Cảm ơn quý khách đã gửi báo lỗi.
Thông tư 18/2010/TT-BTTTT Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về viễn thông
- Thuộc tính
- Nội dung
- VB gốc
- Tiếng Anh
- Hiệu lực
- VB liên quan
- Lược đồ
- Nội dung MIX
- Tổng hợp lại tất cả các quy định pháp luật còn hiệu lực áp dụng từ văn bản gốc và các văn bản sửa đổi, bổ sung, đính chính…
- Khách hàng chỉ cần xem Nội dung MIX, có thể nắm bắt toàn bộ quy định pháp luật hiện hành còn áp dụng, cho dù văn bản gốc đã qua nhiều lần chỉnh sửa, bổ sung.
- Tải về
Đây là tiện ích dành cho thành viên đăng ký phần mềm.
Quý khách vui lòng Đăng nhập tài khoản LuatVietnam và đăng ký sử dụng Phần mềm tra cứu văn bản.
thuộc tính Thông tư 18/2010/TT-BTTTT
Cơ quan ban hành: | Bộ Thông tin và Truyền thông | Số công báo: | Đã biết Vui lòng đăng nhập tài khoản gói Tiêu chuẩn hoặc Nâng cao để xem Số công báo. Nếu chưa có tài khoản Quý khách đăng ký tại đây! |
Số hiệu: | 18/2010/TT-BTTTT | Ngày đăng công báo: | Đã biết Vui lòng đăng nhập tài khoản gói Tiêu chuẩn hoặc Nâng cao để xem Ngày đăng công báo. Nếu chưa có tài khoản Quý khách đăng ký tại đây! |
Loại văn bản: | Thông tư | Người ký: | Nguyễn Thành Hưng |
Ngày ban hành: | 30/07/2010 | Ngày hết hiệu lực: | Đang cập nhật |
Áp dụng: | Tình trạng hiệu lực: | Đã biết Vui lòng đăng nhập tài khoản gói Tiêu chuẩn hoặc Nâng cao để xem Tình trạng hiệu lực. Nếu chưa có tài khoản Quý khách đăng ký tại đây! | |
Lĩnh vực: | Khoa học-Công nghệ, Thông tin-Truyền thông |
TÓM TẮT VĂN BẢN
Nội dung tóm tắt đang được cập nhật, Quý khách vui lòng quay lại sau!
tải Thông tư 18/2010/TT-BTTTT
Nếu chưa có tài khoản, vui lòng Đăng ký tại đây!
Nếu chưa có tài khoản, vui lòng Đăng ký tại đây!
Nếu chưa có tài khoản, vui lòng Đăng ký tại đây!
BỘ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG ----------------------- Số: 18/2010/TT-BTTTT |
CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc ------------------------- Hà Nội, ngày 30 tháng 07 năm 2010 |
THÔNG TƯ
BAN HÀNH QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA VỀ VIỄN THÔNG
--------------------------------
BỘ TRƯỞNG BỘ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
Căn cứ Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật ngày 29 tháng 6 năm 2006;
Căn cứ Luật Viễn thông ngày 23 tháng 11 năm 2009;
Căn cứ Luật Tần số Vô tuyến điện ngày 23 tháng 11 năm 2009;
Căn cứ Nghị định số 187/2007/NĐ-CP ngày 25 tháng 12 năm 2007 của Chính phủ quy định chức năng, nhiệm vụ, quyền hạn và cơ cấu tổ chức của Bộ Thông tin và Truyền thông;
Căn cứ Nghị định số 127/2007/NĐ-CP ngày 01 tháng 8 năm 2007 của Chính phủ quy định chi tiết và hướng dẫn thi hành một số điều của Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật;
Theo đề nghị của Vụ trưởng Vụ Khoa học và Công nghệ,
QUY ĐỊNH:
Ký hiệu: QCVN 2:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 3:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 4:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 5:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 6:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 7:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 8:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 9:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 10:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 11:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 12:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 13:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 14:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 15:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 16:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 17:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 18:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 19:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 20:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 21:2010/BTTTT
Ký hiệu: QCVN 22:2010/BTTTT
Nơi nhận: - Như Điều 3; - Văn phòng Chính phủ; - Các Bộ, cơ quan ngang Bộ, cơ quan thuộc Chính phủ; - Bộ TTTT: BT và các TT; - UBND và Sở TT&TT các tỉnh, thành phố trực thuộc TƯ; - Cục Kiểm tra văn bản (Bộ Tư pháp); - Công báo; - Website Chính phủ; - Website Bộ TT&TT; - Lưu: VT, KHCN. |
KT. BỘ TRƯỞNG THỨ TRƯỞNG (Đã ký)
Nguyễn Thành Hưng |
CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
QCVN 12:2010/BTTTT
QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA VỀ MÁY DI ĐỘNG GSM (PHA 2 và 2+)
National technical regulation on GSM mobile stations (Phase 2 and 2+)
HÀ NỘI - 2010 |
Mục lục
1. QUY ĐỊNH CHUNG.. 5
2.2.1. Máy phát - Sai số pha và sai số tần số. 7
2.2.2. Máy phát - Sai số tần số trong điều kiện xuyên nhiễu và pha đinh đa đường.... 10
2.2.3. Máy phát - sai số pha và sai số tần số trong cấu hình đa khe HSCSD.. 12
2.2.4. Máy phát - Sai số pha và sai số tần số trong cấu hình đa khe GPRS. 15
2.2.5. Công suất ra máy phát và định thời cụm.. 18
2.2.6. Phổ RF đầu ra máy phát 26
2.2.7. Công suất ra máy phát và định thời cụm trong cấu hình đa khe HSCSD.. 32
2.2.8. Phổ RF đầu ra máy phát trong cấu hình đa khe HSCSD.. 38
2.2.9. Công suất ra máy phát trong cấu hình đa khe GPRS. 43
2.2.10. Phổ RF đầu ra trong cấu hình đa khe GPRS. 48
2.2.11. Phát xạ giả dẫn khi MS được cấp phát kênh. 52
2.2.12. Phát xạ giả dẫn khi MS trong chế độ rỗi 54
2.2.13. Phát xạ giả bức xạ khi MS được cấp phát kênh. 56
2.2.14. Phát xạ giả bức xạ khi MS trong chế độ rỗi 58
2.2.15. Nghẽn máy thu và đáp tuyến tạp trên các kênh thoại 60
4. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN. 63
PHỤ LỤC A (Quy định) Các phương pháp đo kiểm chuẩn. 64
QCVN 12:2010/BTTTT được xây dựng trên cơ sở soát xét, chuyển đổi Tiêu chuẩn Ngành TCN 68-221:2004 “Máy di động GSM (Pha 2 và 2+) - Yêu cầu kỹ thuật” ban hành theo Quyết định số 31/2004/QĐ-BBCVT ngày 29 tháng 07 năm 2003 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông (nay là Bộ Thông tin và Truyền thông).
Các yêu cầu kỹ thuật của QCVN 12:2010/BTTTT phù hợp với tiêu chuẩn EN 301 511 V7.0.1 (2000-12) và EN 300 607-1 V8.1.1 (2000-10) của Viện Tiêu chuẩn Viễn thông châu Âu (ETSI). QCVN 12:2010/BTTTT do Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu điện biên soạn, Vụ Khoa học và Công nghệ trình duyệt và được ban hành kèm theo Thông tư số 18/2010/TT-BTTTT ngày 30 tháng 07 năm 2010 của Bộ trưởng Bộ Thông tin và Truyền thông.
|
|
QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA
National technical regulation on GSM mobile stations (Phase 2 and 2+)
1. QUY ĐỊNH CHUNG
1.1. Phạm vi điều chỉnh
Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia này áp dụng cho các máy di động GSM hoạt động trong băng tần P-GSM 900 (GSM 900) và/hoặc DCS 1800 (GSM 1800) như trong Bảng 1.
Bảng 1 - Các băng tần máy di động GSM và DCS 1800
Loại thiết bị |
Tần số phát (TX) |
Tần số thu (RX) |
P-GSM 900 |
890 - 915 MHz |
935 - 960 MHz |
DCS 1800 |
1 710 – 1 785 MHz |
1 805 – 1 880 MHz |
Các thiết bị này có khoảng cách kênh 200 kHz, sử dụng phương thức điều chế đường bao không đổi, truyền các kênh lưu lượng theo nguyên tắc đa truy nhập phân chia theo thời gian (TDMA).
1.2. Đối tượng áp dụng
Quy chuẩn này áp dụng đối với các cơ quan, tổ chức, nhà sản xuất, nhập khẩu và khai thác máy di động GSM.
1.3. Giải thích từ ngữ
1.3.1. Điều kiện môi trường (environmental profile)
Các điều kiện môi trường mà thiết bị bắt buộc phải tuân thủ.
1.3.2. Máy di động (Mobile Station - MS)
Một thiết bị được sử dụng trong khi đang di chuyển hoặc dừng lại ở một điểm bất kỳ. Máy di động bao gồm cả máy cầm tay và máy đặt trên xe.
1.4. Các chữ viết tắt
ACCH |
Associated Control CHannel |
Kênh điều khiển liên kết |
ACK |
ACKnowledgement |
Công nhận |
ARFCN |
Absolute Radio Frequency Channel Number |
Số kênh tần số vô tuyến tuyệt đối |
BA |
BCCH Allocation |
Cấp phát BCCH |
BCCH |
Broadcast Control CHannel |
Kênh điều khiển quảng bá |
BCF |
Base station Control Function |
Chức năng điều khiển trạm gốc |
BCIE |
Bearer Capability Information Element |
Phần tử thông tin năng lực kênh mang |
BER |
Bit Error Rate |
Tỷ lệ lỗi bit |
BFI |
Bad Frame Indication |
Chỉ báo khung xấu |
BS |
Bearer Service |
Dịch vụ kênh mang |
BSG |
Basic Service Group |
Nhóm dịch vụ cơ bản |
BSC |
Base Station Controller |
Điều khiển trạm gốc |
BSS |
Base Station System |
Hệ thống trạm gốc |
BTS |
Base Transceiver Station |
Trạm thu phát gốc |
C |
Conditional |
Điều kiện |
CA |
Cell Allocation |
Cấp phát Cell |
CB |
Cell Broadcast |
Quảng bá Cell |
CBC |
Cell Broadcast Centre |
Trung tâm quảng bá Cell |
CCCH |
Common Control CHannel |
Kênh điều khiển dùng chung |
CCF |
Conditional Call Forwarding |
Chuyển tiếp cuộc gọi có điều kiện |
CCH |
Control CHannel |
Kênh điều khiển |
CCM |
Current Call Meter |
Bộ đếm cuộc gọi hiện thời |
CCP |
Capability/Configuration Parameter |
Tham số cấu hình/năng lực |
CCPE |
Control Channel Protocol Entity |
Thực thể giao thức kênh điều khiển |
CIR |
Carrier to Interference Ratio |
Tỷ số sóng mang/nhiễu |
C/R |
Command/Response field bit |
Bit trường lệnh/đáp ứng |
CSPDN |
Circuit Switched Public Data Network |
Mạng dữ liệu công cộng chuyển mạch gói |
DTE |
Data Terminal Equipment |
Thiết bị đầu cuối dữ liệu |
EIR |
Equipment Identity Register |
Đăng ký nhận dạng thiết bị |
EL |
Echo Loss |
Suy hao vọng |
EMC |
Electro Magnetic Compatibility |
Tương thích điện từ |
EQ |
Equalization test |
Đo kiểm bằng phương pháp cân bằng |
FB |
Frequency correction Burst |
Cụm sửa lỗi tần số |
FCCH |
Frequency Correction CHannel |
Kênh sửa lỗi tần số |
FEC |
Forward Error Correction |
Sửa lỗi hướng đi |
FER |
Frame Erasure Ratio |
Tỷ lệ xoá khung |
FH |
Frequency Hopping |
Nhảy tần |
FR |
Full Rate |
Toàn tốc |
GPRS |
General Packet Radio Service |
Dịch vụ vô tuyến gói chung |
GSM |
Global System for Mobile communications |
Hệ thống thông tin di động toàn cầu |
HANDO |
HANDOver |
Chuyển giao |
HR |
Half Rate |
Bán tốc |
HSN |
Hopping Sequence Number |
Số trình tự nhảy tần |
HT |
Hilly Terrain |
Địa hình nhiều đồi núi |
M |
Mandatory |
Bắt buộc |
ME |
Mobile Equipment |
Thiết bị di động |
MF |
MultiFrame |
Đa khung |
MS |
Mobile Station |
Máy di động |
MT |
Mobile Terminated |
Cuộc gọi kết cuối di động |
MTM |
Mobile-To-Mobile (call) |
Cuộc gọi di động đến di động |
O |
Optional |
Tùy chọn |
O&M |
Operations & Maintenance |
Khai thác và bảo dưỡng |
QOS |
Quality Of Service |
Chất lượng dịch vụ |
RA |
Rural Area |
Vùng nông thôn |
RAB |
Random Access Burst |
Cụm truy nhập ngẫu nhiên |
RBER |
Residual Bit Error Ratio |
Tỷ lệ lỗi bit dư |
RF |
Radio Frequency |
Tần số vô tuyến |
RFC |
Radio Frequency Channel |
Kênh tần số vô tuyến |
RMS |
Root Mean Square (value) |
Giá trị hiệu dụng |
RR |
Radio Resource |
Tài nguyên vô tuyến |
RXLEV |
Receiced Level |
Mức thu |
RXQUAL |
Received Signal Quality |
Chất lượng tín hiệu thu |
SAP |
Service Access Point |
Điểm truy nhập dịch vụ |
SAPI |
Service Access Point Indicator |
Chỉ báo điểm truy nhập dịch vụ |
SB |
Synchronization Burst |
Cụm đồng bộ |
SCH |
Synchronization CHannel |
Kênh đồng bộ |
TCH |
Traffic CHannel |
Kênh lưu lượng |
TU |
Urban area |
Vùng thành phố |
2. QUY ĐỊNH KỸ THUẬT
2.1. Môi trường hoạt động
Các yêu cầu kỹ thuật của Quy chuẩn được áp dụng trong môi trường hoạt động của thiết bị do nhà cung cấp thiết bị khai báo. Thiết bị phải tuân thủ tất cả các yêu cầu kỹ thuật trong Quy chuẩn khi hoạt động trong môi trường qui định.
2.2. Các yêu cầu tuân thủ
2.2.1. Máy phát - Sai số pha và sai số tần số
2.2.1.1. Định nghĩa và áp dụng
Sai số tần số là sự sai lệch tần số (sau khi đã điều chỉnh hiệu ứng sai số pha và sai số điều chế) giữa tần số phát RF từ MS và tần số phát RF của trạm gốc hoặc tần số ARFCN đã sử dụng.
Sai số pha là sự lệch pha (sau khi đã điều chỉnh hiệu ứng lỗi tần số) giữa tần số phát của MS và tần số phát lý thuyết phù hợp với dạng điều chế.
Các yêu cầu và các phép đo được áp dụng cho các MS loại GSM 900 và DCS 1800.
2.2.1.2. Các yêu cầu tuân thủ
a) Tần số sóng mang của MS phải có độ chính xác đến 0,1 ppm, hoặc đến
0,1 ppm so với các tín hiệu thu được từ BS.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.10, 6.1;
- Trong điều kiện rung động; GSM 05.10, 6.1;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.10, 6.1.
b) Sai số pha RMS (độ lệch giữa quĩ đạo sai số pha và đường hồi qui tuyến tính của nó trên phần hoạt động của khe thời gian) đối với mỗi cụm phải không lớn hơn 50.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện rung động; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.6.
c) Độ lệch đỉnh lớn nhất trên phần hữu ích của mỗi cụm không được lớn hơn 200.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện rung động; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.6.
2.2.1.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra sai số tần số sóng mang của MS không vượt quá 0,1 ppm:
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện rung động;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
CHÚ THÍCH: Độ chính xác tần số phát của SS phải tương xứng để đảm bảo độ chênh lệch giữa giá trị tuyệt đối 0,1 ppm và 0,1 ppm so với tín hiệu thu được từ BS phải đủ nhỏ để có thể bỏ qua.
b) Để thẩm tra sai số pha RMS trên phần hữu ích của cụm phát từ MS không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.1.2.b):
- Trong điều kiện bình thường;
- Khi MS đặt trong chế độ rung động;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
c) Để thẩm tra sai số pha lớn nhất trên phần hữu ích của các cụm phát từ MS không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.1.2.c):
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện rung động;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
2.2.1.4. Phương pháp đo kiểm
CHÚ THÍCH: Để đo được chính xác sai số pha và sai số tần số, cần sử dụng phép đo lấy mẫu quĩ đạo pha phát. Quĩ đạo này được so sánh với quĩ đạo pha lý thuyết. Đường hồi qui chênh lệch giữa quĩ đạo lý thuyết và quĩ đạo đo được biểu thị sai số tần số (giả thiết không thay đổi trên cụm), trong đó độ lệch pha so với quĩ đạo này đánh giá sai số pha. Sai số pha đỉnh là giá trị cách xa đường hồi qui nhất và sai số pha RMS là giá trị hiệu dụng sai số pha của tất cả các mẫu.
a) Các điều kiện ban đầu
Cuộc gọi được thiết lập theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường.
SS điều khiển MS hoạt động trong chế độ nhảy tần.
CHÚ THÍCH 1: Không nhất thiết phải đo kiểm MS trong chế độ nhảy tần, nhưng đây là cách đơn giản để MS thay đổi kênh, có thể thực hiện phép đo trong chế độ không nhảy tần, nhưng các cụm cần đo phải lấy từ các kênh khác nhau.
SS kích hoạt chế độ mật mã.
CHÚ THÍCH 2: Chế độ mật mã được kích hoạt trong bước đo này để tạo chuỗi bit giả ngẫu nhiên đưa đến bộ điều chế.
SS điều khiển MS đấu vòng kênh lưu lượng mà không có báo hiệu các khung bị xóa.
SS tạo tín hiệu đo kiểm chuẩn C1 (Phụ lục A, mục A.6).
b) Thủ tục đo kiểm
(1) Đối với một cụm phát, SS lưu giữ tín hiệu như một chuỗi các mẫu pha trên từng chu kỳ cụm. Các mẫu này được phân bố đều trong khoảng thời gian tồn tại các cụm với tốc độ lấy mẫu tối thiểu là 2/T, trong đó T là chu kỳ tín hiệu điều chế. Quĩ đạo pha thu được sau đó được biểu diễn bằng một chuỗi tối thiểu 294 mẫu.
(2) Từ mẫu bit và phương thức điều chế đã chỉ ra trong GSM 05.04, SS tính quĩ đạo pha mong muốn.
(3) Từ bước (1) và (2) tính được độ lệch quĩ đạo pha, do đó tính ra đường hồi qui tuyến tính thông qua sai số của quĩ đạo pha này. Độ dốc của đường hồi qui này là sai số tần số của máy phát MS so với chuẩn mô phỏng. Độ lệch giữa đường hồi qui và các điểm mẫu riêng biệt là sai số pha tại điểm đó.
(3a) Chuỗi lấy mẫu của tối thiểu 294 phép đo pha được biểu diễn bằng vector:
Æm = Æm(0)... Æm(n)
Số mẫu trong chuỗi n + 1 ³ 294.
(3b) Tại thời điểm lấy mẫu tương ứng, các chuỗi đã tính được biểu diễn bằng vector: Æc = Æc(0)...Æc(n).
(3c) Chuỗi lỗi được biểu diễn bằng vector:
Æe = {Æm(0) - Æc(0)}........{Æm(n) - Æc(n)} = Æe(0)...Æe(n).
(3d) Số các mẫu tương ứng hình thành vector t = t(0)...t(n).
(3e) Theo lý thuyết hồi qui, độ dốc của các mẫu này theo t là k, trong đó:
(3f) Sai số tần số là k/(360 * g), trong đó g là khoảng thời gian lấy mẫu tính bằng giây và các mẫu pha được tính bằng độ.
(3g) Sai số pha riêng so với đường hồi qui tính theo công thức: Æe(j) - k*t(j).
(3h) Giá trị sai số pha RMS của các lỗi pha (Æe(RMS)) tính theo công thức:
(4) Lặp lại các bước (1) đến (3) cho 20 cụm, các cụm này không nhất thiết phải cạnh nhau.
(5) SS điều khiển MS đến mức công suất lớn nhất, các điều kiện còn lại không đổi. Lặp lại bước (1) đến (4).
(6) SS điều khiển MS đến mức công suất nhỏ nhất, các điều kiện khác không đổi. Lặp lại các bước (1) đến (4).
(7) Gắn chặt MS vào bàn rung với tần số/biên độ như trong Phụ lục A, mục A.2.4. Trong khi rung, lặp lại các bước từ (1) đến (6).
CHÚ THÍCH: Nếu cuộc gọi bị kết thúc khi gắn MS trên bàn rung, phải thiết lập lại các điều kiện ban đầu trước khi lặp lại các bước từ (1) đến (6).
(8) Đặt lại MS vào bàn rung trên hai mặt phẳng trực giao với mặt phẳng đã dùng trong bước (7). Lặp lại bước (7) tại mỗi mặt phẳng trực giao.
(9) Lặp lại các bước (1) đến (6) trong điều kiện khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2).
CHÚ THÍCH: Bằng cách xử lý dữ liệu khác nhau, các chuỗi mẫu dùng để xác định quĩ đạo pha cũng có thể sử dụng để xác định các đặc tính cụm phát trong 2.2.3. Tuy diễn tả độc lập nhưng có thể phối hợp hai phép đo trong 2.2.1 và 2.2.3 để đưa ra hai kết quả từ tập hợp đơn dữ liệu lưu giữ.
2.2.1.5. Các yêu cầu đo kiểm
a) Sai số tần số
Đối với các cụm được đo, sai số tần số đo ở bước (3f) phải nhỏ hơn 0,1 ppm.
b) Sai số pha
Đối với các cụm được đo, sai số pha RMS đo ở bước (3h) phải không lớn hơn 50.
Đối với các cụm được đo, sai số pha riêng đo ở bước (3g) phải không lớn hơn 200.
2.2.2. Máy phát - Sai số tần số trong điều kiện xuyên nhiễu và pha đinh đa đường
2.2.2.1. Định nghĩa và áp dụng
Sai số tần số trong điều kiện xuyên nhiễu và pha đinh đa đường là tiêu chuẩn để đánh giá khả năng của MS duy trì đồng bộ tần số với tín hiệu thu trong điều kiện có hiệu ứng Doppler, pha đinh đa đường và xuyên nhiễu.
Các yêu cầu và các thủ tục đo kiểm áp dụng cho các loại máy đầu cuối GSM 900 và DCS 1800.
2.2.2.2. Các yêu cầu tuân thủ
a) Độ chính xác tần số sóng mang của MS đối với mỗi cụm phải nằm trong phạm vi 0,1 ppm, hoặc phải nằm trong phạm vi 0,1 ppm so với tín hiệu thu từ BS đối với các mức tín hiệu nhỏ hơn mức độ nhạy chuẩn 3 dB.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.10, 6.1;
- Trong điều khắc nghiệt; GSM 05.10, 6.1.
b) Độ chính xác tần số sóng mang của MS phải nằm trong phạm vi 0,1 ppm, hoặc nằm trong phạm vi 0,1 ppm so với các tín hiệu thu từ BS đối với sóng mang có tỷ lệ xuyên nhiễu nhỏ hơn 3 dB so với tỷ lệ xuyên nhiễu chuẩn.
2.2.2.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra sai số tần số sóng mang của MS tại độ nhạy chuẩn, trong điều kiện có pha đinh đa đường và hiệu ứng Doppler không được vượt quá 0,1 ppm cộng với sai số tần số do hiệu ứng Doppler của tín hiệu thu được và sai số đánh giá tại MS.
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
CHÚ THÍCH: Mặc dù các yêu cầu tuân thủ qui định là đồng bộ tần số phải duy trì cho các tín hiệu đầu vào nhỏ hơn 3 dB so với độ nhạy chuẩn. Nhưng do lỗi đường truyền vô tuyến nên điều kiện này không thiết lập được. Do đó các phép đo trong mục này được thực hiện tại mức độ nhạy chuẩn.
b) Để thẩm tra sai số tần số sóng mang MS (trong điều kiện có xuyên nhiễu và pha đinh TUlow) không được vượt quá 0,1 ppm cộng với sai số tần số do hiệu ứng Doppler của tín hiệu thu và lỗi đánh giá tại MS.
CHÚ THÍCH: Thực hiện phép đo bổ sung hiệu ứng Doppler khi yêu cầu tuân thủ liên quan đến các tín hiệu vào máy thu của MS mà tần số chuẩn của máy đo không tính đến hiệu ứng Doppler.
2.2.2.4. Phương pháp đo kiểm
Phép đo này sử dụng các bước đo trong 2.2.1 cho các MS hoạt động trong điều kiện RF khác nhau.
CHÚ THÍCH: Danh sách BA gửi trên BCCH và SACCH sẽ chỉ thị ít nhất 6 cell phụ cận với ít nhất một cell gần với dải biên. Không nhất thiết phải phát các BCCH này, nhưng nếu được cung cấp sẽ không phải là 5 kênh ARFCN sử dụng cho BCCH hoặc TCH.
a) Các điều kiện ban đầu
Đặt MS ở trạng thái cập nhật rỗi trong một cell phục vụ với BCCH ở dải ARFCN giữa.
b) Thủ tục đo kiểm
(1) Đặt mức BCCH của cell phục vụ lớn hơn mức độ nhạy chuẩn 10 dB và thiết lập chức năng pha đinh là RA. SS đợi 30 giây cho MS ổn định trong trạng thái này. Thiết lập SS để lưu giữ cụm đầu tiên do MS phát khi thiết lập cuộc gọi. Cuộc gọi được bắt đầu từ SS trên một kênh ở dải ARFCN giữa nhưng với TCH lớn hơn mức độ nhạy chuẩn 10 dB và chức năng pha đinh được thiết lập là RA.
(2) SS tính độ chính xác tần số của cụm đã lưu giữ như mô tả trong 2.2.1.
(3) SS thiết lập BCCH và TCH của cell phục vụ tới giá trị mức độ nhạy chuẩn áp dụng cho loại MS cần đo kiểm, chức năng pha đinh vẫn được thiết lập là RA, sau đó đợi 30 giây để MS ổn định trong điều kiện này.
(4) SS sẽ lưu giữ các cụm tiếp theo từ kênh lưu lượng theo cách thức như các bước trong 2.2.1.
CHÚ THÍCH: Vì mức tín hiệu tại đầu vào máy thu của MS rất nhỏ, do đó nhiều khả năng bị sai số. Các bit "looped back" cũng có khả năng bị lỗi, dẫn đến SS không xác định được các chuỗi bit mong muốn. SS phải giải điều chế tín hiệu thu để có được mẫu cụm bên phát không có lỗi. SS sử dụng các mẫu bit này để tính quĩ đạo pha mong muốn như trong GSM 05.04.
(5) SS tính độ chính xác tần số của cụm lưu giữ như mô tả trong 2.2.1.
(6) Lặp lại các bước (4) và (5) đối với 5 cụm kênh lưu lượng đặt cách nhau không quá 20 giây.
(7) Thiết lập lại các điều kiện ban đầu và lặp lại các bước (1) đến (6) nhưng với chức năng pha đinh là HT100.
(8) Thiết lập lại các điều kiện ban đầu và lặp lại các bước (1) đến (6) nhưng với chức năng pha đinh đặt là TU50.
(9) Thiết lập lại các điều kiện ban đầu và lặp lại các bước (1) và (2) nhưng thay đổi như sau:
- Thiết lập mức BCCH và TCH cao hơn mức độ nhạy chuẩn 18 dB.
- Hai tín hiệu nhiễu độc lập được phát trên cùng một tần số sóng mang danh định như BCCH và TCH, nhỏ hơn 10 dB so với mức tín hiệu TCH và được điều chế với dữ liệu ngẫu nhiên, kèm theo khe trung tâm.
- Chức năng pha đinh của các kênh được thiết lập là TUlow.
(10) SS đợi 100 giây cho MS ổn định ở điều kiện này.
(11) Lặp lại các bước từ (4) đến (6), riêng trong bước (6) khoảng thời gian đo phải mở rộng đến 200 giây và phải đo 20 lần.
(12) Thiết lập lại các điều kiện ban đầu và lặp lại các bước (1) đến (10) đối với ARFCN ở khoảng thấp.
(13) Thiết lập lại các điều kiện ban đầu và lặp lại các bước (1) đến (10) đối với ARFCN ở khoảng cao.
(14) Lặp lại bước (8) trong điều kiện khắc nghiệt (xem Phụ lục A, mục A.2).
2.2.2.5. Các yêu cầu đo kiểm
Sai số tần số so với tần số sóng mang SS đo được trong các lần lặp lại bước e), đối với mỗi cụm được đo, phải nhỏ hơn các giá trị trong Bảng 2.
Bảng 2 - Yêu cầu về sai số tần số trong điều kiện xuyên nhiễu,
hiệu ứng Doppler và pha đinh đa đường
GSM 900 |
DCS 1800 |
||
Điều kiện truyền |
Độ lệch tần cho phép |
Điều kiện truyền |
Độ lệch tần cho phép |
RA250 |
+/- 300 Hz |
RA130 |
+/- 400 Hz |
HT100 |
+/- 180 Hz |
HT100 |
+/- 350 Hz |
TU50 |
+/- 160 Hz |
TU50 |
+/- 260 Hz |
TU3 |
+/- 230 Hz |
TU1,5 |
+/- 320 Hz |
2.2.3. Máy phát - sai số pha và sai số tần số trong cấu hình đa khe HSCSD
2.2.3.1. Định nghĩa và áp dụng
Sai số tần số là sự sai lệch về tần số (sau khi đã điều chỉnh hiệu ứng sai số pha và sai số điều chế) giữa tần số phát RF từ MS và tần số phát RF của trạm gốc hoặc tần số danh định ARFCN đã sử dụng.
Sai số pha là sự lệch pha (sau khi đã điều chỉnh hiệu ứng sai số tần số) giữa tần số phát RF từ MS và tần số phát lý thuyết phù hợp với dạng điều chế.
Các yêu cầu và phép đo này áp dụng cho tất cả các MS loại GSM 900, DCS 1800 và MS đa băng hỗ trợ đa khe HSCSD.
2.2.3.2. Các yêu cầu tuân thủ
a) Tần số sóng mang của MS phải có độ chính xác đến 0,1 ppm, hoặc đến
0,1 ppm so với các tín hiệu thu từ BS.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.10, 6.1;
- Trong điều kiện rung động; GSM 05.10, 6.1;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.10, 6.1.
b) Sai số pha RMS (độ lệch giữa quĩ đạo lỗi pha và đường hồi qui tuyến tính của nó trên phần hoạt động của khe thời gian) cho mỗi cụm phải không lớn hơn 50.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện rung động; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.6.
c) Độ lệch đỉnh lớn nhất trong phần hữu ích cho mỗi cụm phải không lớn hơn 200.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện rung động; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.6.
2.2.3.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra trong cấu hình đa khe, sai số tần số sóng mang MS không vượt quá 0,1 ppm:
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện rung động;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
CHÚ THÍCH: Độ chính xác tần số phát của SS phải tương xứng để đảm bảo độ chênh lệch giữa giá trị tuyệt đối 0,1 ppm và 0,1 ppm so với các tín hiệu thu được từ BS là đủ nhỏ để có thể bỏ qua.
b) Để thẩm tra sai số pha RMS trên phần hữu ích của cụm phát từ MS trong cấu hình đa khe không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.3.2.b).
- Trong điều kiện bình thường;
- Khi MS đang bị rung động;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
c) Để thẩm tra sai số pha lớn nhất trên phần hữu ích của các cụm phát từ MS trong cấu hình đa khe không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.3.2.c).
- Trong điều kiện bình thường;
- Khi MS đang bị rung động;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
2.2.3.4. Phương pháp đo kiểm
CHÚ THÍCH: Để đo được chính xác sai số pha và sai số tần số, cần sử dụng phép đo lấy mẫu quĩ đạo pha phát. Quĩ đạo này được so sánh với quĩ đạo pha lý thuyết. Đường hồi qui lệch giữa quĩ đạo lý thuyết và quĩ đạo đo được biểu thị sai số tần số (giả thiết không có thay đổi gì trên cụm), trong đó độ lệch pha so với quĩ đạo này đánh giá sai số pha. Sai số pha đinh là giá trị cách xa đường hồi qui nhất, sai số pha RMS là giá trị hiệu dụng sai số pha của tất cả các mẫu.
a) Các điều kiện ban đầu
Cuộc gọi được thiết lập theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường cho HSCSD đa khe.
SS điều khiển MS hoạt động trong chế độ nhảy tần.
CHÚ THÍCH: Không nhất thiết phải đo kiểm trong chế độ nhảy tần, nhưng đây là cách đơn giản để MS thay đổi kênh, phép đo có thể thực hiện được trong chế độ không nhảy tần nhưng các cụm phải lấy từ các kênh khác nhau.
SS kích hoạt chế độ mật mã.
CHÚ THÍCH: Chế độ mật mã được kích hoạt trong bước đo này là để cấp chuỗi bit giả ngẫu nhiên đến bộ điều chế.
SS điều khiển MS hoạt động trong cấu hình đa khe với số khe thời gian phát lớn nhất.
SS điều khiển MS đấu vòng kênh lưu lượng đa khe kèm theo báo hiệu của các khung
bị xóa.
SS tạo ra tín hiệu đo kiểm chuẩn C1 (Phụ lục A, mục A.6).
a) Thủ tục đo kiểm
(1) Đối với một cụm phát trên kênh phụ đa khe cuối cùng, SS lưu giữ tín hiệu như một dãy mẫu pha trên một chu kỳ cụm. Các mẫu này được phân bổ đều trên khoảng định thời cụm với tỷ lệ lấy mẫu tối thiểu 2/T, trong đó T là chu kỳ của ký hiệu điều chế. Quĩ đạo pha thu được sau đó được biểu diễn bằng chuỗi ít nhất 294 mẫu.
(2) Từ mẫu bit và phương thức điều chế như trong GSM 05.04, SS tính quĩ đạo pha mong muốn.
(3) Từ (1) và (2) tính được độ lệch quĩ đạo pha, do đó tính được đường hồi qui tuyến tính thông qua sai số quĩ đạo pha này. Độ dốc của đường hồi qui này là sai số tần số của máy phát MS so với chuẩn mô phỏng. Độ lệch giữa đường hồi qui và điểm lấy mẫu riêng biệt là sai số pha tại điểm đó.
(3a) Chuỗi lấy mẫu của ít nhất 294 phép đo pha được biểu diễn bằng vector:
Æm = Æm(0)...Æm(n)
Số lượng mẫu trong chuỗi n + 1 > = 294.
(3b) Tại các thời điểm lấy mẫu tương ứng, các chuỗi đã tính được biểu diễn bằng vector:
Æc = Æc(0)... Æc(n)
(3c) Chuỗi lỗi được biểu diễn bằng vector:
Æe = {Æm(0) - Æc(0)}.........{Æm(n) - Æc(n)} = Æe(0)... Æe(n)
(3d) Số các mẫu tương ứng tạo thành vector: t = t(0)...t(n)
(3e) Theo lý thuyết hồi qui, độ dốc của các mẫu này theo t là k. Trong đó:
(3f) Sai số tần số là k/(360 * g), trong đó g là khoảng thời gian lấy mẫu tính bằng giây và tất cả các mẫu pha tính bằng độ.
(3g) Sai số pha riêng so với đường hồi qui được tính bằng: Æe(j) - k*t(j)
(3h) Giá trị sai số pha RMS (Æe(RMS)) được tính theo công thức:
(4) Lặp lại bước (1) đến (3) cho 20 cụm, các cụm này không nhất thiết phải cạnh nhau.
(5) SS điều khiển MS đến mức công suất lớn nhất trên mỗi kênh phụ đa khe, tất cả các điều kiện khác không thay đổi. Lặp lại các bước từ (1) đến (4).
(6) SS điều khiển MS đến mức công suất nhỏ nhất trên mỗi kênh phụ đa khe, tất cả các điều kiện khác không đổi. Lặp lại các bước từ (1) đến (4).
(7) Gắn chặt MS vào bàn rung với tần số/biên độ như đã cho trong Phụ lục A, mục A.2.4. Trong khi rung, lặp lại các bước từ (1) đến (6).
CHÚ THÍCH: Nếu cuộc gọi kết thúc khi gắn MS trên bàn rung, phải thiết lập lại các điều kiện ban đầu trước khi lặp lại các bước từ (1) đến (6).
(8) Đặt lại MS trên bàn rung, trên hai mặt phẳng trực giao với mặt phẳng đã dùng trong bước (7). Lặp lại bước (7) tại mỗi mặt phẳng trực giao.
(9) Lặp lại các bước từ (1) đến (6) trong điều kiện khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2).
CHÚ THÍCH: Bằng cách xử lý dữ liệu khác nhau, các chuỗi mẫu dùng để xác định quĩ đạo pha cũng có thể được sử dụng để xác định các đặc tính cụm phát trong mục “công suất đầu ra máy phát và định thời cụm trong cấu hình đa khe”. Tuy diễn tả độc lập nhưng có thể phối hợp hai phép đo này để đưa ra hai kết quả từ một tập hợp đơn dữ liệu đã lưu giữ.
2.2.3.5. Các yêu cầu đo kiểm
a) Sai số tần số
Đối với tất cả các cụm được đo, sai số tần số đo được trong bước (3f) phải nhỏ hơn 10E-7.
b) Sai số pha
Đối với tất cả các cụm được đo, sai số pha RMS đo được trong bước (3h) phải không lớn hơn 50.
Đối với tất cả các cụm được đo, sai số pha riêng đo được trong bước (3g) phải không vượt quá 200.
2.2.4. Máy phát - Sai số pha và sai số tần số trong cấu hình đa khe GPRS
2.2.4.1. Định nghĩa và áp dụng
Sai số tần số là độ lệch tần số (sau khi đã điều chỉnh hiệu ứng sai số pha và sai số điều chế) giữa tần số phát RF từ MS và tần số phát RF của trạm gốc hoặc tần số ARFCN đã sử dụng.
Sai số pha là sự lệch pha (sau khi đã điều chỉnh hiệu ứng sai số tần số) giữa tần số phát RF của MS và tần số phát lý thuyết phù hợp với dạng điều chế.
Các yêu cầu và phép đo này áp dụng cho các loại MS GSM 900 và DCS 1800 có khả năng hoạt động trong cấu hình đa khe GPRS.
