe, thực hiện việc truyền thông giữa xe và SECC để hỗ trợ các chức năng cụ thể.

CHÚ THÍCH 1: Các chức năng cụ thể như vậy có thể là điều khiển các kênh đầu vào và đầu ra, mã hóa hoặc truyền dữ liệu giữa xe và SECC.

[NGUỒN: ISO 15118-1:2019, 3.1.31]

3.111

Mạch công suất EV (EV power circuit)

EVPC

Cụm linh kiện trên xe bao gồm thiết bị thứ cấp và mạch điện tử công suất EV cũng như các kết nối cơ khí.

Xem Hình 1.

3.112

Mạch điện tử công suất trên EV (EV power electronics)

Linh kiện trên xe chuyển đổi công suất và tần số từ thiết bị thứ cấp thành đầu ra DC của EVPC.

VÍ DỤ: Mạng lưới kết hợp trở kháng (IMN), bộ lọc, bộ chỉnh lưu, bộ chuyển đổi trở kháng.

3.113

Lắp đặt phẳng (flush mounted)

Lắp đặt thiết bị sơ cấp theo cách mà bề mặt trên cùng của thiết bị sơ cấp bằng phẳng với mặt đường.

3.114

Vật thể ngoại lai (foreign object)

Vật thể không phải là một bộ phận gắn liền của xe hoặc hệ thống WPT.

3.115

Độ tự cảm tương hỗ cơ bản (fundamental mutual inductance)

Độ tự cảm tương hỗ của hai cuộn dây cụ thể ở một vị trí vật lý cụ thể so với nhau.

3.116

Thiết bị đo (gauge device)

Thiết bị thử nghiệm đặc trưng cho các trường từ liên quan đến một cuộn dây.

3.117

Tâm hình học (geometric centre)

Tâm không gian X, Y của cuộn dây sơ cấp hoặc cuộn dây thứ cấp.

3.118

Cấp công suất MF-WPT (MF-WPT power class)

Cấp công suất của một thiết bị cấp nguồn của hệ thống MF-WPT được xác định từ góc độ công suất tối đa được lấy từ mạng cấp nguồn để vận hành thiết bị cấp nguồn.

3.119

Truyền công suất không dây sử dụng trường từ (magnetic field WPT)

MF-WPT

Truyền công suất từ một nguồn điện đến một tải điện thông qua trường từ mà không có kết nối galvanic.

3.120

Cộng hưởng từ (magnetic resonance)

Truyền công suất không dây trường từ (MF-WPT) sử dụng một hoặc nhiều cuộn dây có hệ số chất lượng cao và một hoặc nhiều mạng lưới kết hợp trở kháng hoặc mạng lưới bù hoạt động ở hoặc gần cộng hưởng.

3.121

Tần số hoạt động (operating frequency)

Tần số được sử dụng để truyền công suất giữa thiết bị cấp nguồn và thiết bị EV trong phạm vi tần số hệ thống.

3.122

Hiệu suất truyền công suất (power transfer efficiency)

Tỷ lệ giữa công suất đầu ra của EVPC chia cho công suất đầu vào của SPC.

3.123

Cuộn dây sơ cấp (primary coil)

Thành phần của thiết bị sơ cấp bao gồm một hoặc nhiều cuộn dây điện và vật liệu từ tính tạo ra trường từ cho MF-WPT.

3.124

Thiết bị sơ cấp (primary device)

Thành phần ngoài xe bao gồm cuộn dây sơ cấp và mạng lưới bù của nó để tạo ra và định hình trường từ cho MF-WPT.

CHÚ THÍCH 1: Bao gồm vỏ, nắp đậy và hệ thống dây cáp.

3.125

EVPC tham chiếu (reference EVPC)

EVPC phục vụ cho mục đích thử nghiệm sự phù hợp.

3.126

SPC tham chiếu (reference SPC)

SPC phục vụ cho mục đích thử nghiệm sự phù hợp.

3.127

Gói còn lại (remaining package)

Gói lắp ráp hoặc gói chứa tất cả các thành phần của mạch cấp điện không phải gói nằm dưới xe.

3.128

Cuộn dây thứ cấp (secondary coil)

Thành phần của thiết bị thứ cấp bao gồm một hoặc nhiều cuộn dây điện và vật liệu từ tính để thu trường từ cho MF-WPT.

3.129

Thiết bị thứ cấp (secondary device)

Thành phần trên xe bao gồm cuộn dây thứ cấp và mạng lưới bù của nó để thu trường từ.

CHÚ THÍCH 1: Bao gồm vỏ, nắp đậy và hệ thống dây cáp.

3.130

Khoảng sáng gầm của thiết bị thứ cấp (secondary device ground clearance)

Khoảng cách thẳng đứng giữa bề mặt đất và điểm thấp nhất của thiết bị thứ cấp, bao gồm cả vỏ bọc.

CHÚ THÍCH 1: Bề mặt phía dưới có thể không phẳng và có thể không song song với bề mặt đất.

3.131

Bộ điều khiển truyền thông thiết bị cấp nguồn (supply equipment communication controller)

SECC

Thành phần ngoài xe thực hiện việc truyền thông với (các) EVCC.

CHÚ THÍCH 1: Chức năng của bộ điều khiển truyền thông thiết bị cấp nguồn có thể điều khiển các kênh đầu vào và đầu ra, mã hóa dữ liệu hoặc truyền dữ liệu giữa xe và SECC.

CHÚ THÍCH 2: Một SECC có thể điều khiển nhiều thiết bị cấp nguồn cho các cấu hình nhất định.

3.132

Mạch công suất cấp nguồn (supply power Circuit)

SPC

Cụm linh kiện đặt bên ngoài xe bao gồm thiết bị sơ cấp và mạch điện tử công suất cấp nguồn, cũng như các kết nối điện và cơ.

Xem Hình 1.

3.133

Mạch điện tử công suất cấp nguồn (supply power electronics)

Linh kiện đặt bên ngoài xe để chuyển đổi công suất và tần số từ mạng cấp nguồn thành công suất và tần số cần thiết cho thiết bị sơ cấp.

3.134

Lắp đặt nổi (surface mounted)

Lắp đặt thiết bị sơ cấp theo cách mà nó nhô lên trên mặt đất đến một chiều cao lắp đặt nhất định.

3.135

Phạm vi tần số hệ thống (system frequency range)

Phạm vi tần số mà hệ thống được thiết kế để truyền công suất.

3.136

Gói nằm dưới xe (under-vehicle package)

Gói lắp ráp chứa tất cả các thành phần của SPC, được thiết kế để đặt bên dưới xe khi xe ở vị trí để sạc.

3.137

X

Hướng di chuyển của xe theo ISO 4130.

3.138

Y

Hướng vuông góc với hướng di chuyển theo ISO 4130.

4 Các thuật ngữ viết tắt

Áp dụng Điều 4 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020).

5 Quy định chung

Áp dụng Điều 5 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020).

6 Phân loại

Áp dụng Điều 6 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), ngoài ra:

Bổ sung:

6.101 Các cấp tương thích

Thiết bị cấp nguồn được phân loại theo cấp tương thích:

- Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A;

- Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B.

6.102 Cấp công suất truyền tải

Các SPC là một phần của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A được phân loại theo các cấp MF-WPT như được mô tả trong Bảng 101.

Nhà chế tạo phải quy định công suất đầu vào danh định của mạch cấp nguồn.

Bảng 101 - Các cấp công suất MF-WPT

CHÚ THÍCH 101: Công suất đầu vào danh định có thể được chọn ở giá trị bất kỳ đến công suất tối đa của cấp đó.

CHÚ THÍCH 102: Các yêu cầu cho MF-WPT4 đang được xem xét.

6.103 Lắp đặt

Thiết bị sơ cấp được phân loại theo kiểu lắp đặt:

- Lắp đặt nổi - Xem Hình 101;

- Lắp đặt phẳng - Xem Hình 102.

CHÚ DẪN

a Thiết bị sơ cấp

b Thiết bị thứ cấp

1 Mặt đường

2 Khoảng sáng gầm của thiết bị thứ cấp

Hình 101 - Lắp đặt nổi

CHÚ DẪN

a Thiết bị sơ cấp

b Thiết bị thứ cấp

1 Mặt đường

2 Khoảng sáng gầm của thiết bị thứ cấp

Hình 102 - Lắp đặt phẳng

Các thiết bị sơ cấp không được cố định vào bề mặt lắp đặt đang được xem xét.

Xem Phụ lục c để biết vị trí trong chỗ đậu xe.

6.104 Các cấp Z

SPC là một phần của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A được phân loại theo khoảng sáng gầm của thiết bị thứ cấp được hỗ trợ như được quy định trong Bảng 102.

Bảng 102 - Phạm vi khoảng sáng gầm hỗ trợ của thiết bị thứ cấp

7 Yêu cầu chung về thiết bị cấp nguồn

Áp dụng Điều 7 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), ngoài ra:

7.1 Cấu trúc chung

Thay thế:

Hình 1 biểu diễn cấu trúc của các thành phần được tham chiếu trong tiêu chuẩn này. Các cấu trúc truyền thông và cấu trúc tín hiệu bổ sung để hỗ trợ hoạt động MF-WPT áp dụng theo IEC 61980-2.

CHÚ THÍCH: Xem IEC 61980-2 để biết chi tiết liên quan đến điểm 14, 15, 24, 25, b và c.

Hình 1 - Ví dụ về hệ thống MF-WPT

7.2 Yêu cầu truyền công suất

Bổ sung:

7.2.101 Quy định chung

Trừ khi có quy định khác trong các điều tiếp theo của tiêu chuẩn này, các yêu cầu được áp dụng cho cả thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B cũng như các bộ phận cấu thành của chúng.

Nếu một EVPC từ Phụ lục A đang được thử nghiệm để hoạt động với một thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B, cho mục đích của thử nghiệm, EVPC đó nên được xử lý và quy định như là một thiết bị EV tương thích cấp B (xem Bảng 108).

Quy trình kiểm tra xác nhận sự phù hợp được bao gồm trong 101.1.

7.2.102 Yêu cầu về tần số

Các yêu cầu về tần số sau đây áp dụng cho cả thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B.

Đối với tương thích cấp A, thiết bị cấp nguồn phải sử dụng cộng hưởng từ để thực hiện truyền công suất trong phạm vi tần số cơ bản từ 79 kHz đến 90 kHz theo Khuyến nghị ITU-R SM.2110.1:2019, Bảng 1.

Đối với tương thích cấp B, thiết bị cấp nguồn phải hoạt động trong dải tần số cơ bản từ 79 kHz đến 90 kHz. Chỉ tần số cơ bản được phép sử dụng để truyền công suất.

Đối với một phiên sạc nhất định, tần số hoạt động có thể được chọn ở mức công suất thấp là bất kỳ tần số nào trong phạm vi tần số hệ thống; tần số hoạt động phải duy trì cố định trong khoảng ±0,050 kHz trong suốt thời gian của phiên sạc đó trừ khi mức công suất được giảm xuống để đáp ứng yêu cầu công suất thấp.

Đối với mục đích này, công suất thấp là mức công suất nhỏ hơn hoặc bằng 25 % công suất đầy đủ cho sự kết hợp cụ thể của thiết bị cấp nguồn và thiết bị EV, được xác định là mức thấp hơn giữa công suất đầu vào tối đa (kVA) đến thiết bị cấp nguồn hoặc công suất danh định ra khỏi EVPC.

CHÚ THÍCH 101: Trong khi bất kỳ tần số cố định nào trong phạm vi tần số hệ thống đều được cho phép, tần số hoạt động danh nghĩa cho các EVPC tham chiếu chuẩn là 85 kHz.

CHÚ THÍCH 102: ở Nhật Bản, việc thay đổi tần số trong khi truyền công suất có thể được cho phép trong một số điều kiện nhất định.

7.2.103 Mức điện áp và công suất kVA đầu vào

Đối với cả thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B, nhà chế tạo phải quy định dải điện áp đầu vào hoạt động và công suất kVA đầu vào danh định.

7.2.104 Mức điện áp đầu ra

7.2.104.1 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

Đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A, các EVPC tham chiếu chuẩn phải cung cấp điện áp đầu ra từ 280 V đến 420 V ở mức công suất tối đa (xem 7.2.105.1).

7.2.104.2 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B

Đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B, điện áp đầu ra tối thiểu và tối đa của (các) EVPC được quy định bởi nhà chế tạo.

- V _min là điện áp đầu ra tối thiểu.

- V _max là điện áp đầu ra tối đa.

- V _range bằng (V _max - V _min ).

7.2.105 Mức công suất đầu ra

7.2.105.1 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

Một thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A phải có khả năng cung cấp công suất tối đa cho tất cả các thiết bị tham chiếu chuẩn được quy định trong Phụ lục A. Các điều kiện để truyền công suất tối đa được đưa ra dưới đây.

Khi cấp công suất WPT của EVPC tham chiếu chuẩn bằng hoặc cao hơn cấp công suất của thiết bị cấp nguồn, công suất tối đa được cung cấp xảy ra khi đầu vào của thiết bị cấp nguồn là kVA danh định.

Khi cấp công suất WPT của EVPC tham chiếu chuẩn thấp hơn cấp công suất của thiết bị cấp nguồn, công suất tối đa được cung cấp xảy ra khi đầu ra của EVPC ở mức công suất danh định.

7.2.105.2 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B

Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B phải có khả năng cung cấp công suất đầu ra danh định cho (các) EVPC được quy định bởi nhà chế tạo thiết bị cấp nguồn.

7.2.106 Tính năng động

7.2.106.1 Quy định chung

Đối với cả thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B, các khoảng thời gian tắt sau đây là bắt buộc.

Trong trường hợp xảy ra tình trạng tắt khẩn cấp, thiết bị cấp nguồn phải giảm dần dòng điện cuộn dây thiết bị sơ cấp của nó và dừng truyền công suất trong vòng 1 s kể từ khi xác định được tình trạng tắt khẩn cấp.

Trong trường hợp mất truyền thông giữa EVPC và SECC, công suất phải được giảm xuống mức đủ thấp để đáp ứng các yêu cầu về EMF trong vòng 4 s kể từ khi mất truyền thông, bao gồm tối đa 2 s để phát hiện mất truyền thông để kích hoạt tắt máy. Công suất sẽ tiếp tục giảm xuống 0 W.

Khi truyền công suất được đặt thành 0 W hoặc bị dừng lại, dòng điện trong cuộn dây của thiết bị sơ cấp phải đảm bảo đáp ứng tất cả các yêu cầu về EMF trong tiêu chuẩn này.

7.2.106.2 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

Đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A, trong quá trình hoạt động bình thường, tốc độ tăng công suất đầu ra và tốc độ giảm công suất đầu ra phải nằm trong phạm vi trong Bảng 103.

Bảng 103 - Tốc độ thay đổi công suất đầu ra của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

Dòng điện đầu vào của thiết bị cấp nguồn vượt quá phải duy trì trong phạm vi 10 % giá trị mục tiêu của nó trong quá trình tăng và giảm.

Thiết bị cấp nguồn phải có biện pháp để tăng và giảm công suất cung cấp cho EVPC trong quá trình truyền công suất. Thiết bị cấp nguồn thực hiện các điều chỉnh này bằng cách điều chỉnh dòng điện đến cuộn dây của thiết bị sơ cấp.

Thiết bị cấp nguồn phải có thời gian phản hồi của bộ điều khiển là 2 ms hoặc ít hơn để điều khiển dòng điện đến cuộn dây thiết bị sơ cấp trong tất cả các điều kiện hoạt động.

CHÚ THÍCH: Các hệ thống điều khiển riêng biệt nhưng tương tác có thể tồn tại trên thiết bị cấp nguồn và EVPC (xem IEC 61980-2).

Cần đặc biệt xem xét về tính ổn định của điều khiển trong trường hợp EVPC có khả năng thực hiện các thay đổi ảnh hưởng đến việc cung cấp điện năng hoặc trở kháng phát hiện trên thiết bị sơ cấp.

Nếu EVPC có khả năng thực hiện các điều chỉnh ảnh hưởng đến việc cung cấp điện năng hoặc trở kháng xác định ở thiết bị cấp nguồn, các thay đổi này không được dẫn đến những thay đổi về cung cấp điện năng vượt quá tốc độ tăng và giảm nêu trên trong hoạt động bình thường. EVCC sẽ chỉ yêu cầu thay đổi từ thiết bị cấp nguồn trong quá trình khởi động và hoạt động bình thường một khi các điều chỉnh điều khiển của chính nó đã hoàn tất. Trong quá trình hoạt động bình thường, EVPC sẽ thực hiện tất cả các thay đổi ảnh hưởng đến công suất hoặc trở kháng nhìn thấy ở thiết bị sơ cấp với tốc độ 50 Hz hoặc thấp hơn để thiết bị cấp nguồn có thể bù cho những thay đổi này trước khi xảy ra các thay đổi trở kháng tiếp theo. Nếu EVPC phát hiện ra tình trạng khẩn cấp hoặc lỗi, nó có thể thực hiện các thay đổi ở bất kỳ tốc độ nào cần thiết để duy trì trong điều kiện hoạt động an toàn.

7.2.106.3 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B

Đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B, nhà chế tạo phải quy định tốc độ tăng và giảm trong hoạt động bình thường, dòng điện đầu vào của thiết bị cấp nguồn vượt quá và băng thông điều khiển.

7.3 Hiệu suất

Bổ sung:

7.3.101 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A phải hỗ trợ hiệu suất truyền công suất tối thiểu theo Bảng 104 khi hoạt động với EVPC tham chiếu cùng cấp công suất WPT ở kVA đầu vào danh định của nó.

Bảng 104 - Hiệu suất truyền công suất tối thiểu với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị EV tham chiếu chuẩn cùng cấp công suất

Vì các thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A có thể được đánh giá ở mức công suất WPT khác với mức của EVPC mà nó được yêu cầu cung cấp điện, nên các điều về sự khác biệt mức công suất đó được cung cấp trong các yêu cầu về hiệu suất như được thể hiện trong Bảng 105.

Khi thiết bị cấp nguồn cùng cấp công suất hoặc là cấp công suất thấp hơn so với EVPC, các yêu cầu về hiệu suất của Bảng 105 được áp dụng khi thiết bị cấp nguồn hoạt động ở kVA đầu vào danh định của nó.

Khi thiết bị cấp nguồn có cấp công suất cao hơn EVPC, các yêu cầu về hiệu suất của Bảng 105 được áp dụng khi đầu ra của EVPC là đầu ra danh định tối đa.

Bảng 105 - Hiệu suất truyền công suất tối thiểu với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị EV tham chiếu chuẩn tại các cấp công suất khác nhau

7.3.102 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B

Một thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B được thiết kế để hoạt động với các EVPC cụ thể. Khi hoạt động tại công suất kVA đầu vào danh định của nó, hiệu suất phải theo Bảng 106.

Bảng 106 - Hiệu suất truyền công suất tối thiểu cho thiết bị cấp điện loại tương thích B và EVPC quy định

7.4 Căn chỉnh

Bổ sung:

7.4.101 Vùng dung sai căn chỉnh cho thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

Vùng dung sai căn chỉnh so với điểm căn chỉnh trung tâm cho thiết bị sơ cấp của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A là một hình chữ nhật như được quy định trong Bảng 107.

Bảng 107 - Dung sai căn chỉnh của thiết bị sơ cấp (tương thích cấp A)

7.4.102 Khoảng sáng gầm của thiết bị thứ cấp đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A phải có khả năng đáp ứng các yêu cầu về tính năng như một thiết bị cấp nguồn cấp Z3 theo Bảng 102.

7.4.103 Vùng dung sai căn chỉnh cho thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B

Nhà chế tạo phải quy định hình dạng và kích thước của vùng dung sai căn chỉnh so với điểm căn chỉnh trung tâm cho thiết bị sơ cấp của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B (thiết bị sơ cấp cấp B) và kết hợp thiết bị cấp nguồn EV cụ thể. Nếu có nhiều hơn một kết hợp, vùng dung sai căn chỉnh cho mỗi kết hợp phải được quy định.

7.4.104 Khoảng sáng gầm của thiết bị thứ cấp đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B

Vì nhà chế tạo sẽ quy định các EVPC mà thiết bị cấp nguồn cấp B sẽ được thử nghiệm, nhà chế tạo phải quy định phạm vi khoảng sáng gầm xe của thiết bị thứ cấp cho thiết bị cấp nguồn và kết hợp thiết bị EV. Nếu có nhiều hơn một kết hợp, phạm vi khoảng sáng gầm xe cho mỗi kết hợp phải được quy định.

7.5 Hoạt động được cung cấp bởi hệ thống WPT

Bổ sung:

IEC 61980-2 mô hình hóa quy trình hoạt động cho MF-WPT như một phiên WPT, được tổ chức bởi một chuỗi các hoạt động.

Các hoạt động này được thực hiện, tương ứng được hỗ trợ, bởi truyền thông giữa EVCC và SECC. Các yêu cầu đối với thiết bị cấp nguồn liên quan đến việc thực hiện các hoạt động, bao gồm cả các yêu cầu liên quan đến phần cứng, được mô tả trong IEC 61980-2.

Bổ sung:

7.5.101 Yêu cầu tính năng tổng thể

Sự kỳ vọng và yêu cầu đối với cả thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B là đáp ứng các yêu cầu áp dụng của 7.2.102 (tần số) và 7.3 (hiệu suất) và toàn bộ phạm vi biến thiên trong 7.2.103 (điện áp đầu vào và kVA), 7.2.104 (điện áp đầu ra từ EVPC), 7.2.105 (công suất đầu ra từ EVPC) và các yêu cầu về tính năng động trong 7.2.106 trên phạm vi căn chỉnh quy định trong 7.4.

Tóm tắt các yêu cầu được đề cập trong đoạn trên được trình bày trong Bảng 108.

Bảng 108 - Tóm tắt các yêu cầu theo các cấp tương thích

Số lượng các kết hợp thử nghiệm là rất lớn và việc thực hiện đầy đủ chúng là không thực tế. Quy trình thử nghiệm trong 101.1 mô tả quy trình kiểm tra xác nhận theo tiêu chuẩn này.

Các thử nghiệm kiểm tra xác nhận thiết kế bổ sung được khuyến nghị. Chúng có thể phát hiện các lĩnh vực mà tính năng có thể gần đạt đến giới hạn.

7.5.102 Phát hiện sự hiện diện của xe

Trừ khi có một cơ chế riêng biệt để phát hiện sự hiện diện của xe, thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A phải có khả năng phát hiện sự hiện diện hoặc vắng mặt của xe nằm trên thiết bị sơ cấp. Khả năng phát hiện phải độc lập với cơ chế truyền thông hoặc tín hiệu bên ngoài của thiết bị cấp nguồn.

Việc sử dụng thông tin này được chứa trong thiết bị cấp nguồn để làm cho thiết bị cấp nguồn nhận biết rằng nó không nên phản hồi các yêu cầu ghép nối từ một xe đang đến gần nếu đã có một xe nằm trên thiết bị sơ cấp đó.

Kiểm tra xác nhận chức năng được đưa ra trong 101.3.

8 Truyền thông

Áp dụng Điều 8 của IEC 61980-1: 2020 ngoài ra:

Bổ sung:

Khái niệm truyền thông và điều khiển cho thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B được mô tả trong IEC 61980-2.

Các yêu cầu về truyền thông và điều khiển đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A được mô tả trong IEC 61980-2.

Phần cứng để hỗ trợ truyền thông như được mô tả trong IEC 61980-2 giữa EVCC và SECC không được quy định trong tiêu chuẩn này. Xem IEC 61980-2 để biết chi tiết.

9 Khả năng tương tác truyền công suất

Thay thế:

Khả năng tương tác đề cập đến WPT giữa thiết bị cấp nguồn và thiết bị EV không được thiết kế đặc biệt với nhau, ví dụ WPT giữa các thiết bị từ các nhà cung cấp khác nhau hoặc các thiết bị thuộc các cấp công suất khác nhau.

Đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A, khả năng tương tác phải được kiểm tra xác nhận với các EVPC tham chiếu chuẩn cho mỗi cấp công suất MF-WPT và cấp z áp dụng như được đưa ra trong Phụ lục A, đáp ứng tất cả các yêu cầu đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A được liệt kê trong Điều 7, sử dụng quy trình trong 101.1.

Khả năng tương tác của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B không áp dụng vì thiết bị cấp nguồn được thiết kế để hoạt động với các EVPC cụ thể. Nó được kiểm tra xác nhận với mỗi EVPC đỏ để đáp ứng tất cả các yêu cầu đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B được liệt kê trong Điều 7 bằng cách sử dụng quy trình trong 101.1.

Tất cả các thiết bị được quy định trong Phụ lục A được chế tạo bằng cấu trúc liên kết cuộn dây tròn.

Các cấu trúc liên kết cuộn dây khác tồn tại; các ví dụ về cuộn dây sử dụng cấu trúc liên kết cuộn dây DD được cung cấp thông tin nêu trong Phụ lục B.

CHÚ THÍCH: Các phương pháp để xác định khả năng tương tác từ tính bằng các yêu cầu vượt quá thử nghiệm đối với các mạch điện nguồn xe điện đang được xây dựng - xem Phụ lục D.

10 Bảo vệ chống điện giật

Áp dụng Điều 10 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020) ngoài ra:

10.1 Yêu cầu chung

Bổ sung:

CHÚ THÍCH 101: Đối với hệ thống hoặc thiết bị trên xe, các yêu cầu được quy định trong ISO 19363.

10.2 Mức độ bảo vệ chống tiếp cận với các bộ phận có điện nguy hiểm

Thay thế:

Chỉ số bảo vệ IP cho vỏ của thiết bị sơ cấp phải ít nhất là IPXXD. Xem thêm 13.4.

10.3.1 Năng lượng lưu trữ trong điều kiện bất thường hoặc lỗi

Bổ sung:

Đối với thiết bị cấp nguồn bao gồm hai hoặc nhiều bộ phận được kết nối bằng cáp và đầu nối, nơi đầu nối có thể được ngắt kết nối mà không cần dùng dụng cụ và các chân kết nối có thể tiếp cận được sau khi ngắt kết nối, điện áp giữa bất kỳ sự kết hợp nào của các tiếp điểm có thể tiếp cận được của đầu nối phải nhỏ hơn hoặc bằng 60 V DC hoặc năng lượng lưu trữ có sẵn phải nhỏ hơn 0,5 mJ một giây sau khi ngắt kết nối.

11 Yêu cầu cụ thể cho hệ thống WPT

Áp dụng Điều 11 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), ngoài ra:

11.1 Quy định chung

Bổ sung vào trước đoạn văn đầu tiên:

Thiết bị cấp nguồn phải có khả năng phát hiện bất kỳ sai lỗi hoặc ngoại lệ nào sau đây:

- Nhiệt độ hoạt động quá cao;

- Điện áp đầu vào quá thấp/quá cao;

- Dòng điện đầu vào quá tải.

Nếu lỗi hoặc ngoại lệ vẫn tồn tại, thiết bị cấp nguồn phải cố gắng khắc phục vấn đề phù hợp với các yêu cầu của IEC 61980-2.

CHÚ THÍCH: Các hành động khắc phục có thể bao gồm giảm mức truyền công suất hoặc tắt nguồn.

11.3 Điện trở cách điện

Thay thế đoạn thứ nhất:

Điện trở cách điện với điện áp DC 1 000 V áp dụng giữa tất cả các đầu vào/đầu ra được kết nối với nhau và các bộ phận có thể tiếp cận phải là:

• Đối với thiết bị cấp nguồn loại I: R ≥ 1 MΩ

• Đối với thiết bị cấp nguồn loại II: R ≥ 7 MΩ.

11.6.3 Giới hạn nhiệt độ cho vật liệu

Thay thế đoạn thứ hai và thứ ba:

Sự tăng nhiệt độ trong quá trình hoạt động bình thường và trong điều kiện lỗi đơn lẻ không được gây ra hư hỏng cho các bộ phận dẫn dòng hoặc các bộ phận tiếp giáp của thiết bị cấp nguồn.

Sự phù hợp được chứng minh trên cơ sở kiểm tra xác nhận thiết kế theo 10.10 của TCVN 13724-1:2023 (IEC 61439-1:2020).

11.6.4 Bảo vệ chống bỏng do làm nóng các vật thể ngoại lai

Thay thế:

11.6.4.101 Nguy cơ chạm

Điều này áp dụng cho cả thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B.

Nhà chế tạo thiết bị cấp nguồn phải xác định và quy định "khu vực hoạt động quan trọng", tức là khu vực mà các vật thể ngoại lai có thể tiếp xúc với trường từ có cường độ đủ để khiến chúng đạt hoặc vượt quá giới hạn nhiệt độ

- 80 °C cho các bộ phận kim loại bề mặt kim loại trần và

- 90 °C cho các bộ phận có bề mặt phi kim loại.

Trong hầu hết các trường hợp, khu vực hoạt động quan trọng nằm trên bề mặt của thiết bị sơ cấp.

Có bốn loại vật thể.

1) Các vật thể sẽ không nóng lên khi tiếp xúc với trường từ trong khu vực hoạt động quan trọng.

2) Các vật thể sẽ nóng lên và có thể vượt quá giới hạn nhiệt độ nếu đặt trong khu vực hoạt động quan trọng trong quá trình truyền công suất, nhưng cũng sẽ nguội xuống dưới giới hạn nhiệt độ trong vòng vài giây sau khi ngừng truyền công suất. Những vật này có thể là những vật nhỏ khó phát hiện.

3) Các vật thể sẽ nóng lên và có thể vượt quá giới hạn nhiệt độ nếu đặt trong khu vực hoạt động quan trọng trong quá trình truyền công suất, nhưng cũng sẽ nguội xuống dưới giới hạn nhiệt độ trong vòng 10 s sau khi ngừng truyền công suất.

4) Các vật thể sẽ nóng lên và vượt quá giới hạn nhiệt độ nếu đặt trong khu vực hoạt động quan trọng trong quá trình truyền công suất và vẫn sẽ vượt quá giới hạn nhiệt độ sau 10 s sau khi ngừng truyền công suất.

Chỉ các vật thể loại 4 được phân loại là nguy cơ chạm cho mục đích phát hiện vật thể ngoại lai.

CHÚ THÍCH 101: Các yêu cầu áp dụng để bảo vệ ai đó khỏi chạm vào các vật thể ngoại lai. Yêu cầu chạm này chỉ áp dụng cho các vật thể có thể tiếp cận được tại thời điểm đó. Các vật thể dưới xe không được coi là có thể tiếp cận được. Trong trường hợp thông thường liên quan đến tiêu chuẩn này, những vật thể ngoại lai đáng lo ngại như vậy sẽ nằm dưới xe khi đỗ xe hoặc trên hoặc bên cạnh thiết bị sơ cấp trước khi xe xuất hiện hoặc sau khi xe rời khỏi chỗ đỗ xe.

CHÚ THÍCH 102: Thời gian đề cập trong loại 2 cho phép một hệ thống phát hiện xâm nhập, nơi một người được phát hiện đang với tay dưới xe.

CHÚ THÍCH 103: Thời gian 10 s đề cập trong loại 3 cho phép ngừng truyền công suất và xe được di chuyển khỏi vị trí sạc.

Thiết bị cấp nguồn phải có một cơ sở phát hiện vật thể ngoại lai (FOD) có khả năng phát hiện các vật thể trong loại 4. Khi phát hiện ra một vật thể loại 4, cơ sở FOD sẽ khiến ngừng truyền công suất.

Kiểm tra sự phù hợp theo 101.2.

Xem thêm 17.102.

11.6.4.102 Bảo vệ chống nhiệt và cháy

11.6.4.102 áp dụng cho cả thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B.

Thiết bị cấp nguồn không được làm cho các vật thể ngoại lai trở thành nguy cơ cháy. Để phù hợp với 11.6.4.102, nguy cơ cháy được định nghĩa là một nguy cơ gây ra cháy.

Các vật thể ngoại lai có thể trở thành nguy cơ cháy phải được phát hiện và hệ thống phải tắt hoặc giảm truyền công suất để ngăn chặn mồi cháy.

Kiểm tra sự phù hợp theo 101.2.

11.8 Bảo vệ khỏi trường điện từ

Thay thế:

11.8.101 Quy định chung

Một hệ thống WPT không được gây ra sự tiếp xúc của con người với trường điện từ vượt quá giới hạn theo hướng dẫn ICNIRP hiện hành do hoạt động của WPT. Khu vực bên trong khoang xe và bên ngoài vỏ bên ngoài của xe (phía trước, bên cạnh, phía sau) xuống đến mức mặt đất được đề cập trong ISO 19363:2020 (khu vực bảo vệ 2 và 3). Xem Hình 103.

Khu vực bên dưới xe, khu vực bảo vệ ISO 19363:2020 số 1, được giới hạn bởi vỏ bên ngoài của xe, là trách nhiệm của SPC.

Để mục đích thiết lập bàn thử nghiệm, khu vực bảo vệ 3 được coi là khu vực trực tiếp phía trên tấm mô phỏng; khu vực bảo vệ 1 được coi là khu vực bên dưới tấm mô phỏng; và khu vực còn lại ở hai bên của bàn thử nghiệm được coi là khu vực bảo vệ 2.

Hình 103 - Khu vực thử nghiệm

11.8.102 Yêu cầu bảo vệ người khỏi tiếp xúc với trường điện từ nguy hiểm

Theo Hướng dẫn ICNIRP 2010, các hạn chế cơ bản trong Bảng 2 của Hướng dẫn ICNIRP 2010 hoặc các mức tham chiếu, như trong Bảng 4 của Hướng dẫn ICNIRP 2010, phải được đáp ứng.

CHÚ THÍCH: Quy định địa phương có thể quy định các yêu cầu hạn chế hơn.

Vì khu vực bảo vệ 1 nằm dưới xe và thường không thể tiếp cận được, nhu cầu bảo vệ người chỉ trở thành mối quan tâm nếu trường điện từ lớn hơn những trường đáp ứng giới hạn ICNIRP khi một người ở dưới xe. Nếu trường vượt quá giới hạn ICNIRP trong khu vực bảo vệ 1, các biện pháp bổ sung phải được thực hiện theo một trong các cách sau:

1) Kiểm soát tiếp cận chủ động hoặc thụ động, ngăn chặn một người vào hoặc đặt bất kỳ bộ phận nào trong khu vực mà giới hạn ICNIRP bị vượt quá;

2) Phát hiện và tắt hệ thống MF-WPT trước khi xâm nhập vào khu vực mà giới hạn ICNIRP bị vượt quá.

11.8.103 Yêu cầu bảo vệ chức năng của thiết bị điện tử cấy ghép tim (CIED)

Theo ISO 14117, giới hạn trường điện từ an toàn cho thiết bị điện tử cấy ghép tim (CIED) dựa trên điện áp tối đa được phép cảm ứng trong một vòng lặp 225 cm ² . ISO 14117 chỉ ra rằng điện áp cảm ứng tối đa được phép, V _{MAX_INDUCED_RMS} , được đặt sao cho V _{MAX_INDUCED_RMS} = tần số (kHz), ví dụ 180,31 mV RMS ở 85 kHz. Bằng cách chuyển đổi điều này thành mức trường, mức trường tối đa là 15,0 μT hoặc 11,9 A/m RMS đối với 79 kHz đến 90 kHz cho một vòng lặp 225 cm ² có thể được xác định. Giới hạn trường từ này được coi là mức tham chiếu CIED, tương tự như những gì tồn tại cho các mức tham chiếu tiếp xúc của con người, và dựa trên hạn chế cơ bản CIED ngầm của điện áp vòng dây cảm ứng.

Hoặc hạn chế cơ bản CIED hoặc mức tham chiếu CIED phải được đáp ứng. Tuân thủ với mức tham chiếu CIED có thể được chứng minh bằng cách sử dụng một đầu dò trường 100 cm ² tiêu chuẩn với ba trục như được quy định trong IEC 61786-1 và trung bình bốn vị trí được quy định xung quanh bất kỳ phép đo tối đa vượt quá 15,0 pT RMS theo quy trình trong ISO 19363:2020, Phụ lục D. Mức trường được lấy chính xác trong tất cả ba trục và được quy định là độ lớn (tổng bình phương gốc) của các trục X, Y và z (tức là, ). Hạn chế cơ bản CIED hoặc mức tham chiếu phải được đáp ứng trong các khu vực bảo vệ 2 và 3 cho bất kỳ vị trí vòng dây CIED thực tế nào liên quan đến vị trí cơ thể người có thể dự đoán được.

Xác định sự phù hợp với các hạn chế cơ bản phức tạp hơn tuân thủ với các mức tham chiếu, nhưng trong trường hợp không đáp ứng được các mức tham chiếu, tuân thủ với các hạn chế cơ bản sẽ đáp ứng yêu cầu an toàn.

Nếu trường MF-WPT được điều chế, không có dạng sin đáng kể hoặc bao gồm vượt quá trong quá trình chuyển đổi biên độ, các đánh giá CIED nên được thực hiện bằng cách sử dụng giới hạn đỉnh bằng giới hạn RMS nhân 1,41.

11.8.104 Xác định sự phù hợp với các mức trường yêu cầu

Xác định sự phù hợp nên được thực hiện trong các điều kiện sau:

- sai lệch tối đa giữa thiết bị thứ cấp và thiết bị sơ cấp;

- khoảng cách tối đa đến mặt đất;

- truyền công suất đầu ra danh định ở trạng thái sạc thấp.

Sử dụng một đầu dò trường 100 cm ² theo IEC 61786-1, độ lớn của các trường có thể dễ dàng được xác định. Trong khu vực bảo vệ 1, nếu trường lớn hơn giới hạn trong 11.8.102, hoặc

1) Xác định sự phù hợp với hạn chế cơ bản có thể được thực hiện bằng cách sử dụng các phương pháp mô phỏng số thích hợp (xem ISO 19363:2020, Phụ lục D),

2) Kiểm soát chủ động hoặc thụ động có thể được thực hiện để ngăn chặn một người hoặc bộ phận của cơ thể vào các khu vực mà giới hạn bị vượt quá, hoặc

3) Một hệ thống phát hiện người có thể được thực hiện để tắt hoặc giảm truyền công suất đến mức an toàn.

Trong các khu vực bảo vệ 2 và 3, nếu trường nhỏ hơn giới hạn của con người trong 11.8.102 nhưng lớn hơn giới hạn CIED trong 11.8.103 (sử dụng trung bình của bốn điểm theo ISO 19363:2020, Phụ lục D), tuân thủ với hạn chế cơ bản cho CIED được chứng minh nếu điện áp cảm ứng trong một vòng dây 225 cm ² không vượt quá V _{MAX_INDUCED_RMS} = mV × tần số (kHz), trong RMS, ví dụ 180,31 mV RMS ở 85 kHz, khi vòng dây được đặt ở một hướng và vị trí hợp lý phản ánh vị trí của con người trong các khu vực bảo vệ 2 và 3.

Nếu không đáp ứng được các hạn chế cơ bản của con người hoặc CIED, một phương pháp để ngăn chặn xâm nhập (ví dụ một rào chắn) hoặc một hệ thống phát hiện người có thể được thực hiện để tắt hoặc giảm truyền công suất đến mức an toàn trong khu vực thích hợp.

Khi thực hiện thử nghiệm tuân thủ bằng cách sử dụng thiết lập bàn thử nghiệm (xem 101.1.3), tấm mô phỏng phải được coi là tương đương với thân xe được nêu trong ISO 19363:2020, Phụ lục D; các phép đo phải được thực hiện cách 20 cm từ chiếu thẳng đứng của cạnh của tấm mô phỏng và tuân theo các quy trình trong ISO 19363:2020, Phụ lục D.

12 Yêu cầu cáp nguồn

Thay thế:

12.101 Cáp nguồn

Để phù hợp với tiêu chuẩn này, cáp nguồn là cáp kết nối SPC với nguồn điện.

Cáp nguồn phải được đánh giá để mang theo các mức điện áp và mức dòng điện mà nó tiếp xúc trong hoạt động và phù hợp với các yếu tố môi trường và dịch vụ mà nó có thể tiếp xúc.

Kiểm tra sự phù hợp bằng cách xem xét.

12.102 Cáp kết nối

Các cáp kết nối phải được cấu trúc theo cách phù hợp với các điều kiện môi trường và dịch vụ, cũng như khả năng điện áp và dòng điện mà nó tiếp xúc trong dịch vụ bình thường.

Kiểm tra sự phù hợp bằng cách xem xét.

Nếu cáp nguồn hoặc cáp kết nối được sử dụng theo cách có thể làm cho chủng bị cán qua, cáp phải tuân theo thử nghiệm bị cán qua trong 14.2.101. cần xem xét lắp đặt bằng cách sử dụng một cấu trúc bảo vệ cơ khí, chẳng hạn như ống dẫn và có thể chôn dưới mặt đường.

13 Yêu cầu về cấu tạo

ÁP dụng Điều 13 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), ngoài ra:

13.1 Kích thước thiết bị cấp nguồn và yêu cầu lắp đặt

Thay thế:

Chiều cao lắp đặt của gói nằm dưới xe so với bề mặt đường đỗ hoặc đường không được vượt quá 70 mm.

Các đặc tính bề mặt của gói nằm dưới xe có thể tuân theo quy định địa phương.

13.4 Cấp IP

Thay thế:

Cấp IP cho vỏ của gói nằm dưới xe cho các thiết bị lắp đặt nổi và lắp đặt phẳng phải như sau:

- cấp IP tối thiểu phải là IP 65;

- cấp IP tối thiểu trong lắp đặt đường công cộng phải là IP 69K theo ISO 20653 khi được lắp đặt.

Cấp IP tối thiểu cho các gói còn lại phải như sau:

- để sử dụng trong nhà: IP 41;

- để sử dụng ngoài trời: IP 44.

Kiểm tra sự phù hợp bằng thử nghiệm theo IEC 60529.

CHÚ THÍCH ở Hoa Kỳ và Canada, đầu dò ngón tay khớp nối UL được sử dụng theo quy định quốc gia.

14 Độ bền của vật liệu và bộ phận

Điều 14 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020) áp dụng trừ các trường hợp sau:

14.2 Kiểm tra xác nhận độ bền cơ khí cho vỏ của thiết bị cấp nguồn

Thay thế:

Các vỏ, khác với gói nằm dưới xe, phải tuân theo các thử nghiệm áp dụng theo IEC 61439-7:2018, 10.2.701.

Gói nằm dưới xe phải tuân theo thử nghiệm trong 14.2.101.

Bổ sung:

14.2.101 Thử nghiệm xe chạy qua

Thử nghiệm xe chạy qua chỉ áp dụng cho gói nằm dưới xe và các cáp liên quan của nó.

Gói nằm dưới xe, bao gồm cáp, phải được lắp đặt trên hoặc trong một sàn bê tông phẳng như được quy định trong tài liệu của nhà chế tạo. Thử nghiệm phải được thực hiện như cách nó được lắp đặt, nhưng không phải trong quá trình truyền công suất.

Một lực nghiền nát phải được áp dụng lên gói nằm dưới xe và cáp với tải trọng bánh xe là 5 000 N bằng một lốp xe ô tô thông thường, P225/75R15 hoặc một lốp tương đương phù hợp cho tải trọng, gắn trên vành thép và bơm hơi đến áp suất (2,2 ±0,1) bar. Bánh xe phải được lăn qua phần chính của gói nằm dưới xe và cáp với tốc độ (8 ± 2) km/h.

Đối với gói nằm dưới xe:

- xe chạy qua bắt đầu từ một bên của thiết bị qua trung tâm theo từng hướng (X và Y) để lộ bề mặt thiết bị cho lực ép được quy định ở trên;

- như một bước tiếp theo, tiến hành cùng một thử nghiệm với hướng lái xe được xoay 45°, tức là theo đường chéo qua thiết bị qua các góc đối diện.

Đối với những ứng dụng cần bảo vệ gói nằm dưới xe khỏi các phương tiện nặng (như xe buýt trung chuyển), thử nghiệm xe chạy qua phải được thực hiện với tải trọng bánh xe là 15 000 N với lốp trong phạm vi 275/70 R22.5 ở 8 bar (thông thường cho xe buýt trung chuyển châu Âu và châu Á) hoặc 305/70 R22.5 bơm hơi đến áp suất (2,2 ± 0,1) bar. Bánh xe phải được lăn qua phần chính của gói nằm dưới xe và cáp với tốc độ (8 ± 2) km/h. Lực ép phải được áp dụng bốn lần:

- xe chạy qua bắt đầu từ một bên của thiết bị qua trung tâm theo sau là bên kia theo từng hướng (X và Y) để lộ toàn bộ bề mặt thiết bị với lực ép được quy định ở trên;

- tiếp theo, tiến hành cùng một thử nghiệm với hướng lái xe được xoay 45°, tức là theo đường chéo qua thiết bị.

Để thử nghiệm cáp, hãy đặt cáp như được quy định trong hướng dẫn lắp đặt, bao gồm cả ống dẫn bảo vệ. Nếu không được quy định, cáp nên được đặt thẳng và phẳng.

Lực ép được quy định (tùy thuộc vào ứng dụng như mô tả ở trên) phải được áp dụng hai lần vuông góc với cáp tại cùng một vị trí.