2.2.4.2. Yêu cầu tuân thủ
a) Độ chính xác tần số sóng mang của MS phải trong phạm vi 0,1 ppm so với tín hiệu thu được từ BS.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.10, 6.1;
- Trong điều kiện rung; GSM 05.10, 6.1;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.10, 6.1.
b) Sai số pha RMS (độ lệch giữa quĩ đạo sai số pha và đường hồi qui tuyến tính của nó trên phần khe thời gian tích cực) đối với mỗi cụm phải không lớn hơn 50.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện rung; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.6.
c) Độ lệch đỉnh lớn nhất trong phần hữu ích của từng cụm phải không lớn hơn 200.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện rung; GSM 05.05, 4.6;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.6.
2.2.4.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra trong cấu hình đa khe, sai số tần số sóng mang của MS không vượt quá 0,1 ppm:
- Trong điều kiện bình thường;
- Khi MS đang trong điều kiện rung;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
b) Để thẩm tra sai số pha RMS trên phần hữu ích của cụm phát từ MS trong cấu hình đa khe không được vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.4.2.b):
- Trong điều kiện bình thường;
- Khi MS đang trong điều kiện rung;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
c) Để thẩm tra sai số pha lớn nhất trên phần hữu ích của cụm phát từ MS trong cấu hình đa khe không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.4.2.c):
- Trong điều kiện bình thường;
- Khi MS đang trong điều kiện rung;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
2.2.4.4. Phương thức đo kiểm
CHÚ THÍCH: Để đánh giá chính xác sai số pha và sai số tần số, cần sử dụng phép đo lấy mẫu quĩ đạo pha phát. Quĩ đạo này được so sánh với quĩ đạo pha theo lý thuyết. Đường hồi qui độ lệch giữa quĩ đạo pha đo được và quĩ đạo lý thuyết biểu thị sai số tần số (với giả thiết không thay đổi gì trên cụm), trong đó độ lệch pha so với quĩ đạo đo biểu thị sai số pha. Sai số pha đinh là giá trị xa đường hồi qui nhất và sai số pha RMS là trung bình cộng căn quân phương sai số pha của tất cả các mẫu.
a) Các điều kiện ban đầu
Cuộc gọi được thiết lập theo thủ tục cuộc gọi thông thường cho GPRS đa khe. SS điều khiển MS đến chế độ nhảy tần.
CHÚ THÍCH: Phép đo này không nhất thiết phải thực hiện trong chế độ nhảy tần nhưng đây là cách đơn giản để MS thay đổi kênh, phép đo này có thực hiện được trong chế độ không nhảy tần nhưng với các cụm được lấy ra từ các kênh khác nhau.
SS kích hoạt chế độ mật mã.
CHÚ THÍCH: Chế độ mật mã được kích hoạt trong phép đo này để tạo ra chuỗi bit giả ngẫu nhiên cho bộ điều chế.
SS điều khiển MS hoạt động trong cấu hình đa khe có số khe thời gian phát lớn nhất.
SS điều khiển MS đấu vòng PDTCH đa khe, kiểu G (xem GSM 04.14, mục 5.2.1)
SS tạo tín hiệu đo kiểm chuẩn C1 (Phụ lục A, mục A.6).
b) Thủ tục đo kiểm
(1) Đối với một cụm phát trên khe cuối cùng của cấu hình đa khe, SS lưu giữ tín hiệu của chuỗi mẫu pha trên chu kỳ cụm. Các mẫu này được phân bố đều trên chu kỳ cụm với tỷ lệ lấy mẫu tối thiểu là 2/T, trong đó T là chu kỳ kí tự điều chế. Quĩ đạo pha thu được sau đo được biểu diễn bằng dãy mẫu này với ít nhất 294 mẫu.
(2) SS tính quĩ đạo pha mong muốn từ các mẫu bit đã biết và dạng mẫu điều chế (GSM 05.04).
(3) Từ bước (1) và (2) tính được độ lệch quĩ đạo pha và đường hồi qui tuyến tính được tính thông qua độ lệch quĩ đạo pha này. Độ dốc của đường hồi qui này là độ lệch tần của máy phát MS so với chuẩn mô phỏng. Độ lệch giữa đường hồi qui và các điểm lấy mẫu riêng là sai số pha tại điểm đó.
(3a) Chuỗi lấy mẫu của ít nhất 294 phép đo pha được mô tả bằng vector:
Æm = Æm(0)... Æm(n)
với số mẫu trong dãy là n + 1 ³ 294.
(3b) Chuỗi tính toán tại thời điểm lấy mẫu tương ứng được biểu diễn bằng vector: Æc = Æc(0)... Æc(n).
(3c) Chuỗi lỗi được biểu diễn bằng vector:
Æe = {Æm(0) - Æc(0)}.........{Æm(n) - Æc(n)} = Æe(0)...Æe(n).
(3d) Số lượng lấy mẫu tạo thành vector t = t(0)...t(n).
(3e) Theo lý thuyết hồi qui, hệ số góc của các mẫu theo t là k và được tính theo công thức:
(3f) Sai số tần số được tính bằng k/(360 * g), trong đó g là khoảng thời gian lấy mẫu tính bằng giây và tất cả các mẫu pha tính theo độ.
(3g) Sai số pha riêng theo đường hồi qui được tính bằng: Æe(j) - k*t(j).
(3h) Giá trị Æe RMS được tính theo công thức:
(4) Lặp lại các bước từ a) đến c) đối với 20 cụm, không nhất thiết kế tiếp nhau.
(5) SS điều khiển MS đến mức điều khiển công suất lớn nhất qua việc thiết lập tham số ALPHA (a) là 0 và GAMMA_TN (GCH) của từng khe thời gian bằng mức công suất trong bản tin Packet Uplink Assignment (GSM 05.08, Phụ lục B.2), các điều kiện khác không đổi. Lặp lại các bước từ (1) đến (4).
(6) SS điều khiển MS đến mức điều khiển công suất nhỏ nhất, các điều kiện khác không đổi. Lặp lại các bước từ (1) đến (4).
(7) MS được gắn vào bàn rung với tần số/biên độ như trong Phụ lục A, mục A.2.4. Lặp lại các bước từ (1) đến (6) trong khi đang rung.
CHÚ THÍCH: Nếu cuộc gọi kết thúc khi gắn MS trên bàn rung, phải thiết lập lại các điều kiện ban đầu trước khi lặp lại các bước từ (1) đến (6).
(8) Đặt MS trên bàn rung theo hai mặt phẳng trực giao với mặt phẳng đã dùng trong bước (7). Lặp lại bước (7) cho từng mặt phẳng trực giao.
(9) Lặp lại các bước từ (1) đến (6) trong điều kiện khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2.3).
2.2.4.5. Các yêu cầu đo kiểm
a) Sai số tần số
Đối với tất cả các cụm, sai số tần số xác định trong bước (3f) phải nhỏ hơn 10E-7.
b) Sai số pha
Đối với tất cả các cụm, sai số pha RMS xác định trong bước (3h) không vượt quá 50.
Đối với tất cả các cụm đã đo, sai số pha riêng xác định trong bước (3g) không được vượt quá 200.
2.2.5. Công suất ra máy phát và định thời cụm
2.2.5.1. Định nghĩa và áp dụng
Công suất đầu ra máy phát là giá trị trung bình của công suất đưa tới ăng ten giả hoặc bức xạ từ MS và ăng ten tích hợp của nó trong khoảng thời gian các bit thông tin hữu ích của một cụm phát.
Định thời cụm phát là đường bao xác định công suất RF phát. Các định thời được chuẩn theo thời điểm chuyển từ bit 13 sang bit 14 của chuỗi huấn luyện (khe trung tâm) trước khi giải mã vi sai. Định thời điều chế được chuẩn theo định thời tín hiệu thu từ SS.
Các yêu cầu và phép đo áp dụng cho các MS loại GSM 900 và DCS 1800.
2.2.5.2. Các yêu cầu tuân thủ
a) Công suất đầu ra lớn nhất của MS phải tuân theo GSM 05.05, 4.1.1, Bảng 1, tùy vào loại công suất, với dung sai +/-2 dB trong điều kiện đo kiểm bình thường;
b) Công suất đầu ra lớn nhất của MS tuân theo GSM 05.05, 4.1.1, Bảng 1, tùy theo loại công suất, với dung sai +/-2,5 dB trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt;
c) Các mức điều khiển công suất cho công suất đầu ra danh định tuân theo GSM 05.05, mục 4.1.1, Bảng 2 đối với GSM 900 hoặc Bảng 3 đối với DCS 1800, từ mức điều khiển công suất nhỏ nhất đến lớn nhất tương ứng với từng loại MS, với dung sai +/-3, 4 hoặc 5 dB trong điều kiện đo kiểm bình thường;
d) Mức điều khiển công suất cho công suất đầu ra danh định tuân theo GSM 05.05, mục 4.1.1, Bảng 2 đối với GSM 900 hoặc Bảng 3 đối với DCS 1800, từ mức điều khiển công suất nhỏ nhất đến mức cao nhất tương ứng với từng loại MS (đối với dung sai của công suất đầu ra lớn nhất xem yêu cầu tuân thủ 2), với dung sai +/-4, 5 hoặc 6 dB trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt;
e) Công suất ra thực phát từ MS tại các mức điều khiển công suất liên tục phải hình thành một chuỗi đều với khoảng cách giữa các mức này phải là 2 +/-1,5 dB; GSM 05.05, mục 4.1.1.
f) Mức công suất phát tương ứng với thời gian của cụm thông thường phải tuân theo mẫu công suất/thời gian như trong GSM 05.05, Phụ lục B (hình đầu):
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, mục 4.5.2;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, mục 4.5.2.
g) Khi truy nhập trên kênh RACH vào một cell và trước khi nhận được lệnh điều khiển công suất đầu tiên từ thông tin trên kênh DCCH hoặc TCH (sau IMMEDIATE ASSIGNMENT), các MS GSM 900 và DCS 1800 loại 2 phải sử dụng mức điều khiển công suất được chỉ định bởi tham số MS_TXPWR_MAX_CCH phát trên kênh BCCH của cell, hoặc nếu tham số MS_TXPWR_MAX_CCH tương ứng với mức điều khiển công suất không được MS hỗ trợ, MS phải hoạt động với mức điều khiển công suất được hỗ trợ gần nhất. DCS 1800 loại 3 sử dụng tham số POWER_OFFSET.
h) Tín hiệu phát từ MS đến BS đánh giá tại ăng ten của MS phải là 468,75 trừ đi chu kỳ bit TA kế sau tín hiệu phát nhận được từ BS, trong đó TA là mốc định thời cuối cùng nhận được từ BS đang phục vụ. Dung sai định thời phải là +/-1 chu kỳ bit:
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.10, 6.4;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.10, 6.4.
i) Mức công suất phát tương ứng với thời gian cụm truy nhập ngẫu nhiên phải nằm trong giới hạn mẫu công suất/thời gian trong GSM 05.05, Phụ lục B (hình cuối):
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.5.2;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.5.2.
k) MS phải sử dụng giá trị TA = 0 để gửi cụm truy nhập ngẫu nhiên:
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.10, 6.6;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.10, 6.6.
2.2.5.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra mức công suất đầu ra lớn nhất của MS nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.5.2.a), trong điều kiện đo kiểm bình thường.
b) Để thẩm tra mức công suất đầu ra lớn nhất của MS nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.5.2.b), trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt.
c) Để thẩm tra các mức điều khiển công suất của các loại MS, được thực hiện đầy đủ trong MS và đưa ra các mức công suất tương ứng trong điều kiện đo kiểm bình thường nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.5.2.c).
d) Để thẩm tra các mức điều khiển công suất có các mức công suất đầu ra nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.5.2.d) trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt.
e) Để thẩm tra các mức công suất ra do MS phát với các mức điều khiển công suất liên tiếp nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.5.2.e) trong điều kiện đo kiểm bình thường.
f) Để thẩm tra công suất ra tương ứng với khoảng thời gian gửi cụm thông thường trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.5.2.f):
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
g) Để thẩm tra MS sử dụng mức điều khiển công suất lớn nhất phù hợp với loại công suất của nó nếu điều khiển đến mức điều khiển công suất vượt quá loại công suất của MS cần đo kiểm.
h) Để thẩm tra các cụm thông thường phát từ MS đến BS được định thời trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.5.2.h):
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
i) Để thẩm tra công suất đầu ra ứng với thời gian phát một cụm truy nhập nằm trong giới hạn yêu cầu tuân thủ 2.2.5.2.i):
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
k) Để thẩm tra cụm truy nhập do MS phát đến BS được định thời trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.5.2.k):
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
2.2.5.4. Phương pháp đo kiểm
Hai phương pháp đo kiểm được sử dụng cho hai loại MS là:
- Thiết bị có đầu nối ăng ten cố định;
- Thiết bị có ăng ten tích hợp, và không thể nối được với ăng ten ngoài, trừ trường hợp gắn đầu nối đo kiểm tạm thời như bộ ghép đo.
CHÚ THÍCH: Hoạt động của MS trong hệ thống được quyết định chủ yếu bởi ăng ten, và đây là phép đo máy phát duy nhất trong Quy chuẩn sử dụng ăng ten tích hợp. Các nghiên cứu về phương pháp đo trên ăng ten tích hợp đang được hoàn thiện, quan tâm đến các điều kiện thực của MS.
a) Phương thức đo kiểm cho MS có đầu nối ăng ten cố định
(1) Các điều kiện ban đầu
Cuộc gọi được thiết lập theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường trên một kênh có ARFCN ở khoảng giữa, mức điều khiển công suất được thiết lập để có công suất lớn nhất. Thiết lập tham số MS TXPWR_MAX_CCH đến giá trị lớn nhất mà loại công suất của MS cần đo kiểm hỗ trợ. Đối với các MS loại DCS 1800, tham số POWER_OFFSET đặt ở mức 6 dB.
(2) Thủ tục đo kiểm
(2a) Đo công suất phát cụm thông thường
SS lấy các mẫu đo công suất phân bố đều trên khoảng thời gian tồn tại một cụm với tỷ lệ lấy mẫu tối thiểu là 2/T, trong đó T khoảng thời gian tồn tại 1 bit. Các mẫu được xác định trong thời gian điều chế trên mỗi cụm. SS xác định tâm của 147 bit phát hữu ích (thời điểm chuyển tiếp từ bit 13 đến bit 14 của khe trung tâm), để sử dụng làm chuẩn định thời.
Công suất ra máy phát được tính là giá trị trung bình của các mẫu trên 147 bit hữu ích. Nó cũng được sử dụng làm chuẩn 0 dB cho mẫu công suất/thời gian.
(2b) Đo trễ định thời cụm thông thường
Trễ định thời cụm là độ lệch thời gian giữa chuẩn định thời xác định được trong bước a) và định thời chuyển tiếp tương ứng trong cụm mà MS thu được ngay trước khi cụm phát của MS được lấy mẫu.
(2c) Đo quan hệ công suất/thời gian cụm thông thường
Dãy các mẫu công suất đo trong bước (2a) được chuẩn theo thời gian đến tâm của các bit phát hữu ích và chuẩn theo chuẩn công suất 0 dB, xác định được trong bước a).
(2d) Lặp lại các bước (2a) đến (2c) bằng cách điều khiển MS hoạt động trên mỗi mức điều khiển công suất xác định, kể cả các mức không được MS hỗ trợ.
(2e) SS điều khiển MS đến mức điều khiển công suất lớn nhất mà MS hỗ trợ và lặp lại các bước a) đến c) đối với ARFCN ở khoảng thấp và cao.
(2f) Đo công suất ra máy phát của các cụm truy nhập
SS điều khiển cho MS phát một cụm truy nhập trên một ARFCN ở khoảng giữa, thực hiện bằng thủ tục chuyển giao hoặc thủ tục yêu cầu tài nguyên vô tuyến mới. Trong trường hợp dùng thủ tục chuyển giao, mức công suất được xác định bằng bản tin HANDOVER COMMAND là mức điều khiển công suất lớn nhất được MS hỗ trợ. Trong trường hợp cụm truy nhập, MS sẽ sử dụng mức công suất trong tham số MS_TXPWR_MAX_CCH. Nếu loại công suất của MS là DCS 1800 loại 3, MS phải sử dụng tham số POWER_OFFSET.
SS lấy các mẫu đo công suất phân bố đều trên thời gian cụm truy nhập như đã xác định trong bước (2a). Nhưng trong trường hợp này SS xác định tâm của các bit hữu ích của cụm bằng cách xác định thời điểm chuyển tiếp từ bit sau cùng của tín hiệu đồng bộ. Tâm của cụm là 5 bit dữ liệu trước điểm này và được sử dụng làm chuẩn định thời.
Công suất ra máy phát được tính theo trung bình cộng của các mẫu trên 87 bit hữu ích của cụm và được sử dụng như chuẩn 0 dB đối với mẫu công suất/thời gian.
(2g) Đo trễ định thời cụm truy nhập
Trễ định thời cụm là độ lệch thời gian giữa chuẩn định thời xác định trong bước (2f) và thời gian MS nhận được dữ liệu trên kênh điều khiển chung.
(2h) Đo quan hệ công suất/thời gian cụm truy nhập
Dãy các mẫu công suất đo được trong bước (2f) được chuẩn theo thời gian tới tâm của các bit phát hữu ích và chuẩn theo công suất tới chuẩn 0 dB, xác định trong bước (2f).
(2i) Tùy theo phương thức điều khiển MS gửi cụm truy nhập sử dụng trong bước f), SS gửi bản tin HANDOVER COMMAND với mức điều khiển công suất là 10 hoặc nó thay đổi phần tử thông tin hệ thống MS_TXPWR_MAX_CCH (với DCS 1800 là tham số POWER_OFFSET) trên BCCH của cell phục vụ để giới hạn công suất phát của MS trên cụm truy nhập ở mức điều khiển công suất 10 (+23 dBm đối với GSM 900 hoặc +10 dBm với DCS 1800) và sau đó lặp lại các bước từ (2f) đến (2h).
j) Lặp lại các bước a) đến i) trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2), riêng trong bước d) chỉ thực hiện cho mức điều khiển công suất 10 và mức điều khiển công suất nhỏ nhất của MS.
b) Phương pháp đo kiểm đối với MS có ăng ten tích hợp
CHÚ THÍCH: Nếu MS có đầu nối ăng ten cố định, nghĩa là ăng ten có thể tháo rời và có thể nối được trực tiếp đến SS, khi đó áp dụng phương pháp đo trong 2.2.5.4b).
Phép đo trong mục này được thực hiện trên mẫu đo kiểm không biến đổi.
(1) Các điều kiện ban đầu
Đặt MS trong buồng đo không dội (Phụ lục A, mục A.1.2) hoặc trên vị trí đo kiểm ngoài trời, biệt lập, ở vị trí sử dụng bình thường, cách ăng ten đo tối thiểu 3 m, và được nối trực tiếp với SS.
CHÚ THÍCH: Phương pháp đo kiểm đã mô tả ở trên dùng khi đo trong buồng đo không dội. Trong trường hợp đo kiểm ngoài trời, cần điều chỉnh độ cao ăng ten đo để nhận được mức công suất lớn nhất trên cả ăng ten đo và ăng ten thay thế.
SS thiết lập cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường trên kênh có ARFCN ở dải giữa, mức điều khiển công suất thiết lập đến mức công suất lớn nhất. Thiết lập tham số MS_TXPWR_MAX_CCH đến giá trị lớn nhất được MS cần đo hỗ trợ. Đối với các MS loại DCS 1800, tham số POWER_OFFSET thiết lập giá trị 6 dB.
(2) Thủ tục đo kiểm
(2a) Với các điều kiện ban đầu thiết lập theo mục (1) thủ tục đo trong 2.2.5.4.a(2) được tiến hành đến bước (2i), kể cả bước (2i), riêng trong bước (2a) khi đo kiểm tại mức công suất lớn nhất đối với ARFCN dải thấp, giữa và cao, phép đo được thực hiện với 8 lần quay MS, góc quay là n*450, với n từ 0 đến 7.
Kết quả phép đo là số đo công suất ra máy phát thu được, không phải là số đo công suất ra máy phát, các giá trị đo công suất đầu ra có thể có được như sau.
(2b) Đánh giá suy hao do vị trí đo kiểm để chuyển đổi theo tỷ lệ kết quả đo công suất ra thu được.
MS được thay bằng một ăng ten ngẫu cực nửa bước sóng cộng hưởng tại tần số trung tâm của băng tần phát và được nối với bộ tạo sóng RF.
Thiết lập tần số của máy tạo sóng RF bằng tần số ARFCN sử dụng cho 24 phép đo ở bước (2a), công suất ra được điều chỉnh để tái tạo mức trung bình của công suất ra máy phát ghi lại ở bước (2a).
Ghi lại từng chỉ thị công suất phát từ máy tạo sóng (tính bằng W) đến ăng ten ngẫu cực nửa bước sóng. Các giá trị này được ghi lại dưới dạng Pnc, với n = hướng quay của MS, c = chỉ số kênh.
Tương ứng với mỗi chỉ số kênh, tính:
từ đó: Pac (Tx dBm) = 10lg(Pac) + 30 + 2,15
Với một trong 3 kênh, độ lệch giữa công suất ra máy phát thực được tính trung bình qua 8 hướng đo và công suất đầu ra máy phát có được tại hướng n=0 được dùng để chuyển đổi theo tỷ lệ các kết quả đo thu được sang công suất ra thực của máy phát cho mọi mức điều khiển công suất được đo và ARFCN để sau đó được kiểm tra đối chiếu với các yêu cầu.
(2c) Các hệ số hiệu chỉnh đầu nối ăng ten tạm thời (phát)
Một mẫu đo biến đổi có đầu nối ăng ten tạm thời được đặt trong buồng đo kiểm có điều kiện và được nối với SS bằng đầu nối ăng ten tạm thời.
Trong điều kiện đo kiểm bình thường, lặp lại các phép đo công suất và các tính toán trong các bước từ (2a) đến (2i) mục 2.2.5.4.a(2), riêng trong bước (2d) chỉ thực hiện với mức điều khiển công suất 10 và mức điều khiển công suất nhỏ nhất của MS.
CHÚ THÍCH: Các giá trị ghi lại ở bước này liên quan đến các mức công suất sóng mang máy phát trong điều kiện đo kiểm bình thường đã biết sau bước b). Do đó xác định được các hệ số hiệu chỉnh phụ thuộc tần số để xác định ảnh hưởng của bộ đấu nối ăng ten tạm thời.
(2d) Phép đo trong điều kiện khắc nghiệt.
CHÚ THÍCH: Về cơ bản, thủ tục đo kiểm trong điều kiện khắc nghiệt là:
- Mẫu công suất/thời gian được đo kiểm theo cách bình thường;
- Công suất phát xạ được đánh giá bằng cách đo độ lệch công suất bức xạ trong điều kiện đo kiểm bình thường.
Trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt, lặp lại các bước (2a) đến (2i) mục 2.2.5.4.a(2) riêng trong bước (2d) chỉ thực hiện cho mức điều khiển công suất 10 và mức điều khiển công suất nhỏ nhất của MS.
Công suất ra máy phát trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt được tính cho từng loại cụm, từng mức điều khiển công suất và cho mỗi tần số bằng cách thêm hệ số hiệu chỉnh phụ thuộc tần số xác định trong bước (2c) vào các giá trị có được trong điều kiện khắc nghiệt ở bước này.
2.2.5.5. Các yêu cầu đo kiểm
Trong tổ hợp các điều kiện bình thường và khắc nghiệt, công suất ra máy phát của các cụm thông thường và cụm truy nhập tại mỗi tần số và tại mỗi mức điều khiển công suất áp dụng cho loại công suất của MS phải tuân theo Bảng 3 hoặc Bảng 4 trong phạm vi dung sai chỉ định tại các bảng này.
Bảng 3 - Công suất ra của máy phát GSM 900
đối với các loại công suất khác nhau
*) Khi mức điều khiển công suất tương ứng với loại công suất của MS, dung sai là 2,0 dB trong điều kiện bình thường và 2,5 dB trong điều kiện khắc nghiệt.
Bảng 4 - Công suất ra của máy phát DCS 1800
đối với các loại công suất khác nhau
Loại công suất |
Mức điều khiển công suất |
Công suất ra máy phát |
Dung sai |
|||
1 |
2 |
3 |
|
dBm |
Bình thường |
Khắc nghiệt |
|
|
• |
29 |
36 |
+/-2 dB |
+/-2,5 dB |
|
|
• |
30 |
34 |
+/-3 dB |
+/-4 dB |
|
|
• |
31 |
32 |
+/-3 dB |
+/-4 dB |
• |
|
• |
0 |
30 |
+/-3 dB*) |
+/-4 dB*) |
• |
|
• |
1 |
28 |
+/-3 dB |
+/-4 dB |
• |
|
• |
2 |
26 |
+/-3 dB*) |
+/-4 dB |
• |
• |
• |
3 |
24 |
+/-3 dB |
+/-4 dB*) |
• |
• |
• |
4 |
22 |
+/-3 dB |
+/-4 dB |
• |
• |
• |
5 |
20 |
+/-3 dB |
+/-4 dB |
• |
• |
• |
6 |
18 |
+/-3 dB |
+/-4 dB |
• |
• |
• |
7 |
16 |
+/-3 dB |
+/-4 dB |
• |
• |
• |
8 |
14 |
+/-3 dB |
+/-4 dB |
• |
• |
• |
9 |
12 |
+/-4 dB |
+/-5 dB |
• |
• |
• |
10 |
10 |
+/-4 dB |
+/-5 dB |
• |
• |
• |
11 |
8 |
+/-4 dB |
+/-5 dB |
• |
• |
• |
12 |
6 |
+/-4 dB |
+/-5 dB |
• |
• |
• |
13 |
4 |
+/-4 dB |
+/-5 dB |
• |
• |
• |
14 |
2 |
+/-5 dB |
+/-6 dB |
• |
• |
• |
15 |
0 |
+/-5 dB |
+/-6 dB |
*) Khi mức điều khiển công suất tương ứng với loại công suất của MS, dung sai là 2,0 dB trong điều kiện bình thường và 2,5 dB trong điều kiện khắc nghiệt.
a) Độ lệch công suất ra máy phát giữa hai mức điều khiển công suất lân cận, đo tại cùng một tần số, không được nhỏ hơn 0,5 dB và không được lớn hơn 3,5 dB.
b) Quan hệ công suất/thời gian của các mẫu đo đối với các cụm thông thường phải nằm trong giới hạn mẫu công suất thời gian trong Hình 1 tại mỗi tần số, trong điều kiện đo kiểm bình thường và khắc nghiệt tại mỗi mức điều khiển công suất được đo.
Hình 1 - Mẫu công suất/ thời gian đối với các cụm thông thường
(1) Đối với MS loại GSM 900:
- -4 dBc đối với mức điều khiển công suất 16
- -2 dBc đối với mức điều khiển công suất 17
- -1 dBc đối với mức điều khiển công suất 18 và 19
Đối với MS loại DCS 1800:
- -4 dBc đối với mức điều khiển công suất 11
- -2 dBc đối với mức điều khiển công suất 12
- -1 dBc đối với mức điều khiển công suất 13, 14 và 15
(2) Đối với MS GSM 900: -30 dBc hoặc -17 dBm, chọn mức cao hơn.
Đối với MS DCS 1800: -30 dBc hoặc -20 dBm, chọn mức cao hơn.
Bảng 5 - Giới hạn dưới của mẫu công suất/thời gian
|
Giới hạn dưới |
GSM 900 |
-59 dBc hoặc -54 dBm chọn mức cao nhất, trừ khe thời gian trước khe thời gian kích hoạt, mức cho phép bằng -59 dBc hoặc -36 dBm, chọn mức cao nhất. |
DCS 1800 |
-48 dBc hoặc -48 dBm, chọn mức cao nhất |
c) MS phải được đo kiểm tại tất cả các mức điều khiển công suất đối với từng kiểu và loại công suất MS do nhà sản xuất khai báo.
d) Khi máy phát được điều khiển đến mức điều khiển ngoài khả năng công suất của MS do nhà sản xuất khai báo thì công suất ra máy phát phải nằm trong phạm vi dung sai của mức điều khiển công suất gần nhất phù hợp với kiểu và loại công suất do nhà sản xuất qui định.
e) Tâm của cụm thông thường phát đi được xác định bởi thời điểm chuyển tiếp từ bit 13 sang bit 14 của khe trung tâm phải là 3 chu kỳ khe thời gian (1731 ms) +/-1 bit (+/-3,69 ms) sau tâm của cụm thu được tương ứng.
f) Quan hệ thời gian/công suất của các mẫu đo đối với các cụm truy nhập phải nằm trong giới hạn mẫu thời gian công suất trong Hình 2 tại mỗi tần số, trong mỗi tổ hợp các điều kiện bình thường và khắc nghiệt và tại mỗi mức điều khiển công suất được đo.
Hình 2 - Mẫu công suất/thời gian đối với cụm truy nhập
(1) Đối với MS loại GSM 900:
- -4 dBc đối với mức điều khiển công suất 16
- -2 dBc đối với mức điều khiển công suất 17
- -1 dBc đối với mức điều khiển công suất 18 và 19
Đối với MS loại DCS 1800:
- -4 dBc đối với mức điều khiển công suất 11
- -2 dBc đối với mức điều khiển công suất 12
- -1 dBc đối với mức điều khiển công suất 13, 14 và 15
(2) Đối với MS loại GSM 900: -30 dBc hoặc -17 dBm, chọn mức cao hơn.
Đối với MS loại DCS 1800: -30 dBc hoặc -20 dBm, chọn mức cao hơn.
g) Tâm của các cụm truy nhập phát phải là số nguyên lần chu kỳ khe thời gian nhỏ hơn 30 chu kỳ bit ứng với tâm khe trung tâm của CCCH bất kỳ, với dung sai +/-1 chu kỳ bit (+/-3,69 ms).
2.2.6. Phổ RF đầu ra máy phát
2.2.6.1. Định nghĩa và áp dụng
Phổ RF đầu ra là quan hệ giữa độ lệch tần số so với sóng mang và công suất được đo trong thời gian và độ rộng băng xác định, phát ra từ MS do hiệu ứng điều chế và đột biến công suất.
Các yêu cầu và bước đo kiểm này áp dụng cho các MS loại GSM 900 và DCS 1800.
2.2.6.2. Yêu cầu tuân thủ
a) Mức phổ RF đầu ra do điều chế phải không lớn hơn các mức trong GSM 05.05, mục 2.2.1, Bảng a) đối với GSM 900 và Bảng b) đối với DCS 1800, với giới hạn nhỏ nhất cho phép như sau:
- -36 dBm đối với độ lệch dưới 600 kHz so với sóng mang;
- -51 dBm đối với GSM 900 hoặc -56 dBm đối với DCS 1800 với độ lệch từ trên 600 kHz đến dưới 1 800 kHz so với sóng mang;
- -46 dBm đối với GSM 900 hoặc -51 dBm đối với DCS 1800 với độ lệch trên hoặc bằng 1 800 kHz so với sóng mang.
Các trường hợp ngoại lệ sau lên đến -36 dBm:
- Lên đến 3 băng 200 kHz có tâm tại tần số là bội số nguyên của 200 kHz trong dải từ 600 kHz đến 6 000 kHz trên và dưới tần số sóng mang.
- Lên đến 12 băng 200 kHz có tâm ở tần số là bội số nguyên của 200 kHz tại độ lệch trên 6 000 kHz so với sóng mang.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.2.1.
- Trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.2.1.
b) Mức phổ RF đầu ra do đột biến chuyển mạch phải không lớn hơn các giá trị trong GSM 05.05, mục 4.2.2, Bảng a.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.2.2;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.2.2.
c) Khi được cấp phát kênh, công suất phát từ MS trên băng 935 - 960 MHz phải nhỏ hơn hoặc bằng -79 dBm, trong băng 925 - 935 MHz phải nhỏ hơn hoặc bằng
-67 dBm và trong băng 1 805 – 1 880 MHz phải nhỏ hơn hoặc bằng -71 dBm, riêng trong 5 phép đo của băng 925 - 960 MHz và 1 805-1 880 MHz chấp nhận các mức ngoại lệ lên tới -36 dBm. Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.3.3.
2.2.6.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra phổ RF đầu ra sau điều chế không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.6.2.a).
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
b) Để thẩm tra phổ RF ra do đột biến chuyển mạch không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.6.2.b) khi độ dự phòng cho phép đối với hiệu ứng phổ do điều chế.
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
c) Để thẩm tra mức phát xạ giả của MS trong băng tần thu không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.6.2.c).
2.2.6.4. Phương thức đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Cuộc gọi được thiết lập theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường.
SS điều khiển MS đến chế độ nhảy tần. Mẫu nhảy tần chỉ gồm 3 kênh, kênh ARFCN thứ nhất ở dải ARFCN thấp, kênh ARFCN thứ hai trong dải ARFCN giữa và kênh ARFCN thứ ba trong dải ARFCN cao.
CHÚ THÍCH 1: Mặc dù phép đo được thực hiện khi MS trong chế độ nhảy tần, nhưng mỗi phép đo được thực hiện trên 1 kênh riêng biệt.
CHÚ THÍCH 2: Phép đo này thực hiện trong chế độ nhảy tần chỉ là cách đơn giản để MS thay đổi kênh, phép đo này có thể thực hiện trong chế độ không nhảy tần và chuyển giao MS giữa 3 kênh đang đo tại thời điểm thích hợp.
SS điều khiển MS đấu vòng kênh lưu lượng, không có báo hiệu các khung bị xóa. Bước này để thiết lập một mẫu ngẫu nhiên cho máy phát.
SS gửi tín hiệu kiểm chuẩn C1 đến MS với mức 23 dBVemf().
b) Thủ tục đo kiểm
CHÚ THÍCH: Khi sử dụng phép lấy trung bình trong chế độ nhảy tần, giá trị trung bình chỉ gồm các cụm phát khi sóng mang nhảy tần phù hợp với sóng mang danh định của máy đo.
(1) Trong các bước từ (2) đến (8), FT được đặt bằng ARFCN của mẫu nhảy tần ở dải ARFCN giữa.
(2) Các thiết lập khác của máy phân tích phổ như sau:
- Quét tần số Zero
- Độ rộng băng phân giải: 30 kHz
- Độ rộng băng Video: 30 kHz
- Giá trị trung bình Video: có thể được sử dụng, tùy theo phép đo.
Tín hiệu video của máy phân tích phổ được “chọn” sao cho phổ tạo ra bởi tối thiểu 40 bit trong dải bit từ 87 đến 132 của các cụm trên một trong những khe thời gian hoạt động là phổ duy nhất được đo. Việc “chọn” có thể là số hoặc tương tự tùy theo máy phân tích phổ. Chỉ xét các kết quả đo khi phát các cụm trên sóng mang danh định của máy đo. Máy phân tích phổ tính trung bình trên chu kỳ chọn và trên 200 hoặc 50 cụm đã cho, sử dụng phép tính trung bình số và/hoặc hình ảnh.
MS được điều khiển tới mức công suất lớn nhất.
(3) Điều chỉnh tần số trung tâm của máy phân tích phổ đến các tần số cần đo để đo mức công suất trên 50 cụm tại các bội số của độ lệch tần 30 kHz lệch khỏi FT đến dưới 1 800 kHz.
(4) Độ phân giải và độ rộng băng video trên máy phân tích phổ được điều chỉnh đến 100 kHz và thực hiện các phép đo tại các tần số sau:
- Trên mỗi ARFCN từ độ lệch 1 800 kHz so với sóng mang đến biên của băng tần phát tương ứng cho mỗi phép đo trên 50 cụm.
- Tại các khoảng 200 kHz vượt quá 2 MHz của mỗi biên băng tần phát tương ứng cho mỗi phép đo trên 50 cụm.
- Tại các khoảng 200 kHz trên băng 925 - 960 MHz cho mỗi phép đo trên 50 cụm.
- Tại các khoảng 200 kHz trên băng 1 805 – 1 880 MHz cho mỗi phép đo trên 50 cụm.
(5) Điều khiển MS đến mức công suất nhỏ nhất. Thiết lập lại máy phân tích phổ như bước (2).
(6) Điều chỉnh tần số trung tâm của máy phân tích phổ đến các tần số đo, đo mức công suất qua 200 cụm tại các tần số sau:
FT
FT + 100 kHz FT - 100 kHz
FT + 200 kHz FT - 200 kHz
FT + 250 kHz FT - 250 kHz
FT + 200 kHz * N FT - 200 kHz * N
Với N = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8; FT = tần số trung tâm danh định của kênh RF.
(7) Thiết lập máy phân tích phổ như sau:
- Quét tần số Zero
- Độ rộng băng phân giải: 30 kHz
- Độ rộng băng Video: 100 kHz
- Giữ đỉnh
- Tắt chế độ chọn tín hiệu của máy phân tích phổ.
- Điều khiển MS đến mức công suất lớn nhất.
(8) Điều chỉnh tần số trung tâm của máy phân tích phổ đến các tần số cần đo, đo các mức công suất tại các tần số sau:
FT + 400 kHz FT - 400 kHz
FT + 600 kHz FT - 600 kHz
FT + 1,2 MHz FT - 1,2 MHz
FT + 1,8 MHz FT - 1,8 MHz
FT = tần số trung tâm danh định của kênh RF.
Thời gian mỗi phép đo (tại mỗi tần số) phải bằng khoảng thời gian phát tối thiểu 10 cụm tại FT.
(9) Lặp lại bước (8) cho các mức công suất 7 và 11.
(10) Lặp lại các bước (2), (6), (7) và (8) với FT đặt bằng mẫu nhảy tần ARFCN ở dải ARFCN thấp, riêng trong bước g) điều khiển MS đến mức điều khiển công suất 11 thay vì để ở mức công suất lớn nhất.
(11) Lặp lại các bước (2), (6), (7) và (8) với FT bằng ARFCN của mẫu nhảy tần ở dải ARFCN cao, riêng trong bước g) điều khiển MS đến mức điều khiển công suất 11 thay vì để ở mức công suất lớn nhất.
12) Lặp lại các bước (1), (2), (6), (7) và (8) trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2), riêng trong bước (7) điều khiển MS đến mức điều khiển công suất 11.
2.2.6.5. Các yêu cầu đo kiểm
Để phép đo chính xác khi thực hiện với đầu nối ăng ten tạm thời trong băng 880 - 915 MHz hoặc 1 710 – 1 785 MHz, phải đưa vào hệ số ghép nối ăng ten tạm thời cho tần số gần nhất. Xác định tuân theo 2.2.5.4 và Phụ lục A, mục A.1.3.
Để phép đo chính xác khi thực hiện với đầu nối ăng ten tạm thời trong băng 925 - 960 MHz, phải đưa vào hệ số ghép nối ăng ten tạm thời xác định tuân theo Phụ lục A, mục A.1.3 đối với MS loại GSM 900. Với DCS 1800, phải sử dụng mức 0 dB.