Không được có vết nứt nghiêm trọng, vỡ hoặc biến dạng đến mức

- các bộ phận có điện trở nên tiếp cận được bằng đầu dò thử nghiệm của cấp IPXXD theo IEC 60529,

- tính toàn vẹn của vỏ bị phá vỡ sao cho bảo vệ cơ khí hoặc môi trường (mức độ) chấp nhận được không được cung cấp cho các bộ phận bên trong của thiết bị,

- có sự can thiệp vào hoạt động hoặc chức năng của thiết bị,

- thiết bị hoặc kẹp cáp của nỏ không cung cấp giảm tải căng thích hợp cho cáp,

- khoảng cách rò điện và khoảng cách giữa các bộ phận có điện cực tính trái dấu, các bộ phận có điện và kim loại chết hoặc nối đất có thể tiếp cận được giảm xuống dưới giá trị được thiết kế theo 13.6 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020),

- có bằng chứng khác về hư hỏng có thể làm tăng nguy cơ cháy hoặc giật điện, và

- phụ kiện không tuân thủ thử nghiệm điện môi lặp lại theo 11.4 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980- 1:2020).

15 Điều kiện dịch vụ và điều kiện thử nghiệm

Áp dụng Điều 15 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020).

16 Tương thích điện từ (EMC)

Áp dụng Điều 16 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), ngoài ra:

16.1 Tải và điều kiện hoạt động

Bổ sung:

16.1.101 Làm rõ việc sử dụng các thuật ngữ cấp A hoặc cấp B trong Điều 16

Khi tham chiếu đến thiết bị cấp A hoặc cấp B được quy định trong TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), Điều 16 hoặc trong TCVN 14450-3 (IEC 61980-3), Điều 16, là đang đề cập đến thiết bị cho môi trường công nghiệp (cấp A) hoặc cho môi trường dân cư (cấp B).

16.3 Yêu cầu nhiễu

16.3.2.3 Biến động điện áp và nhấp nháy

Bổ sung sau đoạn thứ hai:

Thử nghiệm phải được thực hiện cả ở chế độ chờ và chế độ hoạt động. Hệ thống phải ở nhiệt độ hoạt động ổn định.

Đối với các thử nghiệm trong chế độ hoạt động, theo dõi kết quả trong quá trình khởi động đến công suất đầy đủ, chạy ở công suất đầy đủ trong vài phút, chuyển sang nửa công suất, chạy ở nửa công suất trong vài phút và chuyển sang tắt nguồn.

Bổ sung:

16.3.101 Quy trình thử nghiệm - Phát xạ bức xạ cho chức năng truyền công suất

16.3.101.1 Quy định chung

Phương pháp thử nghiệm theo giới hạn trong TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), 16.3.3.4 và 16.3.3.5, phải được thực hiện theo yêu cầu quy định khu vực. Dưới đây là các khuyến nghị bố trí thử nghiệm cho hệ thống MF-WPT.

Thử nghiệm hệ thống MF-WPT phải được thực hiện trên một địa điểm thử nghiệm ngoài trời được công nhận (OATS), buồng bán âm (SAC) hoặc vỏ bọc chắn chắn lót bằng chất hấp thụ (ALSE), đã được chứng nhận cho thử nghiệm bức xạ trong dải tần số đang được thử nghiệm (ví dụ 9 kHz đến 30 MHz). Địa điểm thử nghiệm phải có sàn kim loại và bàn xoay kim loại với bán kính ít nhất là 1,9 m có khả năng xoay thiết bị MF-WPT đang được thử nghiệm (EUT). Các quét ban đầu phải được thực hiện bằng cách sử dụng kích thước bước góc bàn xoay không lớn hơn 22,5° cho mỗi hướng của anten. Khi tìm thấy phát xạ tối đa bằng cách sử dụng kích thước bước thô, phép đo chính xác hơn về phát xạ tối đa có thể được xác định bằng cách giảm kích thước bước góc bàn xoay.

16.3.101.2 Thiết lập bàn thử nghiệm

Khi thử nghiệm bằng cách sử dụng thiết lập bàn thử nghiệm, các yêu cầu sau đây áp dụng.

- Đối với phát xạ bức xạ, các đơn vị EUT khác nhau nên được sắp xếp sao cho kích thước của khối lượng thử nghiệm được tối thiểu hóa, trong khi vẫn tuân thủ các cài đặt điển hình và các yêu cầu khác trong tiêu chuẩn này.

- Thiết bị sơ cấp có thể được đặt ở trung tâm của vòng EUT, được đặt ở trung tâm trên bàn xoay. Thiết bị thứ cấp được dịch chuyển cho các điều kiện lệch.

- EUT phải được cách điện khỏi sàn kim loại.

- EUT phải được thử nghiệm ít nhất ở công suất danh định đầy đủ cho tải đại diện cho điều kiện điển hình nhất.

- EUT phải được thử nghiệm ít nhất với các điều kiện lệch tối đa và khoảng cách đến mặt đất tối đa.

Hình 104 và Hình 105 cho thấy các dạng nhìn từ trên xuống của hai phiên bản thiết lập bàn thử nghiệm được khuyến nghị cho thử nghiệm phát xạ bức xạ. Trong các hình, các từ viết tắt sau được sử dụng:

• PD - thiết bị sơ cấp;

• SD - thiết bị thứ cấp;

• SE - thiết bị điện tử cung cấp;

• AN - mạng điện chính nhân tạo [và / hoặc thiết bị hấp thụ chế độ chung (CMAD)].

Hình 104 - Ví dụ về thiết lập bàn thử nghiệm (phiên bản 1) - Nhìn từ trên xuống

Hình 105 - Ví dụ về thiết lập bàn thử nghiệm (phiên bản 2) - Nhìn từ trên xuống

Hình 106 cho thấy hình chiếu cạnh của thiết lập được hiển thị trong Hình 104.

Hình 106 - Hình chiếu cạnh của bố trí thử nghiệm được hiển thị trong Hình 104

Các chi tiết thiết lập sau đây cần được xem xét:

- Khoảng cách đo 10 m từ vòng ngoài của EUT (thường là bán kính cố định 1,9 m) được khuyến nghị.

- Thiết bị thứ cấp và tấm mô phỏng được dịch chuyển tương đối so với thiết bị sơ cấp để đạt được các điều kiện lệch.

- Toàn bộ EUT được cách điện và nâng lên 15 cm khỏi bàn xoay. Vì thiết bị sơ cấp đôi khi có thể có một tấm kim loại lớn, có thể vô tình được ghép nối điện dung với mặt đất của địa điểm thử nghiệm, nên khuyến nghị thiết bị sơ cấp được nâng lên gần 15 cm. Sự cách điện dưới tải chỉ nên được sử dụng nếu cần thiết.

- Sử dụng mạng điện chính nhân tạo (AN) và / hoặc thiết bị hấp thụ chế độ chung (CMAD) được khuyến nghị trên nguồn điện AC đến thiết bị cấp nguồn chỉ để thử nghiệm phát xạ bức xạ.

- Vị trí của thiết bị điện tử cung cấp (SE) được khuyến nghị là 50 cm từ tấm mô phỏng; tuy nhiên, khoảng cách có thể được sửa đổi để đại diện cho một thiết lập được quy định là điển hình bởi nhà chế tạo.

- Tải và AN có thể được đặt bên trong vòng EUT miễn là chúng không phải là nguồn hoặc nguyên nhân của phát xạ đo được.

- Các bộ lọc như cuộn cảm chế độ chung có thể được sử dụng để ngăn chặn đủ các phát xạ từ cáp bổ sung khi sử dụng tải điện tử hoặc điện trở.

16.3.101.3 Bố trí thử nghiệm xe

Khi thử nghiệm bằng cách sử dụng bố trí thử nghiệm xe, các yêu cầu sau đây áp dụng:

- Đối với phát xạ bức xạ, các đơn vị EUT khác nhau nên được sắp xếp sao cho kích thước của khối lượng thử nghiệm được nhỏ nhất trong khi vẫn tuân thủ các cài đặt điển hình và các yêu cầu khác trong tiêu chuẩn này.

- Thiết bị thứ cấp có thể được đặt ở trung tâm của vòng EUT, được đặt ở trung tâm trên bàn xoay. Thiết bị sơ cấp được dịch chuyển cho các điều kiện lệch.

- EUT phải được cách điện khỏi sàn kim loại.

- EUT phải được thử nghiệm ít nhất ở công suất danh định đầy đủ cho tải đại diện cho điều kiện điển hình nhất.

- EUT phải được thử nghiệm ít nhất với các điều kiện lệch tối đa và khoảng cách đến mặt đất tối đa.

- Khi pin của xe đang sạc có dung lượng đủ lớn so với lượng năng lượng được cung cấp cho pin kết hợp với việc xem xét thời gian quét phát xạ bức xạ, pin của xe phải được sử dụng làm tải thực tế của hệ thống MF-WPT với trạng thái sạc đảm bảo hệ thống hoạt động ở công suất đầy đủ trong suốt thời gian quét. Trong trường hợp dung lượng pin của xe quá nhỏ để thực hiện các phép đo một cách thực tế, thì pin của xe nên được ngắt kết nối khỏi đầu ra và thay thế bằng tải tương đương như được sử dụng trong thiết lập bàn thử nghiệm.

Hình 107 và Hình 108 cho thấy các dạng nhìn từ trên xuống của hai phiên bản bố trí thử nghiệm xe được khuyến nghị cho thử nghiệm phát xạ bức xạ. Trong các hình, các từ viết tắt sau được sử dụng:

- PD - thiết bị sơ cấp;

- SD - thiết bị thứ cấp;

- SE - thiết bị điện tử cung cấp;

- AN - mạng điện chính nhân tạo [và / hoặc thiết bị hấp thụ chế độ chung (CMAD)].

Hình 107 - Ví dụ về bố trí thử nghiệm xe (phiên bản 1) - Nhìn từ trên xuống

Hình 108 - Ví dụ về bố trí thử nghiệm xe (phiên bản 2) - Nhìn từ trên xuống

Hình 109 hiển thị chiếu cạnh của thiết lập được hiển thị trong Hình 107.

Hình 109 - Hình chiếu cạnh của bố trí thử nghiệm được thể hiện trong Hình 107

Các chi tiết thiết lập sau đây cần được xem xét.

- Khoảng cách đo 10 m từ vòng ngoài của EUT (thường là bán kính cố định 1,9 m) được khuyến nghị.

- Toàn bộ EUT được cách điện và nâng lên 15 cm khỏi bàn xoay. Vì thiết bị sơ cấp đôi khi có thể có một tấm kim loại lớn, có thể vô tình được ghép nối điện dung với mặt đất của địa điểm thử nghiệm, nên khuyến nghị thiết bị sơ cấp được nâng lên gần 15 cm,

- Nếu sử dụng kích kim loại hoặc các phương tiện khác để nâng xe, chúng phải được cách điện khỏi sàn kim loại / bàn xoay.

- Sử dụng mạng nguồn nhân tạo (AN) và / hoặc thiết bị hấp thụ chế độ chung (CMAD) được khuyến nghị trên nguồn điện AC đến thiết bị cấp nguồn chỉ để thử nghiệm phát xạ bức xạ.

- Vị trí của thiết bị điện tử cung cấp (SE) được khuyến nghị là 50 cm từ xe; tuy nhiên, khoảng cách có thể được sửa đổi để đại diện cho một thiết lập được quy định là điển hình bởi nhà chế tạo.

- Nếu tải đại diện được sử dụng thay thế cho việc sạc pin xe, tải không được coi là một phần của EUT. Khuyến nghị tải được đặt theo cách đảm bảo nó không phải là nguồn phát xạ.

17 Ghi nhãn và hướng dẫn

Áp dụng Điều 17 của TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), ngoài ra.

Bổ sung:

17.101 Ghi nhãn tâm hình học

Để tạo điều kiện thuận lợi cho việc lắp đặt đúng thiết bị sơ cấp trong không gian đỗ xe, một trong những biện pháp sau đây phải được cung cấp:

• Ghi nhãn lâu dài cho mỗi mặt trong bốn mặt và bề mặt đóng vai trò là các chỉ thị trực quan của tâm hình học của thiết bị sơ cấp, kết hợp với một chỉ thị cho hướng di chuyển về phía trước;

• mẫu có kích thước của thiết bị sơ cấp cung cấp một chỉ báo trực quan về tâm hình học của thiết bị sơ cấp, kết hợp với một chỉ báo cho hướng di chuyển về phía trước.

17.102 Biển báo chỗ đỗ xe

Chỗ đỗ xe phải có biển báo với các cảnh báo dưới dây hoặc tương tự:

• trường điện từ đang sử dụng khi sạc;

• các vật thể còn lại sau khi xe rời đi có thể nóng và có thể gây bỏng nếu chạm vào.

17.103 Hướng dẫn lắp đặt

Nhà chế tạo phải cung cấp một hướng dẫn lắp đặt liệt kê thông tin có trên nhãn sản phẩm, tất cả thông tin an toàn và quy định cần thiết và thông tin cụ thể về việc lắp đặt đúng SPC, bao gồm vị trí, bảo vệ nguồn điện và hướng dẫn lắp đặt cơ khí.

Hướng dẫn phải nêu rõ một thiết bị sơ cấp được gắn vào bề mặt chỉ có thể tháo rời bằng dụng cụ.

17.104 Hướng dẫn sử dụng

Nhà chế tạo của SPC tương thích cấp B phải cung cấp một hướng dẫn sử dụng liệt kê thông tin có trên nhãn sản phẩm, tất cả thông tin an toàn và quy định cần thiết và thông tin cụ thể về việc sử dụng đúng thiết bị, bao gồm các thiết bị sơ cấp cụ thể và EVPC sẽ hoạt động chính xác với mạch điện nguồn này.

Bổ sung:

101 Quy trình thử nghiệm

101.1 Tính năng truyền công suất và khả năng tương tác

101.1.1 Điều kiện chung

Đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A, các quy trình thử nghiệm cho tính năng truyền công suất, bao gồm thử nghiệm khả năng tương tác, phải được thực hiện trên một bàn thử nghiệm. Phía cung cấp đang được thử nghiệm phải bao gồm các thành phần truyền thông cần thiết để thực hiện các yêu cầu phía cung cấp của IEC 61980-2.

Đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B, các quy trình thử nghiệm cho tính năng truyền công suất của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B nên được thực hiện trên một bàn thử nghiệm nhưng có thể được thực hiện với EVPC được quy định được lắp đặt trên một xe. Các thành phần truyền thông để kiểm tra xác nhận tính năng được nhà chế tạo quy định tuân thủ Điều 7 phải được bao gồm cho cả phía cung cấp và phía xe.

Các thử nghiệm tính năng truyền công suất và khả năng tương tác chỉ được thực hiện sau khi hệ thống đã khởi động (tối thiểu 5 min ở công suất đầy đủ) và nhiệt độ hệ thống ổn định.

101.1.2 Thiết bị thử nghiệm và khả năng tương tác

101.1.2.1 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

Với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A đang được thử nghiệm, các EVPC tham chiếu được quy định trong Điều 9 phải được sử dụng.

Kiểm tra sự phù hợp bằng cách kiểm tra xác nhận tính năng với tất cả các EVPC được quy định trong Điều 9.

Ngoài các EVPC tham chiếu, cấu hình thử nghiệm phải bao gồm các thành phần bổ sung thực hiện các yêu cầu của IEC 61980-2 cho phía xe. Hiển nhiên là thiết bị cấp nguồn đang được thử nghiệm có khả năng truyền thông cần thiết.

101.1.2.2 Thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B

Đối với thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B đang được thử nghiệm, nhà chế tạo phải quy định EVPC(s) được sử dụng, theo Điều 9.

101.1.3 Mô tả bàn thử nghiệm

Bàn thử nghiệm phải được chế tạo từ các thành phần phi kim loại ngoại trừ như các thông tin bên dưới. Bàn thử nghiệm có chứa

- một thiết bị sơ cấp (một phần của thiết bị cần thử nghiệm),

- một thiết bị thứ cấp và

- một tấm mô phỏng xe (1,5 m × 1,5 m thép) được gắn trên một tấm chắn nhôm trên thiết bị thứ cấp; độ dày của tấm mô phỏng là 0,7 mm đến 1 mm. Tấm chắn được quy định trong các phụ lục cho từng thiết bị thứ cấp để thử nghiệm thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A hoặc theo quy định của nhà chế tạo để thử nghiệm thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B với EVPC được quy định của chúng.

Vị trí tương đối của thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp phải có thể thay đổi để tạo điều kiện thuận lợi cho thử nghiệm dung sai căn chỉnh và khoảng cách đến mặt đất.

Thiết bị bổ sung là cần thiết để chạy các thử nghiệm, chẳng hạn như tải điện tử (để thay thế pin xe cho mục đích thử nghiệm) và các đồng hồ đo và máy tính cần thiết có khả năng vận hành hệ thống.

101.1.4 Điều kiện không căn chỉnh để đánh giá tính năng truyền công suất

Các thử nghiệm trong 101.1 phải được thực hiện ở các vị trí căn chỉnh được mô tả trong Hình 110.

Bảng 109 hiển thị các vị trí cho vùng dung sai căn chỉnh được đưa ra trong 7.4.101 và khoảng cách đến mặt đất của thiết bị thứ cấp cho các thiết bị sơ cấp là một phần của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A và các EVPC tham chiếu.

Để có một bảng tương đương cho các thiết bị sơ cấp là một phần của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B, nhà chế tạo phải quy định các kích thước dung sai căn chỉnh, hình dạng và phạm vi khoảng cách đến mặt đất của EVPC đang được thử nghiệm và từ đó sẽ tạo ra một bảng tương tự như Bảng 109.

CHÚ DẪN

1 điểm tham chiếu - điểm trên bề mặt phía dưới thiết bị sơ cấp dưới điểm căn chỉnh trung tâm của thiết bị sơ cấp

Hình 110 - Minh họa các vị trí thử nghiệm

Các giá trị lệch X và Y là tương đối so với trục z tại điểm căn chỉnh trung tâm của thiết bị sơ cấp, khi nhìn từ trên xuống. Thể tích được giới hạn bởi các góc (NPN và NPP, NNN và NNP, PNN và PNP, và PPN và PPP) đại diện cho các vị trí thiết bị thứ cấp có thể cho thử nghiệm. Hướng di chuyển đến bất kỳ điểm nào đó phụ thuộc vào việc thiết bị sơ cấp hay thiết bị thứ cấp đang được định vị lại.

Trong việc mô tả các vị trí được nêu trong Hình 110, chữ cái đầu tiên áp dụng cho trục X, chữ cái thứ hai cho trục Y và chữ cái thứ ba cho trục z. Đối với mỗi trục, N đại diện cho vị trí có giá trị lệch âm nhất, 0 là vị trí điểm giữa và P đại diện cho vị trí có giá trị lệch dương nhất. Xem Bảng 109 để biết các giá trị lệch căn chỉnh cho các thiết bị sơ cấp là một phần của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A.

Bảng 109 - Các vị trí căn chỉnh và giá trị lệch cho các thiết bị sơ cấp là một phần của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

Ma trận các vị trí thử nghiệm có liệt kê 19 vị trí thử nghiệm. Trong những trường hợp mà kết quả đối xứng giữa các phần tư được mong đợi một cách hợp lý, chẳng hạn như với một thiết bị sơ cấp hình tròn và một thiết bị thứ cấp hình tròn, thử nghiệm có thể được giảm xuống chỉ một phần tư. Để tận dụng số lượng điểm thử nghiệm giảm, tính đối xứng của kết quả phải được chứng minh.

101.1.5 Thử nghiệm tính năng và khả năng tương tác của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A

101.1.5.1 Quy định chung

Như mô tả trong 101.1.2.1, thử nghiệm tính năng được thiết lập với thiết bị cấp nguồn đang được thử nghiệm và tất cả các EVPC yêu cầu (một ở mỗi thời điểm). Việc kiểm tra xác nhận hiệu suất với tất cả các EVPC được quy định được sử dụng như kiểm tra xác nhận khả năng tương tác.

Thử nghiệm 1 kiểm tra xác nhận các điều kiện hoạt động danh nghĩa, trong khi các thử nghiệm lặp lại trong thử nghiệm 2 thỏa mãn các tiêu chí khả năng tương tác.

Các điều kiện thử nghiệm được thiết lập bởi kỹ sư thử nghiệm. Hoạt động của hệ thống được điều khiển bằng cách sử dụng truyền thông như yêu cầu trong IEC 61980-2.

101.1.5.2 Thử nghiệm thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A số 1

Thử nghiệm 1 là thử nghiệm ban đầu cho mỗi thiết bị cấp nguồn bằng cách sử dụng một EVPC của lớp WPT cao nhất.

1) Tần số hoạt động được đặt thành một tần số cố định được quy định bởi nhà chế tạo hoặc được xác định bởi kỹ sư thử nghiệm với hướng dẫn từ nhà chế tạo. Tần số phải nằm trong phạm vi tần số cho phép từ 79,0 kHz đến 90,0 kHz. Ghi lại tần số.

2) Điện áp đầu vào của thiết bị cấp nguồn được đặt thành giá trị danh nghĩa. Ghi lại điện áp đầu vào.

3) Đặt vị trí X,Y,Z thành 0,0,0. Ghi lại vị trí X,Y,Z.

4) Đặt điện áp đầu ra thành điểm giữa của phạm vi điện áp đầu ra (350 V) như được quy định trong 7.2.104.1. Ghi lại điện áp đầu ra.

5) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được mô tả trong 7.2.105.1. Giám sát tốc độ tăng bằng cách bắt đầu một bộ định thời khi yêu cầu và dừng bộ định thời khi đạt đến công suất đầy đủ. Tính toán và ghi lại tốc độ tăng trung bình.

6) Khi hệ thống ở trạng thái ổn định ở công suất đầy đủ, ghi lại công suất đầu vào và công suất đầu ra, tính toán và ghi lại hiệu suất.

7) Người vận hành thử nghiệm khiến EVPC truyền thông một tình trạng khẩn cấp để kích hoạt một thử nghiệm dừng nguồn khẩn cấp. Giám sát thời gian dừng nguồn khẩn cấp bằng cách bắt đầu một bộ định thời khi có tín hiệu khẩn cấp và sau đó tại điểm mà mức công suất đầu vào tạo ra cường độ trường từ tại bề mặt của thiết bị cấp nguồn (hoặc liền kề với nó) bằng hoặc thấp hơn mức an toàn EMF. Mức này có thể được xác định theo công suất đầu vào bằng cách thử nghiệm trước đó. Ghi lại thời gian để đạt được mức an toàn EMF. Xác nhận rằng công suất đầu vào giảm xuống 0.

8) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được mô tả trong 7.2.105.1. Khi ổn định, làm gián đoạn tín hiệu truyền thông Wi-Fi tại EVPC. Giám sát và ghi lại thời gian trôi qua để thiết bị cấp nguồn xác nhận mất kết nối truyền thông và thời gian trôi qua cho đến khi trường từ bằng hoặc thấp hơn mức an toàn EMF.

9) Yêu cầu công suất bằng 0.

10) Đặt điện áp đầu ra thành giá trị tối thiểu của phạm vi điện áp đầu ra (280 V).

11) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được mô tả trong 7.2.105.1.

12) Khi hệ thống ở trạng thái ổn định ở công suất đầy đủ, ghi lại điện áp đầu ra, công suất đầu vào và công suất đầu ra. Tính toán và ghi lại hiệu suất.

13) Yêu cầu công suất bằng 0.

14) Đặt điện áp đầu ra thành giá trị tối đa của phạm vi điện áp đầu ra (420 V).

15) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được mô tả trong 7.2.105.1.

16) Khi hệ thống ở trạng thái ổn định ở công suất đầy đủ, ghi lại điện áp đầu ra, công suất đầu vào và công suất đầu ra. Tính toán và ghi lại hiệu suất.

17) Yêu cầu công suất bằng 0.

Kết thúc thử nghiệm 1.

101.1.5.3 Thử nghiệm thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A số 2

101.1.5.3.1 Quy định chung

Thử nghiệm 2 được thực hiện với các giá trị từ Bảng 110 bên dưới, theo thứ tự được xác định bởi kỹ sư thử nghiệm, miễn là thực hiện một thử nghiệm cho mỗi hàng. Ma trận thử nghiệm trong Bảng 110 giả định tính đối xứng, vì vậy chỉ có một phần tư được kiểm tra xác nhận. Nếu không có tính đối xứng, Bảng 110 nên được mở rộng để bao phủ toàn bộ phạm vi XYZ.

Các vị trí được mô tả trong Bảng 110 cho XY _test là các vị trí lệch dọc theo các trục X và Y từ điểm căn chỉnh trung tâm của thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp.

Sau khi thực hiện các thử nghiệm cho một trong các hàng với độ lệch XY tối đa, thực hiện các thử nghiệm tương tự với góc xoay ngang là +3° và với -3° của các trục thiết bị thứ cấp so với các trục thiết bị sơ cấp.

1) Chọn một hàng từ Bảng 110 để thiết lập các vị trí thử nghiệm (XY _test và Z _test ) và điện áp đầu ra (V _test ) sẽ được sử dụng trong các bước 2) đến 7).

2) Tần số hoạt động được đặt thành một tần số cố định được quy định bởi nhà chế tạo hoặc được xác định bởi kỹ sư thử nghiệm với hướng dẫn của nhà chế tạo. Tần số phải nằm trong phạm vi tần số cho phép từ 79,0 đến 90,0 kHz. Mặc dù yêu cầu nó phải cố định cho mỗi phiên sạc, nhưng có thể thay đổi nó giữa các thử nghiệm nếu cần. Ghi lại tần số.

3) Điện áp đầu vào của thiết bị cấp nguồn được đặt thành giá trị danh nghĩa. Ghi lại điện áp đầu vào.

4) Vị trí z được đặt thành Z _test t cho EVPC đang được thử nghiệm. Ghi lại Z _test .

5) Vị trí X,Y được đặt thành XY _test . Ghi lại XY _test .

6) Đặt điện áp đầu ra thành V _test . Ghi lại V _test .

7) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được mô tả trong 7.2.105.1. Khi hệ thống ở trạng thái ổn định ở công suất đầy đủ, ghi lại công suất đầu vào và công suất đầu ra, tính toán và ghi lại hiệu suất.

8) Giảm công suất đầu vào xuống mức an toàn cho việc định vị lại.

9) Chọn một hàng khác từ Bảng 110 và lặp lại các bước 2) đến 8) cho đến khi thực hiện xong các thử nghiệm cho tất cả các hàng.

10) EVPC yêu cầu sạc hoàn tất và công suất giảm xuống 0.

101.1.5.3.2 Các vị trí thử nghiệm của thử nghiệm thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A số 2

Bảng 110 - Các vị trí thử nghiệm của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp A số 2

Thay thế EVPC bằng một thiết bị cấp Z/WVPT khác và lặp lại cho đến khi thực hiện xong các thử nghiệm kiểm tra xác nhận với tất cả các EVPC yêu cầu.

101.1.6 Thử nghiệm tính năng của thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B

101.1.6.1 Quy định chung

Khi được thử nghiệm trên bàn thử nghiệm, thử nghiệm tính năng được thiết lập với thiết bị cấp nguồn đang được thử nghiệm và tất cả các EVPC được nhà chế tạo quy định (một lần một) theo 101.1.2.2.

Thiết bị cấp nguồn và thiết bị thứ cấp tương thích cấp B phải có một hệ thống truyền thông thực hiện khái niệm điều khiển yêu cầu của IEC 61980-2. Các điều kiện thử nghiệm được quản lý bởi kỹ sư thử nghiệm.

Nhà chế tạo hoặc kỹ sư thử nghiệm phải tạo ra Bảng 111 tương đương với Bảng 110 cho vùng dung sai căn chỉnh (xem 7.4.103) và phạm vi z (xem 7.4.104) cho từng EVPC được quy định. Các mức điện áp cần được thử nghiệm (V _test ) được tính toán cho từng EVPC là V1 _test - [V _{mi n} + 0,5 × V _range ] và V2 _test = [V _max - 0,1 × V _range ]. Xem ví dụ trong 101.1.6.3.2.

Trong những trường hợp mà kết quả đối xứng giữa các phần tư được mong đợi một cách hợp lý, chẳng hạn như với một thiết bị sơ cấp hình tròn và một thiết bị thứ cấp hình tròn, thử nghiệm có thể được giảm xuống chỉ một phần tư.

101.1.6.2 Thử nghiệm thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B số 1

Thử nghiệm 1 là thử nghiệm ban đầu cho mỗi thiết bị cấp nguồn bằng cách sử dụng một EVPC của lớp WPT cao nhất.

1) Tần số hoạt động được đặt thành một tần số cố định được quy định bởi nhà chế tạo hoặc được xác định bởi kỹ sư thử nghiệm với hướng dẫn của nhà chế tạo. Tần số phải nằm trong phạm vi tần số cho phép từ 79,0 kHz đến 90,0 kHz. Ghi lại tần số.

2) Điện áp đầu vào của thiết bị cấp nguồn được đặt thành giá trị danh nghĩa. Ghi lại điện áp đầu vào.

3) Đặt vị trí X,Y,Z thành 0,0,0. Ghi lại vị trí X,Y,Z.

4) Đặt điện áp đầu ra thành điểm giữa của phạm vi điện áp đầu ra [V _{mi n} + 0,5 × V _range ] như được quy định trong 7.2.104.2.

5) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được quy định bởi nhà chế tạo của thiết bị cấp nguồn. Giám sát tốc độ tăng bằng cách bắt đầu một bộ định thời khi yêu cầu và dừng bộ định thời khi đạt đến công suất đầy đủ. Tính toán và ghi lại tốc độ tăng trung bình.

6) Khi hệ thống ở trạng thái ổn định ở công suất đầy đủ, ghi lại công suất đầu vào và công suất đầu ra, tính toán và ghi lại hiệu suất.

7) Người vận hành thử nghiệm khiến EVPC truyền thông một tình trạng khẩn cấp để kích hoạt một thử nghiệm dừng nguồn khẩn cấp. Giám sát thời gian dừng nguồn khẩn cấp bằng cách bắt đầu một bộ định thời khi có tín hiệu khẩn cấp và sau đó tại điểm mà mức công suất đầu vào tạo ra cường độ trường từ tại bề mặt của thiết bị cấp nguồn (hoặc liền kề với nó) bằng hoặc thấp hơn mức an toàn EMF. Mức này có thể được xác định theo công suất đầu vào bằng cách thử nghiệm trước đó. Ghi lại thời gian để đạt được mức an toàn EMF. Xác nhận rằng công suất đầu vào giảm xuống 0.

8) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được quy định bởi nhà chế tạo của thiết bị cấp nguồn. Khi ổn định, làm gián đoạn tín hiệu truyền thông tại EVPC. Giám sát và ghi lại thời gian trôi qua để thiết bị cấp nguồn xác nhận mất kết nối truyền thông và thời gian trôi qua cho đến khi trường từ bằng hoặc thấp hơn mức an toàn EMF.

9) Yêu cầu công suất bằng 0.

10) Đặt điện áp đầu ra thành giá trị tối thiểu của phạm vi điện áp đầu ra (Vmin) như được quy định trong 7.2.104.2.

11) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được quy định bởi nhà chế tạo của thiết bị cấp nguồn.

12) Khi hệ thống ở trạng thái ổn định ở công suất đầy đủ, ghi lại điện áp đầu ra, công suất đầu vào và công suất đầu ra. Tính toán và ghi lại hiệu suất.

13) Yêu cầu công suất bằng 0.

14) Đặt điện áp đầu ra thành giá trị tối đa của phạm vi điện áp đầu ra (Vmax) như được quy định trong 7.2.104.2.

15) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được quy định bởi nhà chế tạo của thiết bị cấp nguồn.

16) Khi hệ thống ở trạng thái ổn định ở công suất đầy đủ, ghi lại điện áp đầu ra, công suất đầu vào và công suất đầu ra. Tính toán và ghi lại hiệu suất.

17) Yêu cầu công suất bằng 0.

Kết thúc thử nghiệm 1.

101.1.6.3 Thử nghiệm thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B số 2

101.1.6.3.1 Quy định chung

Thử nghiệm 2 được thực hiện với các giá trị từ Bảng 111 được thiết lập trong 101.1.6.1. Thứ tự của các

thử nghiệm được xác định bởi kỹ sư thử nghiệm, miễn là thực hiện một thử nghiệm cho mỗi hàng.

1) Chọn một hàng từ Bảng 111 để thiết lập các vị trí thử nghiệm và điện áp đầu ra sẽ được sử dụng trong các bước 2) đến 7).

2) Tần số hoạt động được đặt thành một tần số cố định được quy định bởi nhà chế tạo hoặc được xác định bởi kỹ sư thử nghiệm với hướng dẫn của nhà chế tạo. Tần số phải nằm trong phạm vi tần số cho phép từ 79,0 kHz đến 90,0 kHz. Mặc dù yêu cầu phải cố định cho mỗi phiên sạc, nhưng có thể thay đổi tần số giữa các thử nghiệm nếu cần. Ghi lại tần số.

3) Điện áp đầu vào của thiết bị cấp nguồn được đặt thành giá trị danh nghĩa. Ghi lại điện áp đầu vào.

4) Vị trí z được đặt thành Z _test cho EVPC đang được thử nghiệm. Ghi lại Z _test .

5) Vị trí X,Y được đặt thành XY _test . Ghi lại XY _test .

6) Đặt điện áp đầu ra thành V _test . Ghi lại V _test .

7) EVPC yêu cầu công suất đầy đủ như được quy định bởi nhà chế tạo của thiết bị cấp nguồn. Khi hệ thống ở trạng thái ổn định ở công suất đầy đủ, ghi lại công suất đầu vào và công suất đầu ra, tính toán và ghi lại hiệu suất.

8) Giảm công suất đầu vào xuống mức an toàn cho việc định vị lại.

9) Chọn một hàng khác từ Bảng 111 và lặp lại các bước 2) đến 8) cho đến khi thực hiện xong các thử nghiệm cho tất cả các hàng.

10) EVPC yêu cầu sạc hoàn tất và công suất giảm xuống 0.

Thay thế EVPC và lặp lại cho đến khi thực hiện xong các thử nghiệm kiểm tra xác nhận với tất cả các EVPC yêu cầu.

101.1.6.3.2 Ví dụ về các vị trí thử nghiệm tương thích cấp B số 2

Ví dụ về một phần của Bảng 111, được tạo ra như được quy định trong 101.1.6.1.

Bảng 111 - Ví dụ về các vị trí thử nghiệm thiết bị cấp nguồn tương thích cấp B số 2

101.2 Thử nghiệm bảo vệ chống tác động nhiệt của vật thể ngoại lai

101.2.1 Quy định chung

Các vật thể ngoại lai nằm trong khu vực hoạt động (khu vực bảo vệ 1) trong quá trình truyền công suất có thể phải chịu các tác động nhiệt do tiếp xúc với trường điện từ. Tác động nhiệt bao gồm cả nhiệt độ cao có thể dẫn đến bỏng hoặc chấn thương nếu tiếp xúc, hoặc nguy cơ cháy có thể dẫn đến cháy của vật liệu dễ cháy do quá nóng của các vật kim loại tiếp xúc với vật liệu. Hệ thống phát hiện vật thể ngoại lai được yêu cầu phải được sử dụng trong các hệ thống WPT để phát hiện các vật thể ngoại lai này khi chúng nằm trong khu vực 1 trong quá trình truyền công suất và sau đó, tắt chức năng truyền công suất để giảm thiểu các nguy hiểm tiềm ẩn liên quan đến làm nóng vật thể ngoại lai. Các yêu cầu trong 101.2 nhằm chứng minh rằng hệ thống phát hiện vật thể ngoại lai sẽ phát hiện được vật thể ngoại lai nằm trong khu vực bảo vệ 1 và sẽ tắt chức năng truyền công suất trước khi vật thể ngoại lai vượt quá giới hạn nhiệt độ tiếp xúc hoặc làm cháy vật liệu dễ cháy.

Vì mỗi hệ thống WPT và hệ thống phát hiện vật thể ngoại lai của nó đều khác nhau, nên các nguy hiểm tiềm ẩn liên quan đến việc phát hiện vật thể ngoại lai kịp thời và tắt đúng chức năng truyền công suất có thể khác nhau. Một đánh giá rủi ro là cần thiết để phân tích và xác định bất kỳ nguy hiểm tiềm ẩn nào liên quan đến việc phát hiện vật thể ngoại lai và các biện pháp để giảm thiểu các rủi ro liên quan đến việc phát hiện đó. Để phù hợp với tiêu chuẩn này, hệ thống phải có khả năng phát hiện các vật thể cụ thể như được quy định trong 101.2 và giảm thiểu các nguy hiểm liên quan đến việc các vật thể này vượt quá nhiệt độ tiếp xúc hoặc gây ra cháy. Nhà chế tạo có thể thêm các vật thể thử nghiệm bổ sung vào danh sách dựa trên đánh giá rủi ro liên quan đến một hệ thống WPT nhất định. Nếu thêm vật thể thử nghiệm, chúng phải tuân theo phương pháp thử nghiệm tương tự như các vật thể yêu cầu.

101.2.2 Vật thử nghiệm cho nguy cơ chạm và nguy cơ cháy

Các vật thử nghiệm được liệt kê được sử dụng để đánh giá sự tuân thủ của hệ thống WPT đối với các giới hạn nhiệt độ được quy định trong TCVN 14450-1:2025 (IEC 61980-1:2020), 11.6, áp dụng cho các vật kim loại lạ nằm trong khu vực hoạt động (khu vực bảo vệ 1) và nguy cơ cháy như được chỉ ra trong phương pháp thử nghiệm.

Các vật thể thử nghiệm được quy định trong Bảng 112 đại diện cho các vật thể thử nghiệm tối thiểu được sử dụng để giải quyết các nguy cơ chạm cho thử nghiệm này. Vật thể thử nghiệm được quy định trong Bảng 113 đại diện cho vật thể thử nghiệm tối thiểu được sử dụng để giải quyết các nguy cơ cháy cho thử nghiệm này. Các vật thể thử nghiệm trong Bảng 112 được coi là có đủ khả năng giữ nhiệt để trở thành nguy cơ bỏng cho người tiếp xúc với một trong những vật thể này sau khi chức năng truyền công suất hoàn tất. Các vật thể thử nghiệm trong Bảng 113 là các vật thể không được coi là có đủ khả năng giữ nhiệt để gây bỏng cho người nhưng có thể đạt đến nhiệt độ khiến vật liệu dễ cháy tiếp xúc với chủng bốc cháy.

CHÚ THÍCH: Các vật phẩm tạo thành vật thử nghiệm trong 101.2.2 và các xem xét cho quy trình thử nghiệm đã được lọc dựa trên nghiên cứu về xác suất và rủi ro. Dữ liệu đặc tính nhiệt đã là một phần của nghiên cứu. Tuân thủ các thử nghiệm này, dựa trên các đặc điểm cụ thể của các hệ thống đang được thử nghiệm, sẽ mang lại độ tin cậy cao về an toàn. Thử nghiệm xác nhận có trong tiêu chuẩn này không thể đảm bảo an toàn trong mọi điều kiện có thể xảy ra. Do đó, mỗi nhà chế tạo cần xác danh định độ tin cậy của riêng họ và điều chỉnh các vật thể thử nghiệm cho phù hợp. Ngoài ra, có một khuyến nghị về biển báo (xem 17.102) nhằm thông báo cho người dân về nguy hiểm có thể xảy ra.

Bảng 112 - Các vật thử nghiệm cho kiểm tra nguy hiểm khi tiếp xúc

Bảng 113 - Các đối tượng thử nghiệm cho thử nghiệm nguy cơ mồi cháy

101.2.3 Thông số khu vực thử nghiệm

Vì mỗi hệ thống WPT đều khác nhau và mỗi triển khai phát hiện vật thể ngoại lai đều khác nhau, nên thử nghiệm phải được thực hiện dựa trên các thông số kỹ thuật từ nhà chế tạo liên quan đến điều kiện căn chỉnh và vị trí vật lý của vật thể thử nghiệm. Các thông số cụ thể này phải giải quyết điều kiện căn chỉnh và vị trí vật thể thử nghiệm sẽ dẫn đến hiệu ứng nhiệt tối đa (vị trí mà cường độ trường là cao nhất dưới các điều kiện căn chỉnh cụ thể) và điều kiện căn chỉnh và vị trí vật thể thử nghiệm mà việc phát hiện vật thể ngoại lai kém hiệu quả nhất. Thông tin đó phải được quy định bởi nhà chế tạo khi trình bày mẫu thử nghiệm dựa trên những điều sau đây.

- Nhà chế tạo phải quy định vị trí trên bề mặt của thiết bị sơ cấp có cường độ trường cao nhất và dưới điều kiện căn chỉnh nào cường độ trường cao nhất này tồn tại. Ngoài ra, nhà chế tạo phải quy định hướng của trường tại vị trí này. Sự gia nhiệt trường hợp xấu nhất (nhanh nhất) sẽ xảy ra khi vật thể ngoại lai được đặt tại vị trí có kích thước chính của nó hướng dọc theo thành phần trường chính. Vị trí và hướng định hướng này phải được đánh dấu trên bề mặt của thiết bị sơ cấp. Đây là điểm thử nghiệm 1.

- Nhà chế tạo phải quy định và đánh dấu vị trí trên bề mặt của thiết bị sơ cấp nơi khả năng phát hiện vật thể ngoại lai là thấp nhất và trong điều kiện căn chỉnh nào khả năng thấp nhất này tồn tại. Nếu khả năng phát hiện về cơ bản là đồng đều trên bề mặt, thì vị trí thử nghiệm này phải được chọn ngẫu nhiên. Đây là điểm thử nghiệm 2.

Hai vị trí này, điểm thử nghiệm 1 và điểm thử nghiệm 2, phải được sử dụng làm vị trí thử nghiệm của các vật thể thử nghiệm được quy định trong Bảng 112 và Bảng 113.

Nếu các điều kiện căn chỉnh sẽ ảnh hưởng đến các thử nghiệm và không được thể hiện bằng các điểm thử nghiệm ở trên, các điểm thử nghiệm bổ sung có thể được thêm vào dưới các điều kiện căn chỉnh thích hợp. Các điểm thử nghiệm bổ sung và điều kiện căn chỉnh này phải được quy định bởi nhà chế tạo.

Nếu nhà chế tạo xác định rằng khu vực thử nghiệm nên mở rộng ra ngoài các đường viền của thiết bị sơ cấp, thì các điểm thử nghiệm bổ sung có thể được thêm vào và các điểm thử nghiệm và điều kiện căn chỉnh đó phải được quy định bởi nhà chế tạo.

101.2.4 Quy trình thử nghiệm về nhiệt của vật thể ngoại lai

101.2.4.1 Quy định chung

Tất cả các thử nghiệm phải được tiến hành ở nhiệt độ môi trường là 20 °C ± 5 °C. Tốc độ không khí của phòng và đặc biệt trong khu vực thử nghiệm không được vượt quá 0,5 m/s và không được cung cấp thêm hệ thống làm mát hoặc thông gió cho mẫu thử trừ khi được quy định bởi nhà chế tạo hoặc yêu cầu cho an toàn.

Các vật thể thử nghiệm phải ở nhiệt độ phòng trước khi sử dụng cho các thử nghiệm này. Điều này sẽ yêu cầu một khoảng thời gian làm mát đủ giữa các thử nghiệm hoặc sử dụng nhiều hơn một mẫu vật lý của các vật thể thử nghiệm.

Có hai thử nghiệm, một là cho nguy cơ chạm và thứ hai là cho nguy cơ cháy. Các thử nghiệm nguy cơ chạm sử dụng các vật thể thử nghiệm từ Bảng 112 và các thử nghiệm nguy cơ cháy sử dụng vật thể thử nghiệm từ Bảng 113.

101.2.4.2 Thử nghiệm nguy cơ chạm

Nếu vật thể ngoại lai được phát hiện, nó sẽ gây ra việc tắt nguồn quá trình truyền công suất. Nếu vật thể ngoại lai không được phát hiện sau 2 min, nguồn điện sẽ bị tắt và nhiệt độ của thử nghiệm sẽ được ghi lại 10 s sau khi ngừng truyền công suất. Nhiệt độ không được vượt quá giới hạn trong 11.6.4.101.

Nếu nhà chế tạo đưa cả các vật thể thử nghiệm bổ sung, các vật thể đó cũng phải tuân thủ các yêu cầu tương tự.

Kiểm tra sự phù hợp bằng các thử nghiệm sau.

Quy trình thử nghiệm nguy cơ chạm bao gồm hai phương pháp thử nghiệm và mỗi phương pháp thử nghiệm có hai chuỗi thử nghiệm cho tổng số bốn thử nghiệm cho mỗi vật thể thử nghiệm. Mỗi vật thể thử nghiệm trong Bảng 112 phải được thử nghiệm.

Phương pháp 1 được sử dụng để hiển thị hoạt động phát hiện vật thể ngoại lai trên vật thể thử nghiệm khi chức năng truyền công suất đang hoạt động và vật thể thử nghiệm đi vào khu vực hoạt động. Phương pháp 2 được sử dụng để hiển thị hoạt động của phát hiện vật thể ngoại lai khi vật thể thử nghiệm nằm trên thiết bị sơ cấp trước khi bắt đầu truyền công suất. Mỗi phương pháp bao gồm hai điểm thử nghiệm cho mỗi vật thể. Các điểm thử nghiệm được mô tả trong 101.2.3.

Phương pháp 1:

Hệ thống WPT được kết nối với một nguồn cung cấp sẽ cho phép nó hoạt động ở điện áp đầu ra danh nghĩa tối đa và dòng điện đầu ra danh nghĩa tối đa liên tục trong quá trình thử nghiệm. Hệ thống WPT được kích hoạt và cho phép truyền công suất từ thiết bị sơ cấp đến thiết bị thứ cấp như dự định.