Để phép đo chính xác khi thực hiện với đầu nối ăng ten tạm thời, trong băng 1 805 – 1 880 MHz, phải đưa vào hệ số ghép ăng ten tạm thời xác định tuân theo Phụ lục A, mục A.1.3 đối với DCS 1800. Với GSM 900, sử dụng mức 0 dB.
Các số liệu trong các bảng sau, tại các tần số được liệt kê từ tần số sóng mang (kHz), là mức công suất lớn nhất (tính bằng dB) ứng với phép đo trong độ rộng băng 30 kHz trên sóng mang (GSM 05.05, mục 4.2.1).
a) Đối với các dải biên điều chế bên ngoài và độ lệch dưới 1800 kHz so với sóng mang (FT) đo được trong bước c), f), h), j), k), l) mức công suất tính theo dB ứng với mức công suất đo được tại FT, đối với các loại MS, không được vượt quá các giá trị trong Bảng 6 đối với GSM 900 hoặc Bảng 7 đối với DCS 1800 tùy theo công suất phát thực và độ lệch tần so với FT. Tuy vậy, các trường hợp không đạt trong dải 600 kHz đến dưới 1 800 kHz trên và dưới tần số sóng mang có thể tính vào các ngoại lệ cho phép trong các yêu cầu đo kiểm c) bên dưới.
Bảng 6 - Phổ điều chế của GSM 900 đối với độ lệch tần dưới 1 800 kHz
|
Mức công suất tính theo dB tương ứng với phép đo tại FT |
||||
Mức công suất (dBm) |
Độ lệch tần (kHz) |
||||
0-100 |
200 |
250 |
400 |
600 đến <1 800 |
|
39 37 35 £ 33 |
+0,5 +0,5 +0,5 +0,5 |
-30 -30 -30 -30 |
-33 -33 -33 -33 |
-60 -60 -60 -60 |
-66 -64 -62 -60 |
Các giá trị trên được lấy theo các mức tuyệt đối nhỏ nhất (dBm) bên dưới. |
|||||
|
-36 |
-36 |
-36 |
-36 |
-51 |
Bảng 7 - Phổ điều chế của DCS 1800 đối với độ lệch tần dưới 1 800 kHz
|
Mức công suất tính theo dB tương ứng với phép đo tại FT |
||||
Mức công suất (dBm) |
Độ lệch tần (kHz) |
||||
0 - 100 |
200 |
250 |
400 |
600 đến <1 800 |
|
£ 33 |
+0,5 |
-30 |
-33 |
-60 |
-60 |
Các giá trị trên được lấy theo các mức tuyệt đối nhỏ nhất (dBm) ở bên dưới. |
|||||
|
-36 |
-36 |
-36 |
-36 |
-56 |
CHÚ THÍCH 1: Đối với các độ lệch tần số trong khoảng 100 kHz và 600 kHz, chỉ tiêu có được từ phép nội suy tuyến tính giữa các điểm đã biết trong bảng với tần số tuyến tính và công suất tính bằng dB.
b) Đối với các dải biên điều chế từ độ lệch tần 1 800 kHz so với tần số sóng mang đến 2 MHz vượt quá biên của băng tần phát tương ứng, đo trong bước d), mức công suất tính bằng dB tương ứng với mức công suất đo tại FT không được lớn hơn các giá trị trong Bảng 8, tùy theo công suất phát thực, độ lệch tần số so với FT và hệ thống của MS. Tuy nhiên các trường hợp không đạt trong dải 1 800 kHz - 6 MHz trên và dưới tần số sóng mang có thể tính vào ngoại lệ cho phép trong yêu cầu đo kiểm c) bên dưới, và các trường hợp không đạt khác có thể tính vào ngoại lệ trong yêu cầu đo kiểm d) bên dưới.
Bảng 8 - Phổ điều chế của độ lệch tần từ 1 800 kHz
đến biên của băng tần phát (tạp âm băng rộng)
Tương quan của các mức công suất tính theo dB so với kết quả đo tại FT |
||||||
GSM 900 |
DCS 1 800 |
|||||
Mức công suất (dBm) |
Độ lệch tần (kHz) |
Mức công suất (dBm) |
Độ lệch tần (kHz) |
|||
1 800 đến < 3 000 |
3 000 đến < 6 000 |
³ 6 000 |
1 800 đến < 6000 |
³ 6 000 |
||
39 37 35 £ 33 |
-69 -67 -65 -63 |
-71 -69 -67 -65 |
-77 -75 -73 -71 |
36 34 32 30 28 26 £ 24 |
-71 -69 -67 -65 -63 -61 -59 |
-79 -77 -75 -73 -71 -69 -67 |
Các giá trị trên được lấy theo các mức giá trị tuyệt đối nhỏ nhất (dBm) bên dưới. |
||||||
|
-46 |
-46 |
-46 |
|
-51 |
-51 |
c) Các trường hợp không đạt từ bước a) và b) trong tổ hợp dải tần 600 kHz -
6 MHz trên và dưới tần số sóng mang phải được kiểm tra lại đối với độ phát xạ giả cho phép. Đối với một trong 3 ARFCN đã sử dụng, phát xạ giả cho phép trong trường hợp lên đến 3 băng 200 kHz có tâm là bội số nguyên của 200 kHz miễn là phát xạ giả không vượt quá -36 dBm. Các mức phát xạ giả đo trong độ rộng băng 30 kHz được mở rộng đến 2 băng 200 kHz có thể được tính với một trong hai băng 200 kHz để tối thiểu số lượng các băng 200 kHz chứa phát xạ giả.
d) Các trường hợp không đạt (từ bước b) vượt quá độ lệch 6 MHz so với sóng mang phải được kiểm tra lại để đảm bảo mức phát xạ giả cho phép. Với mỗi một trong 3 ARFCN đã sử dụng, cho phép đến 12 phát xạ giả được phép miễn là mức phát xạ giả không vượt quá -36 dBm.
e) Các phát xạ giả của MS trong dải từ 925 - 935 MHz, 935 - 960 MHz và 1 805 – 1 880 MHz đo trong bước d), đối với tất cả các loại MS, không được vượt quá các giá trị trong Bảng 9 riêng với 5 phép đo trong dải từ 925 - 960 MHz và 5 phép đo trong dải từ 1 805 - 1 880 MHz, cho phép đến -36 dBm.
Bảng 9 - Phát xạ giả trong băng tần thu của MS
Dải tần (MHz) |
Mức phát xạ giả (dBm) |
925 đến 935 935 đến 960 1 805 đến 1 880 |
-67 -79 -71 |
f) Đối với các dải biên suy giảm công suất của các bước h) và i), các mức công suất không được vượt quá các giá trị trong Bảng 10 đối với GSM 900 hoặc Bảng 11 đối với DCS 1800.
Bảng 10 - Phổ GSM 900 do đột biến chuyển mạch
Mức công suất |
Mức lớn nhất đối với các độ lệch tần khác nhau so với tần số sóng mang |
|||
400 kHz |
600 kHz |
1 200 kHz |
1 800 kHz |
|
39 dBm 37 dBm 35 dBm 33 dBm 31 dBm 29 dBm 27 dBm 25 dBm 23 dBm ≤ +21 dBm |
-13 dBm -15 dBm -17 dBm -19 dBm -21 dBm -23 dBm -23 dBm -23 dBm -23 dBm -23 dBm |
-21 dBm -21 dBm -21 dBm -21 dBm -23 dBm -25 dBm -26 dBm -26 dBm -26 dBm -26 dBm |
-21 dBm -21 dBm -21 dBm -21 dBm -23 dBm -25 dBm -27 dBm -29 dBm -31 dBm -32 dBm |
-24 dBm -24 dBm -24 dBm -24 dBm -26 dBm -28 dBm -30 dBm -32 dBm -34 dBm -36 dBm |
Bảng 11 - Phổ DCS 1800 do đột biến chuyển mạch
Mức công suất |
Mức lớn nhất đối với các độ lệch tần khác nhau so với tần số sóng mang |
|||
400 kHz |
600 kHz |
1 200 kHz |
1 800 kHz |
|
36 dBm 34 dBm 32 dBm 30 dBm 28 dBm 26 dBm 24 dBm 22 dBm ≤ +20 dBm |
-16 dBm -18 dBm -20 dBm -22 dBm -23 dBm -23 dBm -23 dBm -23 dBm -23 dBm |
-21 dBm -21 dBm -22 dBm -24 dBm -25 dBm -26 dBm -26 dBm -26 dBm -26 dBm |
-21 dBm -21 dBm -22 dBm -24 dBm -26 dBm -28 dBm -30 dBm -31 dBm -32 dBm |
-24 dBm -24 dBm -25 dBm -27 dBm -29 dBm -31 dBm -33 dBm -35 dBm -36 dBm |
CHÚ THÍCH 2: Các giá trị trên khác với các chỉ tiêu trong GSM 05.05 vì tại các mức cao hơn, nó là phổ điều chế đo được bằng phép đo giữ đỉnh. Các giới hạn được đưa ra trong bảng.
CHÚ THÍCH 3: Các giá trị trong Bảng 10 và Bảng 11 giả định, dùng phép đo giữ đỉnh, mức nhỏ nhất là 8 dB trên mức điều chế qui định, sử dụng kỹ thuật trung bình chọn độ rộng băng 30 kHz đối với độ lệch tần 400 kHz so với tần số sóng mang. Tại độ lệch tần 600 và 1 200 kHz, sử dụng mức trên 6 dB và tại độ lệch 1 800 kHz sử dụng mức trên 3 dB. Các giá trị đối với độ lệch tần 1 800 kHz được giả định phổ độ rộng băng 30 kHz dùng chỉ tiêu điều chế tại dưới 1 800 kHz.
2.2.7. Công suất ra máy phát và định thời cụm trong cấu hình đa khe HSCSD
2.2.7.1. Định nghĩa và áp dụng
Công suất ra máy phát là giá trị trung bình của công suất đưa tới ăng ten giả hoặc bức xạ từ MS và ăng ten tích hợp của nó, trong thời gian các bit thông tin hữu ích của một cụm được phát.
Định thời cụm phát là đường bao công suất RF phát theo thời gian. Các định thời được chuẩn theo thời điểm chuyển từ bit 13 tới bit 14 của chuỗi huấn luyện (khe trung tâm) trước khi giải mã vi sai. Định thời điều chế được chuẩn theo định thời tín hiệu thu từ SS. Các yêu cầu và phép đo này áp dụng cho tất cả các MS GSM 900 và DCS 1800 có khả năng hoạt động đa khe HSCSD.
2.2.7.2. Yêu cầu tuân thủ
a) Công suất ra lớn nhất của MS phải tuân theo GSM 05.05, mục 4.1.1, Bảng 1, tùy theo loại công suất của MS, với dung sai +/-2 dB trong điều kiện đo kiểm bình thường;
b) Công suất ra lớn nhất của MS phải tuân theo GSM 05.05, 4.1.1, Bảng 1, tùy theo loại công suất của MS, với dung sai +/-2,5 dB trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt;
c) Các mức điều khiển công suất phải cho ra các mức công suất ra danh định tuân theo GSM 05.05, 4.1.1, Bảng 3 (GSM 900), Bảng 4 (DCS 1800), từ mức điều khiển công suất thấp nhất đến mức cao nhất tương ứng với loại MS (đối với dung sai trên công suất ra lớn nhất, xem yêu cầu tuân thủ 1), với dung sai +/-3, 4 hoặc 5 dB trong điều kiện đo kiểm bình thường;
d) Các mức điều khiển công suất cho các mức công suất ra danh định tuân theo GSM 05.05, 4.1.1, Bảng 3 (GSM 900) hoặc Bảng 4 (DCS 1800), từ mức điều khiển công suất thấp nhất đến mức cao nhất tương ứng với loại MS (đối với dung sai trên công suất ra lớn nhất, xem các yêu cầu tuân thủ 2), với dung sai +/- 4, 5 hoặc 6 dB trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt;
e) Công suất ra thực từ MS tại các mức điều khiển công suất liên tiếp phải hình thành một chuỗi đều và khoảng cách giữa các mức này phải bằng 2 +/-1,5 dB; GSM 05.05, 4.1.1.
f) Mức công suất phát tương ứng với thời gian cho một cụm thông thường phải tuân theo mẫu công suất thời gian trong GSM 05.05, Phụ lục B. Trong các cấu hình đa khe, các cụm trong hai hoặc nhiều khe kế tiếp thực tế được phát trên cùng một tần số, mẫu trong Phụ lục B, GSM 05.05 phải được tuân thủ tại các chuỗi khởi đầu và kết thúc của các cụm liên tiếp. Công suất ra trong chu kỳ phòng vệ giữa hai khe thời gian hoạt động kế tiếp phải không được vượt quá mức hạn định cho phần hữu ích của khe thời gian thứ nhất hoặc mức hạn định cho phần hữu ích của khe thời gian thứ hai cộng thêm 3 dB, lấy theo mức lớn nhất:
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.5.2;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.5.2.
g) Trong các cấu hình đa khung, các kênh phụ hai chiều phải được điều khiển công suất riêng biệt; GSM 05.08, 4.2.
h) Khi truy nhập vào cell trên kênh RACH và trước khi nhận được yêu cầu công suất đầu tiên trên kênh DCCH hoặc TCH (sau IMMEDIATE ASSIGNMENT), các MS GSM và DCS 1800 loại 1 và loại 2 phải sử dụng mức điều khiển công suất chỉ định trong tham số MS_TXPWR_MAX_CCH phát trên kênh BCCH của cell, hoặc nếu MS_TXPWR_MAX_CCH tương ứng với mức điều khiển công suất không được loại MS hỗ trợ, MS phải hoạt động với mức điều khiển công suất hỗ trợ gần nhất. Các MS thuộc DCS 1800 loại 3 phải sử dụng tham số POWER_OFFSET.
i) Tín hiệu phát từ MS tới BS đánh giá tại ăng ten MS phải là 468,75 trừ đi chu kỳ bit TA kế sau tín hiệu phát nhận được từ BS, trong đo TA là mốc định thời cuối cùng nhận được từ BS đang phục vụ. Sai số của định thời phải là +/-1 chu kỳ bit:
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.10, 6.4;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.10, 6.4.
k) Mức công suất phát theo thời gian đối với cụm truy nhập ngẫu nhiên phải tuân thủ mẫu công suất/thời gian trong GSM 05.05, Phụ lục B:
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.5.2;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.5.2.
(l) MS sử dụng giá trị TA = 0 để gửi cụm truy nhập ngẫu nhiên:
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.10, 6.6;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.10, 6.6.
2.2.7.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra công suất ra lớn nhất của MS trong cấu hình đa khe HSCSD trong điều kiện bình thường, nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.7.2.a).
b) Để thẩm tra công suất ra lớn nhất của MS trong cấu hình đa khe HSCSD trong điều kiện khắc nghiệt, nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.7.2.b).
c) Để thẩm tra tất cả các mức điều khiển công suất liên quan đến loại công suất của MS, trong cấu hình đa khe HSCSD có các mức công suất ra ở điều kiện bình thường nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.7.2.c).
d) Để thẩm tra các mức điều khiển công suất có các mức công suất ra, trong điều kiện khắc nghiệt, nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.7.2.d).
e) Để thẩm tra mức công suất ra từ MS trong cấu hình đa khe HSCSD tại các mức điều khiển công suất liên tiếp nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.7.2.e), trong điều kiện bình thường.
f) Để thẩm tra công suất ra tương ứng với thời gian gửi một cụm thông thường trong cấu hình đa khe HSCSD, nằm trong phạm vi yêu cầu 2.2.7.2.f):
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
g) Để thẩm tra MS trong cấu hình đa khe HSCSD sử dụng mức điều khiển công suất lớn nhất phù hợp với loại công suất của nó nếu điều khiển đến mức công suất vượt quá loại công suất của MS cần đo kiểm.
h) Để thẩm tra các cụm thông thường phát từ MS đến BS trong cấu hình đa khe HSCSD được định thời nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.7.2.h):
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
i) Để thẩm tra công suất ra tương ứng với thời gian phát một cụm truy nhập trong cấu hình đa khe HSCSD, nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.7.2.i):
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
k) Để thẩm tra cụm truy nhập do MS phát đến BS trong cấu hình đa khe HSCSD được định thời nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.7.2.k):
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
(l) Để thẩm tra công suất được điều khiển riêng trên các kênh phụ HSCSD hai hướng.
2.2.7.4. Các phương pháp đo kiểm
Hai phương pháp đo được sử dụng cho hai loại MS là:
- MS có đầu nối ăng ten cố định;
- MS có ăng ten tích hợp và không thể đấu nối với ăng ten ngoài ngoại trừ việc gắn đầu nối đo kiểm tạm thời như bộ ghép đo.
CHÚ THÍCH: Hoạt động của MS trong hệ thống được quyết định chủ yếu bởi ăng ten, và đây là phép đo máy phát duy nhất trong Quy chuẩn sử dụng ăng ten tích hợp. Các nghiên cứu về phương pháp đo trên ăng ten tích hợp đang được hoàn thiện, quan tâm đến các điều kiện thực của MS.
a) Phương thức đo kiểm cho thiết bị có đầu nối ăng ten cố định
(1) Các điều kiện ban đầu
SS thiết lập cuộc gọi theo thủ tục thông thường trong cấu hình đa khe HSCSD trên kênh ARFCN ở khoảng giữa, mức điều khiển công suất đặt ở mức lớn nhất và MS hoạt động với số khe đường lên lớn nhất. Tham số MS TXPWR_MAX_ CCH đặt ở giá trị lớn nhất mà MS đang đo kiểm hỗ trợ. Đối với các MS DCS 1800 tham số POWER_OFFSET đặt ở mức 6 dB.
(2) Thủ tục đo kiểm
(2a) Đo công suất phát của cụm thông thường
SS lấy các mẫu đo công suất phân bố đều trên thời gian tông tại một cụm với tỷ lệ lấy mẫu tối thiểu là 2/T, trong đó T khoảng thời gian tồn tại 1 bit. Các mẫu được xác định trong thời gian điều chế trên mỗi cụm. SS xác định tâm của 147 bit phát hữu ích (thời điểm chuyển tiếp từ bit 13 đến bit 14 của khe trung tâm), để sử dụng làm chuẩn định thời.
Công suất ra máy phát được tính là giá trị trung bình của các mẫu trên 147 bit hữu ích. Nó cũng được sử dụng làm chuẩn 0 dB cho mẫu công suất/thời gian.
(2b) Đo trễ định thời cụm thông thường
Trễ định thời cụm là độ lệch thời gian giữa chuẩn định thời xác định được trong bước a) và định thời chuyển tiếp tương ứng trong cụm mà MS thu được ngay trước khi cụm phát của MS được lấy mẫu.
(2c) Đo quan hệ công suất/thời gian của cụm thông thường
Dãy mẫu công suất đo trong mục (2a) được chuẩn theo thời gian đến tâm của các bit phát hữu ích và chuẩn theo chuẩn công suất 0 dB, xác định được trong mục (2a).
(2d) Lặp lại các bước từ (2a) đến (2c) cho từng kênh phụ đa khe bằng cách điều khiển MS hoạt động theo từng mức điều khiển công suất xác định, kể cả mức không được MS hỗ trợ.
(2e) SS điều khiển MS tới mức điều khiển công suất lớn nhất mà MS hỗ trợ và lặp lại các bước từ (2a) đến (2c) trên từng kênh phụ đa khe tại các ARFCN ở khoảng thấp và cao.
(2f) SS điều khiển MS tới mức điều khiển công suất lớn nhất trên kênh phụ đa khe đầu tiên được cấp phát và ở mức điều khiển công suất nhỏ nhất trên kênh phụ đa khe cấp phát tiếp theo. Tất cả các khe được cấp phát còn lại, mức điều khiển công suất ở mức lớn nhất. Lặp lại các phép đo tương ứng và các bước từ (2a) đến (2c) trên từng kênh phụ.
(2g) Đo công suất phát cụm truy nhập
SS điều khiển MS tạo ra cụm truy nhập trên một ARFCN ở dải ARFCN giữa, thao tác này có thể thực hiện được bằng thủ tục chuyển giao hoặc thủ tục yêu cầu tài nguyên vô tuyến mới. Trong trường hợp thực hiện bằng thủ tục chuyển giao, mức công suất chỉ thị trong bản tin HANDOVER COMMAND là mức điều khiển công suất lớn nhất được MS hỗ trợ. Trong trường hợp cụm truy nhập, MS phải sử dụng mức công suất chỉ thị trong tham số MS_TXPWR_MAX_CCH. Nếu MS là DCS 1800 loại 3, phải sử dụng tham số POWER_OFFSET.
SS lấy ra các mẫu đo công suất phân bố đều trên thời gian tồn tại cụm truy nhập như đã xác định trong mục (2a). Nhưng trong trường hợp này SS xác định tâm các bit hữu ích của cụm này bằng việc xác định thời điểm chuyển tiếp từ bit cuối cùng của dãy đồng bộ. Tâm của cụm là 5 bit dữ liệu trước điểm này và được sử dụng làm chuẩn định thời.
Công suất ra máy phát tính theo trung bình cộng của các mẫu trên 87 bit hữu ích của cụm. Nó cũng được sử dụng như chuẩn 0 dB đối với mẫu công suất/thời gian.
(2h) Đo trễ định thời cụm truy nhập
Trễ định thời cụm là độ lệch thời gian giữa định thời chuẩn xác định trong mục g) và dữ liệu MS nhận được trên kênh điều khiển chung.
(2i) Đo tỷ số công suất/thời gian cụm truy nhập
Dãy các mẫu công suất đo được trong mục (2g) được chuẩn theo thời gian tới tâm của các bit phát hữu ích và với công suất chuẩn 0 dB xác định trong bước (2g).
(2j) Tùy theo phương pháp sử dụng trong bước g), SS điều khiển MS tạo ra cụm truy nhập bằng cách gửi bản tin HANDOVER COMMAND với mức điều khiển công suất thiết lập bằng 10, hoặc nó thay đổi các phần tử thông tin hệ thống MS_TXPWR _MAX_CCH (với DCS 1800 là POWER_OFFSET) trên BCCH của cell phục vụ để giới hạn công suất phát MS trên cụm truy nhập ở mức điều khiển công suất 10 (+23 dBm đối với GSM 900, +10 dBm đối với DCS 1800), sau đó lặp lại các bước từ (2g) đến (2i).
(2k) Lặp lại các bước từ (2a) tới (2j) trong điều kiện khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2.3), riêng trong bước (2d) chỉ thực hiện cho mức điều khiển công suất 10 và mức điều khiển công suất nhỏ nhất của MS.
b) Phương pháp đo kiểm đối với thiết bị có ăng ten tích hợp
CHÚ THÍCH: Nếu MS có đầu nối cố định, tức là ăng ten có thể tháo rời và có thể nối được trực tiếp đến SS thì áp dụng phương pháp đo trong 2.2.7.4a).
Các phép đo trong mục này được thực hiện trên mẫu đo không biến đổi.
(1) Các điều kiện ban đầu
MS được đặt trong buồng đo không dội (Phụ lục A, mục A.1.2) hoặc tại vị trí đo kiểm ngoài trời, trên giá đỡ biệt lập, tại vị trí sử dụng thông thường, cách ăng ten đo tối thiểu 3 m, nối trực tiếp với SS.
CHÚ THÍCH: Phương pháp đo kiểm đã mô tả ở trên dùng khi đo trong buồng đo không dội. Trong trường hợp đo kiểm ngoài trời, cần phải thay đổi độ cao ăng ten để nhận được mức công suất lớn nhất cả trên ăng ten đo và ăng ten thay thế.
SS thiết lập cuộc gọi theo thủ tục cuộc gọi thông thường trên kênh có ARFCN ở dải ARFCN giữa, mức điều khiển công suất thiết lập ở công suất lớn nhất. Tham số MS_TXPWR_MAX_CCH thiết lập ở giá trị lớn nhất được MS cần đo kiểm hỗ trợ. Đối với các MS loại DCS 1800, tham số POWER_OFFSET thiết lập là 6 dB.
(2) Thủ tục đo kiểm
(2a) Với các điều kiện ban đầu thiết lập theo mục (1), thủ tục đo kiểm trong 2.2.7.4.a) được tiến hành đến bước (2j) bao gồm cả bước (2j); riêng trong bước (2a) khi các phép đo được tiến hành tại mức công suất lớn nhất đối với ARFCN ở dải thấp, giữa và cao, phép đo được thực hiện với 8 lần quay MS, góc quay là n*450, trong đó n = 0, 1, 2,..., 7.
Kết quả của phép đo là số đo công suất ra máy phát thu được, không phải là số đo công suất ra máy phát, các giá trị số đo công suất ra có thể có được như sau:
(2b) Đánh giá suy hao do vị trí đo kiểm để chuyển đổi theo tỷ lệ kết quả đo công suất ra thu được.
MS được thay thế bằng một ăng ten ngẫu cực nửa bước sóng cộng hưởng ở tần số trung tâm của băng tần phát và được nối với bộ tạo sóng RF.
Thiết lập tần số của bộ tạo sóng RF bằng tần số ARFCN sử dụng cho 24 phép đo trong bước (2a), điều chỉnh công suất ra để tái tạo mức trung bình công suất ra máy phát có được trong bước (2a).
Ghi lại từng chỉ thị công suất phát từ bộ tạo sóng (tính bằng W) đến ăng ten lưỡng cực nửa bước sóng. Các giá trị này được ghi lại dưới dạng Pnc, với n là góc quay của MS, c là chỉ số kênh.
Tương ứng với mỗi chỉ số kênh, tính:
Từ đó: Pac (Tx dBm) = 10lg(Pac) + 30 + 2,15Đối với một trong 3 kênh, độ lệch giữa công suất ra máy phát thực lấy trung bình qua 8 hướng đo và công suất ra máy phát có được ở hướng n = 0 được sử dụng để chuyển đổi theo tỷ lệ các kết quả đo thu được sang công suất ra thực của máy phát cho mọi mức điều khiển công suất được đo và ARFCN để sau đó được kiểm tra đối chiếu với các yêu cầu.
(2c) Các hệ số hiệu chỉnh đầu nối ăng ten tạm thời (phát)
Một mẫu đo biến đổi có đầu nối ăng ten tạm thời đặt trong buồng đo kiểm có điều kiện và được nối với SS bằng đầu nối ăng ten tạm thời.
Trong điều kiện đo kiểm bình thường, lặp lại phép đo công suất và các phần tính toán trong các bước từ (2a) đến (2j) trong 2.2.7.4.a), riêng trong bước (2d) chỉ thực hiện với mức điều khiển công suất 10 và mức điều khiển công suất nhỏ nhất của MS.
CHÚ THÍCH: Các giá trị ghi lại ở bước này liên quan đến các mức công suất ra sóng mang máy phát trong điều kiện đo kiểm bình thường đã biết sau bước (2b). Do đó xác định được các hệ số hiệu chỉnh phụ thuộc tần số để xác định ảnh hưởng của bộ đấu nối ăng ten tạm thời.
(2d) Phép đo trong điều kiện khắc nghiệt
CHÚ THÍCH: Về cơ bản thủ tục đối với các điều kiện khắc nghiệt là:
- Mẫu công suất/thời gian được đo kiểm theo cách bình thường,
- Công suất bức xạ được đánh giá bằng cách đo độ lệch đối với công suất bức xạ trong điều kiện đo kiểm bình thường.
Lặp lại các bước đo kiểm từ (2a) đến (2j) trong 2.2.7.4.a), riêng trong bước (2d) chỉ lặp lại với mức điều khiển công suất 10 và mức điều khiển công suất nhỏ nhất của MS.
Công suất ra máy phát trong điều kiện khắc nghiệt được tính cho từng loại cụm, từng mức điều khiển công suất và cho từng tần số bằng cách thêm hệ số hiệu chỉnh phụ thuộc tần số xác định được trong bước (2c) vào các giá trị có được trong điều kiện khắc nghiệt ở bước này.
2.2.7.5. Yêu cầu đo kiểm
a) Trong tổ hợp điều kiện bình thường và khắc nghiệt, công suất ra máy phát trên mỗi kênh phụ của các cụm thông thường và truy nhập, tại từng tần số và đối với từng mức điều khiển công suất, phải ở mức thích hợp như trong Bảng 3 hoặc Bảng 4 với dung sai cho phép.
b) Độ lệch công suất ra máy phát giữa hai mức điều khiển công suất lân cận, đo tại cùng tần số phải không được nhỏ hơn 0,5 dB và không lớn hơn 3,5 dB.
c) Quan hệ công suất/thời gian của các mẫu đo đối với các cụm thông thường phải nằm trong giới hạn của mẫu công suất thời gian như trong Hình 2.1 ở từng tần số, trong mỗi tổ hợp các điều kiện đo kiểm bình thường và khắc nghiệt và tại từng mức điều khiển công suất được đo.
d) MS phải được đo kiểm tại tất cả các mức điều khiển công suất đối với từng kiểu và loại công suất MS do nhà sản xuất khai báo.
e) Khi máy phát được điều khiển đến mức điều khiển công suất nằm ngoài khả năng do nhà sản xuất công bố, công suất ra máy phát phải nằm trong phạm vi dung sai của mức điều khiển công suất gần nhất phù hợp với kiểu và loại công suất do nhà sản xuất qui định.
f) Tâm của cụm thông thường được xác định bởi thời điểm chuyển tiếp giữa bit 13 và bit 14 của khe trung tâm phải là 3 chu kỳ khe thời gian (1 731 ms) +/-1 chu kỳ bit (+/-3,69 ms) sau tâm của cụm tương ứng thu được.
g) Quan hệ công suất/thời gian của các mẫu đo được đối với cụm truy nhập phải nằm trong phạm vi giới hạn của mẫu công suất thời gian trong Hình 2 trên từng tần số, dưới mỗi tổ hợp điều kiện đo kiểm bình thường và khắc nghiệt và tại mỗi mức điều khiển công suất được đo.
h) Tâm của cụm truy nhập phát phải là một số nguyên lần chu kỳ khe thời gian, ít hơn 30 chu kỳ bit ứng với tâm khe trung tâm của CCCH bất kỳ, với dung sai +/-1 chu kỳ bit (+/-3,69 ms).
2.2.8. Phổ RF đầu ra máy phát trong cấu hình đa khe HSCSD
2.2.8.1. Định nghĩa và áp dụng
Phổ RF đầu ra là quan hệ giữa độ lệch tần số so với sóng mang và công suất đo trong thời gian và độ rộng băng xác định, phát ra từ MS do hiệu ứng điều chế và đột biến công suất.
Các yêu cầu và phép đo kiểm này áp dụng cho các MS GSM 900 và DCS 1800 hoặc các MS đa băng có khả năng hoạt động đa khe HSCSD.
2.2.8.2. Yêu cầu tuân thủ
a) Mức phổ RF đầu ra sau điều chế phải không lớn hơn các giá trị trong GSM 05.05, mục 4.2.1, Bảng a) cho GSM 900, Bảng b) cho DCS 1800, với các giới hạn đo cho phép thấp nhất sau đây:
- -36 dBm nếu độ lệch dưới 600 kHz so với sóng mang;
- -51 dBm đối với GSM 900 hoặc -56 dBm đối với DCS 1800 nếu độ lệch trên 600 kHz đến dưới 1 800 kHz so với sóng mang;
- -46 dBm đối với GSM 900 hoặc -51 dBm đối với DCS 1800 nếu độ lệch bằng hoặc trên 1 800 kHz so với sóng mang.
Các trường hợp ngoại lệ sau lên đến -36 dBm:
- Lên đến 3 băng 200 kHz có tâm tại tần số là bội số nguyên của 200 kHz trong dải từ 600 kHz đến 6 000 kHz trên và dưới tần số sóng.
- Lên đến 12 băng 200 kHz có tâm ở tần số là bội số nguyên của 200 kHz tại độ lệch trên 6 000 kHz so với sóng mang.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, mục 4.2.1;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, mục 4.2.1;
b) Mức phổ RF đầu ra do đột biến chuyển mạch phải không lớn hơn các giá trị trong GSM 05.05, 4.2.2, Bảng a).
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.2.2;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.2.2.
c) Khi được cấp phát kênh, công suất phát từ MS trên băng 935 - 960 MHz phải nhỏ hơn hoặc bằng -79 dBm, trên băng 925 – 935 MHz phải nhỏ hơn hoặc bằng -67 dBm, trong băng 1 805 - 1 880 MHz phải nhỏ hơn hoặc bằng -71 dBm, riêng trong 5 phép đo của băng 925 - 960 MHz và 1 805 –1 880 MHz chấp nhận các ngoại lệ lên tới -36 dBm. Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.3.3.
2.2.8.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra phổ RF đầu ra sau điều chế tương ứng trong cấu hình đa khe không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.8.2.a).
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
b) Để thẩm tra phổ RF đầu ra do đột biến chuyển mạch không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.8.2.b) trong cấu hình đa khe khi độ dự phòng tương ứng cho phép đối với hiệu ứng phổ do điều chế.
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
c) Để thẩm tra phát xạ giả của MS trong băng tần thu không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.8.2.c) trong các cấu hình đa khe.
2.2.8.4. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Cuộc gọi được thiết lập theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường đối với HSCSD đa khe.
SS điều khiển MS tới chế độ nhảy tần. Mẫu nhảy tần chỉ bao gồm ba kênh, kênh thứ nhất có ARFCN trong dải ARFCN thấp, kênh thứ hai có ARFCN trong dải ARFCN giữa, kênh thứ ba có ARFCN trong dải ARFCN cao.
CHÚ THÍCH 1: Mặc dù phép đo được thực hiện trong chế độ MS nhảy tần, nhưng mỗi phép đo kiểm thực hiện trên một kênh riêng biệt.
CHÚ THÍCH 2: Phép đo này thực hiện trong chế độ nhảy tần chỉ là cách đơn giản để MS thay đổi kênh, phép đo này có thể thực hiện được trong chế độ không nhảy tần và chuyển giao MS giữa 3 kênh đang đo tại thời điểm thích hợp.
SS gửi tín hiệu đo kiểm chuẩn C1 (Phụ lục A, mục A.6) có mức 23 dBmVemf() đến MS.
SS điều khiển MS hoạt động trong cấu hình đa khe với số khe phát lớn nhất.
Mức công suất lớn nhất được thiết lập trong tất cả các kênh.
b) Thủ tục đo kiểm
CHÚ THÍCH: Khi sử dụng phép lấy trung bình trong chế độ nhảy tần, giá trị trung bình chỉ gồm các cụm phát khi sóng mang nhảy tần phù hợp với sóng mang danh định của máy đo.
(1) Trong các bước từ (2) tới (8), FT được đặt bằng ARFCN của mẫu nhảy tần trong dải ARFCN giữa.
(2) Máy phân tích phổ được thiết lập như sau:
- Quét tần số Zero
- Độ rộng băng phân giải: 30 kHz
- Độ rộng băng Video: 30 kHz
- Mức trung bình Video: có thể được sử dụng tùy thuộc vào phép đo.
Tín hiệu video của máy phân tích phổ được “chọn” sao cho phổ được tạo ra do ít nhất 40 bit trong dải bit từ 87 đến 132 của cụm trên một trong những khe thời gian hoạt động là phổ duy nhất được đo. Việc “chọn” có thể ở dạng tương tự hoặc số tùy thuộc vào thiết kế của máy phân tích phổ. Chỉ xét các kết quả đo tại các cụm phát trên sóng mang danh định của máy đo. Máy phân tích phổ tính trung bình trên chu kỳ chọn và trên 200 hoặc 50 cụm đã cho, sử dụng phép tính trung bình số hoặc hình ảnh.
(3) Điều chỉnh tần số trung tâm của máy phân tích phổ đến các tần số cần đo để đo mức công suất trên 50 cụm tại các bội số của độ lệch tần 30 kHz lệch khỏi FT đến dưới 1 800 kHz.
(4) Độ phân giải và độ rộng băng video của máy phân tích phổ được điều chỉnh tới 100 kHz, thực hiện đo tại các tần số sau:
- Trên mỗi ARCFCN từ độ lệch 1 800 kHz so với sóng mang tới biên của băng tần phát tương ứng cho mỗi phép đo trên 50 cụm.
- Tại các khoảng 200 kHz vượt quá 2 MHz ở cả hai biên của băng tần phát tương ứng cho mỗi phép đo trên 50 cụm.
- Tại các khoảng 200 kHz trên băng 925 - 960 MHz cho mỗi phép đo trên 50 cụm.
- Tại các khoảng 200 kHz trên băng 1 805 – 1 880 MHz cho mỗi phép đo trên 50 cụm.
(5) Điều khiển MS tới mức điều khiển công suất nhỏ nhất. Máy phân tích phổ được thiết lập như trong bước (2).
(6) Thay đổi tần số của máy phân tích phổ tới các tần số cần đo để đo mức công suất trên 200 cụm tại các tần số sau:
FT
FT + 100 kHz FT - 100 kHz
FT + 200 kHz FT - 200 kHz
FT + 250 kHz FT - 250 kHz
FT + 200 kHz * N FT - 200 kHz * N
Với N = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 và FT = tần số trung tâm danh định kênh RF.
(7) Lặp lại các bước từ (1) tới (6) riêng trong bước (1) máy phân tích phổ được chọn để đo cụm của khe thời gian tiếp sau.
(8) Máy phân tích phổ được thiết lập như sau:
- Quét tần số Zero
- Độ rộng phân giải: 30 kHz
- Độ rộng Video: 100 kHz
- Giữ đỉnh
Tắt chế độ chọn tín hiệu của máy phân tích phổ.
Điều khiển MS tới mức điều khiển công suất lớn nhất trong từng khe thời gian phát.
(9) Thay đổi tần số của máy phân tích phổ tới các tần số cần đo để đo mức công suất trên các tần số sau:
FT + 400 kHz FT - 400 kHz
FT + 600 kHz FT - 600 kHz
FT + 1,2 MHz FT - 1,2 MHz
FT + 1,8 MHz FT - 1,8 MHz
Trong đó FT = tần số trung tâm danh định kênh RF.
Thời gian mỗi phép đo (tại mỗi tần số) phải bằng khoảng thời gian phát tối thiểu 10 cụm tại FT.
(10) Lặp lại bước i) đối với các mức điều khiển công suất 7 và 11.
(11) Lặp lại các bước (2), (6), (8) và (9) với FT bằng mẫu nhảy ARFCN trong dải ARFCN thấp riêng trong bước h), điều khiển MS đến mức điều khiển công suất 11 thay vì để ở mức công suất lớn nhất.
(13) Lặp lại các bước (2), (6), (8) và (9) với FT bằng mẫu nhảy tần ARFCN trong dải ARFCN cao riêng trong bước h), điều khiển MS đến mức điều khiển công suất 11 thay vì để ở mức công suất lớn nhất.
m) Lặp lại các bước (1), (2), (6), (8), và (9) trong điều kiện khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2), riêng trong bước (8) điều khiển MS đến mức điều khiển công suất 11.