Chuỗi A: Thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp được căn chỉnh theo cấu hình được quy định bởi nhà chế tạo theo 101.2.3. Vật thể thử nghiệm đầu tiên từ Bảng 112 được gắn vào một thanh gỗ có đủ độ dài để đưa vật thể thử nghiệm vào khu vực hoạt động mà người không tiếp xúc với trường điện từ. Một nhiệt điện trở được gắn vào cạnh đầu của vật thể thử nghiệm. Vật thể thử nghiệm được di chuyển theo đường thẳng từ bên ngoài khu vực hoạt động về phía điểm thử nghiệm 1 như được quy định trên mẫu. Vật thể thử nghiệm phải được di chuyển về phía điểm thử nghiệm với tốc độ đều là 30 cm/s. Vật thể thử nghiệm phải được đưa vào khu vực hoạt động bằng đường ngắn nhất có thể đến vị trí điểm thử nghiệm và ở độ cao tương ứng với độ cao của bề mặt của thiết bị sơ cấp.

Nếu vật thể thử nghiệm được phát hiện trước hoặc khi vật thể thử nghiệm đến vị trí điềm thử nghiệm, thử nghiệm sẽ hoàn tất với kết quả tuân thủ.

Nếu vật thể thử nghiệm đến vị trí điểm thử nghiệm và chưa được phát hiện, chuyển động của vật thể thử nghiệm phải được dừng lại và nó phải được phép dừng lại trên bề mặt thiết bị sơ cấp. Sau hai phút, truyền công suất bị dừng và bộ định thời được bắt đầu.

Sau 10 s, nhiệt độ của vật thể thử nghiệm được ghi lại và nó không được vượt quá giới hạn trong 11.6.4.101.

Chuỗi B: Nếu cần điều chỉnh căn chỉnh của thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp dựa trên thông số kỹ thuật của nhà chế tạo, hãy thực hiện điều chỉnh. Sau đó, lặp lại chuỗi A bằng cách đưa vật thể thử nghiệm về phía điểm thử nghiệm 2 trên mẫu, thay vì về phía điểm thử nghiệm 1.

Các chuỗi trên được lặp lại cho từng vật thể thử nghiệm trong Bảng 112.

Phương pháp 2:

Hệ thống WPT được kết nối với một nguồn cung cấp sẽ cho phép nó hoạt động ở điện áp đầu ra danh nghĩa tối đa và dòng điện đầu ra danh nghĩa tối đa liên tục trong quá trình thử nghiệm. Hệ thống WPT được kích hoạt và đặt ở trạng thái chờ. Phát hiện vật thể ngoại lai phải được phép giả định một trạng thái chờ, cho dù trạng thái này có hoạt động hay không hoạt động.

Chuỗi C: Thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp được căn chỉnh theo cấu hình được quy định bởi nhà chế tạo theo 101.2.3. Vật thể thử nghiệm đầu tiên từ Bảng 112 được đặt trực tiếp trên bề mặt thiết bị sơ cấp tại điểm thử nghiệm 1. Một nhiệt điện trở được gắn vào vật thể thử nghiệm. Hệ thống WPT được kích hoạt để bắt đầu truyền công suất.

Nếu vật thể thử nghiệm được phát hiện và truyền công suất không bắt đầu, thử nghiệm sẽ hoàn tất với kết quả tuân thủ.

Nếu truyền công suất bắt đầu, cho phép nó chạy trong 2 min. Sau hai phút, truyền công suất bị dừng và một bộ định thời được bắt đầu.

Sau 10 s, nhiệt độ của vật thể thử nghiệm được ghi lại và nó không được vượt quá giới hạn trong 11.6.4.101.

Chuỗi D: Thử nghiệm này sau đó được lặp lại bằng cách đưa vật thể thử nghiệm về phía điểm thử nghiệm 2 được quy định trên mẫu. Nếu cần điều chỉnh việc căn chỉnh của thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp dựa trên thông số kỹ thuật của nhà chế tạo, thì điều chỉnh này được thực hiện trước khi thử nghiệm.

Các chuỗi trên được lặp lại cho từng vật thể thử nghiệm trong Bảng 112.

101.2.4.3 Thử nghiệm nguy cơ cháy

Các thử nghiệm này sẽ thành công với kết quả tuân thủ nếu không xảy ra cháy với vật thể thử nghiệm được liệt kê trong Bảng 113.

Nếu nhà chế tạo đưa cả các vật thể thử nghiệm bổ sung, các vật thể đó cũng phải tuân thủ các yêu cầu tương tự.

Kiểm tra sự phù hợp bằng các thử nghiệm sau.

Thử nghiệm cho nguy cơ cháy bao gồm hai phương pháp thử nghiệm và mỗi phương pháp có hai chuỗi thử nghiệm cho tổng số bốn thử nghiệm cho vật thể trong Bảng 113.

Phương pháp 1 được sử dụng để hiển thị hoạt động phát hiện vật thể ngoại lai trên vật thể thử nghiệm khi chức năng truyền công suất đang hoạt động và vật thể thử nghiệm đi vào khu vực hoạt động. Phương pháp 2 được sử dụng để hiển thị hoạt động của phát hiện vật thể ngoại lai khi vật thể thử nghiệm nằm trên thiết bị sơ cấp trước khi bắt đầu truyền công suất. Mỗi phương pháp bao gồm hai điểm thử nghiệm cho mỗi vật thể. Các điểm thử nghiệm được mô tả trong 101.2.3.

Phương pháp 1:

Hệ thống WPT được kết nối với một nguồn cung cấp sẽ cho phép nó hoạt động ở điện áp đầu ra danh nghĩa tối đa và dòng điện đầu ra danh nghĩa tối đa liên tục trong quá trình thử nghiệm. Hệ thống WPT được kích hoạt và cho phép truyền công suất từ thiết bị sơ cấp đến thiết bị thứ cấp như dự định.

Chuỗi A: Thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp được căn chỉnh theo cấu hình được quy định bởi nhà chế tạo theo 101.2.3. Vật thể thử nghiệm từ Bảng 113 được gắn vào một thanh gỗ có đủ độ dài để đưa vật thể thử nghiệm vào khu vực hoạt động mà người không phải tiếp xúc với trường điện từ. Vật thể thử nghiệm được di chuyển theo đường thẳng từ bên ngoài khu vực hoạt động về phía vị trí điểm thử nghiệm 1 như được quy định trên mẫu. Vật thể thử nghiệm phải được di chuyển về phía điểm thử nghiệm với tốc độ đều là 30 cm/s. Vật thể thử nghiệm phải được đưa vào khu vực hoạt động bằng đường ngắn nhất có thể đến vị trí điểm thử nghiệm và ở độ cao tương ứng với độ cao của bề mặt của thiết bị sơ cấp.

Nếu vật thể thử nghiệm được phát hiện trước hoặc khi vật thể thử nghiệm đến vị trí điểm thử nghiệm, thử nghiệm sẽ hoàn tất với kết quả tuân thủ.

Nếu vật thể thử nghiệm đến vị trí điểm thử nghiệm và chưa được phát hiện, chuyển động của vật thể thử nghiệm phải được dừng lại và nó phải được phép dừng lại trên bề mặt thiết bị sơ cấp.

Người vận hành thử nghiệm bắt đầu một bộ định thời. Thử nghiệm sẽ thành công nếu không xảy ra cháy khi truyền công suất dừng sau 5 min.

Chuỗi B: Thử nghiệm này sau đó được lặp lại bằng cách đưa vật thể thử nghiệm về phía điểm thử nghiệm 2 được quy định trên mẫu. Nếu cần điều chỉnh căn chỉnh của thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp dựa trên thông số kỹ thuật của nhà chế tạo, thì điều chỉnh này được thực hiện trước khi thử nghiệm.

Phương pháp 2:

Hệ thống WPT được kết nối với một nguồn cung cấp sẽ cho phép nó hoạt động ở điện áp đầu ra danh nghĩa tối đa và dòng điện đầu ra danh nghĩa tối đa liên tục trong quá trình thử nghiệm. Hệ thống WPT được kích hoạt và đặt ở trạng thái chờ. Phát hiện vật thể ngoại lai phải được phép giả định một trạng thái chờ, cho dù trạng thái này có hoạt động hay không hoạt động.

Chuỗi C: Thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp được căn chỉnh theo cấu hình được quy định bởi nhà chế tạo theo 101.2.3. Vật thể thử nghiệm từ Bảng 113 được đặt trực tiếp trên bề mặt thiết bị sơ cấp tại điểm thử nghiệm 1. Hệ thống WPT được kích hoạt để bắt đầu truyền công suất.

Nếu vật thể thử nghiệm được phát hiện và truyền công suất không bắt đầu, thử nghiệm sẽ hoàn tất với kết quả tuân thủ.

Nếu truyền công suất bắt đầu, cho phép nó chạy trong 5 min. Thử nghiệm sẽ thành công nếu không xảy ra cháy khi truyền công suất dừng sau 5 min.

Chuỗi D: Thử nghiệm này sau đó được lặp lại bằng cách đưa vật thể thử nghiệm về phía điểm thử nghiệm 2 được quy định trên mẫu. Nếu cần điều chỉnh căn chỉnh của thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp dựa trên thông số kỹ thuật của nhà chế tạo, thì điều chỉnh này được thực hiện trước khi thử nghiệm.

101.3 Thử nghiệm để xác nhận rằng xe đang ở trên thiết bị sơ cấp

101.3.1 Bố trí thử nghiệm

Tùy thuộc vào phương pháp được sử dụng bởi thiết bị cấp nguồn để đáp ứng yêu cầu hiện diện của xe trong 7.102, trường hợp chung nhất để kiểm tra xác nhận tính năng sẽ được thực hiện bằng cách sử dụng tấm mô phỏng xe trên giá đỡ thử nghiệm, với các thành phần thiết bị cấp nguồn. Không cần thành phần phía thứ cấp nào. Điều chỉnh chiều cao Z cũng như điều chỉnh thiết bị sơ cấp trong X và Y phải có thể thực hiện được.

101.3.2 Vị trí thử nghiệm

Thiết bị sơ cấp phải được đặt sao cho tâm hình học của thiết bị sơ cấp và tấm mô phỏng bằng thép được căn chỉnh. Vị trí Z đầu tiên phải là với tấm mô phỏng ở 100 mm trên bề mặt đất.

Các vị trí thử nghiệm bổ sung phải là với vị trí Z ở 185 mm và 270 mm.

101.3.3 Yêu cầu thử nghiệm

Thiết bị cấp nguồn phải chạy quá trình phát hiện của nó (vòng lặp) ít nhất mỗi 10 s dù có đang sạc hay không.

Hành động kết quả dựa trên trạng thái ghép nối của thiết bị cấp nguồn (đã ghép nối hoặc đang trong quá trình ghép nối) cũng như kết quả của quá trình phát hiện, theo Bảng 114.

Bảng 114 - Hành động phát hiện xe

Thử nghiệm phải được thực hiện để đáp ứng các điều kiện phản ánh trong 3 cột đầu tiên cho tất cả các hàng trên. Trạng thái ghép nối và đang ghép nối phải được kiểm soát bởi kỹ sư thử nghiệm, và xe được phát hiện/không được phát hiện phải được kiểm tra xác nhận có hoặc không có tấm mô phỏng xe, để đảm bảo không có kết quả dương hoặc âm giả.

 

Phụ lục A

(quy định)

EVPC tham chiếu vòng tròn

A.1 EVPC tham chiếu vòng tròn cho MF-WPT1

A.1.1 Quy định chung

Điều A.1 mô tả EVPC tham chiếu cho MF-WPT1, cấp Z1, Z2 và Z3. Các SPC tham chiếu được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục A và Phụ lục B, kết hợp với các EVPC tham chiếu được quy định trong Điều A.1 đáp ứng các yêu cầu về tính năng truyền công suất được mô tả trong Điều 7.

Điểm căn chỉnh trung tâm cho các thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 được mô tả trong Điều A.1 là 0 mm theo hướng X và 0 mm theo hướng Y so với tâm hình học của thiết bị thứ cấp khi ghép nối với các thiết bị sơ cấp được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục A và Phụ lục B.

Công suất đầu ra danh định của EVPC tham chiếu MF-WPT1 là 3,7 kW.

A.1.2 EVPC tham chiếu MF-WPT1/Z1

A.1.2.1 Quy định chung

EVPC tham chiếu cấp Z1 bao gồm phạm vi khoảng cách đến mặt đất từ 100 mm đến 150 mm và có thể cung cấp công suất đầy đủ ở điện áp đầu ra từ 280 VDC đến 420 VDC khi sử dụng với các SPC được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục A và Phụ lục B.

A.1.2.2 Cơ khí

Hình A.1 cho thấy kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1/Z1.

CHÚ DẪN

Hình A.1 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1/Z1

A.1.2.3 Điện

Hình A.2 hiển thị sơ đồ mạch mạch điện tử công suất cho thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z1

CHÚ DẪN

1 L2

2 Tụ điện kháng (điện kháng tương ứng với điện dung)

3 Không sử dụng

4 Bù trở kháng

5 Bộ chỉnh lưu

6 Pin

Hình A.2 - Sơ đồ mạch mạch điện tử công suất của xe điện cho thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF- WPT1/Z1

Bảng A.1 hiển thị các giá trị của các phần tử mạch được thể hiện trong Hình A.2.

Bảng A.1 - Giá trị của các phần tử mạch cho Hình A.2

Mạch bù trở kháng cho Hình A.2 được hiển thị trong Hình A.3.

Hình A.3 - Mạch bù trở kháng

Một ví dụ về bộ chỉnh lưu cho Hình A.2 được hiển thị trong Hình A.4.

Hình A.4 - Ví dụ về mạch chỉnh lưu

Hệ số ghép nối và dòng điện tối đa của thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z1 khi được sử dụng kết hợp với SPC tham chiếu như được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục A, được đưa ra trong Bảng A.2.

Các giá trị trong Bảng A.2 được tính toán với lá chắn nhôm có kích thước 700 mm (hướng X) × 900 mm (hướng Y).

Bảng A.2 - Phạm vi của các hệ số ghép nối

A.1.3 Thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z2

A.1.3.1 Quy định chung

Thiết bị sạc EVPC cấp Z2 bao phủ phạm vi khoảng sáng gầm từ 140 mm đến 210 mm và có thể cung cấp công suất tối đa với điện áp đầu ra từ 280 VDC đến 420 VDC khi sử dụng với các SPC được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục A và Phụ lục B.

A.1.3.2 Cơ khí

Hình A.5 hiển thị kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1/Z2.

CHÚ DẪN

Hình A.5 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1/Z2

A.1.3.3 Điện

Hình A.6 hiển thị sơ đồ mạch mạch điện tử công suất cho thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z2.

CHÚ DẪN

1 L2

2 Tụ điện kháng (tụ điều chỉnh điện kháng)

3 Không sử dụng

4 Bù trở kháng

5 Bộ chỉnh lưu

6 Pin

Hình A.6 - Sơ đồ mạch mạch điện tử công suất của xe điện cho thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z2

Bảng A.3 hiển thị các giá trị của các phần tử mạch được thể hiện trong Hình A.6.

Bảng A.3 - Giá trị của các phần tử mạch cho Hình A.6

Mạch bù trở kháng cho Hình A.6 được hiển thị trong Hình A.7.

Hình A.7 - Mạch bù trở kháng

Một ví dụ về bộ chỉnh lưu cho Hình A.6 được hiển thị trong Hình A.8.

Hình A.8 - Ví dụ về mạch chỉnh lưu

Hệ số ghép nối và dòng điện tối đa của thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z2 khi được sử dụng kết hợp với SPC tham chiếu như được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục A, được đưa ra trong Bảng A.4.

Các giá trị trong Bảng A.4 được tính toán với lá chắn nhôm có kích thước 700 mm (hướng X) × 900 mm (hướng Y).

Bảng A.4 - Phạm vi của các hệ số ghép nối

A.1.4 Thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z3

A.1.4.1 Quy định chung

Thiết bị sạc EVPC cấp Z3 bao phủ phạm vi khoảng sáng gầm từ 170 mm đến 250 mm và có thể cung cấp công suất tối đa với điện áp đầu ra từ 280 VDC đến 420 VDC khi sử dụng với các SPC được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục A và Phụ lục B.

A.1.4.2 Cơ khí

Hình A.9 hiển thị kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1/Z3.

Hình A.9 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1/Z3

A.1.4.3 Điện

Hình A.10 hiển thị sơ đồ mạch mạch điện tử công suất cho thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z3.

CHÚ DẪN

1 L2

2 Tụ điện kháng (tụ điều chỉnh điện kháng)

3 Không sử dụng

4 Bù trở kháng

5 Bộ chỉnh lưu

6 Pin

Hình A.10 - Sơ đồ mạch mạch điện tử công suất của xe điện cho thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z3

Bảng A.5 hiển thị các giá trị của các phần tử mạch được thể hiện trong Hình A.10.

Bảng A.5 - Giá trị của các phần tử mạch cho Hình A.10

Mạch bù trở kháng cho Hình A.10 được hiển thị trong Hình A.11.

Hình A.11 - Mạch bù trở kháng

Một ví dụ về bộ chỉnh lưu cho Hình A.10 được hiển thị trong Hình A.12 .

Hình A.12 - Ví dụ về mạch chỉnh lưu

Hệ số ghép nối và dòng điện tối đa của thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/Z3 khi được sử dụng kết hợp với SPC tham chiếu như được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục A, được đưa ra trong Bảng A.6.

Các giá trị trong Bảng A.6 được tính toán với lá chắn nhôm có kích thước 700 mm (hướng X) × 900 mm (hướng Y).

Bảng A.6 - Phạm vi của các hệ số ghép nối

A.2 Các thiết bị sạc xe điện hình tròn tham chiếu cho MF-WPT1/MF-WPT2

A.2.1 Quy định chung

Điều A.2 mô tả các thiết bị sạc EVPC tham chiếu cho cả MF-WPT1 và MF-WPT2 cấp Z các cấp Z1, Z2 và Z3. Các thiết bị sạc EVPC tham chiếu này sẽ đáp ứng các yêu cầu tính năng truyền công suất cho cả MF-WPT1 và MF-WPT2 được mô tả trong Điều 7 khi sử dụng kết hợp với SPC tham chiếu được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B.

Điểm căn chỉnh trung tâm cho các thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1/MF-WPT2 được mô tả trong Điều A.2 là 0 mm theo hướng X và 0 mm theo hướng Y so với tâm hình học của thiết bị thứ cấp khi được ghép với các thiết bị sơ cấp được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B.

Khi được sử dụng như một thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT1, công suất đầu ra danh định là 3,7 kW.

Khi được sử dụng như một thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT2, công suất đầu ra danh định là 7,7 kW.

Các thiết bị sạc EVPC tham chiếu được quy định trong Điều A.2 sẽ hoạt động trong dải tần số hệ thống từ 79,00 kHz đến 90,00 kHz, với tần số hoạt động danh nghĩa là 85,00 kHz.

A.2.2 Thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT1/MF-WPT2 - Z1

A.2.2.1 Quy định chung

Thiết bị sạc EVPC cấp Z1 bao phủ phạm vi khoảng sáng gầm từ 100 mm đến 150 mm và có thể cung cấp công suất tối đa với điện áp đầu ra từ 280 VDC đến 420 VDC khi sử dụng với SPC được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B.

A.2.2.2 Cơ khí

Hình A.13 hiển thị kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1/MF-WPT2 Z1.

CHÚ DẪN

1 tấm nhôm

2 gạch ferrite

3 dây litz

4 khay litz

5 mười vòng dây

Hình A.13 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 cấp Z1

Cấu hình cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z1 bao gồm một lá chắn nhôm có kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm (không hiển thị trong Hình A.13).

A.2.2.3 Điện

Hình A.14 hiển thị sơ đồ mạch mạch điện tử công suất của xe điện cho thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z1.

CHÚ DẪN

1 L2

2 Tụ điện kháng (điện kháng tương ứng với điện dung)

3 Tụ song song (điện dung điều chỉnh song song)

4 Bù trở kháng

5 Bộ chỉnh lưu

6 Pin

Hình A.14 - Sơ đồ mạch mạch điện tử công suất của xe điện cho thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z1

Bảng A.7 hiển thị các giá trị của các phần tử mạch được thể hiện trong Hình A.14.

Bảng A.7 - Giá trị của các phần tử mạch cho Hình A.14

Một ví dụ về mạch bù trở kháng dựa trên điện kháng thay đổi cho Hình A.14 được hiển thị trong Hình A.15.

Hình A.15 - Ví dụ về mạch bù trở kháng sử dụng điện kháng thay đổi

Các giá trị cho phạm vi của các điện kháng thay đổi jX ₂₀ /2 được đưa ra trong Bảng A.8.

Bảng A.8 - Giá trị của các điện kháng thay đổi

Một ví dụ về mạch chỉnh lưu cho Hình A.14 được hiển thị trong Hình A.16.

Hình A.16 - Ví dụ về mạch chỉnh lưu

Hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 cấp Z1 khi được sử dụng kết hợp với thiết bị sơ cấp tham chiếu được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B, được hiển thị trong Bảng A.9. Các giá trị trong Bảng A.9 được tính toán với lá chắn nhôm có kích thước 800 mm ×800 mm × 1 mm.

Bảng A.9 - Các hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây của MF-WPT1 và MF-WPT2 Z1

A.2.3 Thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1/MF-WPT2 - Z2

A.2.3.1 Quy định chung

Thiết bị sạc EVPC cấp Z2 bao phủ phạm vi khoảng sáng gầm từ 140 mm đến 210 mm và có thể cung cấp công suất tối đa với điện áp đầu ra từ 280 VDC đến 420 VDC khi sử dụng với SPC được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B.

A.2.3.2 Cơ khí

Hình A.17 hiển thị kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z2.

CHÚ DẪN

1 tấm nhôm

2 gạch ferrite

3 dây litz

4 khay litz

5 chín vòng dây

Hình A.17 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 cấp Z2

Cấu hình cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 cấp Z2 bao gồm một lá chắn nhôm có kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm (không hiển thị trong Hình A.17).

A.2.3.3 Điện

Hình A.18 hiển thị sơ đồ mạch mạch điện tử công suất của xe điện cho thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z2.

CHÚ DẪN

1 L2

2 C_Điện kháng (tụ điện điều chỉnh điện kháng)

3 C_ Song song (tụ điện điều chỉnh song song)

4 bù trở kháng

5 bộ chỉnh lưu

6 pin

Hình A.18 - Sơ đồ mạch mạch điện tử công suất của xe điện cho thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z2

Bảng A.10 hiển thị các giá trị của các phần tử mạch được thể hiện trong Bảng A.18.

Bảng A.10 - Giá trị của các phần tử mạch cho Hình A.18

Ví dụ về mạch bù trở kháng dựa trên điện kháng thay đổi cho Hình A.18 được hiển thị trong Hình A.19.

Hình A.19 - Ví dụ về mạch bù trở kháng sử dụng điện kháng thay đổi

Các giá trị cho phạm vi của các điện kháng thay đổi jX ₂₀ /2 được đưa ra trong Bảng A.11.

Bảng A.11 - Giá trị của các điện kháng thay đổi

Ví dụ về mạch chỉnh lưu cho Hình A.18 được hiển thị trong Hình A.20.

Hình A.20 - Ví dụ về mạch chỉnh lưu

Hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây của các thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z2 khi được sử dụng kết hợp với SPC tham chiếu được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B, được hiển thị trong Bảng A.12. Các giá trị trong Bảng A.12 được tính toán với lá chắn nhôm có kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm.

Bảng A.12 - Các hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây của MF-WPT1 và MF-WPT2 Z2

A.2.4 Thiết bị sạc xe điện tham chiếu MF-WPT1 /MF-WPT2 - Z3

A.2.4.1 Quy định chung

Thiết bị sạc EVPC cấp Z3 bao phủ phạm vi khoảng sáng gầm từ 170 mm đến 250 mm và có thể cung cấp công suất tối đa với điện áp đầu ra từ 280 VDC đến 420 VDC khi sử dụng với SPC được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B.

A.2.4.2 Cơ khí

Hình A.21 hiển thị kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z3.

CHÚ DẪN

1 tấm nhôm

2 gạch ferrite

3 dây litz

4 khay litz

5 tám vòng dây

Hình A.21 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z3

Cấu hình cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z3 bao gồm một lá chắn nhôm có kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm (không hiển thị trong Hình A.21).

A.2.4.3 Điện

Hình A.22 hiển thị sơ đồ mạch mạch điện tử công suất của xe điện cho thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 Z3.

CHÚ DẪN

1 L2

2 C_Điện kháng (tụ điện điều chỉnh điện kháng)

3 C_ Song song (tụ điện điều chỉnh song song)

4 bù trở kháng

5 bộ chỉnh lưu

6 pin

Hình A.22 - Sơ đồ mạch mạch điện tử công suất của xe điện cho thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2

Bảng A.13 hiển thị các giá trị của các phần tử mạch được thể hiện trong Hình A.22.

Bảng A.13 - Giá trị của các phần tử mạch cho Hình A.22

Ví dụ về mạch bù trở kháng dựa trên điện kháng thay đổi cho Hình A.22 được hiển thị trong Hình A.23.

Hình A.23 - Ví dụ về mạch bù trở kháng sử dụng điện kháng thay đổi

Các giá trị cho phạm vi của các điện kháng thay đổi jX ₂₀ /2 được đưa ra trong Bảng A.14.

Bảng A.14 - Giá trị của các điện kháng thay đổi

Một ví dụ về mạch chỉnh lưu cho Hình A.22 được hiển thị trong Hình A.24 .

Hình A.24 - Ví dụ về mạch chỉnh lưu

Hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây của thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT1 và MF-WPT2 cấp Z3 khi được sử dụng kết hợp với SPC tham chiếu được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B, được hiển thị trong Bảng A.15. Các giá trị trong Bảng A.15 được tính toán với lá chắn nhôm có kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm.

Bảng A.15 - Hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây của MF-WPT1 và MF-WPT2 cấp Z3

A.3 Thiết bị sạc EVPC tham chiếu dạng tròn cho MF-WPT3

A.3.1 Quy định chung

Điều A.3 mô tả các đề xuất thiết bị sạc EVPC tham chiếu cho các cấp z của MF-WPT3: Z1, Z2 và Z3. SPC tham chiếu được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B, khi kết hợp với các EVPC tham chiếu được quy định trong Điều A.3 sẽ đáp ứng các yêu cầu về tính năng được mô tả trong Điều 7 .

Điểm căn chỉnh trung tâm của các thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3 được mô tả trong Điều A.3 là 0 mm theo hướng X và 0 mm theo hướng Y so với tâm hình học của thiết bị thứ cấp khi ghép với các thiết bị sơ cấp quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B.

Công suất đầu ra danh định của các EVPC tham chiếu MF-WPT3 là 11,1 kW.

Các EVPC tham chiếu được quy định trong Điều A.3 sẽ hoạt động trong phạm vi tần số hệ thống từ 79,00 kHz đến 90,00 kHz, với tần số hoạt động danh nghĩa là 85,00 kHz.

A.3.2 Thiết bị sạc tham chiếu MF-WPT3/Z1

A.3.2.1 Quy định chung

Thiết bị sạc EVPC cấp Z1 bao phủ phạm vi khoảng sáng gầm từ 100 mm đến 150 mm và có thể cung cấp công suất tối đa với điện áp đầu ra từ 280 VDC đến 420 VDC khi sử dụng với SPC được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B.

A.3.2.2 Cơ khí

Hình A.25 hiển thị các kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z1.

Hình A.25 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z1

Cấu hình cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z1 bao gồm lá chắn nhôm có kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm (được hiển thị trong Hình A.25).

A.3.2.3 Điện

Hình A.26 hiển thị sơ đồ mạch điện của thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT3/Z1.

CHÚ DẪN

1 L2

2 C_Điện kháng (tụ điện điều chỉnh điện kháng)

3 C_ Song song (tụ điện điều chỉnh song song)

4 bù trở kháng

5 bộ chỉnh lưu

6 pin

Hình A.26 - Sơ đồ mạch điện của thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT3

Bảng A.16 - Giá trị của các phần tử mạch cho Hình A.26

Ví dụ về mạch bù trở kháng dựa trên điện kháng thay đổi cho Hình A.26 được hiển thị trong Hình A.27.

Hình A.27 - Ví dụ về mạch bù trở kháng sử dụng điện kháng thay đổi

Các giá trị cho điện kháng thay đổi jX ₂₀ /2 được đưa ra trong Bảng A.17.

Bảng A.17 - Giá trị của các điện kháng thay đổi

Ví dụ về mạch lọc đầu ra và mạch chỉnh lưu cho Hình A.26 được hiển thị trong Hình A.28.

Hình A.28 - Ví dụ về mạch lọc đầu ra và mạch chỉnh lưu

Bảng A.18 hiển thị các giá trị điện cảm cho L1a, L2a, L2b và L1b trong Hình A.28.

Bảng A.18 - Giá trị điện cảm cho Hình A.28

Các hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây tối đa của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z1 khi được sử dụng kết hợp với thiết bị sơ cấp tham chiếu được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B, được hiển thị trong Bảng A.19. Các giá trị trong Bảng A.19 có được với tấm chắn nhôm kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm.

Bảng A.19 - Hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây MF-WPT3/Z1

A.3.3 Thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT3/Z2

A.3.3.1 Quy định chung

Thiết bị sạc EVPC cấp Z2 bao phủ phạm vi khoảng sáng gầm từ 140 mm đến 210 mm và có thể cung cấp công suất tối đa với điện áp đầu ra từ 280 VDC đến 420 VDC khi sử dụng với SPC được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B.

A.3.3.2 Cơ khí

Hình A.29 hiển thị các kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z2.

Hình A.29 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z2

Cấu hình cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z2 bao gồm lá chắn nhôm có kích thước 800 mm × 800 mm × 1 rnm (được hiển thị trong Hình A.29).

A.3.3.3 Điện

Hình A.30 hiển thị sơ đồ mạch điện của thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT3/Z2.

CHÚ DẪN

1 L2

2 C_Điện kháng (tụ điện điều chỉnh điện kháng)

3 C_ Song song (tụ điện điều chỉnh song song)

4 bù trở kháng

5 bộ chỉnh lưu

6 pin

Hình A.30 - Sơ đồ mạch điện của thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT3/Z2

Bảng A.20 - Giá trị của các phần tử mạch cho Hình A.30

Ví dụ về mạch bù trở kháng dựa trên điện kháng thay đổi cho Hình A.30 được hiển thị trong Hình A.31.

Hình A.31 - Ví dụ về mạch bù trở kháng sử dụng điện kháng thay đổi

Các giá trị cho điện kháng thay đổi jX20/2 được đưa ra trong Bảng A.21.

Bảng A.21 - Giá trị của các điện kháng thay đổi

Ví dụ về mạch lọc đầu ra và mạch chỉnh lưu cho Hình A.30 được hiển thị trong Hình A.32.

Hình A.32 - Ví dụ về bộ lọc đầu ra và mạch chỉnh lưu

Bảng A.22 hiển thị các giá trị cho L1a, L2a, L2b và L1b cho Hình A.32.

Bảng A.22 - Giá trị cảm kháng cho Hình A.32

Các hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây tối đa của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z2 khi được sử dụng kết hợp với thiết bị sơ cấp tham chiếu được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B, được hiển thị trong Bảng A.23. Các giá trị trong Bảng A.23 có được với tấm chắn nhôm kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm.

Bảng A.23 - Hệ số ghép nối và dòng điện cuộn dây MF-WPT3/Z2

A.3.4 Thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT3/Z3

A.3.4.1 Quy định chung

Thiết bị sạc EVPC cấp Z3 bao phủ phạm vi khoảng sáng gầm từ 170 mm đến 250 mm và có thể cung cấp công suất tối đa với điện áp đầu ra từ 280 VDC đến 420 VDC khi sử dụng với SPC được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B.

A.3.4.2 Cơ khí

Hình A.33 hiển thị kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z3.

Hình A.33 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z3

Cấu hình cơ khí của thiết bị thứ cấp tham chiếu MF-WPT3/Z3 bao gồm một tấm chắn nhôm kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm (hiển thị trong Hình A.16).

A.3.4.3 Điện

Hình A.34 hiển thị sơ đồ của điện tử nguồn EV cho thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT3/Z3.

CHÚ DẪN

1 L2

2 C_Điện kháng (tụ điện điều chỉnh điện kháng)

3 C_ Song song (tụ điện điều chỉnh song song)

4 bù trở kháng

5 bộ chỉnh lưu

6 pin

Hình A.34 - Sơ đồ của điện tử nguồn EV cho thiết bị sạc EVPC tham chiếu MF-WPT3/Z3

Bảng A.24 - Giá trị của các thành phần mạch cho Hình A.17

Một ví dụ về mạch bù công suất dựa trên cảm kháng biến cho Hình A.34 được hiển thị trong Hình A.35.

Hình A.35 - Ví dụ về mạch bù công suất sử dụng cảm kháng biến

Các giá trị cho cảm kháng biến jX ₂₀ /2 được đưa ra trong Bảng A.25.

Bảng A.25 - Giá trị của các điện kháng thay đổi

Một ví dụ về mạch lọc đầu ra và chỉnh lưu cho Hình A.34 được hiển thị trong Hình A.36.

Hình A.36 - Ví dụ về bộ lọc đầu ra và mạch chỉnh lưu

Bảng A.26 hiển thị các giá trị cho L1 a, L2a, L2b và L1 b cho Hình A.36.

Bảng A.26 - Giá trị cảm kháng cho Hình A.36

Các hệ số ghép nối và dòng điện tối đa của thiết bị phụ MF-WPT3/Z3 khi được sử dụng kết hợp với thiết bị sơ cấp tham chiếu được quy định trong ISO 19363:2020, Phụ lục B, được hiển thị trong Bảng A.27. Các giá trị trong Bảng A.27 được tính với lớp chắn bằng nhôm có kích thước 800 mm × 800 mm × 1 mm.

Bảng A.27 - Các hệ số ghép nối và dòng điện của MF-WPT3/Z3

 

Phụ lục B

(tham khảo)

Ví dụ về các thiết bị thứ cấp khác

B.1 Thiết bị thứ cấp DD cho MF-WPT1/Z1

Hình B.1 cho thấy kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT1/Z1.

Hình B.1 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT1/Z1

Kích thước cơ khí của thiết bị này được hiển thị trong Bảng B.1.

Bảng B.1 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT1/Z1

B.2 Thiết bị thứ cấp DD cho MF-WPT1/Z2

Hình B.2 cho thấy các kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT1/Z2.

Hình B.2 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT1/Z2

Các kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp này được trình bày trong Bảng B.2.

Bảng B.2 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT1/Z2

B.3 Thiết bị thứ cấp DD cho MF-WPT2/Z1

Hình B.3 cho thấy các kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT2/Z1.

Hình B.3 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT2/Z1

Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp này được trình bày trong Bảng B.3.

Bảng B.3 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT2/Z1

B.4 Thiết bị thứ cấp DD cho MF-WPT2/Z2

Hình B.4 cho thấy kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT2/Z2.

Hình B.4 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT2/Z2

Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp này được trình bày trong Bảng B.4.

Bảng B.4 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT2/Z2

B.5 Thiết bị thứ cấp DD cho MF-WPT2/Z3

Hình B.5 cho thấy kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT2/Z3.

Hình B.5 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT2/Z3

Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cáp này được thể hiện trong Bảng B.5.

Bảng B.5 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT2/Z3

B.6 Thiết bị thứ cấp DD cho MF-WPT3/Z1

Hình B.6 cho thấy kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT3/Z1.

Hình B.6 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT3/Z1

Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp này được trình bày trong Bảng B.6.

Bảng B.6 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT3/Z1

B.7 Thiết bị thứ cấp DD cho MF-WPT3/Z2

Hình B.7 cho thấy kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT3/Z2.

Hình B.7 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT3/Z2

Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp này được trình bày trong Bảng B.7.

Bảng B.7 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT3/Z2

B.8 Thiết bị thứ cấp DD cho MF-WPT3/Z3

Hình B.8 cho thấy kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT3/Z3.

Hình B.8 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT3/Z3

Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp này được thể hiện trong Bảng B.8.

Bảng B.8 - Kích thước cơ khí của thiết bị thứ cấp DD MF-WPT3/Z3

 

Phụ lục C

(tham khảo)

Vị trí cuộn dây trong chỗ đỗ xe

C.1 Quy định chung

Hiện tại, không thể có một vị trí duy nhất trên xe để gắn thiết bị EV. Để phức tạp hơn nữa, không có tiêu chuẩn nào cho các chỗ đỗ xe và cách chúng được định hướng so với phía trước của xe; có sự khác biệt về chiều rộng, chiều dài, hướng di chuyển (quay vào hoặc lái xe về phía trước) cũng như mối quan hệ với các vật cản vật lý liền kề (lề đường), nguy hiểm an toàn (chỗ đỗ xe song song với hướng di chuyển trên đường phố) hoặc các phương tiện đỗ xe khác (khu vực đỗ xe với các chỗ đỗ xe liền kề cạnh nhau). Tất cả những điều này khiến việc thiết lập một bộ quy tắc hữu ích trở nên không thể. Do đó, tiêu chuẩn này chỉ có thể đưa ra các khuyến nghị về những điều cần xem xét cho việc đặt thiết bị sơ cấp. Các quyết định sẽ cần được dựa trên các đặc điểm cụ thể của chỗ đỗ xe được hỏi.

C.2 Chiều rộng của xe và chỗ đỗ xe

Các phương tiện chở khách lớn hiếm khi rộng hơn 2,2 m tại điểm rộng nhất (với gương mở rộng). Các phương tiện chở khách nhỏ hiếm khi hẹp hơn 1,5 m. Người ta cho rằng thiết bị thứ cấp được lắp đặt trên đường trung tâm của phương tiện đang được hỏi.

Phân tích này sử dụng các kích thước và yếu tố đó trong phân tích của nỏ.

Nếu một chỗ đỗ xe rộng 2,5 m trở lên, thì chúng ta có thể xem xét đặt điểm căn chỉnh trung tâm của thiết bị sơ cấp cách 1,25 m từ mép của chỗ đỗ xe. Nếu chỗ đỗ xe rộng hơn 2,5 m và nó liền kề với một lề đường, thì tâm của thiết bị sơ cấp nên cách lề đường 1,25 m để xe khi đậu không quá xa lề đường. Nếu chỗ đỗ xe rộng hơn và trong một hàng các chỗ đỗ xe song song liền kề, để tối đa hóa tính linh hoạt, điểm căn chỉnh trung tâm nên được đặt ở giữa chiều rộng của chỗ đỗ xe, Nếu đó là một chỗ đỗ xe đặc biệt, chẳng hạn như một chỗ đỗ xe dành cho người khuyết tật, thường có thêm không gian được dành riêng ở một bên hoặc bên kia, điểm căn chỉnh trung tâm nên được đặt cách 1,25 m từ phía KHÔNG có không gian được dành riêng.

Nếu một chỗ đỗ xe nhỏ hơn 2,5 m, thì có thể sạc không dây cho một số phương tiện sẽ không thể thực hiện được và nên được xác định như vậy.

Những điều trên chỉ là một số ví dụ về những gì nên được xem xét khi lắp đặt thiết bị sơ cấp trong một chỗ đỗ xe.

C.3 Đặt dọc theo hướng di chuyển

Điểm căn chỉnh trung tâm của thiết bị sơ cấp nên được gắn cách 1,7 m từ cuối chỗ đỗ xe, tuân theo hướng dẫn trên về vị trí liên quan đến chiều rộng.

Người ta cho rằng đối với hầu hết các phương tiện, điểm căn chỉnh trung tâm của thiết bị thứ cấp nhỏ hơn 1,7 m so với điểm xa nhất phía trước của phương tiện đối với các phương tiện được cho là đậu xe lái xe vào không gian và nhỏ hơn 1,7 m so với điểm xa nhất phía sau của phương tiện đối với các phương tiện được cho là lùi vào một chỗ đỗ xe (quay ra). Một yếu tố phức tạp là đối với việc đỗ xe song song của các phương tiện với thiết bị thứ cấp được gắn sao cho điểm căn chỉnh trung tâm của thiết bị thứ cấp nhỏ hơn 1,7 m so với phía sau của phương tiện. Giải quyết tình huống đó có thể được thực hiện tương tự.

Không có giả định về chiều dài của xe.

Vì có thể có nhiều thiết kế khác nhau cho thiết bị sơ cấp, nên thiết bị sơ cấp có thể có nhiều hơn một điểm căn chỉnh trung tâm. cần xem xét thực tế đó tại thời điểm lắp đặt, vì việc lắp đặt thiết bị sơ cấp với điểm căn chỉnh trung tâm sai ở khoảng cách 1,7 m từ cuối chỗ đỗ xe có thể dẫn đến các trường điện từ lớn hơn mức được phép theo tiêu chuẩn này phát ra. Nói chung, việc định vị các thiết bị sơ cấp này với nhiều hơn một điểm căn chỉnh trung tâm phải đảm bảo rằng các điểm căn chỉnh "khác" cách xa hơn 1,7 m từ cuối chỗ đỗ xe.

Nếu chuẩn mực là một chỗ đỗ xe quay vào (quay ra), và phần lớn các phương tiện có thiết bị thứ cấp được gắn gần phía trước, việc gắn thiết bị sơ cấp nên cách 1,7 m từ phía trước của chỗ đỗ xe bằng cách sử dụng các khuyến nghị này. Một lần nữa, trong trường hợp này, chỗ đỗ xe có thể không sử dụng được để sạc một số phương tiện nếu chỗ đỗ xe không đủ dài.

Ở một số khu vực, phần lớn các phương tiện có thể là các phương tiện nhỏ, trong trường hợp đó, khuyến nghị 1,7 m từ cuối chỗ đỗ xe có thể không phù hợp.

Trong trường hợp cần đậu xe ngược, 1,7 m được đo từ cuối chỗ đỗ xe.

 

Phụ lục D

(tham khảo)

Tiếp cận lý thuyết cho khả năng tương tác của hệ thống

D.1 Quy định chung

Phụ lục D mô tả các thông số của cuộn dây sơ cấp và cuộn dây thứ cấp để đảm bảo khả năng tương tác giữa các cuộn dây sơ cấp và cuộn dây thứ cấp từ các nhà chế tạo khác nhau, cấp Z, cấp công suất và các cấu trúc cuộn dây khác nhau. Ngoài mô tả về các thông số cần thiết, nó cũng cung cấp các bố trí thử nghiệm có thể được áp dụng để chứng minh khả năng tương tác của thiết bị cấp nguồn và thiết bị EV.

Phụ lục D áp dụng cho các cuộn dây sơ cấp tham chiếu (xem ISO 19363:2020, Phụ lục A và Phụ lục B) và các cuộn dây thứ cấp tham chiếu (xem Phụ lục A) cũng như các cuộn dây sơ cấp và thứ cấp là ứng cử viên để trở thành thành phẩm (cuộn dây sơ cấp thành phẩm và cuộn dây thứ cấp thành phẩm). Nó nhằm mục đích trở thành một phương pháp tiếp cận chung không phụ thuộc vào bất kỳ cấu trúc cuộn dây nào hoặc bất kỳ cấu hình điện tử cụ thể nào và để cung cấp tính linh hoạt cho việc triển khai sản phẩm.

Cả cuộn dây và điện tử đều phụ thuộc lẫn nhau ở cấp hệ thống, vì điện tử phải được thiết kế theo cách để bao quát các biến thể của các thông số hệ thống cuộn dây, vốn thay đổi theo sự dịch chuyển của cuộn dây sơ cấp đến cuộn dây thứ cấp. Thay vì quy định chi tiết về điện tử, các thông số khả năng tương tác từ và điện được mô tả. Các thông số này đề cập đến giao diện điện giữa điện tử và các đầu của các cuộn dây.

D.2 Khả năng tương tác từ và điện

D.2.1 Yêu cầu chung

Một hệ thống truyền công suất không dây chứa một số loại khối chức năng cơ bản (xem Hình D.1).

- Hệ thống cuộn dây, đóng vai trò là máy biến áp từ và được đặc trưng bởi hệ số cảm ứng từ tương hỗ M. M có thể thay đổi theo vị trí cuộn dây.

- Linh kiện điện tử cuộn dây thứ cấp được kết nối với cuộn dây thứ cấp, đảm bảo rằng tất cả các điểm hoạt động của EV sẽ dẫn đến một phạm vi từ thông được tạo ra bên cạnh cuộn dây thứ cấp, kết hợp với phạm vi từ thông được tạo ra bên cạnh cuộn dây sơ cấp, cần thiết cho lượng năng lượng cần được truyền.

- Linh kiện điện tử cuộn dây sơ cấp được kết nối với cuộn dây sơ cấp, đảm bảo rằng một phạm vi từ thông bên cạnh cuộn dây sơ cấp được tạo ra sao cho, kết hợp với phạm vi từ thông được tạo ra bởi điện tử cuộn dây thứ cấp của EV và cuộn dây, lượng năng lượng cần thiết có thể được truyền.

CHÚ THÍCH: Mạch điện tử công suất phải điều chỉnh các phạm vi từ thông để khắc phục các biến thể của hành vi truyền công suất của hệ thống cuộn dây do sự thay đổi của M.

Để đảm bảo khả năng tương tác tổng thể của cuộn dây sơ cấp hoặc cuộn dây thứ cấp, cần chứng minh cả khả năng tương tác từ và điện.