2.2.8.5. Các yêu cầu đo kiểm
Để phép đo chính xác khi thực hiện trên đầu nối ăng ten tạm thời trong băng 880 - 915 MHz hoặc 1 710 – 1 785 MHz, phải đưa vào hệ số ghép nối ăng ten tạm thời cho tần số gần nhất, xác định tuân theo Phụ lục A, mục A.1.3.
Để phép đo chính xác khi thực hiện trên đầu nối ăng ten tạm thời trong băng 925 - 960 MHz, phải đưa vào hệ số ghép nối ăng ten tạm thời cho tần số gần nhất, xác định tuân theo Phụ lục A, mục A.1.3 đối với MS GSM 900. Đối với MS DCS 1800, sử dụng mức 0 dB.
Để phép đo chính xác khi thực hiện trên đầu nối ăng ten tạm thời trong băng 1 805 – 1 880 MHz, phải đưa vào hệ số ghép nối ăng ten tạm thời xác định tuân theo Phụ lục A, mục A.1.3 đối với MS DCS 1800. Đối với MS GSM 900, sử dụng mức 0 dB.
Các giá trị trong các bảng sau, tại các tần số được liệt kê từ tần số sóng mang (kHz), là mức công suất lớn nhất (dB) ứng với mỗi phép đo trong độ rộng băng
30 kHz trên sóng mang (tham khảo GSM 05.05, mục 4.2.1).
a) Đối với các dải biên điều chế ngoài cho đến độ lệch tần dưới 1800 kHz so với sóng mang (FT) đo được trong bước c), f), i), k), l) và m), mức công suất đo tính theo dB ứng với mức công suất đo được tại FT, đối với tất cả các loại MS, phải không vượt quá các giá trị cho trong Bảng 6 đối với GSM 900 hoặc Bảng 7 đối với DCS 1800 tùy theo công suất phát thực và độ lệch tần so với FT. Tuy nhiên, các trường hợp không đạt trong dải 600 kHz đến dưới 1 800 kHz thấp và cao hơn tần số sóng mang có thể tính vào các ngoại lệ cho phép như trong các yêu cầu đo kiểm c) bên dưới.
CHÚ THÍCH 1: Đối với các độ lệch tần số trong khoảng 100 kHz và 600 kHz, chỉ tiêu có được bằng phép nội suy tuyến tính giữa các điểm trong bảng với tần số tuyến tính và công suất tính bằng dB.
b) Đối với các dải biên điều chế với độ lệch 1 800 kHz so với sóng mang (FT) và lệch tới 2 MHz vượt quá biên băng tần phát tương ứng đo trong bước d), mức công suất đo được tính theo dB tương ứng với mức công suất đo tại FT phải không vượt quá các giá trị cho trong Bảng 8 tùy theo công suất phát thực, độ lệch tần so với FT và hệ thống của MS. Tuy nhiên bất kỳ trường hợp không đạt nào trong dải từ 1 800 kHz - 6 MHz trên và dưới tần số sóng mang có thể tính vào ngoại lệ trong yêu cầu đo kiểm c) bên dưới, và các trường hợp không đạt khác có thể tính theo ngoại lệ cho phép trong yêu cầu đo kiểm d) bên dưới.
c) Các trường hợp không đạt từ a) và b) trong tổ hợp dải tần 600 kHz đến
6 MHz cao hơn và thấp hơn tần số sóng mang phải được kiểm tra lại đối với độ phát xạ giả cho phép. Với một trong 3 ARFCN đã sử dụng, phát xạ giả cho phép trong trường hợp lên đến 3 băng 200 kHz có tâm là bội số nguyên của 200 kHz miễn là phát xạ giả không vượt quá -36 dBm. Các mức phát xạ giả đo trong độ rộng băng 30 kHz được mở rộng đến 2 băng 200 kHz có thể được tính với một trong hai băng 200 kHz để tối thiểu số lượng các băng 200 kHz chứa phát xạ giả.
d) Các trường hợp không đạt (từ bước b) vượt quá độ lệch 6 MHz so với tần số sóng mang phải được kiểm tra lại để đảm bảo mức phát xạ giả cho phép. Với mỗi một trong 3 ARFCN đã sử dụng, cho phép đến 12 phát xạ giả, miễn là mức phát xạ giả không vượt quá -36 dBm.
e) Các phát xạ giả của MS trong dải tần từ 925 - 935 MHz, 935 - 960 MHz
và 1 805 – 1 880 MHz đo trong bước d), đối với tất cả các loại MS, không được vượt quá các giá trị trong Bảng 9, riêng với 5 phép đo kiểm trong dải tần từ 925 - 960 MHz
và 5 phép đo trong dải từ 1 805 – 1 880 MHz mức cho phép đến -36 dBm.
f) Đối với dải biên suy giảm công suất trong các bước h), i) và k) các mức công suất không được vượt quá các giá trị cho trong Bảng 10 đối với GSM 900 hoặc Bảng 2.10 đối với DCS 1800.
CHÚ THÍCH 2: Các giá trị trên khác với các chỉ tiêu trong GSM 05.05 vì tại các mức công suất cao hơn nó là phổ điều chế được đo bằng phép đo giữ đỉnh. Các giới hạn được đưa ra trong bảng.
CHÚ THÍCH 3: Các giá trị trong Bảng 10 và Bảng 11 giả định, dùng phép đo giữ đỉnh, mức nhỏ nhất là 8 dB trên mức điều chế qui định, sử dụng kỹ thuật trung bình chọn độ rộng băng 30 kHz đối với độ lệch tần 400 kHz so với tần số sóng mang. Tại độ lệch tần 600 kHz và 1 200 kHz, sử dụng mức trên 6 dB và tại độ lệch tần 1 800 kHz sử dụng mức trên 3 dB. Các giá trị đối với độ lệch tần 1 800 kHz được giả định phổ độ rộng băng 30 kHz dùng chỉ tiêu điều chế tại dưới 1 800 kHz.
2.2.9. Công suất ra máy phát trong cấu hình đa khe GPRS
2.2.9.1. Định nghĩa và áp dụng
Công suất ra máy phát là giá trị công suất trung bình đưa ra trên ăng ten giả hoặc phát xạ từ ăng ten tích hợp của MS trong khoảng thời gian các bit thông tin hữu ích của một cụm được phát.
Các yêu cầu và các bước đo kiểm áp dụng cho các loại MS GSM 900, DCS 1800 và các MS đa băng có chức năng đa khe GPRS.
2.2.9.2. Các yêu cầu tuân thủ
a) Công suất ra lớn nhất của MS phải tuân theo GSM 05.05, 4.1.1, Bảng 1, tùy theo loại công suất, với dung sai +/-2 dB trong điều kiện đo kiểm bình thường;
b) Công suất ra lớn nhất của MS phải tuân theo GSM 05.05, 4.1.1, Bảng 1, tùy theo loại công suất, với dung sai +/-2,5 dB trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt;
c) Các mức điều khiển công suất cho công suất ra trung bình tuân theo GSM 05.05, mục 4.1.1, Bảng 3 đối với GSM 900 hoặc Bảng 4 đối với DCS 1800, từ mức điều khiển công suất nhỏ nhất đến lớn nhất tương ứng với từng loại MS (dung sai đối với công suất đầu ra lớn nhất xem yêu cầu tuân thủ a), với dung sai +/-3,4 hoặc 5 dB trong điều kiện đo kiểm bình thường;
d) Mức điều khiển công suất cho công suất đầu ra danh định tuân theo GSM 05.05, mục 4.1.1, Bảng 3 (đối với GSM 900) hoặc Bảng 4 (đối với DCS 1800), từ mức điều khiển công suất nhỏ nhất lên đến công suất đầu ra lớn nhất tương ứng với từng loại MS (dung sai đối với công suất đầu ra lớn nhất xem yêu cầu tuân thủ b), với dung sai +/-4,5 hoặc 6 dB trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt;
e) Công suất ra thực do MS phát tại các mức điều khiển công suất liên tục phải hình thành một chuỗi đều và khoảng cách giữa các mức điều khiển công suất phải là 2 +/-1,5 dB;
f) Mức công suất phát tương ứng với thời gian cho một cụm thông thường phải tuân theo mẫu công suất/thời gian trong GSM 05.05, Phụ lục B hình 1. Trong các cấu hình đa khe khi các cụm trong hai hoặc nhiều khe kế tiếp được phát thực trên cùng một tần số, mẫu trong Phụ lục B phải được tuân thủ tại phần hữu ích của mỗi cụm và tại điểm khởi đầu và kết thúc của dãy các cụm liên tục. Công suất ra trong chu kỳ phòng vệ giữa hai khe thời gian hoạt động kế tiếp phải không được vượt quá mức cho phép đối với phần hữu ích của khe thời gian thứ nhất hoặc mức cho phép đối với phần hữu ích của khe thời gian thứ hai cộng thêm 3 dB, lấy mức nào lớn nhất:
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.5.2;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.5.2.
g) Khi truy nhập trên kênh RACH hoặc PRACH vào một cell và trước khi nhận được các tham số điều khiển công suất đầu tiên trong khi chuyển tiếp gói trên PDCH, các MS GSM 900 và DCS 1800 loại 1 và loại 2 đều sử dụng mức điều khiển công suất được xác định bằng tham số GPRS_MS_TXPWR_MAX_CCH phát trên kênh PBCCH hoặc tham số MS_TXPWR_MAX_CCH phát trên kênh BCCH của cell. Khi nhận được tham số MS_TXPWR_MAX_CCH trên BCCH, các MS DCS 1800 loại 3 sẽ thêm vào giá trị POWER_OFFSET phát trên BCCH. Nếu MS_TXPWR_MAX_CCH hoặc tổng của MS_TXPWR_MAX_CCH cộng với POWER_OFFSET tương ứng không được MS hỗ trợ, MS sẽ hoạt động với mức điều khiển công suất gần nhất được hỗ trợ.
h) Mức công suất phát tương ứng với thời gian đối với cụm truy nhập ngẫu nhiên phải nằm trong phạm vi mẫu công suất/thời gian như trong GSM 05.05, Phụ lục B hình cuối.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, mục 4.5.2;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, mục 4.5.2.
2.2.9.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra mức công suất ra lớn nhất của MS trong cấu hình đa khe GPRS trong điều kiện đo kiểm bình thường nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.9.2.a).
b) Để thẩm tra mức công suất đầu ra lớn nhất của MS trong cấu hình đa khe GPRS trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.9.2.b).
c) Để thẩm tra tất cả các mức điều khiển công suất liên quan đến các loại MS được thực thi trong cấu hình đa khe GPRS và có các mức công suất nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.9.2.c) trong điều kiện đo kiểm bình thường.
d) Để thẩm tra tất cả các mức điều khiển công suất có các mức công suất ra trong điều kiện khắc nghiệt nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.9.2.d).
e) Để thẩm tra bước trong công suất ra do MS phát trong cấu hình đa khe GPRS tại các mức điều khiển công suất liên tục trong điều kiện bình thường nằm trong yêu cầu tuân thủ 2.2.9.2.e).
f) Để thẩm tra công suất ra theo thời gian khi gửi một cụm thông thường trong cấu hình đa khe GPRS nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.9.2.f):
- Trong điều kiện đo kiểm bình thường;
- Trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt.
g) Để thẩm tra MS trong cấu hình đa khe GPRS sử dụng mức điều khiển công suất lớn nhất tương ứng với loại công suất của nó nếu bị điều khiển tới một mức điều khiển công suất vượt quá loại công suất của MS đó.
h) Để thẩm tra công suất đầu ra theo thời gian khi gửi một cụm truy nhập nằm trong phạm vi yêu cầu tuân thủ 2.2.9.2.h) trong cấu hình đa khe GPRS:
- Trong điều kiện đo kiểm bình thường;
- Trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt.
2.2.9.4. Phương pháp đo kiểm
Có hai phương pháp đo kiểm dùng cho hai loại MS:
- MS có đầu nối ăng ten cố định.
- MS có ăng ten tích hợp, không nối được với ăng ten ngoài, trừ trường hợp gắn đầu nối đo kiểm tạm thời như bộ ghép đo.
CHÚ THÍCH: Hoạt động của MS trong hệ thống được quyết định chủ yếu bởi ăng ten, và đây là phép đo máy phát duy nhất trong Quy chuẩn sử dụng ăng ten tích hợp. Các nghiên cứu về phương pháp đo trên ăng ten tích hợp đang được hoàn thiện, quan tâm đến các điều kiện thực của MS.
a) Phương thức đo kiểm đối với MS có đầu nối ăng ten cố định
(1) Điều kiện ban đầu
SS thiết lập cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường trong cấu hình đa khe GPRS trên một kênh có ARFCN ở dải ARFCN giữa. Mức điều khiển công suất thiết lập đến mức điều khiển công suất lớn nhất, MS hoạt động với số khe đường lên lớn nhất. SS điều khiển mức công suất bằng cách thiết lập tham số điều khiển công suất ALPHA(a) của khe thời gian tương ứng bằng 0 và GAMA_TN (GCH) đến mức công suất mong muốn trong bản tin Paket Uplink Assignment (xem GSM 05.08, Phụ lục B.2), thiết lập tham số GPRS_MS TXPWR_MAX_CCH/MS TXPWR_MAX_CCH đến giá trị lớn nhất mà loại công suất của MS cần đo hỗ trợ. Đối với MS loại DCS 1800 tham số POWER_OFFSET đặt bằng 6 dB.
(2) Thủ tục đo kiểm
(2a) Đo công suất phát cụm thông thường
SS lấy các mẫu đo công suất phân bố đều trên thời gian tồn tại một cụm với tỷ lệ lấy mẫu tối thiểu là 2/T, trong đó T là khoảng thời gian tồn tại 1 bit. Các mẫu được xác định trong thời gian điều chế trên mỗi cụm. SS xác định tâm của 147 bit phát hữu ích (thời điểm chuyển tiếp từ bit 13 đến bit 14 của khe trung tâm), để làm chuẩn định thời.
Công suất ra máy phát được tính là giá trị trung bình của các mẫu trên 147 bit hữu ích. Nó cũng được sử dụng làm chuẩn 0 dB cho mẫu công suất/thời gian.
(2b) Đo quan hệ công suất/thời gian cụm thông thường
Dãy các mẫu công suất đo được trong bước (2a) được chuẩn theo thời gian tới điểm giữa của các bit phát hữu ích và chuẩn theo công suất đến chuẩn 0 dB, đã có trong bước (2a).
(2c) Lặp lại các bước (2a) và (2b) trên mỗi khe thời gian trong cấu hình đa khe với MS hoạt động ở mỗi mức điều khiển công suất xác định, kể cả mức không được MS hỗ trợ.
(2d) SS điều khiển MS đến mức điều khiển công suất lớn nhất được MS hỗ trợ, lặp lại các bước (2a) và (2b) trên mỗi khe thời gian trong cấu hình đa khe đối với ARFCN ở dải thấp và cao.
(2e) SS điều khiển MS đến mức điều khiển công suất lớn nhất trong khe thời gian đầu tiên được cấp phát trong cấu hình đa khe và tới mức điều khiển công suất nhỏ nhất trong khe thời gian thứ hai. Mọi khe thời gian được cấp phát tiếp theo được thiết lập đến mức điều khiển công suất lớn nhất. Các bước (2a), (2b) và các phép đo tương ứng trên mỗi khe thời gian trong cấu hình đa khe được lặp lại.
(2f) Đo công suất ra máy phát của cụm truy nhập
SS điều khiển MS tạo cụm truy nhập trên ARFCN ở dải ARFCN giữa. Việc tạo cụm truy nhập có thể thực hiện bằng thủ tục lựa chọn lại cell hoặc bằng thủ tục yêu cầu tài nguyên vô tuyến mới. Trong trường hợp thủ tục chọn lại cell, mức công suất chỉ thị trong bản tin PSI3 là mức điều khiển công suất lớn nhất được MS hỗ trợ. Trong trường hợp cụm truy nhập, MS sẽ sử dụng mức công suất chỉ thị trong tham số GPRS_MS_TXPWR_MAX_CCH. Nếu loại công suất của MS là DCS 1800 loại 3 và mức công suất được chỉ thị bởi tham số MS_TXPWR_MAX_CCH, MS phải sử dụng tham số POWER_OFFSET.
SS lấy các mẫu đo công suất phân bố đều trên khoảng thời gian cụm truy nhập như mô tả trong bước (2a). Tuy vậy trong trường hợp này SS xác định tâm của các bit hữu ích của cụm bằng cách nhận dạng thời điểm chuyển tiếp từ bit sau cùng của tín hiệu đồng bộ. Tâm của cụm là 5 bit dữ liệu trước điểm này và được sử dụng làm chuẩn định thời.
Công suất ra máy phát là giá trị trung bình của các mẫu trên 87 bit hữu ích của cụm. Nó cũng được sử dụng làm chuẩn 0 dB đối với mẫu công suất/thời gian.
(2g) Đo quan hệ công suất/thời gian cụm truy nhập
Chuỗi các mẫu công suất đã đo trong bước (2f) được chuẩn theo thời gian tới tâm của các bit phát hữu ích và chuẩn theo công suất tới chuẩn 0 dB, xác định trong bước (2f).
(2h) Tùy theo phương pháp điều khiển MS gửi cụm truy nhập trong bước (2f), SS gửi hoặc PACKET CELL CHANGE ORDER cùng với mức điều khiển công suất được thiết lập là 10 trong tham số PSI3 GPRS_MS_TXPWR_MAX_CCH hoặc nó thay đổi phần tử thông tin hệ thống (Gói) (GPRS) MS_TXPWR_MAX_CCH (đối với DCS 1800 là POWER_OFFSET) trên PBCCH/BCCH cell phục vụ để giới hạn công suất phát của MS trên cụm truy nhập đến mức điều khiển công suất 10
(+23 dBm đối với GSM 900 hoặc +10 dB đối với DCS 1800), sau đó lặp lại các bước từ (2f) đến (2g).
(2i) Lặp lại các bước (2a) đến (2h) trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt, riêng trong bước (2d) chỉ thực hiện cho mức điều khiển công suất 10 và mức điều khiển công suất nhỏ nhất của MS.
b) Phương thức đo kiểm đối với MS có ăng ten tích hợp
CHÚ THÍCH: Nếu MS có đầu nối ăng ten cố định, nghĩa là ăng ten có thể tháo rời được và có thể được nối đến trực tiếp đến SS, khi đó áp dụng phương pháp đo trong 2.2.9.4a).
Các bước đo trong mục này được thực hiện trên mẫu đo kiểm không biến đổi.
(1) Các điều kiện ban đầu
Đặt MS trong buồng đo không dội (Phụ lục A, mục A.1.2) hoặc trên vị trí đo kiểm ngoài trời, biệt lập, ở vị trí sử dụng bình thường, tại khoảng cách tối thiểu 3 m tính từ ăng ten đo và được nối với SS.
CHÚ THÍCH: Phương pháp đo kiểm đã mô tả ở trên dùng khi đo trong buồng đo không dội. Trong trường hợp đo kiểm ngoài trời, cần điều chỉnh độ cao ăng ten đo sao cho nhận được mức công suất lớn nhất trên cả ăng ten mẫu và ăng ten thay thế.
SS thiết lập cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường với cấu hình đa khe GPRS trên kênh có ARFCN nằm trong dải ARFCN giữa, mức điều khiển công suất thiết lập đến mức công suất lớn nhất và MS hoạt động trong số khe đường lên lớn nhất. SS điều khiển mức công suất bằng cách thiết lập tham số điều khiển công suất ALPHA(a) của khe thời gian có liên quan là 0 và GAMMA_TN(GCH) đến mức công suất như trong bản tin Packet Uplink Asignment (Closed Loop Control, GSM 05.08, Phụ lục B.2). GPRS_MS TXPWR_MAX_CCH / MS TXPWR_MAX_CCH được thiết lập đến giá trị lớn nhất mà loại công suất của MS cần đo hỗ trợ. Đối với MS loại DCS 1800, tham số POWER_OFSET đặt bằng 6 dB.
(2) Thủ tục đo kiểm
(2a) Với các điều kiện ban đầu thiết lập theo mục 2.2.9.4.a), thủ tục đo kiểm trong mục (2) của 2.2.9.4.a) được tiếp tục tới và bao gồm cả bước (2h), riêng trong bước (2a), khi thực hiện đo tại mức công suất lớn nhất đối với ARFCN khoảng thấp, giữa và cao, phép đo được thực hiện với 8 lần quay MS, góc quay là n*450, với n từ 0 đến 7.
Phép đo đã thực hiện là đo công suất ra máy phát thu được, chứ không phải là phép đo công suất ra máy phát, các giá trị đo công suất ra có thể có được như sau.
(2b) Đánh giá suy hao do vị trí đo kiểm để chuyển đổi theo tỷ lệ kết quả đo công suất ra thu được.
MS được thay bằng một ăng ten ngẫu cực nửa bước sóng, cộng hưởng tại tần số trung tâm của băng tần phát, và được nối với máy tạo sóng RF.
Tần số của máy tạo sóng RF được đặt bằng tần số của ARFCN sử dụng cho 24 phép đo ở bước (2a), công suất đầu ra được điều chỉnh để tái tạo lại các mức trung bình của công suất ra máy phát đã ghi ở bước (2a).
Ghi lại mỗi chỉ thị công suất từ máy tạo sóng (tính bằng W) đến ăng ten ngẫu cực nửa bước sóng. Ghi lại các giá trị này dưới dạng Pnc, trong đó n = hướng quay của MS và c = chỉ số kênh.
Tương ứng với mỗi chỉ số kênh, tính:
Từ đó: Pac (Tx dBm) = 10lg(Pac) + 30 + 2,15
Đối với một trong 3 kênh, độ lệch giữa công suất ra máy phát thực lấy trung bình theo 8 vị trí hướng đo và công suất ra máy phát có được ở hướng n = 0 được sử dụng để chuyển đổi theo tỷ lệ các kết quả đo thu được sang công suất ra máy phát thực đối với tất cả các mức điều khiển công suất được đo và ARFCN để sau đó được kiểm tra đối chiếu với các yêu cầu.
(2c) Các hệ số hiệu chỉnh đầu nối ăng ten tạm thời (phát)
Một mẫu đo kiểm biến đổi với một bộ đầu nối ăng ten tạm thời được đặt trong buồng đo kiểm có điều kiện và được nối với SS bằng đầu nối ăng ten tạm thời.
Trong điều kiện đo kiểm bình thường, phép đo công suất và các phần tính toán trong các bước từ (2a) đến (2i) mục (2) của 2.2.9.4a) được lặp lại, riêng trong bước (2d) chỉ được thực hiện với mức điều khiển công suất 10 và mức điều khiển công suất nhỏ nhất của MS.
CHÚ THÍCH: Các giá trị ghi lại ở bước này liên quan đến các mức công suất sóng mang đầu ra máy phát trong điều kiện đo kiểm bình thường đã xác định sau bước b). Do đó xác định được hệ số hiệu chỉnh phụ thuộc tần số tính cho hiệu ứng của đầu nối ăng ten tạm thời.
(2d) Phép đo trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt
CHÚ THÍCH: Về cơ bản, thủ tục đo kiểm trong điều kiện khắc nghiệt là:
Mẫu công suất/thời gian được đo kiểm theo cách thông thường;
Công suất phát xạ được đo theo cách khác với công suất phát xạ trong điều kiện đo kiểm bình thường.
Trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt, lặp lại các bước (2a) đến (2h) trong mục (2) của 2.2.9.4a) riêng trong bước (2d) chỉ thực hiện cho mức điều khiển công suất 10 và mức điều khiển công suất nhỏ nhất của MS.
Công suất ra máy phát trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt được tính cho mỗi loại cụm, mức điều khiển công suất và mỗi tần số sử dụng bằng cách thêm vào các hệ số hiệu chỉnh phụ thuộc tần số xác định trong bước c), đối với các giá trị trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt ở bước này.
2.2.9.5. Các yêu cầu đo kiểm
a) Trong tổ hợp các điều kiện đo kiểm bình thường và khắc nghiệt, công suất ra máy phát đối với các cụm thông thường và cụm truy nhập tại mỗi tần số và tại mỗi mức điều khiển công suất áp dụng cho loại công suất của MS phải tuân theo Bảng 3 hoặc Bảng 4.
b) Chênh lệch công suất ra máy phát giữa hai mức điều khiển công suất lân cận, đo tại cùng một tần số, không được nhỏ hơn 0,5 dB và không được lớn hơn
3,5 dB.
c) Quan hệ công suất/thời gian của các mẫu đo đối với các cụm thông thường phải nằm trong giới hạn mẫu công suất thời gian trong Hình 1 tại mỗi tần số, trong mỗi tổ hợp các điều kiện đo kiểm bình thường và khắc nghiệt tại mỗi mức điều khiển công suất được đo.
d) MS phải được đo kiểm tại tất cả các mức điều khiển công suất đối với từng kiểu và loại công suất MS do nhà sản xuất khai báo.
e) Khi máy phát được điều khiển đến mức điều khiển ngoài khả năng công suất của MS do nhà sản xuất công bố thì công suất ra máy phát phải nằm trong phạm vi dung sai đối với mức điều khiển công suất gần nhất tương ứng với kiểu và loại công suất do nhà sản xuất công bố.
f) Quan hệ thời gian/công suất của các mẫu đo đối với các cụm truy nhập phải nằm trong giới hạn mẫu thời gian công suất trong Hình 2 tại mỗi tần số, trong các tổ hợp các điều kiện đo kiểm bình thường và khắc nghiệt và tại mỗi mức điều khiển công suất đã được đo.
2.2.10. Phổ RF đầu ra trong cấu hình đa khe GPRS
2.2.10.1. Định nghĩa và áp dụng
Phổ RF đầu ra là mối quan hệ giữa độ lệch tần số với sóng mang và công suất, được đo trong thời gian và độ rộng băng xác định, phát sinh từ MS do ảnh hưởng của điều chế và đột biến công suất.
Các yêu cầu và phép đo này áp dụng cho các MS loại GSM 900, DCS 1800 và các MS đa băng có chức năng GPRS.
2.2.10.2. Yêu cầu tuân thủ
a) Mức phổ RF đầu ra do điều chế phải không vượt quá các mức đã chỉ ra trong GSM 05.05, mục 4.2.1, Bảng a) đối với GSM 900 và Bảng b) đối với DCS 1800, với giới hạn nhỏ nhất cho phép như sau:
- -36 dBm đối với độ lệch nhỏ hơn 600 kHz so với sóng mang.
- -51 dBm đối với GSM 900 hoặc -56 dBm đối với DCS 1800 với độ lệch từ trên 600 kHz đến dưới 1 800 kHz so với sóng mang.
- -46 dBm đối với GSM 900 hoặc -51 dBm đối với DCS 1800 với độ lệch trên 1 800 kHz so với tần số sóng mang.
Các trường hợp ngoại lệ sau lấy giá trị tới -36 dBm:
- Trong dải từ 600 kHz – 6 000 kHz cao hoặc thấp hơn tần số sóng mang và lên đến 3 băng 200 kHz có tâm ở tần số là bội số nguyên của 200 kHz.
- Với độ lệch trên 6 000 kHz so với sóng mang và lên tới 12 băng 200 kHz có tâm ở tần số là bội số nguyên của 200 kHz.
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.2.1;
- Trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.2.1.
b) Mức phổ RF đầu ra do đột biến chuyển mạch không được vượt quá mức đã cho trong GSM 05.05, 4.2.2, Bảng “a) máy di động:".
- Trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.2.2;
- Trong điều kiện khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.2.2.
c) Khi được cấp phát kênh, công suất do MS phát trong dải tần từ 935 -
960 MHz không được vượt quá -79 dBm, trong dải tần 925 - 935 MHz không được vượt quá -67 dBm và trong dải tần từ 1 805 – 1 880 MHz không được vượt quá
-71 dBm, trừ 5 phép đo trong mỗi dải tần từ 925 - 960 MHz và 1 805 – 1 880 MHz chấp nhận mức ngoại lệ lên tới -36 dBm. trong điều kiện bình thường; GSM 05.05, 4.3.3.
2.2.10.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra phổ RF đầu ra do điều chế trong cấu hình đa khe GPRS không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.10.2.a).
- Trong điều kiện đo kiểm bình thường ;
- Trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt.
b) Để thẩm tra phổ RF ra do đột biến chuyển mạch trong cấu hình đa khe GPRS không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.10.2.b) với độ dự phòng cho phép đối với hiệu ứng phổ do điều chế.
- Trong điều kiện bình thường;
- Trong điều kiện khắc nghiệt.
c) Để thẩm tra mức bức xạ tạp của MS trong băng tần thu không vượt quá yêu cầu tuân thủ 2.2.10.2.c) trong cấu hình đa khe GPRS.
2.2.10.4. Phương thức đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Cuộc gọi được thiết lập theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường cho cấu hình đa khe GPRS với số khe đường lên lớn nhất.
SS điều khiển MS hoạt động trong chế độ nhảy tần. Mẫu nhảy tần chỉ có 3 kênh, kênh ARFCN thứ nhất ở dải ARFCN thấp, kênh ARFCN thứ hai trong dải ARFCN giữa và kênh ARFCN thứ ba trong dải ARFCN cao.
SS điều khiển MS đấu vòng đa khe theo kiểu G (xem GSM 04.14 mục 5.2) để thiết lập một mẫu ngẫu nhiên xác định cho máy phát.
SS gửi tín hiệu đo kiểm chuẩn C1 (Phụ lục A, mục A.6) đến MS với mức 23 dBmVemf().
CHÚ THÍCH 1: Mặc dù phép đo được thực hiện khi MS trong chế độ nhảy tần, nhưng mỗi phép đo được thực hiện trên 1 kênh riêng biệt.
CHÚ THÍCH 2: Bước đo này được chỉ định trong chế độ nhảy tần như là một cách đơn giản để cho MS chuyển kênh, phép đo có thể thực hiện được trong chế độ không nhảy tần và chuyển giao MS giữa 3 kênh đo kiểm tại thời điểm thích hợp.
b) Thủ tục đo kiểm
CHÚ THÍCH: Khi phép lấy trung bình được sử dụng trong chế độ nhảy tần, giá trị trung bình chỉ gồm các cụm phát khi sóng mang nhảy tần tương ứng với sóng mang danh định của máy đo.
(1) Trong các bước từ (2) đến (8), FT được đặt bằng ARFCN của mẫu nhảy tần ở dải ARFCN giữa.
(2) Máy phân tích phổ thiết lập như sau:
- Quét tần số Zero
- Độ rộng băng phân giải: 30 kHz
- Độ rộng băng Video: 30 kHz
- Giá trị trung bình Video: có thể được sử dụng, tùy thuộc vào phép đo.
Tín hiệu video của máy phân tích phổ được “chọn” sao cho phổ tạo ra bởi tối thiểu 40 bit trong dải bit từ 87 đến 132 của cụm trên một khe thời gian hoạt động là phổ duy nhất được đo. Việc chọn có thể là số hoặc tương tự tùy vào máy phân tích phổ. Chỉ xét kết quả đo tại các cụm phát trên sóng mang danh định của máy đo. Máy phân tích phổ tính trung bình qua chu kỳ chọn trên 200 hoặc 50 cụm, sử dụng phép tính trung bình theo số và/hoặc hình ảnh.
(3) Điều chỉnh tần số trung tâm của máy phân tích phổ đến các tần số đo để đo mức công suất trên 50 cụm tại các bội số của độ lệch tần 30 kHz so với FT đến dưới 1 800 kHz.
(4) Độ phân giải và độ rộng băng video của máy phân tích phổ được điều chỉnh đến 100 kHz và thực hiện các phép đo tại các tần số sau:
- Trên mỗi ARFCN từ độ lệch 1 800 kHz so với sóng mang đến biên của băng tần phát liên quan cho mỗi phép đo trên 50 cụm.
- Tại các băng 200 kHz vượt quá 2 MHz mỗi biên của băng tần phát liên quan đối với mỗi phép đo trên 50 cụm.
- Tại các băng 200 kHz trên dải 925 - 960 MHz đối với mỗi phép đo trên
50 cụm.
- Tại các băng 200 kHz trên dải 1 805 – 1 880 MHz đối với mỗi phép đo trên 50 cụm.
(5) MS được điều khiển đến mức công suất nhỏ nhất. Thiết lập lại máy phân tích phổ như bước (2).
(6) Điều chỉnh tần số trung tâm của máy phân tích phổ đến các tần số đo để đo mức công suất qua 200 cụm tại các tần số sau:
FT
FT + 100 kHz FT - 100 kHz
FT + 200 kHz FT - 200 kHz
FT + 250 kHz FT - 250 kHz
FT + 200 kHz * N FT - 200 kHz * N
Với N = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8. FT = tần số trung tâm danh định của kênh RF.
(7) Lặp lại các bước (1) đến (6), riêng trong bước (1), máy phân tích phổ được chọn sao cho đo được khe thời gian hoạt động tiếp theo.
(8) Thiết lập máy phân tích phổ như sau:
- Quét tần số Zero
- Độ rộng băng phân giải: 30 kHz
- Độ rộng băng Video: 100 kHz
- Giữ đỉnh
Tắt chế độ chọn tín hiệu của máy phân tích phổ.
Điều khiển MS đến mức công suất lớn nhất trên mỗi khe thời gian phát.
(9) Điều chỉnh tần số trung tâm của máy phân tích phổ đến các tần số đo để đo các mức công suất tại các tần số sau:
FT + 400 kHz FT - 400 kHz
FT + 600 kHz FT - 600 kHz
FT + 1,2 MHz FT - 1,2 MHz
FT + 1,8 MHz FT - 1,8 MHz
FT = tần số trung tâm danh định của kênh RF.
Thời gian mỗi phép đo (tại mỗi tần số) phải đủ lớn để bao trùm tối thiểu 10 cụm phát tại FT.
(10) Lặp lại bước (9) cho các mức công suất 7 và 11.
(11) Lặp lại các bước (2), (6), (8) và (9) với FT đặt bằng ARFCN của mẫu nhảy tần ở dải ARFCN thấp, riêng trong bước (8), điều khiển MS đến mức điều khiển công suất 11 thay vì để ở mức công suất lớn nhất.
(12) Lặp lại các bước (2), (6), (8) và (9) với FT bằng ARFCN của mẫu nhảy tần ở dải ARFCN cao, riêng trong bước (8), điều khiển MS đến mức điều khiển công suất 11 thay vì để ở mức công suất lớn nhất.
(13) Lặp lại các bước (1), (2), (6), (8) và (9) trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2.3), riêng trong bước (7) điều khiển MS đến mức công suất 11.
2.2.10.5. Yêu cầu đo kiểm
Để phép đo được chính xác khi thực hiện với đầu nối ăng ten tạm thời, trong băng 880 - 915 MHz hoặc 1 710 – 1 785 MHz, phải đưa vào hệ số ghép nối ăng ten tạm thời cho tần số thích hợp gần nhất, xác định tuân theo 2.2.7.4b) và Phụ lục A, mục A.1.3.
Để phép đo được chính xác khi thực hiện với ăng ten tạm thời, trong băng tần 925 - 960 MHz, phải đưa vào hệ số ghép ăng ten tạm thời như xác định được trong Phụ lục A, mục A.1.3 đối với MS loại GSM 900. Đối với DCS 1800, sử dụng mức 0 dB.
Để phép đo được chính xác khi thực hiện với đầu nối ăng ten tạm thời, trong băng tần 1 805 – 1 880 MHz, phải sử dụng hệ số ghép ăng ten tạm thời xác định trong Phụ lục A, mục A.1.3 đối với DCS 1800. Đối với GSM 900, phải sử dụng mức 0 dB.
Các số liệu trong các bảng từ 6 đến 11, bên cạnh các tần số được liệt kê theo sóng mang (kHz), là mức công suất lớn nhất (tính bằng dB) ứng với phép đo trong độ rộng băng 30 kHz trên sóng mang (xem GSM 05.05, mục 4.2.1).
a) Đối với dải biên điều chế bên ngoài và đến độ lệch dưới 1800 kHz so với sóng mang (FT) đã đo trong bước c), f), i), k), l) và m), mức công suất tính theo dB ứng với mức công suất đo được tại FT, đối với các loại MS, không được vượt quá các giá trị trong Bảng 6 đối với GSM 900 hoặc Bảng 7 đối với DCS 1800 tùy theo công suất phát thực và độ lệch tần so với FT. Tuy nhiên, các trường hợp không đạt trong tổ hợp dải từ 600 kHz đến <1 800 kHz trên và dưới tần số sóng mang có thể tính vào ngoại lệ cho phép trong các yêu cầu đo kiểm c) bên dưới.
CHÚ THÍCH 1: Đối với các độ lệch tần số trong khoảng 100 kHz và 600 kHz, chỉ tiêu có được bằng phép nội suy tuyến tính giữa các điểm trong bảng với tần số tuyến tính và công suất tính bằng dB.
b) Đối với các dải biên điều chế từ độ lệch 1 800 kHz so với sóng mang và đến 2 MHz vượt quá biên của băng tần phát tương ứng, đo trong bước d), mức công suất tính bằng dB tương ứng so với mức công suất đo tại FT, không được lớn hơn các giá trị trong Bảng 8, tùy theo công suất phát thực, độ lệch tần so với FT và hệ thống được thiết kế cho MS hoạt động. Tuy nhiên các trường hợp không đạt trong tổ hợp dải từ 1 800 kHz – 6 MHz trên và dưới tần số sóng mang có thể được tính vào ngoại lệ cho phép trong yêu cầu đo kiểm c) bên dưới, và các lỗi khác có thể được tính vào ngoại lệ cho phép trong yêu cầu đo kiểm d) bên dưới.
c) Các trường hợp không đạt (từ bước a) và b) ở trên) trong dải tổ hợp 600 kHz đến 6 MHz trên và dưới sóng mang phải được kiểm tra lại đối với phát xạ giả cho phép. Đối với một trong 3 ARFCN sử dụng, phát xạ giả cho phép trong trường hợp lên đến 3 băng 200 kHz có tâm là bội số nguyên của 200 kHz miễn là phát xạ giả không vượt quá -36 dBm. Các mức phát xạ giả đo trong độ rộng băng 30 kHz được mở rộng đến 2 băng 200 kHz có thể được tính với một trong hai băng 200 kHz để tối thiểu số lượng các băng 200 kHz chứa bức xạ tạp.
d) Các trường hợp không đạt (từ bước b ở trên) vượt quá độ lệch 6 MHz so với sóng mang phải được kiểm tra lại để đảm bảo mức phát xạ giả được phép. Đối với mỗi một trong 3 ARFCN sử dụng, cho phép đến 12 phát xạ giả, miễn là mức phát xạ giả không vượt quá -36 dBm.
e) Các phát xạ giả của MS trong dải 925 - 935 MHz, 935 - 960 MHz và 1 805 – 1 880 MHz đo trong bước d), đối với tất cả các loại MS, không được vượt quá các giá trị trong Bảng 9 trừ 5 phép đo trong dải tần từ 925 - 960 MHz và 5 phép đo trong dải từ 1 805 – 1 880 MHz, ở đó mức cho phép lên đến -36 dBm.
f) Đối với các dải biên suy giảm công suất của các bước h), i) và k), các mức công suất không được vượt quá các giá trị trong Bảng 10 đối với GSM 900 hoặc Bảng 11 đối với DCS 1800.