Khả năng tương tác từ được đảm bảo nếu các cuộn dây sơ cấp và cuộn dây thứ cấp cung cấp độ ghép từ đủ trong phạm vi vị trí cuộn dây được quy định. Độ ghép được mô tả trong Phụ lục D bằng các giá trị cảm ứng từ tương hỗ cơ bản, M ₀ . M ₀ được xác định bởi Công thức (D.1).

trong đó

N ₁ là số vòng của cuộn dây sơ cấp;

N ₂ là số vòng của cuộn dây thứ cấp;

M là hệ số cảm ứng từ tương hỗ của hai cuộn dây đó tại vị trí tương đối cụ thể đó.

Khả năng tương tác điện được đảm bảo nếu các cuộn dây sơ cấp và cuộn dây thứ cấp cung cấp các phạm vi từ thông đủ. Các phạm vi từ thông được thể hiện trong Phụ lục D bằng cách sử dụng số ampe vòng. Các phạm vi từ thông (ampe vòng) cần được tạo ra bởi các cuộn dây và điện tử liên quan được quy định trong Phụ lục D như một phần của mô tả khả năng tương tác điện.

Các thông số sau đây được định nghĩa để mô tả khả năng tương tác của hệ thống:

1) Các thông số khả năng tương tác từ: đối với mỗi điểm căn chỉnh, một giá trị của hệ số cảm ứng từ cơ bản M ₀ , bao phủ phạm vi các vị trí cuộn dây dự kiến.

2) Các thông số khả năng tương tác điện:

Đối với mỗi cấp công suất, một phạm vi từ thông (vòng amp), được cung cấp bởi một cuộn dây sơ cấp và mạch điện tử công suất liên quan của nó.

Đối với mỗi cấp công suất, một phạm vi từ thông (vòng amp), được cung cấp bởi một cuộn dây thứ cấp và mạch điện tử công suất liên quan của nó.

Các thông số sau đây được định nghĩa để mô tả khả năng tương tác của hệ thống:

3) Đối với mỗi điểm căn chỉnh, tồn tại một bộ giá trị cho các thông số từ (M, L ₁ , L ₂ ) → F(x,y,z) = {M, L ₁ , L ₂ }. dẫn đến một phạm vi giá trị xác định cho các thông số từ bao phủ toàn bộ phạm vi các vị trí cuộn dây dự kiến.

4) Z _VA : trở kháng được trình bày bởi điện tử cuộn dây thứ cấp cho tất cả các điểm hoạt động của EV có thể. Được xác định từ các đầu của cuộn dây thứ cấp nhìn về phía tải.

5) Z _GA : trở kháng được nhìn thấy tại các đầu của cuộn dây sơ cấp nhìn về phía tải (một hàm của Z _VA và các thông số từ).

6) Hệ số dung sai: Hệ số áp dụng cho các thông số từ và trở kháng để giải thích các biến đổi trong cấu tạo, giá trị thành phần và tích hợp xe. Hệ số này là cần thiết để đảm bảo khả năng tương tác trong phạm vi các hệ thống dự kiến trong lĩnh vực (bao gồm các cấp công suất và z khác nhau).

Hình D.1 - Sơ đồ chung của khái niệm thể hiện các cuộn dây với các cổng của chúng đến mạch mạch điện tử công suất và các thông số thay đổi

Bảng D.1 giải thích các thuật ngữ được sử dụng trong Hình D.1 và ở những nơi khác trong Phụ lục D.

Bảng D.1 - Mô tả các thuật ngữ

D.2.2 Yêu cầu điểm căn chỉnh trung tâm

Các thiết kế cuộn dây tạo ra trường từ đồng tâm được dự định sử dụng cũng như các thiết kế cuộn dây có đặc tính ngang.

Cả cuộn dây sơ cấp đồng tâm và ngang đều tạo ra phân bố trường từ, cho phép truyền công suất đến cả cuộn dây thứ cấp đồng tâm và ngang.

CHÚ THÍCH: Tùy thuộc vào các hạn chế sản phẩm cụ thể của ứng dụng, chẳng hạn như không gian đóng gói, trọng lượng, vị trí lắp đặt, một quyết định sản phẩm cho thiết kế cuộn dây đồng tâm hoặc ngang có thể được thực hiện.

Do khả năng tương tác giữa các thiết kế cuộn dây đồng tâm và ngang là khả thi về mặt kỹ thuật nên có thể xảy ra các cấu hình sau:

• Cuộn dây sơ cấp đồng tâm hoạt động với cuộn dây thứ cấp đồng tâm;

• Cuộn dây sơ cấp đồng tâm hoạt động với cuộn dây thứ cấp ngang;

• Cuộn dây sơ cấp ngang hoạt động với cuộn dây thứ cấp ngang;

• Cuộn dây sơ cấp ngang hoạt động với thiết bị thứ cấp đồng tâm.

Một cuộn dây sơ cấp phải cung cấp ít nhất một điểm căn chỉnh trung tâm cho truyền công suất trường từ đồng tâm để sử dụng bởi các cuộn dây thứ cấp đồng tâm.

Một cuộn dây sơ cấp phải cung cấp ít nhất một điểm căn chỉnh trung tâm cho truyền công suất trường từ ngang để sử dụng bởi các cuộn dây thứ cấp ngang.

Cặp cực tại điểm căn chỉnh trung tâm cho truyền công suất trường từ ngang phải được định hướng theo hướng X.

Vị trí của các điểm căn chỉnh trung tâm phải được trao đổi giữa SECC và EVCC thông qua truyền thông. Vị trí của các điểm căn chỉnh trung tâm phải có cùng vị trí tọa độ Y.

Khoảng cách của các vị trí căn chỉnh trung tâm phải tối đa là 30 cm.

D.2.3 Khả năng tương tác từ

D.2.3.1 Quy định chung

Để xác định các đặc tính của trường từ mà không yêu cầu một cuộn dây thứ cấp tham chiếu đầy đủ hoặc cuộn dây thứ cấp sản phẩm và không cần truyền công suất qua các cuộn dây, các thiết bị đo đơn giản được xác định (xem D.3.4). Các thiết bị đo này được sử dụng để đặc trưng cho từ thông được tạo ra bởi một cuộn dây sơ cấp bằng cách đo các điện áp mạch hở, được cảm ứng trong các cuộn dây của các thiết bị đo thứ cấp.

Mối quan hệ giữa điện áp U _i2 được đo bằng thiết bị đo trong điều kiện mạch hở và từ thông hiệu dụng Φ được tạo ra bởi một cuộn dây sơ cấp kích thích có thể được biểu diễn như sau:

trong đó

Một giá trị ampe vòng l ₁ × N ₁ cụ thể của cuộn dây sơ cấp là cần thiết để tạo ra một từ thông cuộn dây sơ cấp. Để tạo ra một thước đo có thể được áp dụng chung hơn, từ thông Φ được chuẩn hóa theo dòng điện cuộn dây sơ cấp I ₁ . Thước đo kết quả đặc trưng cho sự ghép từ cho một kết hợp cụ thể của cuộn dây sơ cấp và cuộn dây thứ cấp như sau:

trong đó

M ₀ là hệ số cảm ứng từ tương hỗ cơ bản với N ₁ = 1, N ₂ = 1;

N ₁ là số vòng của cuộn dây sơ cấp;

I ₁ là dòng điện cuộn dây sơ cấp.

Các giá trị cho hệ số cảm ứng từ tương hỗ cơ bản M ₀ trong Phụ lục D liên quan đến sự kết hợp của

- một cuộn dây sơ cấp tham chiếu được thử nghiệm với một cuộn dây thứ cấp tham chiếu và

- một cuộn dây sơ cấp tham chiếu được thử nghiệm với một thiết bị đo.

Một thiết bị đo được dự định phục vụ như một đại diện của một cuộn dây thứ cấp tham chiếu hoặc như một đại diện của một cuộn dây thứ cấp sản phẩm. Bất kỳ cuộn dây sơ cấp sản phẩm nào cũng sẽ tạo ra cùng một từ thông tại thiết bị đo như một cuộn dây sơ cấp tham chiếu nếu phương trình sau được thực hiện

Chỉ số dưới P đề cập đến cuộn dây sơ cấp sản phẩm, trong khi chỉ số dưới R đề cập đến cuộn dây sơ cấp tham chiếu.

Công thức (D.4) yêu cầu cuộn dây sơ cấp sản phẩm và cuộn dây sơ cấp tham chiếu tạo ra cùng một từ thông trên thiết bị đo, tức là Φ _1→2 và U _{i 2} là như nhau cho cả hai. Điều này phải đúng đối với tất cả các vị trí lệch. Nếu cuộn dây sơ cấp sản phẩm và cuộn dây tham chiếu có cùng hệ số cảm ứng từ cơ bản, thì các ampe vòng trên hai cuộn dây phải bằng nhau:

Bất kỳ cuộn dây sơ cấp tham chiếu và sản phẩm nào cho thấy các giá trị của hệ số cảm ứng từ cơ bản M0 với các cuộn dây thứ cấp tham chiếu hoặc với các thiết bị đo được đưa ra trong Phụ lục D đều tuân thủ khả năng tương tác từ.

D.2.3.2 Yêu cầu cảm ứng từ tương hỗ

D.2.3.2.1 Quy định chung

Trong D.2.3.2.2 đến D.2.3.2.4 , các giá trị cảm ứng từ tương hỗ cơ bản như được đo bằng các cuộn dây sơ cấp tham chiếu và như được xác định bằng các thiết bị đo theo các quy trình trong D.3.4.2 và D.3.4.3 được liệt kê. Mục đích sử dụng của Bảng D.2 đến Bảng D.4 là để kiểm tra xác nhận rằng một cuộn dây sơ cấp tham chiếu có các đặc tính từ thông phù hợp. Các bảng cũng có thể được sử dụng bởi các nhà phát triển hệ thống để so sánh các đặc tính từ thông được đo bằng các cuộn dây sơ cấp sản phẩm với các đặc tính từ thông của cuộn dây sơ cấp tham chiếu. Một cuộn dây sơ cấp sản phẩm có các đặc tính từ thông tương đương như được liệt kê trong các bảng này sẽ được coi là có các đặc tính từ phù hợp, tức là có khả năng tương tác từ.

Khả năng tương tác từ phải được xác nhận bằng cách thử nghiệm theo D.3.2.2.

Vì hệ số cảm ứng từ thay đổi đối với các vị trí cuộn dây khác nhau, nên các yêu cầu được đưa ra riêng cho các vị trí X và Y khác nhau và theo các cấp Z.

D.2.3.2.2 Giá trị cảm ứng từ tương hỗ cơ bản cho cấp Z1

Một cuộn dây sơ cấp tham chiếu phải cung cấp các giá trị cảm ứng từ tương hỗ cơ bản như được đưa ra trong Bảng D.2. Khả năng tương tác từ đạt được nếu các giá trị cảm ứng từ được đo nằm trong một dải dung sai ±10 % xung quanh các giá trị được đưa ra trong Bảng D.2.

Bảng D.2 - Các giá trị cảm ứng từ cơ bản M ₀ cho Z1 (tính bằng μH)

D.2.3.2.3 Giá trị cảm ứng từ cơ bản cho cấp Z2

Một cuộn sơ cấp tham chiếu phải cung cấp các giá trị cảm ứng từ cơ bản như được nêu trong Bảng D.3. Khả năng tương tác từ tính được đạt được nếu các giá trị cảm ứng từ đo được nằm trong dải dung sai ±10 % quanh các giá trị được nêu trong Bảng D.3.

Bảng D.3 - Các giá trị cảm ứng từ cơ bản M ₀ cho Z2 (tính bằng |jH)

D.2.3.2.4 Giá trị cảm kháng tương hỗ cơ bản cho cấp Z3

Một cuộn sơ cấp tham chiếu phải cung cấp các giá trị cảm kháng tương hỗ cơ bản như được trình bày trong Bảng D.4. Khả năng tương tác từ tính đạt được nếu các giá trị cảm kháng tương hỗ đo được nằm trong dải dung sai ±10% xung quanh các giá trị được nêu trong Bảng D.4.

Bảng D.4 - Các giá trị cảm ứng từ cơ bản M ₀ cho Z3 (tính bằng |JH)

D.2.4 Khả năng tương tác điện

D.2.4.1 Quy định chung

Hệ thống cuộn dây của hệ thống WPT hoạt động như một máy biến áp từ tính, chuyển đổi trở kháng của cuộn dây thứ cấp từ Z ₂ sang cuộn dây sơ cấp Z ₁ .

Mối quan hệ giữa các tham số này được cho bởi Công thức (D.6):

Thuật ngữ thứ hai ở phía bên phải của Công thức (D.6) là trở kháng phản xạ từ cuộn dây thứ cấp đến cuộn dây sơ cấp.

Các tự cảm L ₁ và L ₂ chủ yếu được điều khiển bởi các đặc tính cụ thể của sản phẩm như kích thước cuộn dây, số vòng quấn, hình dạng cuộn dây và quấn, vốn nên được mở để phát triển sản phẩm. Nếu không được bù đúng cách, các phần còn lại của tự cảm L ₁ và L ₂ sẽ đóng góp vào công suất điện kháng thay vì truyền công suất hoạt động giữa cuộn dây sơ cấp và cuộn dây thứ cấp. Do đó, với thiết kế của cuộn dây sơ cấp và cuộn dây thứ cấp, cần xem xét bù đầy đủ.

Trước khi đưa ra những lời giải thích chi tiết về các bước khác nhau để đạt được hoặc xác thực khả năng tương tác điện của các cuộn dây, một số nền tảng lý thuyết được cung cấp để chuẩn bị cho các lời giải thích như sau.

Hình D.2 cho thấy một sơ đồ để giải thích phương pháp trở kháng.

Hình D.2 - Sơ đồ để giải thích trở kháng

Bảng D.5 giải thích các thuật ngữ được sử dụng trong Hình D.2 và các công thức trong Phụ lục D.

Bảng D.5 - Giải thích các thuật ngữ

Trở kháng Z ₁ được cho bởi Công thức (D.7) và có thể được viết lại như sau:

Trở kháng điện kháng ZReff được cho bởi:

Trong đó:

trở kháng điện kháng trở thành:

Tách phần thực và phần ảo của trở kháng điện kháng:

Biểu diễn của Z _refl được thể hiện trong Hình D.3.

Hình D.3 - Hành vi tổng quát của trở kháng phản xạ (ví dụ)

Các trở kháng chuẩn hóa được định nghĩa như sau:

Và

Từ đó (so sánh với Công thức (D.10)):

Các trở kháng chuẩn hóa có thể được sử dụng để thiết lập các phạm vi chung cho tất cả các hệ thống sản phẩm vì các phạm vi cho hệ số cảm ứng từ tương hỗ chuẩn hóa M ₀ được thiết lập.

Công suất thực của cuộn dây sơ cấp có thể được mô tả như:

Công suất thực của cuộn dây thứ cấp có thể được mô tả như sau:

Bỏ qua các tổn thất của biến áp, tỷ lệ dòng điện có thể được mô tả bằng:

Hoặc

Sắp xếp lại, điện áp cảm ứng trên mỗi vòng của cuộn dây thứ cấp được cho bởi:

và số ampe vòng cần thiết trên cuộn sơ cấp là:

hoặc tương đương:

Công thức (D.22) quy định điện áp cảm ứng cần thiết trên mỗi vòng dây của cuộn thứ cấp như một hàm của dòng điện và các tham số trở kháng của cuộn thứ cấp, trong khi các Công thức (D.23) và (D.24) diễn tả các amp vòng cần thiết trên cuộn sơ cấp theo các dạng tương đương. Công thức (D.24) cho thấy tại sao việc hạn chế pha của trở kháng cuộn thứ cấp về các giá trị nhỏ (tức là giữ Δ nhỏ) là quan trọng để hạn chế sự gia tăng không cần thiết của dòng điện cuộn dây.

Bằng cách sắp xếp lại Công thức (D.24), sự phụ thuộc của P _sec vào tích của dòng điện cuộn sơ cấp l ₁ và dòng điện cuộn thứ cấp l ₂ có thể được làm rõ:

D.2.4.2 Yêu cầu về khả năng tương tác điện

Yếu tố quyết định trong thiết kế điện tử của cuộn sơ cấp là trở kháng , được trình bày bởi cuộn sơ cấp đối với điện tử của cuộn sơ cấp và do đó cấu thành tải điện cho phía sơ cấp. bao gồm:

- Giá trị cảm kháng L ₁ của cuộn sơ cấp tại tần số hoạt động.

- Điện trở AC của dây đồng cuộn sơ cấp (để đơn giản hóa, cũng đại diện cho tổn thất trong ferrites và lớp chắn).

- Trở kháng phản ánh được chuyển đổi từ trở kháng được cung cấp cho cuộn thứ cáp bởi mạng bù cuộn thứ cấp, mạch điện tử công suất và tải.

L ₁ thay đổi tùy thuộc vào vị trí của cuộn thứ cấp trên cuộn sơ cấp. Việc bù chính xác cảm kháng thay đổi này là trách nhiệm của nhà chế tạo. Khi được bù phù hợp, L ₁ không ảnh hưởng đáng kể đến tính năng truyền công suất của hệ thống cuộn sơ cấp. Giữ cho điện trở AC của dây đồng cuộn sơ cấp ở mức thấp là trách nhiệm của nhà chế tạo. Đối với trở kháng , tham số liên quan của cuộn thứ cấp là trở kháng được cung cấp cho cuộn thứ cấp bởi điện tử cuộn thứ cấp và tải. được chuyển đổi thành cuộn sơ cấp và xuất hiện dưới dạng trở kháng phản ánh . Bất kỳ lượng (tồn dư) cảm kháng , được biểu thị bằng giá trị của A (xem thêm Công thức (D.9)), trở thành một phần của , trong khi dấu của cảm kháng xuất hiện bị đảo ngược (xem thêm Hình D.3) tại các đầu cuộn sơ cấp. Tham số chuyển đổi liên quan (từ đến ) là cảm ứng hỗn hợp M hoặc cảm ứng hỗn hợp cơ bản M ₀ . M ₀ thay đổi như được chỉ ra trong Bảng D.2 đến Bảng D.4.

Các công thức (D.7) đến (D.25) bao gồm tất cả các ảnh hưởng của việc chuyển đổi trở kháng, sự đa dạng của M ₀ và các phần cảm kháng còn lại được biểu thị bằng tham số Δ. Chỉ có sự biến động của L ₁ là không được bao gồm ở đây.

Công thức (D.25) cho thấy rằng một sản phẩm của số vòng dây của cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp là cần thiết để truyền một lượng công suất P _sec nhất định. Sản phẩm của số vòng dây này phụ thuộc vào cảm ứng hỗn hợp M, tần số hoạt động ω và tham số Δ như được định nghĩa trong Công thức (D.9). Theo Công thức (D.22), sản phẩm của số vòng dây này dẫn đến một điện áp, được yêu cầu phải được cảm ứng bởi cuộn sơ cấp trong cuộn thứ cấp để đạt được công suất P _sec như sau:

Việc công bố khả năng tương tác yêu cầu rằng một cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc sản phẩm (DUT) phải cảm ứng một điện áp V ₂ trong một cuộn thứ cấp tham chiếu tương ứng dưới điều kiện tồi tệ nhất (tức là tại các vị trí X-, Y- và Z-displacement tối đa giữa các cuộn), ở dòng điện cuộn tối đa l _{1, max} được quy định bởi nhà chế tạo cuộn và trong khi công suất danh nghĩa được truyền.

Các thử nghiệm về khả năng tương tác điện nhằm chứng minh rằng yêu cầu điện áp cảm ứng này được đáp ứng bởi DUT.

Các nhà chế tạo cuộn sơ cấp tham chiếu và cuộn sơ cấp sản phẩm phải đảm bảo rằng cuộn đang thử nghiệm (DUT) có khả năng cảm ứng các điện áp như được đưa ra trong Bảng D.6 cho cấp công suất mong muốn. Những giá trị này đã bao gồm dự trữ cho khả năng điều chỉnh cuộn thứ cấp trong phạm vi A = ±0,3.

Bảng D.6 - Điện áp (RMS) yêu cầu phải cảm ứng trong các cuộn thứ cấp tham chiếu hình tròn

Các cuộn dây sơ cấp tham chiếu phải tạo ra điện áp theo Bảng D.6 với các điều kiện sau:

- Các giá trị M được xác nhận trong quá trình thử nghiệm tương thích từ tính theo Phụ lục D;

- Dòng điện l _{1, max} = 75 A ± 1,5 % (RMS);

- Tần số hoạt động là 85 kHz ± 0,5 %.

Tiêu chí yêu cầu về điện áp cảm ứng được quy định ở đây nhằm tạo điều kiện cho tối ưu hóa thiết kể từ tính và điện cho các nhà chế tạo cuộn dây sản phẩm.

Các cuộn dây sơ cấp sản phẩm phải tạo ra điện áp theo Bảng D.6 với các điều kiện sau:

- Giá trị M ₀ được xác nhận trong quá trình thử nghiệm tương thích từ tính theo Phụ lục D;

- Ở dòng điện cuộn tối đa mà cuộn dây đã được thiết kế;

- Ở tần số hoạt động thấp nhất dự kiến ±0,5 %.

D.2.5 Tương đương trở kháng

Các yêu cầu đối với điện tử cuộn dây sơ cấp, bao gồm cả bù trừ, có thể được biểu thị dưới dạng phạm vi trở kháng tại cuộn dây sơ cấp, , mà qua đó mức công suất mục tiêu, t P _prim . sẽ được cung cấp. Dòng điện tối đa qua cuộn sơ cấp trực tiếp chuyển thành yêu cầu trở kháng thực tối thiểu tại cuộn sơ cấp. Với một mức truyền công suất P _prim , trở kháng thực tương ứng Re( ) được biểu thị theo Công thức (D.27):

Hoặc theo các thuật ngữ chuẩn hóa:

Trở kháng này trở thành trở kháng thực tối thiểu được thấy ở cuộn dây sơ cấp khi cung cấp P _prim , và dòng điện của cuộn dây sơ cấp là |l _{1, max} |.

Phần ảo của trở kháng được xác định bởi điện kháng của cuộn dây sơ cấp và phần ảo của trở kháng phản xạ từ cuộn dây thứ cấp. Điều này phụ thuộc vào vị trí tương đối của các cuộn dây và sự điều chỉnh của cuộn dây thứ cấp. Độ lệch tối đa của điện kháng cuộn sơ cấp do sự hiện diện của cuộn dây thứ cấp được xác định là:

Với phạm vi điều chỉnh ± Δ trên cuộn dây thứ cấp, phạm vi của Im ( , _norm ) cho bất kỳ vị trí nào là

Bất đẳng thức được thể hiện trong Công thức (D.30) áp dụng cho phạm vi của trở kháng phản xạ Re( ), với giả định rằng sự lệch điều chỉnh gây ra bởi cuộn dây thứ cấp bất kỳ có thể lên đến δ _max ở bất kỳ vị trí cuộn dây nào. Đây là một giả định rất bảo thủ vì mức độ lệch điều chỉnh của cuộn sơ cấp thay đổi theo vị trí tương đối của cuộn dây và thường lớn nhất tại các vị trí có độ ghép nối mạnh nhất. Với giả định này, vùng trở kháng tại cuộn sơ cấp được thể hiện như trong Hình D.4. Một lần nữa, chúng ta bỏ qua ảnh hưởng nhỏ của tổn thất cuộn dây vào Re( ).