CHÚ THÍCH 2: Các giá trị này khác với các yêu cầu trong GSM 05.05 vì tại các mức công suất cao hơn nó là phổ điều chế đo được bằng phép đo giữ đỉnh. Các hạn định này được đưa ra trong bảng.
CHÚ THÍCH 3: Các giá trị trong Bảng 10 và Bảng 11 với giả định dùng phép đo giữ đỉnh, cho phép mức nhỏ nhất là 8 dB trên mức điều chế qui định sử dụng kỹ thuật trung bình chọn độ rộng băng 30 kHz có độ lệch 400 kHz so với sóng mang. Tại độ lệch 600 kHz và 1 200 kHz, sử dụng mức trên 6 dB và tại độ lệch 1 800 kHz sử dụng mức trên 3 dB. Các giá trị đối với độ lệch 1 800 kHz với giả định phổ điều chế độ rộng băng 30 kHz dùng chỉ tiêu điều chế tại <1 800 kHz.
2.2.11. Phát xạ giả dẫn khi MS được cấp phát kênh
2.2.11.1. Định nghĩa và áp dụng
Phát xạ giả dẫn khi MS được cấp phát kênh là các phát xạ từ đầu nối
ăng ten tại các tần số khác với tần số sóng mang và các dải biên kết hợp với điều chế danh định.
Các yêu cầu và các bước đo kiểm này áp dụng cho các MS loại GSM 900 và DCS 1800 có đầu nối ăng ten cố định.
2.2.11.2. Yêu cầu tuân thủ
Công suất phát xạ giả dẫn của MS khi được cấp phát kênh không được vượt quá các giá trị trong Bảng 12.
- Trong điều kiện điện áp bình thường; GSM 05.05, 4.3/4.3.3.
- Trong điều kiện điện áp khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.3/4.3.3.
Bảng 12
Dải tần |
Mức công suất tính bằng dB |
|
GSM 900 |
DCS 1800 |
|
9 kHz đến 1 GHz 1 GHz đến 12,75 GHz 1 GHz đến 1 710 MHz 1 710 MHz đến 1 785 MHz 1 785 MHz đến 12,75 GHz |
-36 -30 |
-36
-30 -36 -30 |
2.2.11.3. Mục đích đo kiểm
Để thẩm tra các phát xạ giả dẫn khi MS được cấp phát kênh trong dải
100 kHz - 12,75 GHz (trừ các băng tần thu của MS loại GSM 900 và DCS 1800) không vượt quá các yêu cầu tuân thủ.
- Trong điều kiện điện áp bình thường.
- Trong điều kiện điện áp khắc nghiệt.
CHÚ THÍCH: Dải 9 - 100 kHz không được đo, vì khó thực hiện.
2.2.11.4. Phương thức đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
SS thiết lập cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường trên một kênh ở khoảng giữa của ARFCN.
SS điều khiển MS nối vòng từ đầu ra bộ giải mã kênh đến đầu vào bộ mã hóa kênh.
SS phát tín hiệu đo kiểm chuẩn C1.
SS điều khiển MS hoạt động tại mức công suất ra lớn nhất cho phép.
b) Thủ tục đo kiểm
(1) Các phép đo được thực hiện trong băng tần 100 kHz - 12,75 GHz. Các mức phát xạ giả đo tại đầu nối của máy thu phát là mức công suất của các tín hiệu rời rạc bất kỳ, cao hơn các mức yêu cầu trong Bảng 12 là -6 dB, với tải 50 W.
Độ rộng băng đo dựa vào bộ lọc đồng chỉnh 5 cực tuân theo Bảng 13. Mức công suất chỉ thị là công suất đỉnh được xác định bằng hệ thống đo kiểm.
Phép đo trên mọi tần số phải được thực hiện tối thiểu trong khoảng thời gian của một khung TDMA, không kể khung rỗi.
CHÚ THÍCH: Trong Quy chuẩn này, cả thời gian kích hoạt (MS phát) và thời gian tĩnh đều được đo.
(2) Lặp lại bước đo trong điều kiện điện áp khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2).
Bảng 13
Dải tần |
Độ lệch tần số |
Độ rộng băng của bộ lọc |
Độ rộng băng video gần đúng |
100 kHz đến 50 MHz |
- |
10 kHz |
30 kHz |
50 đến 500 MHz |
- |
100 kHz |
300 kHz |
500 MHz đến 12,75 GHz, Loại trừ dải tần TX: P-GSM: 890 đến 915 MHz; DCS: 1 710 đến 1 785 MHz, loại trừ dải tần Rx: 935 đến 960 MHz; 1 805 đến 1 880 MHz. |
0 đến 10 MHz ≥ 10 MHz ≥ 20 MHz ≥ 30 MHz (Độ lệch tần từ biên của dải tần TX liên quan) |
100 kHz 300 kHz 1 MHz 3 MHz
|
300 kHz 1 MHz 3 MHz 3 MHz
|
Dải tần TX liên quan: P-GSM: 890 đến 915 MHz DCS: 1 710 đến 1 785 MHz |
1,8 đến 6,0 MHz > 6,0 MHz (độ dịch tần so với sóng mang) |
30 kHz 100 kHz |
100 kHz 300 kHz |
CHÚ THÍCH 1: Các băng tần từ 935 - 960 MHz và 1 805 – 1 880 MHz được loại trừ vì các băng tần này đã đo trong 2.2.6.
CHÚ THÍCH 2: Độ rộng băng bộ lọc và độ rộng băng video và các độ lệch tần chỉ đúng khi đo MS phát trên một kênh ở khoảng giữa của ARFCN.
CHÚ THÍCH 3: Thực tế giới hạn lớn nhất của độ rộng băng video là 3 MHz.
2.2.11.5. Yêu cầu đo kiểm
Công suất phát xạ giả không được lớn hơn các giá trị trong Bảng 14.
Bảng 14
Dải tần số |
Mức công suất tính bằng dB |
|
|
GSM 900 |
DCS 1800 |
100 kHz đến 1 GHz 1 GHz đến 12,75 GHz 1 GHz đến 1710 MHz 1 710 MHz đến 1 785 MHz 1 785 MHz đến 12,75 GHz |
-36 -30 |
-36
-30 -36 -30 |
2.2.12. Phát xạ giả dẫn khi MS trong chế độ rỗi
2.2.12.1. Định nghĩa và áp dụng
Phát xạ giả dẫn là mọi phát xạ bất kỳ từ đầu nối ăng ten khi MS trong chế độ rỗi.
Các yêu cầu và bước đo kiểm này áp dụng cho các MS loại GSM 900 và DCS 1800 có đầu nối ăng ten cố định.
2.2.12.2. Yêu cầu tuân thủ
Công suất phát xạ truyền dẫn do MS phát trong chế độ rỗi, không được vượt quá các giá trị trong Bảng 15.
- Trong điều kiện điện áp bình thường; GSM 05.05, 4.3/4.3.3.
- Trong điều kiện điện áp khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.3/4.3.3.
Bảng 15
Dải tần |
Mức công suất tính bằng dBm |
9 kHz đến 880 MHz 880 MHz đến 915 MHz 915 MHz đến 1 000 MHz 1 GHz đến 1 710 MHz 1 710 MHz đến 1 785 MHz 1 785 MHz đến 12,75 GHz |
-57 -59 -57 -47 -53 -47 |
2.2.12.3. Mục đích đo kiểm
Để thẩm tra mức phát xạ giả dẫn từ MS khi trong chế độ rỗi, trong băng tần từ 100 kHz tới 12,75 GHz, không vượt quá các yêu cầu tuân thủ.
- Trong điều kiện điện áp bình thường;
- Trong điều kiện điện áp khắc nghiệt.
CHÚ THÍCH: Dải tần 9 - 100 kHz không được đo vì khó thực hiện.
2.2.12.4. Phương thức đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Nội dung bản tin BCCH từ cell phục vụ phải đảm bảo là tham số Periodic Location Updating không được sử dụng và chế độ tìm gọi liên tục được thiết lập là Paging Reorganization và tham số BS_AG_BLKS_RES được thiết lập là 0 để máy thu MS hoạt động liên tục.
CCCH_CONF phải thiết lập là 000. Kênh vật lý cơ sở 1 sử dụng cho CCCH không được kết hợp với các SDCCH.
Việc cấp phát BCCH hoặc là trống hoặc chỉ chứa BCCH của cell phục vụ.
CHÚ THÍCH: Điều kiện này để cho máy thu không quét sang ARFCN khác. Việc quét sang ARFCN khác có thể dẫn đến việc dịch chuyển tần số phát xạ và do đó hoặc không đo được mức phát xạ giả hoặc đo không chính xác.
MS trong trạng thái MM “rỗi, cập nhật”.
b) Thủ tục đo kiểm
(1) Các phép đo được thực hiện trong dải tần từ 100 kHz tới 12,75 GHz. Phát xạ giả là mức công suất của tín hiệu rời rạc, lớn hơn yêu cầu tuân thủ trong Bảng 15 là -6 dB, với tải 50 W.
Độ rộng băng đo dựa vào bộ lọc đồng chỉnh 5 cực tuân theo Bảng 16. Mức công suất chỉ thị là công suất đỉnh được xác định bằng hệ thống đo kiểm.
Thời gian đo ở mọi tần số phải bao gồm cả khoảng thời gian MS nhận một khung TDMA chứa kênh tìm gọi.
Bảng 16
Dải tần số |
Độ rộng băng của bộ lọc |
Độ rộng băng Video |
100 kHz đến 50 MHz |
10 kHz |
30 kHz |
50 MHz đến 12,75 GHz |
100 kHz |
300 kHz |
(2) Lặp lại phép đo trong điều kiện điện áp khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2).
2.2.12.5. Yêu cầu đo kiểm
Công suất phát xạ giả bất kỳ không được vượt quá các giá trị trong Bảng 17.
Bảng 17
Dải tần số |
Mức công suất tính bằng dB |
100 kHz đến 880 MHz 880 MHz đến 915 MHz 915 MHz đến 1 000 MHz 1 GHz đến 1 710 MHz 1 710 MHz đến 1 785 MHz 1 785 MHz đến 12,75 GHz |
-57 -59 -57 -47 -53 -47 |
2.2.13. Phát xạ giả bức xạ khi MS được cấp phát kênh
2.2.13.1. Định nghĩa và áp dụng
Phát xạ giả bức xạ khi MS được cấp phát kênh là các phát xạ bức xạ từ vỏ và kết cấu của MS, kể cả cáp nối.
Phát xạ giả bức xạ cũng được hiểu là "bức xạ vỏ máy".
Các yêu cầu được áp dụng cho các MS loại GSM 900 và DCS 1800. Các phép đo áp dụng cho các MS GSM 900 và DCS 1800, trừ phép đo tại điện áp khắc nghiệt vì không thực hiện được "kết nối thích hợp" với nguồn cấp điện ngoài.
CHÚ THÍCH: "Kết nối thích hợp" được hiểu là có thể nối nguồn điện áp khắc nghiệt vào MS mà không gây trở ngại về cấu hình MS, vì có thể làm cho phép đo mất hiệu lực.
2.2.13.2. Yêu cầu tuân thủ
a) Công suất phát xạ giả bức xạ từ MS khi được cấp phát kênh không được lớn hơn các giá trị trong Bảng 18 trong điều kiện điện áp bình thường; GSM 05.05, 4.3/4.3.3.
b) Công suất phát xạ giả bức xạ từ MS khi cấp phát kênh không được lớn hơn các giá trị trong Bảng 18 trong điều kiện điện áp khắc nghiệt; GSM 05.05, 4.3/4.3.3.
Bảng 18
Dải tần số |
Mức công suất tính bằng dBm |
|
|
GSM 900 |
DCS 1800 |
100 kHz đến 1 GHz 1 GHz đến 12,75 GHz 1 GHz đến 1 710 MHz 1 710 MHz đến 1 785 MHz 1 785 MHz đến 12,75 GHz |
-36 -30 |
-36
-30 -36 -30 |
2.2.13.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra mức phát xạ giả bức xạ từ MS khi được cấp phát kênh không vượt quá yêu cầu tuân thủ trong điều kiện điện áp bình thường.
b) Để thẩm tra các mức phát xạ giả bức xạ từ MS khi được cấp phát kênh không vượt quá các yêu cầu tuân thủ trong điều kiện điện áp khắc nghiệt.
2.2.13.4. Phương thức đo kiểm
a) Điều kiện ban đầu
SS thiết lập cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường trên một kênh ở khoảng giữa của ARFCN.
CHÚ THÍCH: Nguồn cung cấp phải nối với MS sao cho cấu hình vật lý không ảnh hưởng đến phép đo. Cụ thể hộp pin của MS không được tháo ra khỏi máy. Trong trường hợp không thực hiện được “kết nối thích hợp” đến nguồn cấp điện, phải sử dụng nguồn pin qui định cho MS.
SS điều khiển MS đấu vòng đầu ra bộ giải mã kênh với đầu vào bộ mã hóa kênh.
SS phát tín hiệu đo chuẩn C1.
SS điều khiển MS hoạt động tại mức công suất ra lớn nhất.
b) Thủ tục đo kiểm
(1) Ban đầu ăng ten kiểm tra được gắn chặt với MS, phát xạ giả bức xạ bất kỳ từ MS được xác định bằng ăng ten đo và máy thu trong dải 30 MHz - 4 GHz.
CHÚ THÍCH: Đây là bước định tính để xác định tần số và sự hiện diện của phát xạ giả cần đo trong bước tiếp theo.
(2) Đặt ăng ten đo tại khoảng cách đo thích hợp và tại mỗi tần số cần xác định phát xạ, Quay MS sao cho có được đáp ứng lớn nhất và công suất bức xạ hiệu dụng của phát xạ được xác định qua phép đo thay thế. Trong trường hợp buồng đo không dội, việc hiệu chuẩn trước có thể sử dụng thay cho phép đo thay thế.
(3) Độ rộng băng đo dựa vào bộ lọc đồng chỉnh 5 cực thiết lập tuân theo Bảng 19. Công suất chỉ thị là công suất đỉnh được xác định bằng hệ thống đo kiểm.
Việc đo kiểm trên mọi tần số phải được thực hiện trong khoảng thời gian tối thiểu một chu kỳ khung TDMA, không kể khung rỗi.
CHÚ THÍCH 1: Theo Quy chuẩn này, cả thời gian hoạt động (MS phát) và thời gian tĩnh đều được đo.
CHÚ THÍCH 2: Đối với các độ rộng băng của bộ lọc, có thể gặp một số khó khăn với tạp âm nền trên mức giới hạn đo qui định. Điều này phụ thuộc vào độ tăng ích của ăng ten đo, và việc điều chỉnh độ rộng băng của hệ thống đo. Để cho phù hợp, các tần số đo kiểm trên 900 MHz, khoảng cách ăng ten đến MS có thể được giảm tới 1 m.
(4) Lặp lại phép đo với ăng ten đo trên mặt phẳng phân cực trực giao.
(5) Phép đo được lặp lại trong điều kiện điện áp khắc nghiệt (Phụ lục A, mục A.2).
Bảng 19
Dải tần |
Độ lệch tần số |
Độ rộng băng của bộ lọc |
Độ rộng băng video gần đúng |
30 đến 50 MHz |
- |
10 kHz |
30 kHz |
50 đến 500 MHz |
- |
100 kHz |
300 kHz |
500 MHz đến 4 GHz,
Loại trừ dải tần TX: P-GSM: 890 đến 915 MHz; DCS: 1 710 đến 1 785 MHz. |
0 đến 10 MHz ³ 10 MHz ³ 20 MHz ³ 30 MHz (Độ lệch tần từ biên của dải tần TX liên quan) |
100 kHz 300 kHz 1 MHz 3 MHz
|
300 kHz 1 MHz 3 MHz 3 MHz
|
Dải tần TX liên quan: P-GSM: 890 đến 915 MHz DCS: 1 710 đến 1 785 MHz |
1,8 đến 6,0 MHz > 6,0 MHz (độ dịch từ tần số sóng mang) |
30 kHz 100 kHz |
100 kHz 300 kHz |
CHÚ THÍCH 1: Độ rộng băng bộ lọc, độ rộng băng video và độ lệch tần số chỉ đúng đối với các phép đo khi MS phát trên kênh ở khoảng giữa của ARFCN.
CHÚ THÍCH 2: Trên thực tế độ rộng băng video bị hạn chế đến tối đa là 3 MHz.
2.2.13.5. Yêu cầu đo kiểm
Công suất phát xạ giả không được vượt quá các giá trị trong Bảng 18.
2.2.14. Phát xạ giả bức xạ khi MS trong chế độ rỗi
2.2.14.1. Định nghĩa và áp dụng
Phát xạ giả bức xạ khi MS trong chế độ rỗi là các phát xạ bức xạ từ vỏ máy và kết cấu của MS, kể cả cáp nối.
Phát xạ giả bức xạ cũng được hiểu là "bức xạ vỏ máy".
Các yêu cầu được áp dụng cho các MS loại GSM 900 và DCS 1800. Phép đo áp dụng cho các MS loại GSM 900 và DCS 1800, trừ phép đo tại điện áp khắc nghiệt do không thực hiện được “kết nối thích hợp” với các nguồn cấp điện bên ngoài.
CHÚ THÍCH: "Kết nối thích hợp" được hiểu là có thể nối nguồn điện áp khắc nghiệt vào MS mà không gây trở ngại về cấu hình của MS vì có thể làm mất hiệu lực phép đo.
2.2.14.2. Yêu cầu tuân thủ
a) Công suất phát xạ giả bức xạ từ MS trong chế độ rỗi không được lớn hơn các giá trị trong Bảng 20 trong điều kiện điện áp bình thường; GSM 05.05, mục 4.3/4.3.3.
b) Công suất phát xạ giả bức xạ từ MS trong chế độ rỗi không được lớn hơn các giá trị trong Bảng 20 trong điều kiện điện áp khắc nghiệt; GSM 05.05, mục 4.3/4.3.3.
Bảng 20
Dải tần số |
Mức công suất tính bằng dBm |
30 kHz đến 880 MHz 880 MHz đến 915 MHz 915 MHz đến 1 000 MHz 1 GHz đến 1 710 MHz 1 710 MHz đến 1 785 MHz 1 785 MHz đến 12,75 GHz |
-57 -59 -57 -47 -53 -47 |
2.2.14.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra phát xạ giả bức xạ từ MS trong chế độ rỗi không vượt quá các yêu cầu tuân thủ trong điều kiện điện áp bình thường.
b) Để thẩm tra phát xạ giả bức xạ từ MS trong chế độ rỗi không vượt quá các yêu cầu tuân thủ trong điều kiện điện áp khắc nghiệt.
2.2.14.4. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
CHÚ THÍCH: Nguồn cung cấp phải được nối với MS sao cho cấu hình vật lý không ảnh hưởng đến việc đo kiểm. Cụ thể hộp pin của MS không được tháo ra khỏi máy. Trong trường hợp không thực hiện được kết nối thích hợp đến nguồn cấp điện bên ngoài, sử dụng nguồn pin qui định cho MS.
Nội dung bản tin BCCH từ cell phục vụ phải đảm bảo là tham số Periodic Location Updating không được sử dụng và chế độ tìm gọi liên tục được thiết lập là Paging Reorganization và tham số BS_AG_BLKS_RES được thiết lập là 0 để máy thu của MS hoạt động liên tục.
CCCH_CONF phải thiết lập là 000. Kênh vật lý cơ sở 1 sử dụng cho CCCH không được kết hợp với các SDCCH.
Việc cấp phát BCCH phải hoặc là trống hoặc chỉ chứa BCCH của cell phục vụ.
CHÚ THÍCH: Điều kiện này để đảm bảo máy thu không quét các ARFCN khác. Việc quét ARFCN khác dẫn đến việc dịch chuyển tần số phát xạ giả do đó có thể hoặc không đo được phát xạ giả hoặc đo không chính xác.
MS trong trạng thái MM "rỗi, cập nhật".
b) Thủ tục đo kiểm
(1) Ban đầu ăng ten đo được gắn chặt với MS và mọi phát xạ giả bức xạ từ MS được xác định bằng ăng ten đo và máy thu trong dải tần từ 30 MHz đến 4 GHz.
CHÚ THÍCH: Đây là một bước định tính để xác định tần số và sự hiện diện của phát xạ giả được đo ở các bước tiếp theo.
(2) Đặt ăng ten đo tại khoảng cách đo thích hợp và tại mỗi tần số cần xác định phát xạ, quay MS sao cho đạt được đáp ứng lớn nhất và công suất phát xạ hiệu dụng được xác định bằng phép đo thay thế. Trong trường hợp buồng đo không dội, việc hiệu chuẩn trước có thể được sử dụng thay cho phép đo thay thế.
(3) Độ rộng băng hệ thống đo dựa vào độ rộng băng bộ lọc đồng chỉnh 5 cực thiết lập tuân theo Bảng 21. Công suất chỉ thị là công suất đỉnh được xác định bằng hệ thống đo kiểm.
Việc đo trên các tần số phải được thực hiện với khoảng thời gian mà MS thu một khung TDMA, không kể khung rỗi.
CHÚ THÍCH: Đối với các độ rộng băng của bộ lọc, có thể gặp một số khó khăn do tạp âm nền cao hơn mức giới hạn đo kiểm qui định. Điều này sẽ tùy thuộc vào độ tăng ích của ăng ten đo và việc điều chỉnh độ rộng băng của hệ thống đo. Để cho phù hợp, các tần số đo kiểm cao hơn 900 MHz có thể giảm khoảng cách từ ăng ten đo đến MS tới 1 m.
Bảng 21
Dải tần số |
Độ rộng băng của bộ lọc |
Độ rộng băng video |
30 kHz đến 50 MHz |
10 kHz |
30 kHz |
50 MHz đến 12,75 GHz |
100 kHz |
300 kHz |
(4) Các phép đo được lặp lại với ăng ten đo trong mặt phẳng phân cực trực giao.
(5) Các phép đo được lặp lại trong điều kiện điện áp khắc nghiệt.
2.2.14.5. Yêu cầu đo kiểm
Công suất phát xạ giả bất kỳ không được vượt quá các giá trị trong Bảng 20.
2.2.15. Nghẽn máy thu và đáp tuyến tạp trên các kênh thoại
2.2.15.1. Định nghĩa và áp dụng
Nghẽn là khả năng của Rx thu một tín hiệu điều chế mong muốn khi có mặt tín hiệu vào không mong muốn, trên các tần số khác với tần số đáp ứng tạp hoặc các kênh lân cận mà không vượt quá độ suy giảm qui định.
Các yêu cầu và đo kiểm áp dụng cho MS có hỗ trợ chức năng thoại.
2.2.15.2. Yêu cầu tuân thủ
Các đặc tính nghẽn của máy thu được định rõ đối với chỉ tiêu trong băng và ngoài băng như định nghĩa trong GSM 05.05, mục 5.1.
Phải đạt được các chỉ tiêu về độ nhạy chuẩn trong Bảng 1 GSM 05.05 khi các tín hiệu sau đồng thời được đưa vào máy thu:
- Tín hiệu hữu ích tại tần số f0, lớn hơn mức độ nhạy chuẩn 3 dB, theo GSM 05.05, mục 6.2;
- Tín hiệu sóng sin không đổi, liên tục có mức như trong bảng tại GSM 05.05, mục 5.1 và có tần số (f) là bội số nguyên của 200 kHz.
Với các trường hợp ngoại lệ sau, được gọi là các tần số đáp ứng tạp:
- GSM 900: trong băng, tối đa sáu sự kiện (nếu được nhóm lại, không được vượt quá 3 sự kiện cạnh nhau cho mỗi nhóm);
DCS 1800: trong băng, tối đa mười hai sự kiện (nếu được nhóm lại, không được vượt quá 3 sự kiện cạnh nhau cho mỗi nhóm);
- Ngoài băng, tối đa 24 sự kiện (nếu tần số thấp hơn f0 và được nhóm lại, không được vượt quá 3 sự kiện cạnh nhau cho mỗi nhóm).
Trong đó các chỉ tiêu trên phải thỏa mãn khi tín hiệu sóng sin liên tục (f) được thiết lập đến mức 70 dBmV (emf) (khoảng -43 dBm). GSM 05.05, mục 5.1.
2.2.15.3. Mục đích đo kiểm
a) Để thẩm tra chỉ tiêu nghẽn trong băng không vượt quá tổng số các đáp ứng tạp cho phép trong băng. Điều này phù hợp với ý nghĩa đo kiểm thống kê.
b) Để thẩm tra tại các tần số ngoài băng được chọn, chỉ tiêu nghẽn ngoài băng không vượt quá tổng số các đáp ứng tạp ngoài băng cho phép. Điều này phù hợp với ý nghĩa đo kiểm thống kê.
CHÚ THÍCH: Không phải tất cả các tần số ngoài băng đều được đo kiểm do thời gian đo kéo dài. Tuy nhiên, tổng số các đáp ứng tạp ngoài băng chỉ định trong GSM 05.05 được chấp nhận cho MS.
2.2.15.4. Phương thức đo kiểm
a) Điều kiện ban đầu
Cuộc gọi được thiết lập theo thủ tục thiết lập cuộc gọi thông thường, trên một TCH với ARFCN bất kỳ trong dải được MS hỗ trợ, trừ danh sách tần số BCCH phải bỏ trống. Mức điều khiển công suất được thiết lập đến mức công suất lớn nhất.
SS phát tín hiệu đo kiểm chuẩn C1 trên kênh lưu lượng.
SS điều khiển MS đấu vòng kênh lưu lượng, cùng với báo hiệu các khung bị xóa.
b) Thủ tục đo kiểm
(1) SS tạo ra tín hiệu cố định mong muốn và và tín hiệu nhiễu cố định tại cùng một thời điểm. Biên độ của tín hiệu mong muốn được thiết lập giá trị lớn hơn mức độ nhạy chuẩn 4 dB.
(2) Tín hiệu không mong muốn là tín hiệu C.W (tín hiệu đo kiểm chuẩn IO) của tần số FB. Tín hiệu này được áp dụng lần lượt trên các nhóm tần số tính ở bước (3) trong toàn bộ dải từ 100 kHz - 12,75 GHz, trong đó FB là bội số nguyên của 200 kHz.
Trừ các tần số trong dải FR +/- 600 kHz.
CHÚ THÍCH: Cần phải xem xét đến các tín hiệu tạp phát sinh từ SS. Đặc biệt là các sóng hài nFB, với n = 2, 3, 4, 5, ...
(3) Các tần số thực hiện đo kiểm (được điều chỉnh đến bội số nguyên của các kênh 200 kHz gần nhất với tần số thực của tần số tín hiệu nghẽn đã tính) là các tổ hợp tần số có từ các bước dưới đây:
(3a) Tổng số các dải tần được tạo bởi:
P-GSM 900: các tần số giữa Flo + (IF1 + IF2 + ... + IFn + 12,5 MHz) và Flo - (IF1 + IF2 + ... + IFn + 12,5 MHz).
DCS 1800: các tần số giữa Flo + (IF1 + IF2 + ... + IFn + 37,5 MHz) và Flo - (IF1 + IF2 + ... + IFn + 37,5 MHz).
Và các tần số +100 MHz và -100 MHz từ biên của băng thu có liên quan.
Phép đo được thực hiện tại các khoảng 200 kHz.
(3b) Ba tần số IF1, IF1 + 200 kHz, IF1 - 200 kHz.
(3c) Các tần số: mFlo + IF1, mFlo - IF1, mFR,
với m là các số nguyên dương lớn hơn hoặc bằng 2 sao cho mỗi tổng hợp lệ trong dải từ 100 kHz đến 12,75 GHz.
Các tần số trong bước (3b) và (3c) nằm trong dải các tần số được xác định trong bước (3a) không cần lặp lại.
Trong đó:
Flo - Tần số dao động nội bộ trộn thứ nhất của máy thu
IF1 ... IFn - là các tần số trung tần 1 đến n
Flo, IF1, IF2 ... IFn phải do nhà sản xuất khai báo trong bản kê khai PIXIT, GSM 11.10 Phụ lục 3.
Mức tín hiệu không mong muốn được thiết lập tuân theo Bảng 22.
Bảng 22 - Mức tín hiệu không mong muốn
Tần số |
GSM 900 |
DCS 1 800 |
|
MS loại nhỏ |
Các MS khác |
|
|
Mức tính bằng dBmVemf() |
|||
FR +/- 600 kHz đến FR +/- 800 kHz |
70 |
75 |
70 |
FR +/- 800 kHz đến FR +/- 1,6 MHz |
70 |
80 |
70 |
FR +/- 1,6 MHz đến FR +/- 3 MHz |
80 |
90 |
80 |
915 MHz đến FR - 3 MHz |
90 |
90 |
- |
FR + 3 MHz đến 980 MHz |
90 |
90 |
- |
1 785 MHz đến FR - 3 MHz |
- |
- |
87 |
FR + 3 MHz đến 1 920 MHz |
- |
- |
87 |
835 MHz đến < 915 MHz |
113 |
113 |
|
> 980 MHz đến 1 000 MHz |
113 |
113 |
|
100 kHz đến < 835 MHz |
90 |
90 |
|
> 1 000 MHz đến 12,75 GHz |
90 |
90 |
|
100 kHz đến 1 705 MHz |
- |
- |
113 |
> 1 705 MHz đến < 1 785 MHz |
- |
- |
101 |
> 1 920 MHz đến 1 980 MHz |
- |
- |
101 |
> 1 980 MHz đến 12,75 GHz |
- |
- |
90 |
CHÚ THÍCH: Các giá trị trên khác với các giá trị trong GSM 05.05 do giới hạn thực tế của bộ tạo sóng trong SS.
(4) SS so sánh dữ liệu của tín hiệu đã gửi cho MS với các tín hiệu đấu vòng từ máy thu sau khi giải điều chế, giải mã và kiểm tra chỉ báo xóa khung.
SS kiểm tra RBER đối với các bit loại II, ít nhất bằng cách kiểm tra các chuỗi có số lượng tối thiểu các mẫu các bit liên tục loại II, trong đó các bit chỉ được lấy từ các khung không có chỉ báo lỗi. Số các sự kiện lỗi được ghi lại.
Nếu có lỗi, lỗi này phải được ghi lại và tính vào các tổng miễn trừ cho phép.
Trong trường hợp các lỗi đã phát hiện tại các tần số dự định trước trong các bước (3b) hoặc (3c), phép đo được lặp lại trên các kênh lân cận, cách nhau +/-200 kHz. Nếu một trong hai tần số này bị lỗi thì đo tại kênh lớn hơn 200 kHz tiếp theo. Quá trình này được lặp lại đến khi biết được tập hợp lỗi của tất cả các kênh.
2.2.15.5. Yêu cầu đo kiểm
Tỷ lệ lỗi đo được trong bước này không được vượt quá các giá trị trong Bảng 23.
Yêu cầu này áp dụng trong điều kiện điện áp và nhiệt độ đo kiểm bình thường và với tín hiệu nhiễu tại các tần số bất kỳ trong dải qui định.
Bảng 23 - Các giới hạn nghẽn
Kênh |
Kiểu đo |
Tỷ lệ lỗi của giới hạn đo % |
Số mẫu tối thiểu |
TCH/FS Loại II |
RBER |
2,439 |
8 200 |
Trừ các trường hợp ngoại lệ sau:
GSM 900: Tối đa 6 lỗi trong dải tần 915 MHz - 980 MHz (nếu được nhóm không được vượt quá 3 kênh 200 kHz cho mỗi nhóm).
Tối đa 24 lỗi trong dải 100 kHz - 915 MHz và 980 MHz - 12,75 GHz (nếu tần số thấp hơn FR và được nhóm, không được vượt quá 3 kênh 200 kHz cho mỗi nhóm).
DCS 1800: Tối đa 12 lỗi trong dải 1785 MHz - 1920 MHz (nếu được nhóm không vượt quá 3 kênh 200 kHz cho mỗi nhóm).
Tối đa 24 lỗi trong dải 100 kHz – 1 785 MHz và 1 920 MHz - 12,75 GHz (nếu tần số thấp hơn FR và được nhóm, không vượt quá 3 kênh 200 kHz cho mỗi nhóm).
Nếu số các lỗi không vượt quá các giá trị lớn nhất cho phép ở trên, bước đo trong 2.2.15.4.b) được lặp lại tại các tần số xuất hiện lỗi. Đặt mức tín hiệu không mong muốn là 70 dBmVemf() và cần thực hiện một lần nữa phép đo theo như trên.
Tỷ số lỗi đo được trong bước đo kiểm này không được vượt quá các giá trị tỷ số lỗi của giới hạn đo kiểm trong Bảng 23.
Không được phép lỗi tại mức tín hiệu không mong muốn thấp hơn.
3. QUY ĐỊNH VỀ QUẢN LÝ
Các máy di động GSM (pha 2 và 2+) phải tuân thủ các quy định kỹ thuật trong Quy chuẩn này.
4. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN
Các tổ chức, cá nhân liên quan có trách nhiệm thực hiện chứng nhận hợp quy và công bố hợp quy các máy di động GSM (pha 2 và 2+) và chịu sự kiểm tra của cơ quan quản lý nhà nước theo các quy định hiện hành.
5. TỔ CHỨC THỰC HIỆN
5.1. Cục Quản lý chất lượng Công nghệ thông tin và Truyền thông và các Sở Thông tin và Truyền thông có trách nhiệm tổ chức hướng dẫn, triển khai quản lý các máy di động GSM (pha 2 và 2+) theo Quy chuẩn này.
5.2. Quy chuẩn này được áp dụng thay thế Tiêu chuẩn ngành TCN 68-221:2004 “Máy di động GSM (Pha 2 và 2+) - Yêu cầu kỹ thuật”.
5.3. Trong trường hợp các quy định nêu tại Quy chuẩn này có sự thay đổi, bổ sung hoặc được thay thế thì thực hiện theo quy định tại văn bản mới.
PHỤ LỤC A
(Quy định)
CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐO KIỂM CHUẨN
A.1. Các điều kiện chung
A.1.1 Vị trí đo kiểm ngoài trời và sắp đặt phép đo sử dụng trường bức xạ
Vị trí đo kiểm ngoài trời phải nằm trên một bề mặt có độ cao thích hợp hoặc mặt đất, tại điểm trên mặt phẳng đất có đường kính tối thiểu 5 m. Tại giữa của mặt phẳng đất này đặt một cột chống không dẫn điện và có khả năng quay 3600 theo phương nằm ngang sử dụng để đỡ mẫu đo cao hơn mặt phẳng 1,5 m.
Vị trí đo kiểm phải đủ lớn để gắn được thiết bị đo và ăng ten phát ở khoảng cách nửa độ dài bước sóng hoặc tối thiểu 3 m, tùy theo giá trị nào lớn hơn. Các phản xạ từ các đối tượng khác cạnh vị trí đo và các phản xạ từ mặt đất phải được ngăn ngừa để không làm sai lệch kết quả đo.
ăng ten đo được sử dụng để xác định phát xạ cho cả mẫu đo và ăng ten thay thế khi vị trí này được sử dụng cho phép đo phát xạ. Nếu cần thiết, ăng ten thay thế được sử dụng như một ăng ten phát trong trường hợp vị trí đo được sử dụng để đo các đặc tính máy thu. ăng ten này được gắn trên một cột chống, cho phép ăng ten có thể sử dụng phân cực đứng hoặc ngang và độ cao từ tâm của nó so với mặt phẳng đất thay đổi được trong khoảng từ 1 m đến 4 m.
Tốt nhất là sử dụng các ăng ten đo có tính định hướng cao. Kích thước của ăng ten đo kiểm dọc theo trục đo phải không lớn hơn 20% khoảng cách đo.
Đối với phép đo phát xạ, ăng ten đo được nối với máy thu đo có khả năng hiệu chỉnh đến các tần số cần đo và đo được chính xác các mức tín hiệu đầu vào có liên quan. Khi cần thiết (đối với phép đo máy thu) máy thu đo được thay thế bằng nguồn tín hiệu.
Ăng ten thay thế phải là ăng ten lưỡng cực nửa bước sóng cộng hưởng tại tần số cần đo hoặc phải là ăng ten lưỡng cực thu gọn, hoặc phải là bộ phát xạ loa (trong dải 1 đến 4 GHz). Các loại ăng ten khác với ăng ten lưỡng cực nửa bước sóng phải được hiệu chỉnh theo lưỡng cực nửa bước sóng. Tâm của ăng ten này phải trùng với điểm chuẩn của mẫu đo kiểm mà nó thay thế. Điểm chuẩn phải là tâm của mẫu đo kiểm khi ăng ten của nó được gắn trong buồng đo, hoặc điểm mà ăng ten bên ngoài được nối với buồng đo. Khoảng cách giữa điểm dưới cùng của ăng ten lưỡng cực và mặt đất tối thiểu phải là 30 cm.
Ăng ten thay thế được nối với bộ tạo tín hiệu đã hiệu chỉnh khi vị trí được sử dụng cho phép đo phát xạ và được nối với máy thu đo đã được hiệu chỉnh khi vị trí được sử dụng cho phép đo đặc tính máy thu. Bộ tạo tín hiệu và máy thu đo phải hoạt động tại tần số đo và phải được nối với ăng ten qua mạng cân bằng và bộ phối ghép.
A.1.2. Buồng đo không dội
Thay vì sử dụng vị trí đo kiểm ngoài trời như trên có thể sử dụng vị trí đo kiểm trong nhà bằng cách sử dụng buồng đo không dội mô phỏng môi trường không gian tự do. Nếu đo kiểm trong buồng đo không dội, điều này phải được ghi trong báo cáo đo.
CHÚ THÍCH: Buồng đo không dội là vị trí đo thích hợp cho những phép đo trong Quy chuẩn này. Vị trí đo có thể là buồng đo không dội chống tĩnh điện có kích thước 10 m ´ 5 m ´ 5 m. Tường và trần được phủ một lớp hấp thụ sóng vô tuyến cao 1 m. Sàn phủ vật liệu hấp thụ dày 1 m có khả năng chứa thiết bị đo kiểm. Khoảng cách đo từ 3 đến 5 m dọc theo trục giữa của buồng đo có thể được sử dụng để đo các tần số trên 10 GHz.
Ăng ten đo, máy thu đo, ăng ten thay thế và bộ tạo tín hiệu có hiệu chỉnh được sử dụng giống như phương pháp đo ở vị trí đo kiểm ngoài trời, ngoại trừ độ cao ăng ten không được thay đổi và phải có độ cao cùng với mẫu đo kiểm vì các phản xạ sàn bị loại bỏ. Trong dải 30 - 100 MHz có thể phải hiệu chỉnh thêm nếu cần.
A.1.3. Đầu nối ăng ten tạm thời
Nếu MS cần đo không có đầu nối cố định 50 W, khi đo kiểm cần phải được sửa đổi để gắn với đầu nối ăng ten 50 W tạm thời.
Ăng ten tích hợp cố định phải được sử dụng để đo:
- Công suất phát xạ hiệu dụng máy phát.
- Phát xạ giả bức xạ.
Khi đo trong băng tần thu (925 - 960 MHz): Hệ số ghép nối ăng ten tạm thời được xác định bằng thủ tục trong Phụ lục A, mục A.1.5.3. Khi sử dụng đầu nối ăng ten tạm thời, hệ số ghép nối ăng ten tạm thời phải được sử dụng để tính toán khi xác định mức kích thích hoặc mức đo trong băng tần thu.
Khi đo trong băng tần phát (880 - 915 MHz): Hệ số ghép nối ăng ten tạm thời được xác định bằng thủ tục trong 2.2.3.4.b). Khi sử dụng đầu nối ăng ten tạm thời, hệ số ghép nối ăng ten tạm thời phải được sử dụng để tính toán khi xác định mức đo hoặc mức kích thích trong băng tần phát.
Đối với các tần số ngoài băng tần GSM (880 - 915 MHz và 925 - 960 MHz), hệ số ghép nối ăng ten tạm thời được giả định là 0 dB.
CHÚ THÍCH 1: Độ không đảm bảo khi xác định các giá trị của hệ số ghép nối ăng ten tạm thời liên quan trực tiếp đến độ không đảm bảo đo của giá trị cường độ trường đo trong 2.2.3.4b) và Phụ lục A.1.5.2 (khoảng +/-3 dB). Nhà sản xuất MS và đơn vị đo kiểm thỏa thuận sử dụng giá trị hệ số ghép nối ăng ten tạm thời là 0 dB.
CHÚ THÍCH 2: Khi đo trong băng tần thu của MS (925 - 960 MHz) tại 2.2.9, giá trị độ không đảm bảo thích hợp đang được nghiên cứu thêm.
CHÚ THÍCH 3: Độ không đảm bảo của hệ số ghép nối ăng ten tạm thời trong băng tần phát của MS (880 - 915 MHz) có thể được điều chỉnh cho thích hợp với các mức đo kiểm.
Để đảm bảo các phép đo trường tự do được thực hiện trước khi MS được sửa đổi, phép đo phải được thực hiện theo thứ tự như sau:
- Mục 2.2.6.
- Phụ lục A, mục A.1.5.1 và mục A.1.5.2.
- Mục 2.2.3.4b) (trong bước này MS được sửa đổi).
- Phụ lục A, mục A.1.5.3.
- Các bước đo còn lại trong mục 4 và 5.
A.1.4. Các đặc tính đầu nối ăng ten tạm thời
Cách đấu nối thiết bị cần đo với đầu nối ăng ten tạm thời phải chắc chắn và có khả năng đấu nối lại với thiết bị cần đo.
Đầu nối ăng ten tạm thời phải đưa ra trở kháng 50 W danh định trên dải tần GSM phát và thu. Suy hao trong dải 100 kHz đến 12,75 GHz phải nhỏ hơn 1 dB.
Mạch kết nối phải truyền được băng thông lớn nhất và không chứa các thiết bị tích cực và phi tuyến.
Đặc tính của đầu nối phải không chịu ảnh hưởng đáng kể do nhiệt trong dải từ -25 đến +600.
A.1.5. Hiệu chỉnh đầu nối ăng ten tạm thời
Đối với các thiết bị gắn ăng ten thích hợp và không có cách thức đấu nối cố định với ăng ten ngoài, cần có một thủ tục hiệu chỉnh để thực hiện phép đo trên đầu nối ăng ten tạm thời.
Đầu nối ăng ten tạm thời này khi hiệu chỉnh sẽ cho phép tất cả các thủ tục đo máy thu đồng nhất với các thiết bị có ăng ten tích hợp và với các thiết bị có đầu nối ăng ten.
Thủ tục hiệu chỉnh phải được thực hiện tại 3 tần số ARFCN trong các dải ARFCN thấp, trung và cao. Thủ tục gồm 3 bước:
1) Thiết lập mẫu bức xạ ăng ten của MS tại ba tần số đã chọn.
2) Hiệu chỉnh dải đo (hoặc buồng đo không dội) đối với các điều kiện cần thiết trong bước 1).
3) Xác định hệ số ghép nối đầu nối ăng ten tạm thời.
A.1.5.1. Mẫu bức xạ ăng ten
a) MS phải nằm trong vị trí đo kiểm ngoài trời hoặc trong buồng đo không dội, biệt lập, trên vị trí trục đứng theo hướng chỉ định bởi nhà sản xuất. vị trí này là vị trí 00.
Ăng ten đo được nối với SS phải nằm trong buồng đo không dội, hoặc trên vị trí đo kiểm ngoài trời, cách MS tối thiểu 3 m.
b) Cuộc gọi được khởi nguồn từ SS đến MS trên tần số trong dải ARFCN thấp. MS trả lời cuộc gọi. SS điều khiển để MS phát với mức công suất phát lớn nhất.
c) SS sử dụng tham số ước tính cho vị trí đo kiểm ngoài trời hoặc buồng đo không dội để thiết lập mức đầu ra E để đưa đến mức vào máy thu MS khoảng 32 dmVemf. Giá trị này tương ứng với mức cường độ trường 55,5 dBmV/m tại vị trí của MS. Tín hiệu phải là tín hiệu đo kiểm chuẩn C1.
CHÚ THÍCH 1: Giá trị của mức tín hiệu thu chưa phải là giá trị khắc nghiệt, tuy nhiên nó đảm bảo rằng máy thu MS hoạt động tối thiểu không có lỗi, nó cũng là đủ nhỏ để tránh các hiệu ứng phi tuyến trong máy thu.
d) SS sẽ sử dụng bản tin RXLEV từ MS để xác định giá trị cường độ trường. Chi tiết thủ tục trong biểu đồ Hình A.1.
Hình A.1
Mức tín hiệu từ SS là kết quả trong quá trình chuyển tiếp từ RXLEVa đến RXLEVb phải được ghi lại như Ei.
CHÚ THÍCH 2: Các giá trị thực của RXLEVa và RXLEVb cần phải được ghi lại vì điểm chuyển tiếp này sẽ được sử dụng như một điểm chuẩn cho các bước tiếp theo trong thủ tục hiệu chỉnh.
e) Lặp lại bước d) sau khi quay MS góc n*450 theo mặt phẳng nằm ngang. Đảm bảo là cùng một chuyển tiếp RXLEV được sử dụng, các mức tín hiệu từ SS được ghi lại như Ein.
f) Tính mức tín hiệu trung bình có hiệu quả từ giá trị RMS của 8 mức tín hiệu thu được trong bước d) và e) ở trên theo công thức sau:
g) Lặp lại các bước b) đến f), riêng trong bước b) sử dụng ARFCN trong dải ARFCN giữa để có được mức tín hiệu trung bình E2. Đảm bảo chuyển tiếp RXLEV được dùng là như nhau.
h) Lặp lại các bước b) đến f), riêng trong bước b) sử dụng ARFCN trong dải ARFCN cao để có được mức tín hiệu trung bình E3.
A.1.5.2 Hiệu chỉnh dải đo
Bước này để xác định cường độ trường thực tại MS tương ứng với 3 mức tín hiệu E1, E2 và E3 đã thiết lập trong A.1.5.1. sử dụng các thủ tục sau:
a) Thay thế MS bằng ăng ten thu đã hiệu chỉnh nối với máy thu đo.
b) Với mỗi tần số sử dụng trong A.1.5.1, đo cường độ trường Efr tương ứng với từng mức tín hiệu Er xác định được trong bước f), g) và h) của A.1.5.1 ghi lại các giá trị này là Ef1, Ef2, Ef3.
A.1.5.3 Hệ số ghép nối đầu nối ăng ten tạm thời
Hệ số ghép nối đầu nối ăng ten tạm thời là quan hệ tính bằng dB giữa tín hiệu đầu ra của SS và tín hiệu đầu vào có hiệu quả của MS.
Mẫu đo MS được cải tiến cho thích hợp với đầu nối ăng ten tạm thời phù hợp với A.1.3. hoặc một MS thứ hai thích hợp với đầu nối ăng ten tạm thời đó.
CHÚ THÍCH: Nếu chỉ có một MS dùng cho đo kiểm, phép đo phát xạ giả bức xạ (máy phát và máy thu) và phép đo độ nhạy máy thu phải được thực hiện trước khi cải tiến MS cho phù hợp với đầu nối ăng ten tạm thời.
Thủ tục hiệu chỉnh như sau:
a) Đầu nối tạm thời của MS được nối với đầu ra của SS.
b) Cuộc gọi được khởi nguồn từ SS đến MS sử dụng tần số trong dải ARFCN thấp. MS trả lời cuộc gọi. Điều khiển SS để MS có mức công suất đầu ra lớn nhất, không sử dụng chế độ mã hóa nhảy tần.
c) SS sử dụng các thủ tục trong A.1.5.1 để điều chỉnh mức tín hiệu đầu ra của nó để xác định chuyển tiếp RXLEVa đến RXLEVb. Mức tín hiệu này được ghi lại là Ec1.
d) Lặp lại các bước b) và c) đối với các tần số trong dải ARFCN giữa và cao. Ghi lại các chuyển tiếp RXLEV theo thứ tự là Ec2 và Ec3.
e) Hệ số ghép nối đầu nối ăng ten tạm thời F được tính từ công thức:
Trong đó Kn = hệ số chuyển đổi ăng ten đẳng hướng tính bằng mV/m tại tần số phù hợp với ARCFN đã sử dụng.
f) Hệ số ghép nối ăng ten trung bình Fm sử dụng cho các phép đo có yêu cầu nhảy tần phải được tính từ giá trị RMS của các tham số trong bước e) như sau:
g) Trong tất cả các phép đo với MS có ăng ten tích hợp, mức tín hiệu tại đầu nối ăng ten tạm thời được xác định từ công thức: Ein = Ereq + F
Trong đó: Ein = mức tín hiệu tại thiết bị kết nối (dBmVemf)
Ereq = mức tín hiệu do phép đo yêu cầu (dBmVemf)
F = hệ số ghép nối tại ARFCN tương ứng (dB)
Giá trị chỉ thị trong các thủ tục là Ereq, dBmVemf(), phần ngoặc đơn rỗng đọc là Ein.
Đối với các tần số nằm ngoài băng tần thu hoặc phát, sử dụng độ tăng ích ăng ten 0 dBi.
A.2. Các điều kiện đo kiểm khắc nghiệt và bình thường
A.2.1. Nguồn nuôi và nhiệt độ môi trường
Trong các phép đo chứng nhận hợp chuẩn, nguồn nuôi của thiết bị cần đo phải được thay thế bằng nguồn đo kiểm có khả năng cung cấp các điện áp đo kiểm khắc nghiệt và bình thường. Trở kháng trong của nguồn đo kiểm phải đủ nhỏ để ảnh hưởng không đáng kể đến kết quả đo. Điện áp của nguồn đo kiểm phải được đo kiểm tra tại đầu vào của thiết bị cần đo. Nếu thiết bị có cáp nguồn kết nối cố định, điện áp đo kiểm phải được đo tại điểm nối giữa cáp nguồn với thiết bị cần đo. Với các thiết bị có pin tích hợp, nguồn đo kiểm phải được đưa vào vị trí đầu nối của pin càng gần càng tốt.
Trong quá trình đo đảm bảo dung sai điện áp nguồn nuôi trong phạm vi +/-3 % so với điện áp tại thời điểm bắt đầu mỗi phép đo.
A.2.2. Điều kiện đo kiểm bình thường
Điều kiện nhiệt độ và độ ẩm bình thường dùng để đo kiểm là một trong những giá trị nhiệt độ và độ ẩm trong dải sau:
- Nhiệt độ: +150C đến +350C
- Độ ẩm tương ứng: 20% đến 75%
CHÚ THÍCH: Nếu không thực hiện được phép đo trong các dải điều kiện trên, nhiệt độ và độ ẩm thực phải được ghi lại trong báo cáo đo.
Điện áp đo kiểm bình thường đối với các thiết bị được nối với nguồn cung cấp là điện áp danh định của nguồn cung cấp.
Điện áp danh định phải là giá trị điện áp được công bố hoặc một trong số các giá trị điện áp được công bố theo thiết kế của thiết bị. Tần số của nguồn đo kiểm so với nguồn cung cấp phải nằm trong phạm vi 1 Hz của tần số nguồn cung cấp danh định.
Nếu thiết bị vô tuyến được dự định dùng nguồn ắc-qui axit-chì của các phương tiện vận tải, điện áp đo kiểm danh định phải bằng 1,1 lần điện áp danh định đo kiểm của ắc-qui (6 V hoặc 12 V).
Đối với thiết bị hoạt động dựa trên các nguồn nuôi hoặc các loại ắc-qui khác (sơ cấp hoặc thứ cấp) điện áp đo kiểm là điện áp do nhà sản xuất thiết bị công bố.
A.2.3. Các điều kiện đo kiểm khắc nghiệt
Khi đo kiểm trong điều kiện đo kiểm khắc nghiệt, phải áp dụng 4 tổ hợp nhiệt độ và điện áp khắc nghiệt trong Bảng A.1.
Bảng A.1
|
1 |
2 |
3 |
4 |
Nhiệt độ |
Cao |
Cao |
Thấp |
Thấp |
Điện áp |
Cao |
Thấp |
Cao |
Thấp |
Khi đo kiểm tại nhiệt độ khắc nghiệt, phép đo phải được thực hiện tại các nhiệt độ trong Bảng A.2, theo như các thủ tục đo đưa ra trong công bố IEC 68-2-1 và 68-2-2 đối với các phép đo tại nhiệt độ thấp và cao.
Đối với phép đo tại nhiệt độ cao, sau khi đạt được cân bằng nhiệt, MS được bật nguồn trong trạng thái phát (non DTX) trong khoảng thời gian 1 phút tiếp theo là 4 phút trong chế độ rỗi (non DRX), với trạng thái này, MS phải thỏa mãn các yêu qui định.
Khi đo tại nhiệt độ thấp, sau khi đạt được cân bằng nhiệt, MS được chuyển sang chế độ rỗi (non DRX) trong thời gian 1 phút, với trạng thái này, MS phải thỏa mãn các yêu cầu qui định.
Bảng A.2
|
Nhiệt độ (0C) |
|
Thấp |
Cao |
|
Cầm tay |
-10 |
+55 |
Lắp trên xe hoặc xách tay |
-20 |
+55 |
Khi đo tại điện áp khắc nghiệt, phép đo phải được thực hiện tại các điện áp khắc nghiệt thấp và cao theo như nhà sản xuất công bố. Đối với các MS hoạt động được đối với một hoặc nhiều nguồn điện áp trong danh sách dưới đây, điện áp khắc nghiệt mức thấp không được lớn hơn mức điện áp chỉ ra trong Bảng A.3 và điện áp khắc nghiệt mức cao sẽ không được nhỏ hơn mức điện áp trong Bảng A.3.
Bảng A.3
|
Điện áp (so với giá trị danh định) |
||
Điện áp khắc nghiệt thấp |
Điện áp khắc nghiệt cao |
Điều kiện bình thường |
|
Nguồn cung cấp: |
|
|
|
Nguồn AC |
0,9 |
1,1 |
1,0 |
Ắc-qui axit-chì thông thường |
0,9 |
1,3 |
1,1 |
Ắc-qui không thông thường: |
|
|
|
Leclanché/lithium |
0,85 |
1,0 |
1,0 |
Mercury/ nickel cadmium |
0,9 |
1,0 |
1,0 |
A.2.4. Các yêu cầu đối với chế độ rung
Khi đo kiểm MS trong chế độ rung, phải sử dụng chế độ rung ngẫu nhiên, dải tần rung và mật độ phổ gia tăng (ASD) phải tuân theo Bảng A.4.
Bảng A.4
Tần số rung (Hz) |
ASD (m2/s3) |
5 - 20 |
0,96 |
20 - 500 |
0,96 tại 20 Hz, sau đó là -3 dB/octave |
Đo kiểm phải được thực hiện như mô tả trong tài liệu 68-2-36 của IEC.
A.3. Các thuật ngữ đo kiểm vô tuyến
Các điều kiện về truyền dẫn vô tuyến tham chiếu từ các mô hình truyền dẫn đa đường trong GSM 05.05. Các điều kiện này được biểu thị bởi:
- Đứng yên;
- Vùng nông thôn (RA);
- Vùng địa hình có nhiều đồi núi (HT);
- Vùng thành phố (TU); hoặc
- Đo kiểm bằng phương pháp cân bằng (EQ).
Các đặc tả di chuyển liên quan đến tốc độ di chuyển tiêu biểu của MS tính theo km/h, ví dụ như TU1,5, TU3, TU50, HT100, EQ50.
Trong Quy chuẩn này sử dụng qui ước sau:
Bảng A.5
Thuật ngữ |
GSM 900 |
DCS 1800 |
RA |
RA250 |
RA130 |
HT |
HT100 |
HT100 |
TUhigh |
TU50 |
TU50 |
TUlow |
TU3 |
TU1,5 |
EQ |
EQ50 |
EQ50 |
Khi đo trong các dải ARFCN, áp dụng các giá trị trong Bảng A.6.
Bảng A.6
Thuật ngữ |
P-GSM 900 |
DCS 1800 |
Dải ARFCN thấp |
1 đến 5 |
513 đến 523 |
Dải ARFCN giữa |
60 đến 65 |
690 đến 710 |
Dải ARFCN cao |
120 đến 124 |
874 đến 884 |
A.4. Lựa chọn tần số trong chế độ nhảy tần
Đối với các phép đo sử dụng chế độ nhảy tần, 38 tần số được sử dụng trên
P-GSM 900: băng tần 21 MHz
DCS 1800: băng tần 75 MHz
Bảng A.7 - Các tần số nhảy tần
|
ARFCN |
P-GSM 900 |
10, 14, 17, 18, 22, 24, 26, 30, 31, 34, 38, 42, 45, 46, 50, 52, 54, 58, 59, 62, 66, 70, 73, 74, 78, 80, 82, 86, 87, 90, 94, 98, 101, 102, 106, 108, 110, 114 |
DCS 1800 |
522, 539, 543, 556, 564, 573, 585, 590, 606, 607, 624, 627, 641, 648, 658, 669, 675, 690, 692, 709, 711, 726, 732, 743, 753, 760, 774, 777, 794, 795, 811, 816, 828, 837, 845, 858, 862, 879 |
CHÚ THÍCH: Các dải tần dùng trong các phép đo dưới điều kiện giả lập pha đinh bị giới hạn bởi độ rộng băng giả lập pha đinh.
A.5. Các điều kiện vô tuyến "lý tưởng"
Trong Quy chuẩn này, các điều kiện sau được coi là điều kiện vô tuyến "lý tưởng":
Không có tình trạng đa đường;
Mức điều khiển công suất của MS:
GSM 900: |
7 |
DCS 1800: |
3 |
Mức RF đến MS: |
63 dBmVemf() |
Mức RF đến MS: |
cao hơn mức độ nhạy chuẩn 20 dB() |
Mức RF đến MS: |
28 dBmVemf() |
A.6. Các tín hiệu đo kiểm chuẩn
Các tín hiệu Cx đại diện cho các tín hiệu mong muốn và các tín hiệu Ix đại diện cho các tín hiệu không mong muốn.
Tín hiệu C0 |
Sóng mang liên tục không điều chế. |
Tín hiệu C1 |
Tín hiệu GSM chuẩn điều chế có từ tín hiệu nghịch đảo dữ liệu đến đầu vào bộ mã hóa kênh, mã hóa kênh phụ thuộc vào phép đo và chế độ mật mã có thể chọn được bởi phương thức đo kiểm. Khi sử dụng các tín hiệu này trong chế độ không nhảy tần, 7 khe thời gian không sử dụng cũng phải chứa các cụm giả, với mức công suất thay đổi theo khe thời gian sử dụng. |
Tín hiệu I0 |
Sóng mang liên tục không điều chế. |
Tín hiệu I1 |
Sóng mang điều chế GMSK theo cấu trúc của tín hiệu GSM, nhưng với tất cả các bit được điều chế (kể cả chu kỳ khe trung tâm) lấy trực tiếp từ chuỗi dữ liệu ngẫu nhiên hoặc giả ngẫu nhiên. |
Tín hiệu I2 |
Các tín hiệu GSM chuẩn với khe trung tâm có hiệu lực, khác với tín hiệu C1. Các bit dữ liệu (gồm cả các bit 58 và 59) được lấy từ chuỗi dữ liệu ngẫu nhiên hoặc giả ngẫu nhiên. |
A.7. Các mức điều khiển công suất
Trong Quy chuẩn này, loại trừ một số trường hợp đặc biệt được nói rõ, nếu MS được điều khiển đến mức điều khiển công suất nhỏ nhất của nó, SS được chấp thuận mức điều khiển công suất 19 đối với GSM 900, và 15 đối với DCS 1800.
Loại trừ một số trường hợp được nói rõ, nếu MS được điều khiển đến mức điều khiển công suất lớn nhất, và nếu tham số MS_TXPWR_MAX_CCH được thiết lập đến mức công suất ra lớn nhất của MS, SS được chấp nhận mức điều khiển công suất tương ứng với công suất đầu ra cực đại đối với loại công suất của MS. Đối với MS GSM 900 có mức điều khiển công suất loại 2, SS được chấp nhận mức điều khiển công suất 2.
CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
QCVN 15:2010/BTTTT
QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA VỀ THIẾT BỊ ĐẦU CUỐI THÔNG TIN DI ĐỘNG W-CDMA FDD
National technical regulation on Mobile Stations for W-CDMA FDD
HÀ NỘI - 2010 |
Mục lục
2.2.1. Các tham số thiết yếu và các yêu cầu kỹ thuật tương ứng. 10
2.2.2. Công suất ra cực đại của máy phát 11
2.2.3. Mặt nạ phổ phát xạ của máy phát 12
2.2.4. Phát xạ giả của máy phát 12
2.2.5. Công suất ra cực tiểu của máy phát 13
2.2.6. Độ chọn lọc kênh lân cận của máy thu. 13
2.2.7. Đặc tính chặn của máy thu. 14
2.2.8. Đáp ứng giả của máy thu. 15
2.2.9. Đặc tính xuyên điều chế của máy thu. 16
2.2.10. Phát xạ giả của máy thu. 17
2.2.11. Điều khiển công suất ra khi mất đồng bộ. 18
2.2.12. Tỷ số công suất rò kênh lân cận của máy phát 19
2.2.14. Chức năng điều khiển và giám sát 20
3.1. Các điều kiện về môi trường đo kiểm.. 21
3.2. Giải thích các kết quả đo. 21
3.3. Đo kiểm các tham số thiết yếu cho phần vô tuyến. 23
3.3.1. Đo kiểm công suất ra cực đại của máy phát 23
3.3.2. Đo kiểm mặt nạ phổ phát xạ của máy phát 23
3.3.3. Đo kiểm các phát xạ giả của máy phát 24
3.3.4. Đo kiểm công suất ra cực tiểu của máy phát 25
3.3.5. Đo kiểm độ chọn lọc kênh lân cận của máy thu (ACS) 25
3.3.6. Đo kiểm các đặc tính chặn của máy thu. 25
3.3.7. Đo kiểm đáp ứng giả của máy thu. 26
3.3.8. Đo kiểm các đặc tính xuyên điều chế của máy thu. 27
3.3.9. Đo kiểm các phát xạ giả của máy thu. 27
|
3.3.11. Đo kiểm tỷ số công suất rò kênh lân cận của máy phát 28
3.3.12. Đo kiểm phát xạ bức xạ. 29
3.3.13. Các chức năng điều khiển và giám sát 30
5. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN. 31
Phụ lục A (Tham khảo) Điều kiện môi trường. 32
Phụ lục B (Tham khảo) Độ nhạy của máy thu và hoạt động chính xác của thiết bị 36
Phụ lục C (Tham khảo) Các mô hình đo kiểm.. 38
Phụ lục D (Quy định) Kênh đo tham chiếu DL (12,2 kbit/s) và điều kiện truyền lan tĩnh. 41
Phụ lục E (Quy định) Các tấn số đo kiểm tuân thủ của UE. 44
Phụ lục F (Tham khảo) Thủ tục thiết lập cuộc gọi chung. 45
Phụ lục G (Quy định) Nguồn nhiễu điều chế W-CDMA. 48
Lời nói đầu
QCVN 15:2010/BTTTT được xây dựng trên cơ sở soát xét, chuyển đổi Tiêu chuẩn Ngành TCN 68-245:2006 “Thiết bị đầu cuối thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp (W-CDMA FDD) - Yêu cầu kỹ thuật” ban hành theo Quyết định số 27/2006/QĐ-BBCVT ngày 25 tháng 07 năm 2006 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông (nay là Bộ Thông tin và Truyền thông). Các yêu cầu kỹ thuật của QCVN 15:2010/BTTTT được xây dựng trên cơ sở chấp thuận áp dụng các yêu cầu kỹ thuật của các tiêu chuẩn EN 301 908-2 V2.2.1 (2003-10) và EN 301 908-1 V2.2.1 (2003-10) của Viện Tiêu chuẩn Viễn thông châu Âu (ETSI). QCVN 15:2010/BTTTT do Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu điện biên soạn, Vụ Khoa học và Công nghệ trình duyệt và được ban hành kèm theo Thông tư số 18/2010/TT-BTTTT ngày 30 tháng 07 năm 2010 của Bộ trưởng Bộ Thông tin và Truyền thông. |
|
QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA VỀ THIẾT BỊ ĐẦU CUỐI THÔNG TIN DI ĐỘNG W-CDMA FDD
National technical regulation on Mobile Stations for W-CDMA FDD
1. QUY ĐỊNH CHUNG
1.1. Phạm vi điều chỉnh
Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia này áp dụng cho thiết bị người sử dụng trong hệ thống thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp W-CDMA FDD (UTRA FDD). Loại thiết bị vô tuyến này hoạt động trong toàn bộ hoặc một phần băng tần quy định trong Bảng 1.
Bảng 1 - Các băng tần của dịch vụ CDMA trải phổ trực tiếp (UTRA FDD)
Hướng truyền |
Các băng tần của dịch vụ CDMA trải phổ trực tiếp (UTRA FDD) |
Phát |
Từ 1920 MHz đến 1980 MHz |
Thu |
Từ 2110 MHz đến 2170 MHz |
Quy chuẩn này áp dụng cho thiết bị người sử dụng UTRA FDD, kể cả các thiết bị đầu cuối của người sử dụng hỗ trợ việc phát HS-PDSCH sử dụng điều chế QPSK và 16 QAM.
Các yêu cầu kỹ thuật trong Quy chuẩn này nhằm đảm bảo thiết bị vô tuyến sử dụng có hiệu quả phổ tần số vô tuyến được phân bổ cho thông tin mặt đất/vệ tinh và nguồn tài nguyên quĩ đạo để tránh nhiễu có hại giữa các hệ thống thông tin đặt trong vũ trụ và mặt đất và các hệ thống kỹ thuật khác.
1.2. Đối tượng áp dụng
Quy chuẩn này áp dụng đối với các cơ quan, tổ chức, nhà sản xuất, nhập khẩu và khai thác thiết bị người sử dụng trong hệ thống thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp W-CDMA FDD (UTRA FDD).
1.3. Tài liệu viện dẫn
[1] ETSI EN 301 908-2 V2.2.1 (2003-10): “Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); Base Stations (BS), Repeaters and User Equipment (UE) for IMT-2000 Third-Generation cellular networks; Part 2: Harmonized EN for IMT-2000, CDMA Direct Spread (UTRA FDD) (UE) covering essential requirements of article 3.2 of R&TTE Directive”.
[2] ETSI EN 301 908-1 V2.2.1 (2003-10): “Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); Base Station (BS), Repeaters and User Equipment (UE) for IMT-2000 Third-Generation cellular networks; Part 1: Harmonized EN for IMT-2000, introduction and common requirements, covering essential requirements of article 3.2 of R&TTE Directive”.
1.4. Giải thích từ ngữ
1.4.1. Thiết bị người sử dụng (User Equipment - UE)
Thiết bị di động có một hoặc một vài mô đun nhận dạng thuê bao UMTS (USIM). Thiết bị người sử dụng là một thiết bị cho phép một người sử dụng truy cập các dịch vụ mạng qua giao diện Uu.
1.4.2. Thiết bị phụ (ancillary equipment)
Thiết bị dùng kết hợp với thiết bị người sử dụng (UE), được xem là thiết bị phụ nếu:
- Thiết bị được dự kiến dùng chung với thiết bị người sử dụng (UE) để cung cấp các tính năng điều khiển và/hoặc tính năng thao tác bổ sung cho thiết bị vô tuyến, (ví dụ để mở rộng điều khiển tới vị trí khác); và
- Thiết bị không thể sử dụng độc lập để cung cấp các chức năng đối tượng sử dụng độc lập của một UE; và
- Thiết bị người sử dụng (UE) mà thiết bị này kết nối tới, có khả năng cung cấp một số thao tác có chủ ý, ví dụ như phát và/hoặc thu mà không dùng thiết bị phụ.
1.4.3. Điều kiện môi trường (environmental profile)
Các điều kiện môi trường hoạt động mà thiết bị trong phạm vi của Quy chuẩn này buộc phải tuân thủ cùng với các yêu cầu kỹ thuật.
1.4.4. Công suất ra cực đại (maximum output power)
Giá trị công suất cực đại mà UE có thể phát (nghĩa là mức công suất thực khi được đo với giả thiết phép đo không có lỗi) trong độ rộng băng ít nhất bằng (1 + a) lần tốc độ chip của chế độ truy nhập vô tuyến.
CHÚ THÍCH: Khoảng thời gian đo ít nhất phải bằng một khe thời gian.
1.4.5. Công suất trung bình (mean power)
Công suất (phát hoặc thu) trong độ rộng băng ít nhất bằng (1+a) lần tốc độ chip của chế độ truy nhập vô tuyến, khi áp dụng cho tín hiệu W-CDMA điều chế.
CHÚ THÍCH: Khoảng thời gian đo ít nhất phải bằng một khe thời gian, trừ khi có quy định khác.
1.4.6. Công suất ra cực đại danh định (nominal maximum output power)
Công suất danh định được xác định bởi loại công suất của UE.
1.4.7. Mật độ phổ công suất (power spectral density)
Hàm công suất theo tần số và khi được tích phân trên một độ rộng băng cho trước, hàm này biểu diễn công suất trung bình trong độ rộng băng đó.
CHÚ THÍCH 1: Khi công suất trung bình được chuẩn hóa theo (chia cho) tốc độ chip, hàm này biểu diễn năng lượng trung bình trên mỗi chip. Một số tín hiệu được xác định trực tiếp dưới dạng năng lượng trên mỗi chip (DPCH_Ec, Ec, OCNS_Ec và S-CCPCH_Ec) và một số tín hiệu khác được xác định dưới dạng PSD (Io, Ioc, Ior và or). Cũng tồn tại rất nhiều đại lượng được xác định dưới dạng tỷ số giữa năng lượng trên mỗi chip và PSD (DPCH_Ec/Ior, Ec/Ior…). Đây là cách thức phổ biến để liên hệ các cường độ năng lượng trong các hệ thống thông tin.
CHÚ THÍCH 2: Có thể thấy rằng nếu chia cả hai cường độ năng lượng theo tỷ số cho thời gian, thì tỷ số được chuyển từ tỷ số năng lượng sang tỷ số công suất, là hữu ích hơn theo quan điểm về đo lường. Theo đó năng lượng trên chip là X dBm/3,84 MHz có thể được biểu diễn thành công suất trung bình trên chip là X dBm. Tương tự, tín hiệu có PSD là Y dBm/3,84 MHz có thể được biểu diễn thành công suất tín hiệu là Y dBm.
CHÚ THÍCH 3: Trong Quy chuẩn này, đơn vị mật độ phổ công suất (PSD) được sử dụng rộng rãi.
1.4.8. Công suất trung bình đã lọc RRC (RRC filtered mean power)
Công suất trung bình khi được đo qua bộ lọc căn bậc hai côsin nâng với hệ số uốn (roll-off) a và độ rộng băng bằng tốc độ chip của chế độ truy nhập vô tuyến.
CHÚ THÍCH: Công suất trung bình đã lọc RRC của tín hiệu W-CDMA đã được điều chế hoàn hảo nhỏ hơn công suất trung bình của cùng một tín hiệu 0,246 dB.
1.4.9. IMT-2000
Các hệ thống di động thế hệ thứ ba được dự kiến bắt đầu cung cấp dịch vụ vào khoảng năm 2000 tùy thuộc vào việc nghiên cứu thị trường.
CHÚ THÍCH: Khuyến nghị ITU-R M.8/BL/18 chỉ định các yêu cầu kỹ thuật chi tiết cho các giao diện vô tuyến IMT-2000.
1.4.10. Chế độ rỗi (idle mode)
Trạng thái của thiết bị người sử dụng (UE) khi đã bật nguồn nhưng không kết nối với Điều khiển tài nguyên vô tuyến (RRC).
1.4.11. Cổng vỏ (enclosure port)
Biên vật lý của thiết bị qua đó các trường điện từ có thể bức xạ hoặc tác động.
CHÚ THÍCH: Trong trường hợp thiết bị có ăng ten tích hợp, cổng này không thể tách rời cổng ăng ten.
1.4.12. Cổng (port)
Giao diện riêng của thiết bị cụ thể với môi trường điện từ.
CHÚ THÍCH: Bất kỳ điểm kết nối nào trên thiết bị được dùng để kết nối các cáp tới hoặc từ thiết bị đó đều được coi như một cổng (xem Hình 1).
1.4.13. Thiết bị thông tin vô tuyến (radio communications equipment)
Thiết bị viễn thông bao gồm một hoặc nhiều máy phát và/hoặc máy thu và/hoặc các bộ phận của chúng để sử dụng trong ứng dụng cố định, di động hoặc xách tay.
CHÚ THÍCH: Thiết bị thông tin vô tuyến có thể hoạt động cùng với thiết bị phụ nhưng chức năng cơ bản không phụ thuộc vào thiết bị phụ đó.
1.4.14. Cổng tín hiệu và điều khiển (signal and control port)
Cổng truyền các tín hiệu thông tin và điều khiển, không bao gồm các cổng ăng ten.
1.4.15. Cổng viễn thông (telecommunication port)
Cổng được dự kiến kết nối tới các mạng viễn thông (ví dụ, các mạng viễn thông chuyển mạch công cộng, các mạng số của các dịch vụ tích hợp), các mạng cục bộ (ví dụ ethernet, token ring) và các mạng tương tự.
1.4.16. Chế độ lưu lượng (traffic mode)
Trạng thái của thiết bị người sử dụng (UE) khi bật nguồn và khi kết nối điều khiển tài nguyên vô tuyến (RRC) được thiết lập.
1.5. Ký hiệu
a Hệ số uốn của bộ lọc căn bậc hai côsin nâng, a = 0,22
DPCH_Ec Năng lượng trung bình trên chip PN đối với DPCH
DPCH_Ec/Ior Tỷ số giữa năng lượng phát trên chip PN đối với DPCH và mật độ phổ công suất phát tổng tại đầu nối ăng ten của Nút B (SS).
DPCCH_Ec/Ior Tỷ số giữa năng lượng phát trên chip PN đối với DPCCH và mật độ phổ công suất phát tổng tại đầu nối ăng ten của Nút B (SS).
DPDCH_Ec/Ior Tỷ số giữa năng lượng phát trên chip PN đối với DPDCH và mật độ phổ công suất phát tổng tại đầu nối ăng ten của Nút B (SS).
Ec Năng lượng trung bình trên chip PN.
Ec/Ior Tỷ số giữa năng lượng phát trung bình trên chip PN đối với các trường hoặc các kênh vật lý khác nhau và mật độ phổ công suất phát tổng.
Fuw Tần số của tín hiệu không mong muốn. Giá trị này được chỉ định trong ngoặc đơn dưới dạng (các) tần số thuần tuý hoặc độ lệch tần số so với tần số kênh được cấp phát.
Ioac Mật độ phổ công suất (được tích phân trong độ rộng băng bằng (1+a) lần tốc độ chip và được chuẩn hóa theo tốc độ chip) của kênh tần số lân cận khi được đo tại đầu nối ăng ten của UE.
Ioc Mật độ phổ công suất (được tích phân trong độ rộng băng tạp bằng tốc độ chip và được chuẩn hóa theo tốc độ chip) của nguồn tạp trắng có giới hạn băng (mô phỏng nhiễu từ các ô, các ô này không được xác định trong thủ tục đo kiểm) khi được đo tại đầu nối ăng ten của UE.
Ior Mật độ phổ công suất phát tổng (được tích phân trong độ rộng băng bằng (1+a) lần tốc độ chip và được chuẩn hóa theo tốc độ chip) của tín hiệu đường xuống khi được đo tại đầu nối ăng ten của nút B.
or Mật độ phổ công suất thu (được tích phân trong độ rộng băng bằng (1+a) lần tốc độ chip và được chuẩn hóa theo tốc độ chip) của tín hiệu đường xuống khi được đo tại đầu nối ăng ten của UE.
Iouw Mức công suất của tín hiệu không mong muốn.
OCNS_Ec Năng lượng trung bình trên chip PN đối với OCNS.
S-CCPCH_Ec Năng lượng trung bình trên chip PN đối với S-CCPCH.