Hình D.4 - Vùng trở kháng tại cuộn sơ cấp (ví dụ)

Hình D.4 cho thấy rằng phạm vi của điện kháng phụ thuộc vào phần thực của trở kháng do tham số lệch điều chỉnh của cuộn thứ cấp Δ - xem Công thức (D.12) - và vào sự lệch điều chỉnh của độ cảm của cuộn sơ cấp δ _max . Phạm vi của trở kháng thực tại đó P _PRIM có thể được cung cấp bị giới hạn ở phía thấp bởi dòng điện cuộn sơ cấp tối đa, và ở phía cao bởi khả năng của mạch điện tử công suất phía cuộn sơ cấp (biến tần). Tỷ lệ giữa Re( ) tối đa và tối thiểu là một tham số chính điều khiển yêu cầu về Volt-Amp trên mạch điện tử công suất phía cuộn sơ cấp.

Các điện tử của cuộn thứ cấp trên các hệ thống tham chiếu cung cấp khả năng điều chỉnh trở kháng cuộn thứ cấp, Re( ), cho phép phạm vi của trở kháng phản xạ dao động ít hơn / . Điều này làm giảm yêu cầu đối với mạch điện tử công suất phía cuộn sơ cấp. Đối với các hệ thống cuộn sơ cấp tham chiếu, tỷ lệ của trở kháng thực mà tại đó công suất đầy đủ có thể được cung cấp là

Không có việc điều chỉnh ở phía cuộn thứ cấp, điện tử của cuộn sơ cấp sẽ phải điều khiển một phạm vi trở kháng rộng hơn nhiều, với tỷ lệ giữa trở kháng thực tối đa và tối thiểu khoảng 10,0. Điều này làm tăng đáng kể kích thước của vùng trở kháng cần được điều khiển để đạt được khả năng tương tác.

Để bao phủ một vùng trở kháng tương đương như các hệ thống cuộn sơ cấp tham chiếu, điện tử cuộn sơ cấp sản phẩm nên bao phủ một vùng trở kháng được định nghĩa bởi Bảng D.7.

Bảng D.7 - Các tham số khuyến nghị cho vùng trở kháng cuộn sơ cấp

Hình D.5 cho thấy sự so sánh giữa một vùng trở kháng được xác định bằng cách tiếp cận đã nêu (màu xanh) với các vùng trở kháng được tính toán cho cuộn sơ cấp tham chiếu WPT3 tròn và điện tử tham chiếu (màu đen) cũng như một bộ điện tử thay thế (màu vàng). Vì cuộn sơ cấp tham chiếu vòng tròn và điện tử đã chứng minh được khả năng tương tác với tất cả các cuộn thứ cấp tham chiếu, nên vùng trở kháng của nó phục vụ như là mức tối thiểu cần thiết cho sự tương thích. Vùng trở kháng được xác định sử dụng các tham số trong Bảng D.7 cùng với cảm kháng của cuộn sơ cấp tham chiếu. Vùng trở kháng kết quả bao phủ hầu hết các vùng trở kháng tham chiếu, nhưng cũng bao gồm các khu vực ngoài nó mà có thể khó thực hiện với các thiết bị điện tử thực tế. Bộ điện tử thay thế, bao gồm một bộ biến tần với điện áp DC đầu vào tối đa là 900 V và dòng điện đầu ra tối đa là 34 A RMS với mạng bù LCL, cũng cung cấp một vùng trở kháng hoàn toàn bao phủ khu vực tham chiếu. Do đó, bộ điện tử này điều khiển cuộn sơ cấp tham chiếu nên được kỳ vọng sẽ hoàn toàn tương thích với tất cả các cuộn thứ cấp tham chiếu và các cuộn thứ cấp khác hoạt động với cuộn sơ cấp tham chiếu.

Hình D.5 - Các vùng trở kháng của cuộn sơ cấp tham chiếu và điện tử thay thế

Ví dụ này minh họa cách mà trở kháng tại cuộn sơ cấp có thể được sử dụng như một hướng dẫn để tạo ra các hệ thống cuộn sơ cấp tương thích. Nó cũng cho thấy rằng vùng trở kháng được xác định bằng cách sử dụng dòng điện cuộn tối đa và các tham số trong Bảng D.7 là một điểm khởi đầu tốt cho thiết kế, mặc dù có thể cần điều chỉnh một số tham số để ngăn ngừa việc thiết kế quá mức và phù hợp hơn với những gì các thiết bị điện tử tiêu chuẩn có thể cung cấp.

D.3 Thử nghiệm sự phù hợp và quy định kỹ thuật của phép đo

D.3.1 Yêu cầu cần kiểm tra

Các yêu cầu sau đây phải được xác nhận qua kiểm tra:

- Các cuộn sơ cấp phải chứng minh được khả năng tương tác từ tính theo yêu cầu trong D.2.3.2 và theo quy trình kiểm tra tuân thủ trong D.3.2.2;

- Các cuộn sơ cấp phải chứng minh được khả năng tương tác điện theo yêu cầu trong D.2,4.2 và theo quy trình kiểm tra tuân thủ trong D.3.3.2.

D.3.2 Kiểm tra khả năng tương tác từ tính

D.3.2.1 Yêu cầu chung

Chứng minh khả năng tương tác từ tính phải được thực hiện bằng cách kiểm tra sự tuân thủ cảm ứng từ cơ bản. Điều này có thể áp dụng cho cả cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc cuộn sơ cấp sản phẩm để công nhận khả năng tương tác từ tính.

Các cuộn sơ cấp được kiểm tra để xác nhận rằng chúng cung cấp các giá trị cảm ứng từ cơ bản được nêu trong D.2.3.2. Đối với việc tái tạo các cuộn sơ cấp tham chiếu, các giá trị cụ thể trong Bảng D.2 đến Bảng D.4 áp dụng để chứng minh khả năng tương tác từ tính. Đối với các cuộn sơ cấp sản phẩm, các giá trị cụ thể trong Bảng D.2 đến Bảng D.4 được khuyến nghị để chứng minh khả năng tương tác từ tính.

Các thử nghiệm sự tuân thủ cảm ứng từ cơ bản phải được thực hiện bằng thiết bị đo đồng trục theo D.3.4, nếu là cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc cuộn sơ cấp sản phẩm.

Các thử nghiệm sự tuân thủ cảm ứng từ cơ bản phải được thực hiện bằng thiết bị đo ngang theo D.3.4.3, nếu cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc cuộn sơ cấp sản phẩm cần chứng minh khả năng tương tác từ tính với các cuộn thứ cấp tham chiếu hoặc sản phẩm đặt ngang.

Các cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc cuộn sơ cấp sản phẩm phải được kiểm tra với tất cả các cài đặt (điểm căn chỉnh và phạm vi Z) và tất cả các kết hợp cuộn, như được đề cập trong Bảng D.2 đến Bảng D.4 để tìm kiếm khả năng tương tác từ.

Các phép đo có thể được thực hiện bằng các phép đo điện áp thấp. Tuy nhiên, các vòng dây cuộn sơ cấp cho l ₁ × w ₁ nên vượt quá 10 A RMS để có kết quả chính xác hơn.

D.3.2.2 Quy trình đo

1) Đặt thiết bị đo ở vị trí kiểm tra cụ thể.

2) Xem xét số vòng của cuộn sơ cấp (DUT), đặt dòng cuộn sơ cấp tại các đầu cuộn để đạt được giá trị ampe vòng l ₁ X w ₁ phù hợp. Đảm bảo rằng dòng điện có dạng hình sin ở tần số 85 kHz.

3) Đo và ghi lại điện áp hở mạch của các cuộn của thiết bị đo (giá trị RMS) và dòng điện cuộn áp dụng (giá trị RMS).

4) Tính toán cảm ứng từ cơ bản theo các công thức được nêu trong D.3.4.2 và D.3.4.3.

D.3.3 Thử nghiệm khả năng tương tác điện

D.3.3.1 Yêu cầu chung

Kiểm tra sự tuân thủ khả năng tương tác điện yêu cầu phải hiểu được hành vi từ tính của cuộn cần kiểm tra. Do đó, kiểm tra sự tuân thủ khả năng tương tác từ phải được thực hiện trước khi kiểm tra khả năng tương tác điện, tức là các kết quả thu được trong các thử nghiệm sự tuân thủ từ tính, cụ thể là cảm ứng từ cơ bản M ₀ , cần phải được biết và được xem xét khi đánh giá kết quả của các thử nghiệm sự tuân thủ khả năng tương tác điện.

Tuyên bố về khả năng tương tác điện của cuộn sơ cấp dựa trên các thử nghiệm khả năng tương tác điện theo Phụ lục D.

- áp dụng cho cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc cuộn sơ cấp sản phẩm và

- phải được thực hiện với các cuộn thứ cấp tham chiếu, đại diện cho cấp công suất và khoảng cách Z mà khả năng tương tác của cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc sản phẩm dự kiến sẽ được công nhận.

Nếu một cuộn sơ cấp dự định hoạt động trong một dải tần số nhất định hoặc tại các điểm tần số khác nhau, các thử nghiệm phải được thực hiện với tần số hoạt động thấp nhất dự kiến.

Các tiêu chí thành công sau đây phải được đáp ứng/xác nhận trong quá trình kiểm tra sự tuân thủ khả năng tương tác điện:

- Mức công suất mong muốn có thể chuyển giao với các thông số kiểm tra điện cuộn sơ cấp và tại các vị trí cuộn được chỉ ra trong Bảng D.6;

- Không có sự suy giảm cơ khí, điện hoặc nhiệt đối với thiết bị đang thử nghiệm trong khi áp dụng các thông số kiểm tra điện và tại các vị trí cuộn được chỉ ra trong Bảng D.6. Định nghĩa các tiêu chí đánh giá cơ khí, điện và nhiệt phù hợp là trách nhiệm của nhà chế tạo cuộn. Nhà chế tạo cũng phải định nghĩa thời gian kiểm tra ở tốc độ truyền công suất tối đa và liệu có cần thực hiện chu kỳ tải trong quá trình kiểm tra hay không. Nếu có, các hồ sơ chu kỳ tải phải được cung cấp bởi nhà chế tạo cuộn.

Các thử nghiệm sự tuân thủ khả năng tương tác điện như được mô tả trong Phụ lục D chỉ nhằm mục đích xác nhận khả năng tương tác điện của các cuộn sơ cấp. Các thử nghiệm này không nhằm mục đích xác nhận các yêu cầu khác, chẳng hạn như hiệu suất hệ thống, EMF, EMC. Các yêu cầu như vậy cần kiểm tra ở cấp độ hệ thống (kiểm tra sự tuân thủ sản phẩm).

D.3.3.2 Quy trình đo đối với thử nghiệm khả năng tương tác điện của cuộn sơ cấp tham chiếu và sản phẩm

Bố trí thử nghiệm đối với các thử nghiệm sự tuân thủ khả năng tương tác điện của cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc sản phẩm được thể hiện trong Hình D.6.

Hình D.6 - Bố trí thử nghiệm cho các thử nghiệm sự tuân thủ khả năng tương tác điện của cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc sản phẩm

Tải bên thứ cấp, cũng như các mạng bù cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp, không cần phải đại diện cho sản phẩm. Thông thường, thiết bị này được cung cấp bởi phòng thử nghiệm. Khuyến cáo áp dụng bù nối đơn giản ở phía cuộn thứ cấp.

Cuộn thứ cấp tải biến thiên phải được thiết lập sao cho cuộn thứ cấp nhìn thấy trở kháng điện trở sau:

Để đảm bảo rằng công suất danh định được truyền tải trong khi điện áp, theo Bảng D.6, được cảm ứng vào cuộn thứ cấp, các điều kiện sau đây áp dụng cho dòng điện l ₂ và cho Z ₂ sau đó:

Khi áp dụng công thức (D.33) để cài đặt dòng điện l ₂ (và z ₂ sau đó) và đảm bảo rằng cuộn thứ cấp được bù hoàn toàn bởi tụ điện nối tiếp, điện áp cảm ứng của cuộn thứ cấp U _{i 2} có thể được đo tại điểm được quy định trong Hình D.6.

D.3.3.2.1 Quy trình thử nghiệm khả năng tương tác điện của cuộn sơ cấp

1) Đặt cuộn thứ cấp tham chiếu lên cuộn sơ cấp (DUT) ở vị trí hình học, đại diện cho giá trị thấp nhất của sự ghép nối từ tính cần được kiểm tra khả năng tương tác, tức là giá trị thấp nhất dự kiến của M ₀ .

2) Điều chỉnh tải biến thiên theo công thức (D.32) và công thức (D.33). Cài đặt trước của tải biến thiên nhằm đạt được mức công suất P _sec (DC) trong khi điện áp cảm ứng của cuộn thứ cấp U _i2 ổn định tại giá trị tương ứng trong Bảng D.6.

3) Điều chỉnh giá trị của tụ điện bù cuộn thứ cấp nối tiếp để phù hợp với việc bù hoàn toàn cảm kháng của cuộn thứ cấp L ₂ .

4) Đặt mạng khớp và bù trở kháng của cuộn sơ cấp sao cho trở kháng của cuộn sơ cấp có thể được bộ biến tần điều chỉnh.

5) Đặt tần số của bộ biến tần đến tần số hoạt động mong muốn của thiết bị thử nghiệm và bắt đầu tăng dòng điện I ₁ qua cuộn sơ cấp (DUT). Trong khi tăng l ₁ , quan sát pha giữa l ₁ và l ₂ và, nếu cần, điều chỉnh lại pha đến 90° ± 3° bằng cách thay đổi tần số hoạt động của bộ biến tần. Nếu tần số hoạt động của bộ biến tần khác với tần số hoạt động mong muốn ±3 %, dừng kiểm tra, điều chỉnh lại giá trị của tụ điện nối tiếp tương ứng và tiếp tục kiểm tra.

6) Trong khi tăng dòng điện l ₁ , tiếp tục quan sát rằng dòng điện l ₂ và công suất P _sec đáp ứng yêu cầu theo công thức (D.33). Nếu cần, điều chỉnh lại tải biến thiên. Đảm bảo rằng dòng điện l ₁ không vượt quá giá trị tối đa cho phép (giới hạn thiết kế).

7) Khi đạt được mức công suất mong muốn P _sec , dừng việc tăng dòng điện l ₁ .

8) Kiểm tra lại rằng pha giữa l ₁ và I ₂ nằm trong khoảng 90° ± 3°, tỷ lệ giữa dòng điện l ₂ và công suất P _sec đáp ứng yêu cầu theo công thức (D.33) và tần số nằm trong phạm vi cho phép. Nếu cần, điều chỉnh tất cả các cài đặt cho đến khi đạt được giá trị mong muốn.

9) Trong điều kiện thử nghiệm này, xác nhận rằng dòng điện của cuộn sơ cấp không vượt quá dòng điện tối đa cho phép (giới hạn thiết kế). Nếu đúng, cuộn sơ cấp đã vượt qua thử nghiệm khả năng tương tác điện.

D.3.4 Thiết bị đo cho các thử nghiệm cảm kháng cơ bản

D.3.4.1 Quy định chung

Các thiết bị đo được mô tả trong D.3.4.2 và D.3.4.3 được sử dụng cho các thử nghiệm khả năng tương tác từ của các cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc cuộn sơ cấp sản phẩm.

D.3.4.2 Thiết bị đo cuộn thứ cấp đồng trục

D.3.4.2 mô tả các kích thước của thiết bị đo cuộn thứ cấp đồng trục được sử dụng để kiểm tra khả năng tương tác từ của các cuộn sơ cấp tham chiếu hoặc cuộn sơ cấp sản phẩm. Việc hiệu chỉnh thiết bị đo được thực hiện bởi nhà chế tạo thiết bị đo.

Thiết bị đo chứa ba cuộn dây, mỗi cuộn gồm 2 vòng. Việc đo điện áp mạch hở phải được thực hiện trên tất cả ba cuộn dây bằng cách sử dụng một thiết bị đo điện áp, thiết bị này phải có điện trở vào 10 kΩ hoặc cao hơn.

Đối với cả ba cuộn dây, các giá trị cảm kháng cơ bản được cho trong Bảng D.1, Bảng D.2 và Bảng D.3.

Các giá trị này được xác định bằng cách đo điện áp của ba cuộn dây và tính toán cảm kháng cơ bản theo công thức:

trong đó:

Chỉ số i chỉ ra các giá trị cho cuộn dây bên trong, cuộn dây giữa và cuộn dây bên ngoài.

Cảm kháng cơ bản M _oi có thể được sử dụng để xác định cảm kháng cơ bản trung bình. Ví dụ giá trị trung bình với trọng số bằng nhau của các giá trị được đưa ra trong công thức (D.35):

Các trọng số khác có thể phù hợp để so sánh với các kích thước khác nhau của cuộn thứ cấp sản phẩm.

Nếu phù hợp, hệ số hiệu chỉnh C _TD đại diện cho mối quan hệ giữa cảm kháng cơ bản của thiết bị đo và cảm kháng đo được với cuộn thứ cấp tham chiếu.

Kích thước và cấu trúc của thiết bị đo cuộn thứ cấp đồng trục được trình bày trong Hình D.7.

CHÚ DẪN

1 Cuộn đồng ngoài

2 Cuộn đồng giữa

3 Cuộn đồng trong

4 PCB đồng

5 PCB GFK

6 Ferrite

7 Nhôm

Hình D.7 - Thiết bị đo cuộn dây đồng trục "CC325"

D.3.4.3 Thiết bị đo cuộn dây thứ cấp kiểu ngang

D.3.4.3 mô tả kích thước của thiết bị đo cuộn dây thứ cấp kiểu ngang, được sử dụng để xác nhận khả năng tương tác từ của các cuộn dây sơ cấp tham chiếu hoặc sản phẩm. Việc hiệu chỉnh thiết bị đo được thực hiện bởi nhà chế tạo thiết bị đo.

Thiết bị đo có một cuộn dây hình số 8, bao gồm một cuộn dây với hướng cuộn ngược nhau, mỗi cuộn dây có 2 vòng. Việc đo điện áp hở mạch phải được thực hiện bằng cách sử dụng một thiết bị đo điện áp, cung cấp điện trở vào 10 kΩ hoặc cao hơn.

Độ cảm ứng từ cơ bản phải được tính toán theo công thức sau:

trong đó:

CHÚ DẪN

1 Cuộn đồng ngoài

2 Cuộn đồng giữa

3 Cuộn đồng trong

4 PCB đồng

5 PCB GFK

6 Ferrite

7 Nhôm

Hình D.8 - Thiết bị đo cuộn dây kiểu ngang "DD275"

 

Phụ lục E

(tham khảo)

Xác định điểm căn chỉnh trung tâm

E.1 Quy định chung

Phụ lục E cung cấp một phương pháp để xác định điểm căn chỉnh trung tâm cho một thiết bị sơ cấp cụ thể và một thiết bị thứ cấp cụ thể.

Điểm căn chỉnh trung tâm là đặc trưng cho hai thiết bị và không phải là một vị trí vật lý cố định trên thiết bị.

Việc xác định điểm căn chỉnh trung tâm của một thiết bị so với các thiết bị tham chiếu danh định có thể rất hữu ích, vì điều này xác định một vị trí so với một tham chiếu, điều này có thể hữu ích khi cố gắng xác định điểm căn chỉnh trung tâm giữa hai thiết bị khi không có thiết bị nào là thiết bj tham chiếu nếu cả hai đều có điểm căn chỉnh trung tâm đã biết so với thiết bị tham chiếu.

Cần lưu ý để đảm bảo rằng các trường trong bất kỳ thử nghiệm phòng thí nghiệm nào không vượt quá mức cho phép về mặt an toàn (xem 11.8).

E.2 Quy trình phòng thí nghiệm để xác định điểm căn chỉnh trung tâm xấp xỉ của một thiết bị sơ cấp của SPC với một thiết bị thứ cấp của EVPC tham chiếu

Trên một bàn thử nghiệm, thiết lập SPC với EVPC tham chiếu (hình tròn) của cấp Z tối đa mà SPC có thể làm việc cùng. Đặt chiều cao z ở mức tối đa cho lớp đó.

Tăng công suất lên không quá 25 % và di chuyển các vị trí tương đối với nhau để tìm điểm ghép nối tối đa. Chiếu điểm mà là trung tâm hình học của thiết bị thứ cấp của EVPC tham chiếu lên bề mặt của thiết bị sơ cấp của SPC. Điểm đó là điểm căn chỉnh trung tâm xấp xỉ cho cặp này.

Đánh dấu điểm căn chỉnh trung tâm vừa xác định, cũng như trung tâm hình học của thiết bị sơ cấp (trong trường hợp của hai cuộn dây hình tròn, điểm căn chỉnh trung tâm sẽ rất gần với trung tâm hình học).

E.3 Quy trình phòng thí nghiệm để xác định điểm căn chỉnh trung tâm xấp xỉ của một EVPC với thiết bị sơ cấp của SPC tham chiếu

Đây là quy Trình tương tự như trong Điều E.2, ngoại trừ việc một thiết bị sơ cấp của SPC tham chiếu sẽ được sử dụng với một thiết bị thứ cấp của EVPC mà điểm căn chỉnh trung tâm sẽ được xác định.

E.4 Xác định điểm căn chỉnh trung tâm cho một cặp cuộn dây thông qua mô phỏng

Nếu các đặc tính từ của cả thiết bị sơ cấp và thiết bị thứ cấp đều được biết, điểm căn chỉnh trung tâm, là trung tâm của vùng dung sai căn chỉnh được quy định cho cặp, có thể được xác định thông qua mô phỏng bằng phần mềm phù hợp. Nếu mô hình đủ chính xác, nó sẽ mang lại kết quả chính xác hơn so với quy trình phòng thí nghiệm trong Điều E.2.

 

Thư mục tài liệu tham khảo

[1] TCVN 7995 (IEC 60038), Điện áp tiêu chuẩn

[2] IEC 61786-1, Measurement of DC magnetic, AC magnetic and AC electric fields from 1 Hz to 100 kHz with regard to exposure of human beings - Part 1: Requirements for measuring instruments ISO 4130, Road vehicles - Three-dimensional reference system and fiducial marks- Definitions

[3] ISO 14117, Active implantable medical devices - Electromagnetic compatibility - EMC test protocols for implantable cardiac pacemakers, implanted cardioverter defibrillators and cardiac resynchronization devices

[4] ISO 15118-1:2019, Road vehicles - Vehicle to grid communication interface - Part 1: General information and use-case definition

[5] Recommendation ITU-R SM.2110-1, Guidance on frequency ranges for operation of non-beam wireless power transmission for electric vehicles