1.6. Chữ viết tắt
16QAM |
16-Quadrature Amplitude Modulation |
Điều chế biên độ cầu phương 16 trạng thái |
ACLR |
Adjacent Channel Leakage power Ratio |
Tỷ số công suất rò kênh lân cận |
ACS |
Adjacent Channel Selectivity |
Độ chọn lọc kênh lân cận |
BER |
Bit Error Ratio |
Tỷ số lỗi bit |
BLER |
Block Error Ratio |
Tỷ số lỗi khối |
BS |
Base Station |
Trạm gốc |
CW |
Continuous Wave (unmodulated signal) |
Sóng liên tục (tín hiệu không được điều chế) |
DCH |
Dedicated Channel |
Kênh riêng |
DL |
Down Link (forward link) |
Đường xuống |
DPCH |
Dedicated Physical Channel |
Kênh vật lý riêng |
DPCCH |
Dedicated Physical Control Channel |
Kênh điều khiển vật lý riêng |
DPDCH |
Dedicated Physical Data Channel |
Kênh dữ liệu vật lý riêng |
DTX |
Discontinuous Transmission |
Phát không liên tục |
e.i.r.p |
equivalent isotropically radiated power |
Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương |
EMC |
ElectroMagnetic Compatibility |
Tương thích điện từ |
e.r.p |
effective radiated power |
Công suất bức xạ hiệu dụng |
EUT |
Equipment Under Test |
Thiết bị đang được đo kiểm |
FACH |
Forward Access Channel |
Kênh truy nhập xuống |
FDD |
Frequency Division Duplex |
Ghép song công phân chia theo tần số |
HS-PDSCH |
High Speed Physical Downlink Shared Channel |
Kênh vật lý dùng chung đường xuống tốc độ cao |
Data rate |
Rate of the user information, which must be transmitted over the Air Interface. For example, output rate of the voice codec. |
Tốc độ thông tin của người sử dụng, thông tin này phải được truyền qua giao diện vô tuyến. Ví dụ, tốc độ ra của bộ mã hóa thoại |
LV |
Low Voltage |
Điện áp thấp |
Node B |
A logical node responsible for radio transmission/reception in one or more cells to/from the User Equipment |
Nút logic chịu trách nhiệm phát/thu vô tuyến trong một hoặc nhiều ô (cell) tới/từ thiết bị người sử dụng |
OCNS |
Orthogonal Channel Noise Simulator |
Bộ mô phỏng tạp trên kênh trực giao |
QPSK |
Quadrature Phase Shift Keying |
Khóa dịch pha cầu phương |
P-CCPCH |
Primary Common Control Physical Channel |
Kênh vật lý điều khiển chung sơ cấp |
PCH |
Paging Channel |
Kênh nhắn tin |
P-CPICH |
Primary Common Pilot Channel |
Kênh hoa tiêu chung sơ cấp |
PICH |
Paging Indicator Channel |
Kênh chỉ báo nhắn tin |
PN |
PseudoNoise |
Tạp giả |
PSD |
Power Spectral Density |
Mật độ phổ công suất |
RF |
Radio Frequency |
Tần số vô tuyến |
RRC |
Radio Resource Control |
Điều khiển tài nguyên vô tuyến |
RRC |
Root Raised Cosine |
Căn bậc hai côsin nâng |
R&TTE |
Radio equipment and Telecommunications Terminal Equipment |
Thiết bị vô tuyến và thiết bị đầu cuối viễn thông |
S-CCPCH |
Secondary Common Control Physical Channel |
Kênh vật lý điều khiển chung thứ cấp |
SCH |
Synchronization Channel |
Kênh đồng bộ |
SS |
System Simulator |
Bộ mô phỏng hệ thống |
TDD |
Time Division Duplex |
Ghép song công phân chia theo thời gian |
TFC |
Transport Format Combination |
Tổ hợp khuôn dạng truyền tải |
TFCI |
Transport Format Combination Indicator |
Bộ chỉ báo tổ hợp khuôn dạng truyền tải |
TPC |
Transmit Power Control |
Điều khiển công suất phát |
UARFCN |
UTRA Absolute Radio Frequency Channel Number |
Số kênh tần số vô tuyến thuần túy UTRA |
UE |
User Equipment |
Thiết bị người sử dụng |
UTRA |
Universal Terrestrial Radio Access |
Truy nhập vô tuyến mặt đất toàn cầu |
2. QUY ĐỊNH KỸ THUẬT
2.1. Điều kiện môi trường
Các yêu cầu kỹ thuật của Quy chuẩn này áp dụng trong điều kiện môi trường hoạt động của thiết bị. Nhà cung cấp phải công bố điều kiện môi trường hoạt động của thiết bị. Thiết bị phải luôn tuân thủ mọi yêu cầu kỹ thuật của Quy chuẩn này khi hoạt động trong các giới hạn biên của điều kiện môi trường hoạt động đã công bố.
Phụ lục A hướng dẫn nhà cung cấp thiết bị cách công bố điều kiện môi trường.
2.2. Các yêu cầu cụ thể
2.2.1. Các tham số thiết yếu và các yêu cầu kỹ thuật tương ứng
Quy chuẩn này quy định 9 tham số thiết yếu cho thiết bị người sử dụng IMT-2000. Bảng 2 đưa ra tham chiếu chéo giữa 9 tham số thiết yếu này và 13 yêu cầu kỹ thuật tương ứng đối với thiết bị trong phạm vi của Quy chuẩn này.
Bảng 2 - Các tham chiếu chéo
Tham số thiết yếu |
Các yêu cầu kỹ thuật tương ứng |
Mặt nạ phát xạ phổ |
2.2.3. Mặt nạ phát xạ phổ của máy phát |
2.2.12. Tỷ số công suất rò kênh lân cận của máy phát |
|
Phát xạ giả truyền dẫn ở chế độ hoạt động |
2.2.4. Phát xạ giả của máy phát |
Độ chính xác của công suất ra cực đại |
2.2.2. Công suất ra cực đại của máy phát |
Tránh nhiễu có hại thông qua điều khiển công suất |
2.2.5. Công suất ra cực tiểu của máy phát |
Phát xạ giả truyền dẫn ở chế độ rỗi |
2.2.10. Phát xạ giả của máy thu |
Ảnh hưởng của nhiễu lên chỉ tiêu của máy thu |
2.2.7. Đặc tính chặn của máy thu |
2.2.8. Đáp ứng giả của máy thu |
|
2.2.9. Đặc tính xuyên điều chế của máy thu |
|
Độ chọn lọc kênh lân cận của máy thu |
2.2.6. Độ chọn lọc kênh lân cận của máy thu (ACS) |
Chức năng điều khiển và giám sát |
2.2.11. Điều khiển công suất ra khi mất đồng bộ |
2.2.14. Chức năng điều khiển và giám sát |
|
Phát xạ bức xạ |
2.2.13. Phát xạ bức xạ |
2.2.2. Công suất ra cực đại của máy phát
2.2.2.1. Định nghĩa
Công suất ra cực đại danh định và dung sai của nó được xác định theo loại công suất của UE.
Công suất danh định là công suất phát của UE, nghĩa là công suất trong độ rộng băng ít nhất bằng (1+a) lần tốc độ chip của chế độ truy nhập vô tuyến. Khoảng thời gian đo ít nhất phải bằng một khe thời gian.
2.2.2.2. Giới hạn
Công suất ra cực đại của UE không được vượt quá giá trị chỉ ra ở Bảng 3, ngay cả đối với chế độ truyền đa mã.
Bảng 3 - Các loại công suất UE
Công suất loại 3 |
Công suất loại 4 |
||
Công suất (dBm) |
Dung sai (dB) |
Công suất (dBm) |
Dung sai (dB) |
+24 |
+1,7/-3,7 |
+21 |
+2,7/-2,7 |
2.2.2.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.1.
2.2.3. Mặt nạ phổ phát xạ của máy phát
2.2.3.1. Định nghĩa
Mặt nạ phổ phát xạ của UE áp dụng với các tần số cách tần số sóng mang trung tâm của UE từ 2,5 đến 12,5 MHz. Phát xạ bên ngoài kênh được chỉ định tương ứng với công suất trung bình đã lọc RRC của sóng mang UE.
2.2.3.2. Giới hạn
Công suất của bất cứ phát xạ UE nào cũng không được vượt quá các mức quy định trong Bảng 4.
Bảng 4 - Yêu cầu đối với mặt nạ phổ phát xạ
Df (MHz) |
Yêu cầu tối thiểu |
Độ rộng băng đo |
Từ 2,5 đến 3,5 |
|
30 kHz (xem chú thích 2) |
Từ 3,5 đến 7,5 |
|
1 MHz (xem chú thích 3) |
Từ 7,5 đến 8,5 |
|
1 MHz (xem chú thích 3) |
Từ 8,5 đến 12,5 |
-47,5 dBc |
1 MHz (xem chú thích 3) |
CHÚ THÍCH 1: Df là khoảng cách giữa tần số sóng mang và tần số trung tâm của bộ lọc đo. CHÚ THÍCH 2: Điểm đo đầu tiên và cuối cùng đối với bộ lọc 30 kHz là tại Df bằng 2,515 MHz và 3,485 MHz. CHÚ THÍCH 3: Điểm đo đầu tiên và cuối cùng đối với bộ lọc 1 MHz là tại Df bằng 4 MHz và 12 MHz. CHÚ THÍCH 4: Theo nguyên tắc chung, độ rộng băng phân giải của thiết bị đo phải bằng độ rộng băng đo. Để nâng cao độ chính xác, độ nhạy và hiệu quả của phép đo, độ rộng băng phân giải có thể khác với độ rộng băng đo. Khi độ rộng băng phân giải nhỏ hơn độ rộng băng đo, kết quả đo phải được tích phân trên độ rộng băng đo để thu được độ rộng băng tạp tương đương của độ rộng băng đo. CHÚ THÍCH 5: Giới hạn dưới phải là -48,5 dBm/3,84 MHz. |
2.2.3.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.2.
2.2.4. Phát xạ giả của máy phát
2.2.4.1. Định nghĩa
Phát xạ giả, không bao gồm các phát xạ ngoài băng, là những phát xạ tạo ra do các hiệu ứng không mong muốn của máy phát như: phát xạ hài, phát xạ ký sinh, các thành phần xuyên điều chế và các thành phần đổi tần.
2.2.4.2. Giới hạn
Các giới hạn trong Bảng 5 và 6 chỉ áp dụng cho những tần số cách tần số sóng mang trung tâm của UE hơn 12,5 MHz.
Bảng 5 - Các yêu cầu chung đối với phát xạ giả
Độ rộng băng tần |
Độ rộng băng đo |
Yêu cầu tối thiểu |
9 kHz £ f < 150 kHz |
1 kHz |
-36 dBm |
150 kHz £ f < 30 MHz |
10 kHz |
-36 dBm |
30 MHz £ f < 1000 MHz |
100 kHz |
-36 dBm |
1 GHz £ f < 12,75 GHz |
1 MHz |
-30 dBm |
Bảng 6 - Các yêu cầu bổ sung đối với phát xạ giả
Độ rộng băng tần |
Độ rộng băng đo |
Yêu cầu tối thiểu |
925 MHz £ f £ 935 MHz |
100 kHz |
-67 dBm (xem chú thích) |
935 MHz < f £ 960 MHz |
100 kHz |
-79 dBm (xem chú thích) |
1805 MHz £ f £ 1880 MHz |
100 kHz |
-71 dBm (xem chú thích) |
1893,5 MHz < f < 1919,6 MHz |
300 kHz |
-41 dBm |
CHÚ THÍCH: Các phép đo được thực hiện tại các tần số là các bội số nguyên của 200 kHz. Trường hợp ngoại lệ, cho phép tối đa năm phép đo có cấp độ không vượt quá các yêu cầu quy định trong Bảng 5 đối với mỗi UARFCN sử dụng trong phép đo. |
2.2.4.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.3.
2.2.5. Công suất ra cực tiểu của máy phát
2.2.5.1. Định nghĩa
Công suất ra được điều khiển cực tiểu của UE là công suất khi được thiết lập đến một giá trị cực tiểu. Công suất phát cực tiểu được định nghĩa là công suất trung bình trong một khe thời gian.
2.2.5.2. Giới hạn
Công suất ra cực tiểu phải nhỏ hơn - 49 dBm.
2.2.5.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.4.
2.2.6. Độ chọn lọc kênh lân cận của máy thu
2.2.6.1. Định nghĩa
Độ chọn lọc kênh lân cận (ACS) là tham số đánh giá khả năng máy thu thu một tín hiệu W-CDMA tại tần số kênh được cấp phát khi có tín hiệu của kênh lân cận tại độ lệch tần số đã định so với tần số trung tâm của kênh được cấp phát. ACS là tỷ số giữa độ suy giảm bộ lọc máy thu trên tần số kênh được cấp phát và độ suy giảm bộ lọc máy thu trên (các) kênh lân cận.
2.2.6.2. Giới hạn
Đối với UE có công suất loại 3 và 4, BER không được vượt quá 0,001 đối với các tham số được chỉ định trong Bảng 7. Điều kiện đo kiểm này tương đương với giá trị ACS bằng 33 dB.
2.2.6.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.5.
2.2.7. Đặc tính chặn của máy thu
2.2.7.1. Định nghĩa
Đặc tính chặn là tham số đánh giá khả năng máy thu thu tín hiệu mong muốn tại tần số kênh được cấp phát của máy thu đó khi có nhiễu không mong muốn tại các tần số khác với các tần số đáp ứng giả hoặc các tần số kênh lân cận, mà không có các tín hiệu vào không mong muốn gây ra sự suy giảm chỉ tiêu của máy thu vượt quá giới hạn quy định. Chỉ tiêu chặn phải áp dụng tại tất cả các tần số (trừ các tần số tại đó xuất hiện đáp ứng giả).
2.2.7.2. Giới hạn
BER không được vượt quá 0,001 đối với các tham số được quy định trong Bảng 8 và Bảng 9. Đối với Bảng 9, tối đa 24 ngoại lệ được phép đối với các tần số đáp ứng giả trong mỗi kênh tần số được cấp phát khi đo sử dụng kích thước bước 1 MHz.
2.2.7.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.6.
2.2.8. Đáp ứng giả của máy thu
2.2.8.1. Định nghĩa
Đáp ứng giả là tham số đánh giá khả năng máy thu thu tín hiệu mong muốn tại tần số kênh được cấp phát của máy thu mà không vượt quá độ suy giảm đã định do có tín hiệu gây nhiễu CW không mong muốn tại bất cứ tần số nào khác, mà tại đó thu được đáp ứng, nghĩa là đối với các tần số đó giới hạn chặn ngoài băng quy định trong Bảng 9 không được thoả mãn.
2.2.8.2. Giới hạn
BER không được vượt quá 0,001 đối với các tham số được quy định trong Bảng 10.
2.2.8.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.7.
2.2.9. Đặc tính xuyên điều chế của máy thu
2.2.9.1. Định nghĩa
Việc trộn hài bậc ba và bậc cao hơn của hai tín hiệu RF gây nhiễu có thể tạo ra tín hiệu gây nhiễu trong băng của kênh mong muốn. Loại bỏ đáp ứng xuyên điều chế là tham số đánh giá khả năng của máy thu thu một tín hiệu mong muốn tại tần số kênh được cấp phát khi có hai hoặc nhiều tín hiệu gây nhiễu có mối liên quan tần số đặc thù với tín hiệu mong muốn.
2.2.9.2. Giới hạn
BER không được vượt quá 0,001 đối với các tham số được quy định trong Bảng 11.
2.2.9.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong mục 3.3.8.
2.2.10. Phát xạ giả của máy thu
2.2.10.1. Định nghĩa
Công suất phát xạ giả là công suất của các phát xạ được tạo ra hoặc được khuếch đại trong máy thu xuất hiện tại đầu nối ăng ten của UE.
2.2.10.2. Giới hạn
Công suất của bất cứ phát xạ giả CW băng hẹp nào cũng không được vượt quá mức cực đại được quy định trong các Bảng 12 và 13.
Bảng 12 - Các yêu cầu chung đối với phát xạ giả của máy thu
Băng tần |
Độ rộng băng đo |
Mức cực đại |
30 MHz £ f < 1 GHz |
100 kHz |
-57 dBm |
1 GHz £ f £ 12,75 GHz |
1 MHz |
-47 dBm |
Bảng 13 - Các yêu cầu bổ sung đối với phát xạ giả của máy thu
Băng tần |
Độ rộng băng đo |
Mức cực đại |
Chú thích |
1920 MHz £ f £ 1980 MHz |
3,84 MHz |
-60 dBm |
Băng phát của UE trong URA_PCH, Cell_PCH và trạng thái rỗi |
2110 MHz £ f £ 2170 MHz |
3,84 MHz |
-60 dBm |
Băng thu của UE |
2.2.10.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.9.
2.2.11. Điều khiển công suất ra khi mất đồng bộ
2.2.11.1. Định nghĩa
UE phải giám sát chất lượng của DPCCH để phát hiện sự suy hao tín hiệu trên Lớp 1. Ngưỡng Qra xác định mức chất lượng của DPCCH tại đó UE phải tắt nguồn của nó. Ngưỡng này không được xác định rõ ràng mà được xác định bởi các điều kiện trong đó UE phải tắt máy phát của nó, như đã nêu trong mục này.
Chất lượng của DPCCH phải được giám sát trên UE và được so sánh với ngưỡng Qra nhằm mục đích giám sát sự đồng bộ hóa. Ngưỡng Qra phải tương ứng với một mức chất lượng của DPCCH tại đó không phát hiện được chắc chắn các lệnh TPC phát trên DPCCH của đường xuống có thể được thực hiện hay không. Mức chất lượng của DPCCH có thể ở một mức mà tỷ số lỗi lệnh TPC là 20%.
2.2.11.2. Giới hạn
Khi UE đánh giá thấy chất lượng của DPCCH trong khoảng thời gian 160 ms cuối cùng thấp hơn ngưỡng Qra, UE phải tắt máy phát của nó trong vòng 40 ms.
Mức chất lượng tại ngưỡng Qra tương ứng với các mức tín hiệu khác nhau phụ thuộc vào các tham số của DCH trong các điều kiện đường xuống. Đối với các điều kiện trong Bảng 14, một tín hiệu với chất lượng ở mức Qra có thể được tạo bởi tỷ số DPCCH_Ec/Ior bằng -25 dB. Kênh đo tham chiếu DL (12,2 kbit/s) với điều kiện lan truyền tĩnh được quy định trong Phụ lục D. Các kênh vật lý đường xuống khác với các kênh quy định trong Bảng 14 được chỉ định trong TS 134 121.
Yêu cầu đối với UE: UE phải tắt máy phát của nó trước điểm C.
Máy phát của UE được coi là tắt (OFF) nếu công suất trung bình đã lọc RRC đo được nhỏ hơn -55 dBm.
2.2.11.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.10.
2.2.12. Tỷ số công suất rò kênh lân cận của máy phát
2.2.12.1. Định nghĩa
Tỷ số công suất rò kênh lân cận (ACLR) là tỷ số giữa công suất trung bình đã lọc RRC có tâm trên tần số kênh được cấp phát và công suất trung bình đã lọc RRC có tâm trên tần số kênh lân cận.
2.2.12.2. Giới hạn
Bảng 14a - Tỷ số công suất rò kênh lân cận của UE
Loại công suất |
Tần số kênh lân cận so với tần số kênh được cấp phát |
Giới hạn của ACLR |
3 |
+5 MHz hoặc -5 MHz |
32,2 dB |
3 |
+10 MHz hoặc -10 MHz |
42,2 dB |
4 |
+5 MHz hoặc -5 MHz |
32,2 dB |
4 |
+10 MHz hoặc -10 MHz |
42,2 dB |
CHÚ THÍCH: Yêu cầu vẫn phải được thoả mãn khi có đột biến điện do chuyển mạch. |
2.2.12.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.11.
2.2.13. Phát xạ bức xạ
2.2.13.1. Định nghĩa
Đo kiểm này đánh giá khả năng hạn chế các phát xạ không mong muốn từ cổng vỏ của thiết bị thông tin vô tuyến và thiết bị phụ.
Đo kiểm này có thể áp dụng được cho thiết bị thông tin vô tuyến và thiết bị phụ.
Đo kiểm này phải được thực hiện trên thiết bị thông tin vô tuyến và/hoặc trên cấu hình tiêu biểu của thiết bị phụ.
2.2.13.2. Giới hạn
Biên tần số và các độ rộng băng tham chiếu đối với những chuyển tiếp chi tiết của các giới hạn giữa các yêu cầu đối với các phát xạ ngoài băng và các yêu cầu đối với các phát xạ giả được dựa trên các khuyến nghị SM.329-10 và SM.1539-1 của ITU-R.
Các yêu cầu chỉ ra trong Bảng 15 chỉ có thể áp dụng được với các tần số trong vùng tạp.
Bảng 15 - Các yêu cầu đối với phát xạ giả bức xạ
Tần số |
Yêu cầu tối thiểu đối với (e.r.p)/độ rộng băng tham chiếu ở chế độ rỗi |
Yêu cầu tối thiểu đối với (e.r.p)/độ rộng băng tham chiếu ở chế độ lưu lượng |
Tính khả dụng |
30 MHz £ f < 1000 MHz |
-57 dBm/ 100 kHz |
-36 dBm/100 kHz |
Tất cả |
1 GHz £ f < 12,75 GHz |
-47 dBm/ 1 MHz |
-30 dBm/1 MHz |
Tất cả |
CHÚ THÍCH: fc là tần số phát trung tâm của UE. |
2.2.13.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.12.
2.2.14. Chức năng điều khiển và giám sát
2.2.14.1. Định nghĩa
Yêu cầu này, cùng với các yêu cầu kỹ thuật điều khiển và giám sát khác được quy định trong bảng tham chiếu chéo, xác minh rằng các chức năng điều khiển và giám sát của UE ngăn UE phát trong trường hợp không có mạng hợp lệ.
Đo kiểm này có thể áp dụng được cho thiết bị thông tin vô tuyến và thiết bị phụ.
Đo kiểm này phải được thực hiện trên thiết bị thông tin vô tuyến và/hoặc trên cấu hình tiêu biểu của thiết bị phụ.
2.2.14.2. Giới hạn
Công suất cực đại đo được trong khoảng thời gian đo kiểm không được vượt quá -30 dBm.
2.2.14.3. Đo kiểm
Sử dụng các phép đo mô tả trong 3.3.13.
3. PHƯƠNG PHÁP ĐO
3.1. Các điều kiện về môi trường đo kiểm
Các phép đo kiểm quy định trong Quy chuẩn này phải được thực hiện tại các điểm tiêu biểu trong phạm vi các giới hạn biên của điều kiện môi trường hoạt động đã công bố.
Tại những điểm mà chỉ tiêu kỹ thuật thay đổi tùy thuộc vào các điều kiện môi trường, các phép đo kiểm phải được thực hiện trong đủ loại điều kiện môi trường (trong phạm vi các giới hạn biên của điều kiện môi trường hoạt động đã công bố) để kiểm tra tính tuân thủ đối với các yêu cầu kỹ thuật.
Thông thường mọi phép đo kiểm phải được thực hiện trong điều kiện đo kiểm bình thường nếu không có các quy định khác. Tham khảo TS 134 121 về việc sử dụng các điều kiện đo kiểm khác để kiểm tra tính tuân thủ.
Trong Quy chuẩn này nhiều phép đo kiểm được thực hiện với các tần số thích hợp ở dải thấp, giữa, cao của băng tần hoạt động của UE. Các tần số này được xác định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
3.2. Giải thích các kết quả đo
Các kết quả được ghi trong báo cáo đo kiểm đối với các phép đo được mô tả trong Quy chuẩn này phải được giải thích như sau:
- Giá trị đo được liên quan đến giới hạn tương ứng dùng để quyết định việc thiết bị có thoả mãn các yêu cầu của Quy chuẩn hay không;
- Giá trị độ không bảo đảm đo đối với phép đo của mỗi tham số phải được đưa vào báo cáo đo kiểm;
- Đối với mỗi phép đo, giá trị ghi được của độ không bảo đảm đo phải nhỏ hơn hoặc bằng giá trị cho trong Bảng 16 và 16a.
Theo Quy chuẩn này, trong các phương pháp đo kiểm, các giá trị của độ không bảo đảm đo phải được tính toán theo TR 100 028-1 và phải tương ứng với một hệ số mở rộng (hệ số phủ) k = 1,96 (hệ số này quy định mức độ tin cậy là 95% trong trường hợp các phân bố đặc trưng cho độ không bảo đảm đo thực tế là chuẩn (Gaussian)). Có thể tham khảo (các) Phụ lục của TS 134 121 về các điều kiện đo kiểm khác.
Bảng 16 và 16a được dựa trên hệ số mở rộng này.
Bảng 16 - Độ không bảo đảm đo tối đa của hệ thống đo kiểm
Tham số |
Các điều kiện |
Độ không bảo đảm đo của hệ thống đo kiểm |
Công suất ra cực đại của máy phát |
|
±0,7 dB |
Mặt nạ phổ phát xạ của máy phát |
|
±1,5 dB |
Các phát xạ giả của máy phát |
f £ 2,2 GHz 2,2 GHz < f £ 4 GHz f > 4 GHz Băng cùng tồn tại (> - 60 dBm): Băng cùng tồn tại (< - 60 dBm): |
±1,5 dB ±2,0 dB ±4,0 dB ±2,0 dB ±3,0 dB |
Công suất ra cực tiểu của máy phát |
|
±1,0 dB |
Độ chọn lọc kênh lân cận của máy thu (ACS) |
|
±1,1 dB |
Các đặc tính chặn của máy thu |
f < độ lệch 15 MHz độ lệch 15 MHz £ f £ 2,2 GHz 2,2 GHz < f £ 4GHz f > 4 GHz |
±1,4 dB ±1,0 dB ±1,7 dB ±3,1 dB |
Đáp ứng giả của máy thu |
f £ 2,2 GHz 2,2 GHz < f £ 4GHz f > 4 GHz |
±1,0 dB ±1,7 dB ±3,1 dB |
Các đặc tính xuyên điều chế của máy thu |
|
±1,3 dB |
Các phát xạ giả của máy thu |
Đối với băng thu của UE (-60 dBm) Đối với băng phát của UE (-60 dBm) Bên ngoài băng thu của UE: f £ 2,2 GHz 2,2 GHz < f £ 4GHz f > 4 GHz |
±3,0 dB ±3,0 dB
±2,0 dB ±2,0 dB ±4,0 dB |
Điều khiển công suất ra khi mất đồng bộ |
DPCCH_Ec/Ior Công suất tắt (OFF) của máy phát |
±0,4 dB ±1,0 dB |
Tỷ số công suất rò kênh lân cận của máy phát |
|
±0,8 dB |
Bảng 16a - Độ không bảo đảm đo tối đa đối với phát xạ bức xạ, chức năng điều khiển và giám sát
Tham số |
Độ không bảo đảm đo của hệ thống đo kiểm |
Công suất bức xạ hiệu dụng RF giữa 30 MHz và 180 MHz |
±6 dB |
Công suất bức xạ hiệu dụng RF giữa 180 MHz và 12,75 GHz |
±3 dB |
Công suất RF dẫn |
±1 dB |
CHÚ THÍCH 1: Đối với các phép đo RF, phải chú ý rằng độ không bảo đảm trong Bảng 16 và 16a áp dụng cho hệ thống đo kiểm hoạt động với tải danh định 50 W và không tính đến các hiệu ứng của hệ thống do sự không thích ứng giữa EUT và hệ thống đo kiểm.
CHÚ THÍCH 2: Phụ lục G của TR 100 028-2 hướng dẫn việc tính toán các thành phần của độ không bảo đảm liên quan đến sự không thích ứng.
CHÚ THÍCH 3: Nếu hệ thống đo kiểm có độ không bảo đảm đo lớn hơn độ không bảo đảm đo đã chỉ định trong Bảng 16 và 16a, thì thiết bị này có thể vẫn được sử dụng, miễn là có điều chỉnh như sau: Bất cứ độ không bảo đảm bổ sung nào trong Hệ thống đo kiểm ngoài độ không bảo đảm đã chỉ định trong Bảng 16 và 16a có thể được sử dụng để siết chặt các yêu cầu đo kiểm - làm cho phép đo khó được thông qua hơn (đối với một số phép đo, ví dụ các phép đo máy thu, điều này có thể phải thay đổi các tín hiệu kích thích).
3.3. Đo kiểm các tham số thiết yếu cho phần vô tuyến
3.3.1. Đo kiểm công suất ra cực đại của máy phát
3.3.1.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường, TL/VL, TL/VH, TH/VL, TH/VH (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải thấp, dải giữa và dải cao như được xác định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.1, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- Thiết lập và liên tục gửi các lệnh điều khiển công suất đường lên đến UE.
- Đo công suất trung bình của UE trong độ rộng băng ít nhất bằng (1+a) lần tốc độ chip của chế độ truy nhập vô tuyến. Công suất trung bình phải được tính trung bình trên ít nhất một khe thời gian.
3.3.1.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.2.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.2. Đo kiểm mặt nạ phổ phát xạ của máy phát
3.3.2.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải thấp, dải giữa và dải cao như được xác định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.1, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- Thiết lập và liên tục gửi các lệnh điều khiển công suất đường lên đến UE cho đến khi công suất ra của UE đạt được mức cực đại.
- Đo công suất của tín hiệu phát với một bộ lọc đo có các độ rộng băng theo Bảng 4. Các phép đo với độ lệch khỏi tần số trung tâm sóng mang từ 2,515 MHz đến 3,485 MHz phải sử dụng bộ lọc đo 30 kHz. Các phép đo với độ lệch khỏi tần số trung tâm sóng mang từ 4 MHz đến 12 MHz phải sử dụng độ rộng băng đo 1 MHz và kết quả có thể được tính bằng cách lấy tích phân nhiều phép đo bộ lọc 50 kHz hoặc hẹp hơn. Đặc tuyến của bộ lọc phải là Gaussian gần đúng (bộ lọc của máy phân tích phổ điển hình). Tần số trung tâm của bộ lọc phải được dịch theo các bước liên tiếp (theo Bảng 4). Công suất đo được phải được ghi lại cho mỗi bước.
- Đo công suất trung bình đã lọc RRC có tâm trên tần số kênh được cấp phát.
- Tính tỷ số của công suất 2) trên công suất 3) theo dBc.
3.3.2.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.3.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.3. Đo kiểm các phát xạ giả của máy phát
3.3.3.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải thấp, dải giữa và dải cao như được xác định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.6, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- Thiết lập và liên tục gửi các lệnh điều khiển công suất đường lên đến UE cho đến khi công suất ra của UE đạt được mức cực đại.
- Quét máy phân tích phổ (hoặc thiết bị tương đương) trên một dải tần và đo công suất trung bình của phát xạ giả.
3.3.3.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.4.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.4. Đo kiểm công suất ra cực tiểu của máy phát
3.3.4.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường, TL/VL, TL/VH, TH/VL, TH/VH (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải giữa như được quy định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.1, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- Thiết lập và liên tục gửi các lệnh điều khiển công suất đường xuống đến UE.
- Đo công suất trung bình của UE.
3.3.4.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.5.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.5. Đo kiểm độ chọn lọc kênh lân cận của máy thu (ACS)
3.3.5.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải giữa như được quy định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.2, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung, và các tham số RF được thiết lập theo Bảng 7.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- Thiết lập các tham số của bộ tạo tín hiệu nhiễu như trong Bảng 7.
- Thiết lập mức công suất của UE theo Bảng 7 với dung sai ± 1 dB.
- Đo BER của DCH thu được từ UE tại SS.
3.3.5.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.6.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.6. Đo kiểm các đặc tính chặn của máy thu
3.3.6.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường (xem Phụ lục A).
Đối với trường hợp ở trong băng, các tần số cần được đo kiểm là dải giữa như được quy định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
Đối với trường hợp ở ngoài băng, các tần số cần được đo kiểm là dải giữa như được quy định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.3, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung, và các tham số RF được thiết lập theo các Bảng 8 và 9.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- Thiết lập các tham số của bộ tạo tín hiệu CW hoặc bộ tạo tín hiệu nhiễu như trong các Bảng 8 và 9. Đối với Bảng 9 kích cỡ bước tần số là 1 MHz.
- Thiết lập mức công suất của UE theo các Bảng 8 và 9 với dung sai ± 1 dB.
- Đo BER của DCH thu được từ UE tại SS.
- Đối với Bảng 9, ghi lại các tần số mà tại đó BER vượt quá các yêu cầu đo kiểm.
3.3.6.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.7.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.7. Đo kiểm đáp ứng giả của máy thu
3.3.7.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải giữa như được quy định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.4, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung, và các tham số RF được thiết lập theo Bảng 10.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- Thiết lập tham số của bộ tạo tín hiệu CW như trong Bảng 10. Các tần số của đáp ứng giả được quy định theo bước thứ tư của 3.3.6.1.b).
- Thiết lập mức công suất của UE theo Bảng 10 với dung sai ± 1 dB.
- Đo BER của DCH thu được từ UE tại SS.
3.3.7.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.8.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.8. Đo kiểm các đặc tính xuyên điều chế của máy thu
3.3.8.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải giữa như được quy định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.5, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung (xem Phụ lục F), và các tham số RF được thiết lập theo Bảng 11.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp sử dụng thủ tục được xác định trong TS 134 109.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- Thiết lập các tham số của bộ tạo tín hiệu CW và bộ tạo tín hiệu nhiễu như trong Bảng 11.
- Thiết lập mức công suất của UE theo Bảng 11 với dung sai ± 1 dB.
- Đo BER của DCH thu được từ UE tại SS.
3.3.8.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.9.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.9. Đo kiểm các phát xạ giả của máy thu
3.3.9.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải giữa như được quy định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối một máy phân tích phổ (hoặc thiết bị đo kiểm thích hợp khác) tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.6, Phụ lục C).
- UE phải ở trong trạng thái CELL_FACH.
- UE phải được thiết lập sao cho UE sẽ không phát trong suốt thời gian đo. (Xem TS 134 121).
b) Thủ tục đo kiểm
Quét máy phân tích phổ (hoặc thiết bị đo kiểm thích hợp khác) trên một dải tần từ 30 MHz đến 12,75 GHz và đo công suất trung bình của các phát xạ giả.
3.3.9.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.10.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.10. Đo kiểm điều khiển công suất ra khi mất đồng bộ
3.3.10.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải giữa như được quy định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.1, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung, với ngoại lệ sau đây (theo Bảng 17) cho các phần tử thông tin trong khối thông tin hệ thống loại 1 được cung cấp trong TS 134 108.
Bảng 17 - Bản tin của Khối thông tin hệ thống loại 1
Phần tử thông tin |
Giá trị/Nhận xét |
Các bộ định thời của UE và các hằng số trong chế độ kết nối |
|
-T313 |
15 s |
-N313 |
200 |
- Các tham số RF được thiết lập theo Bảng 14 với mức tỷ số DPCCH_Ec/Ior ở -16,6 dB.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- SS liên tục gửi các lệnh điều khiển công suất đường lên đến UE cho đến khi công suất máy phát của UE đạt mức cực đại.
- SS điều khiển mức tỷ số DPCCH_Ec/Ior đến -21,6 dB.
- SS điều khiển mức tỷ số DPCCH_Ec/Ior đến -28,4 dB. SS đợi 200 ms và sau đó kiểm tra xem máy phát của UE đã được tắt chưa.
- SS giám sát công suất phát của UE trong 5 s và kiểm tra xem máy phát của UE có được tắt trong suốt thời gian đo không.
3.3.10.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 4.2.11.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.11. Đo kiểm tỷ số công suất rò kênh lân cận của máy phát
3.3.11.1. Phương pháp đo kiểm
a) Các điều kiện ban đầu
Môi trường đo kiểm: Bình thường, TL/VL, TL/VH, TH/VL, TH/VH (xem Phụ lục A).
Các tần số cần được đo kiểm là dải giữa như được quy định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
- Nối SS tới đầu nối ăng ten của UE (như Hình C.1, Phụ lục C).
- Thiết lập một cuộc gọi theo thủ tục thiết lập cuộc gọi chung.
- Đưa UE vào chế độ đo kiểm vòng lặp và bắt đầu đo kiểm vòng lặp.
CHÚ THÍCH: Có thể tham khảo cách thiết lập đo kiểm, thiết lập cuộc gọi và chế độ đo kiểm vòng lặp trong Phụ lục C, Phụ lục F và TS 134 109 tương ứng.
b) Thủ tục đo kiểm
- SS liên tục gửi các lệnh điều khiển công suất đường lên đến UE cho đến khi công suất máy phát của UE đạt mức cực đại.
- Đo công suất trung bình đã lọc RRC.
- Đo công suất trung bình đã lọc RRC của các kênh lân cận thứ nhất và các kênh lân cận thứ hai.
- Tính tỷ số công suất giữa các giá trị đo được trong bước thứ 2 và 3 ở trên.
3.3.11.2. Các yêu cầu đo kiểm
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 4.2.12.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.12. Đo kiểm phát xạ bức xạ
3.3.12.1. Phương pháp đo kiểm
Nếu có thể, vị trí đo kiểm phải là một hộp hoàn toàn không dội để mô phỏng các điều kiện của không gian tự do. EUT phải được đặt trên một giá đỡ không dẫn điện. Công suất trung bình của bất cứ thành phần tạp nào phải được xác định bởi ăng ten đo kiểm và máy thu đo (ví dụ một máy phân tích phổ).
Tại mỗi tần số mà một thành phần được xác định, EUT phải được quay để đạt được đáp ứng cực đại, và công suất bức xạ hiệu dụng (e.r.p) của thành phần đó được xác định bằng một phép đo thay thế, phép đo này là phương pháp tham chiếu. Phép đo phải được lặp lại với ăng ten đo kiểm trong mặt phẳng phân cực trực giao.
CHÚ THÍCH: Công suất bức xạ hiệu dụng (e.r.p.) đưa ra bức xạ của một ngẫu cực được điều chỉnh cộng hưởng nửa bước sóng thay cho một ăng ten đẳng hướng. Hiệu số không đổi giữa e.i.r.p và e.r.p. là 2,15 dB.
e.r.p. (dBm) = e.i.r.p. (dBm) - 2,15
(Khuyến nghị SM.329-10, Phụ lục 1 của ITU-R).
Các phép đo được thực hiện với một ăng ten ngẫu cực được điều chỉnh cộng hưởng hoặc một ăng ten tham chiếu có độ tăng ích đã biết được quy chiếu tới một ăng ten đẳng hướng.
Phải nêu rõ trong báo cáo đo kiểm nếu sử dụng vị trí đo kiểm hoặc phương pháp đo kiểm khác. Các kết quả phải được chuyển đổi sang các giá trị của phương pháp tham chiếu và tính hợp lệ của việc chuyển đổi phải được chứng minh.
3.3.12.2. Các cấu hình đo kiểm
Mục này quy định các cấu hình đo kiểm phát xạ như sau:
- Thiết bị phải được đo kiểm trong các điều kiện đo kiểm bình thường;
- Cấu hình đo kiểm phải càng gần với cấu hình sử dụng thông thường càng tốt;
- Nếu thiết bị là bộ phận của một hệ thống, hoặc có thể được kết nối với thiết bị phụ, thì việc đo kiểm thiết bị khi nó kết nối với cấu hình tối thiểu của thiết bị phụ để thử các cổng là có thể chấp nhận được;
- Nếu thiết bị có rất nhiều cổng, thì phải lựa chọn đủ số cổng để mô phỏng các điều kiện hoạt động thực và bảo đảm rằng tất cả các kiểu kết cuối khác nhau đều được đo kiểm;
- Các điều kiện đo kiểm, cấu hình đo kiểm và chế độ hoạt động phải được ghi lại trong báo cáo đo kiểm;
- Các cổng có đấu nối khi hoạt động bình thường phải được kết nối với một thiết bị phụ hoặc một đoạn cáp đại diện được kết cuối đúng để mô phỏng các đặc tuyến vào/ra của thiết bị phụ, các cổng vào/ra RF phải được kết cuối đúng;
- Các cổng không được kết nối với các dây cáp khi hoạt động bình thường, ví dụ các đầu nối dịch vụ, các đầu nối lập trình, các đầu nối tạm thời… phải không được kết nối với bất cứ dây cáp nào khi đo kiểm. Trường hợp phải nối cáp với các cổng này, hoặc các cáp liên kết cần được kéo dài để chạy EUT, cần lưu ý để đảm bảo việc đánh giá EUT không bị ảnh hưởng bởi việc thêm và kéo dài những dây cáp này.
Đo kiểm phát xạ phải được thực hiện trong hai chế độ hoạt động:
- Với một liên kết thông tin được thiết lập (chế độ lưu lượng); và
- Trong chế độ rỗi.
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.13.2 để chứng minh tính tuân thủ.
3.3.13. Các chức năng điều khiển và giám sát
3.3.13.1. Phương pháp đo kiểm
- Khi bắt đầu đo kiểm, UE phải được tắt. Đầu nối ăng ten của UE phải được nối tới một thiết bị đo công suất có các đặc tính sau đây:
- Độ rộng băng RF phải vượt quá dải tần phát hoạt động tổng của UE;
- Thời gian đáp ứng của thiết bị đo công suất phải đảm bảo công suất đo được không quá 1 dB giá trị của nó ở trạng thái ổn định trong vòng 100 ms khi đưa một tín hiệu CW vào.
- Thiết bị này phải ghi lại công suất cực đại đo được.
CHÚ THÍCH: Thiết bị có thể bao gồm một bộ lọc thông thấp thị tần để giảm thiểu đáp ứng của nó đối với các đột biến điện hoặc đối với các đỉnh tạp âm Gaussian.
- Bật UE trong thời gian khoảng 15 phút, sau đó tắt UE.
- EUT được duy trì ở trạng thái tắt trong khoảng thời gian ít nhất là 30 giây, sau đó được bật trong thời gian khoảng 1 phút.
- Bước 2) phải được lặp lại bốn lần.
- Ghi lại công suất cực đại phát xạ từ UE trong suốt thời gian đo kiểm.
Các kết quả thu được phải được so sánh với các giới hạn trong 2.2.14.2 để chứng minh tính tuân thủ.
4. QUY ĐỊNH VỀ QUẢN LÝ
Các thiết bị đầu cuối trong hệ thống thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp W-CDMA FDD (UTRA FDD) phải tuân thủ các quy định kỹ thuật trong Quy chuẩn này.
5. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN
Các tổ chức, cá nhân liên quan có trách nhiệm thực hiện chứng nhận hợp quy và công bố hợp quy các thiết bị đầu cuối trong hệ thống thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp W-CDMA FDD (UTRA FDD) và chịu sự kiểm tra của cơ quan quản lý nhà nước theo các quy định hiện hành.
6. TỔ CHỨC THỰC HIỆN
6.1. Cục Quản lý chất lượng Công nghệ thông tin và Truyền thông và các Sở Thông tin và Truyền thông có trách nhiệm tổ chức hướng dẫn, triển khai quản lý các thiết bị đầu cuối trong hệ thống thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp W-CDMA FDD (UTRA FDD) theo Quy chuẩn này.
6.2. Quy chuẩn này được áp dụng thay thế Tiêu chuẩn ngành TCN 68-245:2006 “Thiết bị đầu cuối thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp (W-CDMA FDD) - Yêu cầu kỹ thuật”.
6.3. Trong trường hợp các quy định nêu tại Quy chuẩn này có sự thay đổi, bổ sung hoặc được thay thế thì thực hiện theo quy định tại văn bản mới.
Phụ lục A
(Tham khảo)
Điều kiện môi trường
A.1. Nhiệt độ
UE phải đáp ứng mọi yêu cầu trong toàn bộ dải nhiệt độ như đã cho trong Bảng A.1.
Bảng A.1 - Nhiệt độ
Dải |
Các điều kiện |
Từ +15oC đến +35oC |
Đối với các điều kiện bình thường (Với độ ẩm tương đối từ 25% đến 75%) |
Từ -10oC đến +55oC |
Đối với các điều kiện tới hạn (xem IEC 60068-2-1 và 60068-2-2) |
Ngoài dải nhiệt độ này, nếu được cấp nguồn, UE phải sử dụng hiệu quả phổ tần vô tuyến. Trong bất cứ trường hợp nào UE cũng không được vượt quá các mức phát như đã được xác định trong TS 125.101 khi hoạt động trong môi trường khắc nghiệt.
Các điều kiện đo thử này được ký hiệu là TL (nhiệt độ thấp, -10oC) và TH (nhiệt độ cao, +55oC).
A.2. Điện áp
UE phải đáp ứng mọi yêu cầu trong toàn bộ dải điện áp, tức là dải điện áp giữa các điện áp tới hạn.
Nhà sản xuất phải công bố các điện áp tới hạn dưới và tới hạn trên và điện áp tắt máy gần đúng. Đối với thiết bị có thể hoạt động từ một hoặc nhiều nguồn điện được liệt kê dưới đây, điện áp tới hạn cận dưới không được cao hơn các điện áp quy định trong bảng A.2 và điện áp tới hạn cận trên không được thấp hơn các điện áp quy định trong Bảng A.2.
Bảng A.2 - Các nguồn điện
Nguồn điện |
Điện áp tới hạn cận dưới |
Điện áp tới hạn cận trên |
Điện áp trong các điều kiện bình thường |
Mạng điện xoay chiều (AC) |
0,9 x Danh định |
1,1 x Danh định |
Danh định |
Ắc-quy axit chì theo quy định |
0,9 x Danh định |
1,3 x Danh định |
1,1 x Danh định |
Các ắc-quy không theo quy định: Leclanché/Lithium Thuỷ ngân/Niken & Catmi |
0,85 x Danh định 0,9 x Danh định |
Danh định Danh định |
Danh định Danh định |
Ngoài dải điện áp này, nếu được cấp nguồn, UE phải sử dụng hiệu quả phổ tần vô tuyến. Trong bất cứ trường hợp nào UE cũng không được vượt quá các mức phát như đã được xác định trong TS 125.101 khi hoạt động trong môi trường khắc nghiệt. Cụ thể, UE phải cấm phát RF khi điện áp cung cấp nguồn điện nhỏ hơn điện áp tắt máy mà nhà sản xuất đã công bố.
Các điều kiện đo thử này được ký hiệu là VL (điện áp tới hạn dưới) và VH (điện áp tới hạn trên).
A.3. Môi trường đo kiểm
Khi một môi trường bình thường được quy định cho đo kiểm thì các điều kiện bình thường được đưa ra trong A.1 và A.2 phải được áp dụng.
Khi một môi trường khắc nghiệt được quy định cho đo kiểm thì nhiều sự kết hợp khác nhau giữa các nhiệt độ tới hạn với các điện áp tới hạn được đưa ra trong A.1 và A.2 phải được áp dụng. Những sự kết hợp đó là:
- Nhiệt độ tới hạn dưới/Điện áp tới hạn dưới (TL/VL);
- Nhiệt độ tới hạn dưới/Điện áp tới hạn trên (TL/VH);
- Nhiệt độ tới hạn trên /Điện áp tới hạn dưới (TH/VL);
- Nhiệt độ tới hạn trên /Điện áp tới hạn trên (TH/VH).
A.4. Độ rung
UE phải đáp ứng mọi yêu cầu khi bị rung tại tần số/biên độ sau đây:
Bảng A.3 - Độ rung
Tần số |
Độ rung ngẫu nhiên ASD (Mật độ phổ gia tốc) |
Từ 5 Hz đến 20 Hz |
0,96 m2/s3 |
Từ 20 Hz đến 500 Hz |
0,96 m2/s3 tại 20 Hz, sau đó - 3 dB/Octave |
Ngoài dải tần số chỉ định này, nếu được cấp nguồn, UE phải sử dụng hiệu quả phổ tần vô tuyến. Trong bất cứ trường hợp nào UE cũng không được vượt quá các mức phát như đã được xác định trong TS 125.101 khi hoạt động trong môi trường khắc nghiệt.
A.5. Dải tần chỉ định
Nhà sản xuất phải công bố băng tần nào trong các băng tần được xác định trong điều 4.2, TS 134 121 được UE hỗ trợ.
Một số phép đo trong Quy chuẩn này cũng được thực hiện ở dải thấp, dải giữa và dải cao trong băng tần hoạt động của UE. UARFCN cần được sử dụng đối với dải thấp, dải giữa, và dải cao được xác định trong Bảng E.1 của Phụ lục E.
A.6. Độ không bảo đảm cho phép của hệ thống đo kiểm
Độ không bảo đảm tối đa cho phép của hệ thống đo kiểm được quy định trong các Bảng 16 và 16a đối với mỗi đo kiểm. Hệ thống đo kiểm phải cho phép các tín hiệu kích thích trong trường hợp đo kiểm được điều chỉnh trong dải quy định, và thiết bị đang được đo kiểm cần được đo với độ không bảo đảm đo không vượt quá các giá trị quy định. Nếu không có quy định khác, tất cả các dải và các độ không bảo đảm đo là các giá trị tuyệt đối, và hợp lệ đối với độ tin cậy là 95%.
Độ tin cậy 95% là khoảng dung sai của độ không đảm bảo đo đối với một phép đo cụ thể, bao hàm 95% chỉ tiêu của một mẫu thiết bị đo kiểm.
Đối với các phép đo kiểm RF, cần lưu ý rằng các độ không bảo đảm trong A.6 áp dụng cho hệ thống đo kiểm hoạt động với tải danh định 50 W và không tính đến các hiệu ứng hệ thống do sự không thích ứng giữa EUT và hệ thống đo kiểm.
A.6.1. Phép đo trong các môi trường đo kiểm
Độ chính xác của phép đo trong các môi trường đo kiểm UE quy định trong A.1, A.2, A.4 và A.5 phải là:
- Áp suất : ± 5 kPa
- Nhiệt độ : ± 2 độ
- Độ ẩm tương đối : ± 5%
- Điện áp một chiều : ± 1,0%
- Điện áp xoay chiều : ± 1,5 %
- Độ rung : 10%
- Tần số rung : 0,1 Hz
Các giá trị trên phải được áp dụng trừ khi môi trường đo kiểm được điều chỉnh khác và quy định đối với việc điều chỉnh môi trường đo kiểm xác định độ không bảo đảm đo cho các tham số.
Phụ lục B
(Tham khảo)
Độ nhạy của máy thu và hoạt động chính xác của thiết bị
B.1. Độ nhạy của máy thu
Trong các hệ thống thông tin vô tuyến tế bào thuộc phạm vi của Quy chuẩn này, công suất của các quá trình phát thường được điều khiển để công suất của tín hiệu phát (được dự kiến thu bằng một máy thu cụ thể) giảm xuống mức thấp nhất mà vẫn phù hợp với quá trình thu đúng. Việc này được thực hiện bằng một vòng lặp kín sử dụng các bản tin báo cáo về công suất thu được và/hoặc chất lượng tín hiệu giữa BS và UE.
Nếu một máy thu có độ nhạy không đủ cao, công suất của tín hiệu phát (dự kiến cho máy thu đó) cần phải lớn hơn nhiều so với công suất cần thiết của tín hiệu phát cho máy thu khác. Nếu công suất phát bị tăng lên quá nhiều, sẽ gây ra nhiễu có hại cho các máy thu khác sử dụng cùng một tần số trong vùng địa lý lân cận. Vì vậy, độ nhạy của máy thu được coi là một yêu cầu thiết yếu.
Các yêu cầu về sản phẩm cho UE và BS trong IMT-2000 (nằm trong phạm vi những phần có thể áp dụng được) bao gồm các yêu cầu liên quan đến độ nhạy của máy thu. Mức độ của các yêu cầu này được dựa trên việc nghiên cứu năng lực của máy thu đó, và không gây ra nhiễu có hại gián tiếp cho các máy thu khác. Kết quả là, các yêu cầu này quá nghiêm ngặt để được coi là các yêu cầu thiết yếu. Tuy nhiên, những phần có thể áp dụng được cho UE và BS trong IMT-2000 bao gồm yêu cầu thiết yếu đối với việc xử lý tín hiệu gây nhiễu mạnh của máy thu. Yêu cầu này quy định một mức độ nào đó về chất lượng của máy thu, kém nghiêm ngặt hơn so với yêu cầu đó trong các yêu cầu về sản phẩm liên quan trực tiếp đến độ nhạy của máy thu.
Có thể thấy rằng, mức năng lực của máy thu mà UE hoặc BS trong IMT-2000 cần để đáp ứng các yêu cầu thiết yếu đối với việc xử lý tín hiệu gây nhiễu mạnh của máy thu là một mức độ thích hợp đối với một yêu cầu thiết yếu.
Vì vậy, không có yêu cầu đánh giá phù hợp riêng được xác định trong Quy chuẩn này hoặc trong những phần có thể được áp dụng liên quan đến độ nhạy của máy thu.
B.2. Thực hiện đúng chức năng của thiết bị
Trong một hệ thống thông tin vô tuyến, điều quan trọng là các chức năng của thiết bị phải hoạt động chính xác để tránh nhiễu có hại cho những đối tượng sử dụng phổ vô tuyến khác. Các chức năng này có thể bao gồm việc phát đúng tần số, đúng thời gian và/hoặc sử dụng đúng mã (đối với thiết bị sử dụng CDMA). Đối với BS, các tham số của các chức năng này được mạng ra lệnh điều khiển, và đối với UE, các tham số của các chức năng này được BS ra lệnh điều khiển.
Một số phép đo trong những phần có thể áp dụng đòi hỏi thiết lập một kết nối giữa Thiết bị đang được đo kiểm (EUT) và các thiết bị đo kiểm. Việc này đòi hỏi EUT đáp ứng đúng các lệnh mà nó nhận được.
Có thế thấy rằng, việc thiết lập một kết nối chứng minh thiết bị đã thoả mãn hầu hết các phương diện thực hiện đúng chức năng để đáp ứng các yêu cầu thiết yếu. Các phép đo đối với các chức năng cụ thể nào đó được xác định trong những phần có thể áp dụng, ở đó các chức năng này có tính quyết định đối với việc tránh nhiễu có hại.
Như vậy, các phép thử đánh giá việc thực hiện đúng chức năng của thiết bị, cùng với đo kiểm ngầm qua khả năng thiết lập kết nối, là đủ để đáp ứng yêu cầu thiết yếu đối với việc thực hiện đúng chức năng của thiết bị nhằm tránh nhiễu có hại.
Phụ lục C
(Tham khảo)
Các mô hình đo kiểm
Bộ mô phỏng hệ thống (SS - System Simulator): Một thiết bị hoặc hệ thống có khả năng tạo ra Nút B mô phỏng để báo hiệu và phân tích các đáp ứng báo hiệu của UE trên một hoặc nhiều kênh RF, để tạo ra môi trường đo kiểm quy định cho UE đang được đo kiểm. SS cũng có các khả năng sau đây:
- Đo và điều khiển công suất ra TX của UE qua các lệnh TPC
- Đo BLER và BER của RX.
- Đo định thời báo hiệu và trễ
- Có khả năng mô phỏng báo hiệu UTRAN và/hoặc GERAN.
Hệ thống đo kiểm: Một tổ hợp các thiết bị được nhóm lại thành một hệ thống nhằm tiến hành một hoặc nhiều phép đo trên một UE theo đúng các yêu cầu đối với trường hợp đo kiểm. Một hệ thống đo kiểm có thể bao gồm một hoặc nhiều Bộ mô phỏng hệ thống nếu phép thử yêu cầu báo hiệu bổ sung. Các sơ đồ sau đây là các ví dụ về các Hệ thống đo kiểm.
CHÚ THÍCH: Các thuật ngữ ở trên là các định nghĩa có tính logic được sử dụng để mô tả các phương pháp đo kiểm trong Quy chuẩn này, trên thực tế, các thiết bị thực được gọi là “Các bộ mô phỏng hệ thống” cũng có thể có khả năng đo bổ sung hoặc chỉ có thể hỗ trợ các tính năng khác được yêu cầu đối với các trường hp đo kiểm mà chúng được thiết kế để thực hiện.
Phụ lục D
(Quy định)
Kênh đo tham chiếu DL (12,2 kbit/s) và điều kiện truyền lan tĩnh
D.1. Kênh đo tham chiếu DL (12,2 kbit/s)
Các tham số đối với kênh đo tham chiếu DL 12,2 kbit/s được quy định trong các Bảng D.1.1, D.1.2 và D.1.3. Việc mã hóa kênh được trình bày chi tiết trong Hình D.1.1. Đối với cấu hình RLC của các AM DCCH, Timer_STATUS_Periodic phải không được thiết lập trong bản tin Thiết lập kết nối RRC (RRC CONNECTION SETUP) được sử dụng trong thủ tục đo kiểm RF (như xác định trong 7.3, TS 134.108). Điều này là để ngăn các DCH không mong muốn phát thông qua các thực thể RLC như vậy khi bộ định thời đã hết hạn để bảo đảm rằng TFC quy định từ tập hợp tối thiểu các TFC có thể liên tục truyền một DCH cho DTCH trong thời gian đo kiểm.
Bảng D.1.1 - Kênh đo tham chiếu DL (12,2 kbit/s)
Tham số |
Mức |
Đơn vị |
Tốc độ bit thông tin |
12,2 |
Kbps |
DPCH |
30 |
Ksps |
Khuôn dạng khe #1 |
11 |
- |
TFCI |
Bật |
|
Các độ lệch công suất PO1, PO2 và PO3 |
0 |
dB |
Vị trí DTX |
Cố định |
- |
Bảng D.1.2 - Kênh đo tham chiếu DL sử dụng RLC-TM đối với DTCH, các tham số kênh truyền tải (12,2 kbit/s)
Lớp cao hơn |
RAB/Báo hiệu RB |
RAB |
SRB |
|
RLC |
Loại kênh logic |
DTCH |
DCCH |
|
Chế độ RLC |
TM |
UM/AM |
||
Các kích thước trọng tải, bit |
244 |
88/80 |
||
Tốc độ dữ liệu cực đại, bps |
12200 |
2200/2000 |
||
Phần mào đầu PDU, bit |
N/A |
8/16 |
||
Phần mào đầu TrD PDU, bit |
0 |
N/A |
||
MAC |
Phần mào đầu MAC, bit |
0 |
4 |
|
Ghép kênh MAC |
N/A |
Có |
||
Lớp 1 |
Loại TrCH |
DCH |
DCH |
|
Nhận dạng kênh truyền tải |
6 |
10 |
||
Các kích thước TB, bit |
244 |
100 |
||
TFS |
TF0, bit |
0x244 |
0x100 |
|
|
TF1, bit |
1x244 |
1x100 |
|
TTI, ms |
20 |
40 |
||
Loại mã hóa |
Mã hoá xoắn |
Mã hóa xoắn |
||
Tốc độ mã hóa |
1/3 |
1/3 |
||
CRC, bit |
16 |
12 |
||
Số bit cực đại/TTI sau khi mã hóa kênh |
804 |
360 |
||
Đóng góp của RM |
256 |
256 |
Bảng D.1.3 - Kênh đo tham chiếu DL, TFCS (12,2 kbit/s)
Kích thước TFCS |
4 |
TFCS |
(DTCH, DCCH) = (TF0, TF0), (TF1, TF0), (TF0, TF1), (TF1, TF1) |
D.2. Điều kiện truyền lan tĩnh
Điều kiện truyền lan đối với phép đo chỉ tiêu tĩnh là một môi trường tạp âm Gauss trắng cộng (AWGN). Không có pha đinh và không tồn tại đa đường đối với mô hình truyền lan này.
Phụ lục E
(Quy định)
Các tần số đo kiểm tuân thủ của UE
Các tần số đo kiểm được dựa trên các băng tần của UMTS xác định trong các yêu cầu kỹ thuật chính.
Để tránh nhiễu với các băng tần lân cận, tần số đo kiểm thấp nhất (đường xuống và đường lên) cần được lệch lên ít nhất khoảng 2,6 MHz vì độ rộng của kênh là 5 MHz đối với phương án chọn FDD. Khoảng quét là 200 kHz. Cũng như vậy, tần số đo kiểm cao nhất (đường xuống và đường lên) cần được lệch xuống ít nhất khoảng 2,6 MHz đối với phương án chọn FDD.
CHÚ THÍCH: Có thể có những quy định bổ sung liên quan đến nhiễu đối với các băng tần sử dụng của các hệ thống khác nhau. Những quy định này là đặc thù đối với quốc gia tại đó thiết bị đo kiểm được sử dụng và cần được tính đến nếu quốc gia quy định một độ lệch lớn hơn 2,6 MHz so với các tần số biên đối với phương án chọn FDD.
Các tần số đo kiểm tính tuân thủ của UE (UTRA/FDD)
UTRA/FDD được phân định hoạt động ở một trong ba băng cặp đôi. Các tần số đo kiểm tham chiếu cho môi trường đo kiểm chung đối với băng tần của dịch vụ CDMA trải phổ trực tiếp (UTRA FDD) được xác định trong bảng sau đây:
Bảng E.1 - Các tần số đo kiểm tham chiếu FDD cho băng tần hoạt động của dịch vụ CDMA trải phổ trực tiếp (UTRA FDD)
ID của tần số đo kiểm |
UARFCN |
Tần số của Đường lên |
UARFCN |
Tần số của Đường xuống |
Dải thấp |
9613 |
1922,6 MHz |
10563 |
2112,6 MHz |
Dải giữa |
9750 |
1950,0 MHz |
10700 |
2140,0 MHz |
Dải cao |
9887 |
1977,4 MHz |
10837 |
2167,4 MHz |
Phụ lục F
(Tham khảo)
Thủ tục thiết lập cuộc gọi chung
F.1. Thủ tục thiết lập cuộc gọi chung cho các cuộc gọi chuyển kênh kết cuối di động
F.1.1. Các điều kiện ban đầu
Bộ mô phỏng hệ thống:
- 1 ô (cell), các tham số ngầm định.
Thiết bị người sử dụng:
- UE phải được hoạt động trong các điều kiện đo kiểm bình thường.
- Đo kiểm-USIM (Test-USIM) phải được chèn vào.
F.1.2. Định nghĩa các bản tin thông tin hệ thống
Các bản tin thông tin hệ thống mặc định được sử dụng.
F.1.3. Thủ tục
Thủ tục thiết lập cuộc gọi phải được thực hiện trong các điều kiện vô tuyến lý tưởng như được xác định trong điều 5, TS 134 108.
Bước |
Hướng |
Bản tin |
Chú thích |
|
UE |
SS |
|||
1 |
¬ |
SYSTEM INFORMATION (BCCH) |
Quảng bá (Broadcast) |
|
2 |
¬ |
PAGING (PCCH) |
Nhắn tin (Paging) |
|
3 |
® |
RRC CONNECTION REQUEST (CCCH) |
RRC |
|
4 |
¬ |
RRC CONNECTION SETUP (CCCH) |
RRC |
|
5 |
® |
RRC CONNECTION SETUP COMPLETE (DCCH) |
RRC |
|
6 |
® |
PAGING RESPONSE |
RR |
|
7 |
¬ |
AUTHENTICATION REQUEST |
MM |
|
8 |
® |
AUTHENTICATION RESPONSE |
MM |
|
9 |
¬ |
SECURITY MODE COMMAND |
RRC |
|
10 |
® |
SECURITY MODE COMPLETE |
RRC |
|
11 |
¬ |
SETUP |
CC |
|
12 |
® |
CALL CONFIRMED |
CC |
|
13 |
¬ |
RADIO BEARER SETUP |
RRC RAB SETUP |
|
14 |
® |
RADIO BEARER SETUP COMPLETE |
RRC |
|
15 |
® |
ALERTING |
CC (bản tin này là tùy chọn) |
|
16 |
® |
CONNECT |
CC |
|
17 |
¬ |
CONNECT ACKNOWLEDGE |
CC |
|
F.1.4. Nội dung của bản tin cụ thể
Toàn bộ nội dung của bản tin cụ thể phải được tra cứu điều 9, TS 134 108.
F.2. Thủ tục thiết lập cuộc gọi chung cho các cuộc gọi chuyển kênh khởi đầu di động
F.2.1. Các điều kiện ban đầu
Bộ mô phỏng hệ thống:
- 1 ô (cell), các tham số ngầm định.
Thiết bị người sử dụng:
- UE phải được hoạt động trong các điều kiện đo kiểm bình thường.
- Đo kiểm-USIM (Test-USIM) phải được chèn vào.
F.2.2. Định nghĩa các bản tin thông tin hệ thống
Các bản tin thông tin hệ thống ngầm định được sử dụng.
F.2.3. Thủ tục
Thủ tục thiết lập cuộc gọi phải được thực hiện trong các điều kiện vô tuyến lý tưởng như được xác định trong điều 5, TS 134 108.
Bước |
Hướng |
Bản tin |
Chú thích |
|
UE |
SS |
|||
1 |
¬ |
SYSTEM INFORMATION (BCCH) |
Quảng bá (Broadcast) |
|
2 |
® |
RRC CONNECTION REQUEST (CCCH) |
RRC |
|
3 |
¬ |
RRC CONNECTION SETUP (CCCH) |
RRC |
|
4 |
® |
RRC CONNECTION SETUP COMPLETE (DCCH) |
RRC |
|
5 |
® |
CM SERVICE REQUEST |
MM |
|
6 |
¬ |
AUTHENTICATION REQUEST |
MM |
|
7 |
® |
AUTHENTICATION RESPONSE |
MM |
|
8 |
¬ |
SECURITY MODE COMMAND |
RRC |
|
9 |
® |
SECURITY MODE COMPLETE |
RRC |
|
10 |
® |
SETUP |
CC |
|
11 |
¬ |
CALL PROCEEDING |
CC |
|
12 |
¬ |
RADIO BEARER SETUP |
RRC RAB SETUP |
|
13 |
® |
RADIO BEARER SETUP COMPLETE |
RRC |
|
14 |
¬ |
ALERTING |
CC |
|
15 |
¬ |
CONNECT |
CC |
|
16 |
® |
CONNECT ACKNOWLEDGE |
CC |
|
F.2.4. Nội dung của bản tin cụ thể
Toàn bộ nội dung của bản tin cụ thể phải được tham khảo điều 9, TS 134 108.
Phụ lục G
(Quy định)
Nguồn nhiễu điều chế W-CDMA
Nguồn nhiễu điều chế W-CDMA bao gồm các kênh đường xuống quy định trong Bảng G.1, cộng thêm các kênh OCNS quy định trong Bảng G.2. Công suất tương đối của các kênh OCNS phải đảm bảo công suất của tín hiệu tổng lên tới 1. Trong mục này, Ior liên quan đến công suất của nguồn nhiễu.
Bảng G.1 - Mã trải (phổ), các độ lệch định thời và các thiết lập mức tương đối cho các kênh tín hiệu của nguồn nhiễu điều chế W-CDMA
Loại kênh |
Hệ số trải rộng |
Mã phân kênh |
Độ lệch định thời (x 256 Tchip) |
Công suất |
Chú thích |
P-CCPCH |
256 |
1 |
0 |
P-CCPCH_Ec/Ior = -10 dB |
|
SCH |
256 |
- |
0 |
SCH_Ec/Ior = -10 dB |
Công suất SCH phải được chia đều nhau giữa các kênh đồng bộ sơ cấp và thứ cấp |
P-CPICH |
256 |
0 |
0 |
P-CPICH_Ec/Ior = -10 dB |
|
PICH |
256 |
16 |
16 |
PICH_Ec/Ior = -15 dB |
|
OCNS |
Xem Bảng G.2 |
Công suất cần thiết để mật độ phổ công suất phát tổng của Node B (Ior) lên tới 1. |
Nhiễu của OCNS gồm có các kênh dữ liệu riêng, như được quy định trong Bảng G.2 |
Bảng G.2 - Mã phân kênh DPCH và các thiết lập mức tương đối cho tín hiệu OCNS
Mã phân kênh tại SF = 128 |
Thiết lập mức tương đối (dB) (Chú thích 2) |
Dữ liệu của DPCH |
2 |
-1 |
Dữ liệu của DPCH cho mỗi mã phân kênh không được tương quan với nhau và không được tương quan với bất cứ tín hiệu mong muốn nào trong thời gian thực hiện bất cứ phép đo nào. |
11 |
-3 |
|
17 |
-3 |
|
23 |
-5 |
|
31 |
-2 |
|
38 |
-4 |
|
47 |
-8 |
|
55 |
-7 |
|
62 |
-4 |
|
69 |
-6 |
|
78 |
-5 |
|
85 |
-9 |
|
94 |
-10 |
|
125 |
-8 |
|
113 |
-6 |
|
119 |
0 |
CHÚ THÍCH 1: Các mã phân kênh của DPCH và các thiết lập mức tương đối được chọn để mô phỏng một tín hiệu có tỷ số đỉnh trên trung bình thực.
CHÚ THÍCH 2: Thiết lập mức tương đối tính theo dB chỉ liên hệ tới mối quan hệ giữa các kênh OCNS. Mức của các kênh OCNS có liên quan đến Ior của tín hiệu trọn vẹn là một hàm công suất của các kênh khác theo tín hiệu với chủ định là công suất của nhóm các kênh OSCN được sử dụng khiến cho tín hiệu tổng lên tới 1.
CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
QCVN 18:2010/BTTTT
QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA
VỀ TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ĐỐI VỚI THIẾT BỊ THÔNG TIN VÔ TUYẾN ĐIỆN
National technical regulation
on General ElectroMagnetic Compatibility for Radio Communications Equipment
HÀ NỘI - 2010
Mục lục
1.1. Phạm vi điều chỉnh.................................................................................................. 5
1.3. Giải thích từ ngữ...................................................................................................... 5
1.4. Các chữ viết tắt....................................................................................................... 8
2.1. Các giới hạn phát xạ EMC và phương pháp đo...................................................... 8
2.1.1. Phát xạ từ cổng vào/ra nguồn AC.................................................................... 8
2.1.2. Phát xạ từ cổng vào/ra nguồn DC................................................................... 9
2.1.3. Phát xạ từ cổng vỏ của thiết bị phụ trợ độc lập............................................. 10
2.1.4. Phát xạ từ cổng vỏ máy của thiết bị anten rời và cổng vào/ra anten của thiết bị anten liền...................................................................................................... 11
2.1.5. Phát xạ từ cổng vào/ra anten (phát xạ giả) của thiết bị anten rời.................. 12
2.2. Các yêu cầu miễn nhiễm EMC và phương pháp thử............................................ 14
2.2.1. Miễn nhiễm của cổng anten và cổng vỏ của thiết bị vô tuyến anten liền....... 14
2.2.2. Miễn nhiễm của cổng anten của thiết bị vô tuyến anten rời........................... 15
2.2.3. Miễn nhiễm cổng vỏ của thiết bị thông tin vô tuyến anten rời và các loại thiết bị phụ trợ.......................................................................................................... 16
2.2.4. Miễn nhiễm của cổng vào/ra nguồn AC.......................................................... 17
2.2.5. Miễn nhiễm của cổng vào/ra tín hiệu/điều khiển............................................. 18
2.2.6. Miễn nhiễm của cổng viễn thông.................................................................... 18
2.2.7. Miễn nhiễm của cổng nguồn DC (cung cấp từ các phương tiện giao thông)...................................................................................................................... 19
2.2.8. Miễn nhiễm của cổng nguồn DC (không cấp nguồn từ các phương tiện giao thông)................................................................................................................ 21
4. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN............................................................... 22
5. TỔ CHỨC THỰC HIỆN................................................................................................22
Phụ lục B (Quy định) Đánh giá chất lượng.......................................................................29
Lời nói đầu
QCVN 18:2010/BTTTT được xây dựng trên cơ sở soát xét, chuyển đổi Tiêu chuẩn ngành TCN 68-192:2003 "Tương thích điện từ (EMC) - Thiết bị thông tin vô tuyến điện - Yêu cầu chung về tương thích điện từ" ban hành theo Quyết định số 195/2003/QĐ-BBCVT ngày 29 tháng 12 năm 2003 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông (nay là Bộ Thông tin và Truyền thông). Các quy định kỹ thuật và phương pháp xác định của QCVN 18: 2010/BTTTT phù hợp với tiêu chuẩn EN 300 339:1998 “Các vấn đề về phổ tần số vô tuyến và tương thích điện từ (ERM) – Yêu cầu chung về tương thích điện từ (EMC) đối với thiết bị thông tin vô tuyến”. QCVN 18:2010/BTTTT do Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu điện biên soạn, Vụ Khoa học và Công nghệ trình duyệt và được ban hành kèm theo Thông tư số 18/2010/TT-BTTTT ngày 30 tháng 07 năm 2010 của Bộ trưởng Bộ Thông tin và Truyền thông. |
QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA
VỀ TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ĐỐI VỚI THIẾT BỊ THÔNG TIN VÔ TUYẾN ĐIỆN
National technical regulation on General Electromagnetic Compatibility for radio communications equipment
1. QUY ĐỊNH CHUNG
1.1. Phạm vi điều chỉnh
Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia này quy định các yêu cầu kỹ thuật về tương thích điện từ (EMC) đối với các thiết bị thông tin vô tuyến điện làm việc trong dải tần từ 9 kHz đến 3000 GHz và bất kỳ thiết bị phụ trợ kết hợp nào.
Quy chuẩn này áp dụng cho tất cả các loại thiết bị thông tin vô tuyến điện trừ các máy thu thông tin quảng bá, các thiết bị thông tin cảm ứng, các máy phát có công suất siêu lớn (> 10 kW), các máy vi ba nghiệp vụ cố định và các hệ thống số liệu băng tần siêu rộng sử dụng kỹ thuật trải phổ hoặc công nghệ CDMA.
Quy chuẩn này không xác định các chỉ tiêu về phát xạ tần số trên 40 GHz từ cổng anten hoặc cổng vỏ thiết bị.
Các chỉ tiêu trong Quy chuẩn này đảm bảo thỏa mãn về khả năng tương thích điện từ cho các thiết bị thông tin vô tuyến điện. Tuy nhiên các chỉ tiêu này không bao hàm các trường hợp đặc biệt khắc nghiệt có thể xảy ra nhưng với xác suất thấp.
Quy chuẩn này không bao hàm các trường hợp như nguồn gây nhiễu tạo ra các đột biến độc lập được lặp lại hoặc xuất hiện cố định liên tục, ví dụ như trạm ra-đa hoặc đài phát thanh truyền hình quảng bá trong khu vực lân cận. Trong trường hợp này, khi cần thiết có thể phải sử dụng các biện pháp bảo vệ đặc biệt đối với nguồn gây nhiễu, đối tượng bị nhiễu hoặc cả hai.
Các thiết bị có công suất phát lớn, không thể kiểm tra được tại phòng thí nghiệm bình thường thì có thể tiến hành thử nghiệm tại vị trí khai thác hoặc tại nơi sản xuất thiết bị.
1.2. Đối tượng áp dụng
Quy chuẩn kỹ thuật này áp dụng đối với các cơ quan, tổ chức, nhà sản xuất, nhập khẩu và khai thác thiết bị, hệ thống thông tin vô tuyến điện trong hoạt động chứng nhận hợp quy các thiết bị thu phát vô tuyến điện về EMC.
1.3. Tài liệu viện dẫn
TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006), Thiết bị công nghệ thông tin – Đặc tính nhiễu tần số vô tuyến – Giới hạn và phương pháp đo
TCVN 8241-4-2:2009 (IEC 61000-4-2:2001), Tương thích điện từ (EMC) – Phần 4-2: Phương pháp đo và thử - Miễn nhiễm đối với hiện tượng phóng tĩnh điện
TCVN 8241-4-3:2009 (IEC 61000-4-3:2006) Tương thích điện từ (EMC) – Phần 4-3: Phương pháp đo và thử - Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến
IEC 61000-4-4:2004 Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-4: Testing and measurement techniques - Electrical fast transient/burst immunity test
TCVN 8241-4-5:2009 (IEC 61000-4-5:2005), Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-5: Phương pháp đo và thử - Miễn nhiễm đối với xung
TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6:2004) Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-6: Phương pháp đo và thử - Miễn nhiễm đối với nhiễu dẫn tần số vô tuyến
TCVN 8241-4-11:2009 (IEC 61000-4-11:2004), Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-11: Phương pháp đo và thử - Miễn nhiễm đối với các hiện tượng sụt áp, gián đoạn ngắn và biến đổi điện áp
ETS 300 086, Radio Equipment and Systems; Land mobile service; Technical characteristics and test conditions for radio equipment with an internal or external RF connector intended primarily for analogue speech
ETS 300 113, Radio Equipment and Systems (RES); Land mobile service; Technical characteristics and test conditions for radio equipment intended for the transmission of data (and speech) and having an antenna connector
ETS 300 296 Radio Equipment and Systems (RES); Land mobile service; Technical characteristics and test conditions for radio equipment using integral antennas intended primarily for analogue speech
ETS 300 390, Radio Equipment and Systems (RES); Land mobile service; Technical characteristics and test conditions for radio equipment intended for the transmission of data (and speech) and using an integral antenna
ETR 027, Radio Equipment and Systems; Methods of Measurement for Mobile Radio Equipment
ETR 028, Radio Equipment and Systems (RES); Uncertainties in the measurement of mobile radio equipment characteristics
CISPR 16-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods
ISO 7637-1, Road vehicles; Electrical disturbance by conduction and coupling; Part 1: Passenger car and ligh commercial vehicles with nominal 12 V supply voltage – Electrical transient conduction along supply lines only
ISO 7637-2, Road vehicles; Electrical disturbance by conduction and coupling; Part 2: Commercial vehicles with nominal 24 V supply voltage - Electrical transient conduction along supply lines only.
1.3. Giải thích từ ngữ
1.3.1. Thiết bị phụ trợ (ancillary equipment)
Thiết bị kết nối với một thiết bị thông tin vô tuyến được coi là một thiết bị phụ trợ nếu:
- Thiết bị đó được sử dụng với một thiết bị thông tin vô tuyến để cung cấp các chức năng làm việc và/hoặc điều khiển bổ sung, ví dụ như mở rộng khả năng điều khiển tới vị trí khác hoặc một nơi khác;
- Thiết bị đó không thể sử dụng độc lập để cung cấp các chức năng của thiết bị thông tin vô tuyến; và
- Thiết bị thông tin vô tuyến có khả năng thực hiện một số các chức năng như phát và/hoặc thu một cách độc lập mà không cần thiết bị phụ trợ.
1.3.2. Thiết bị anten liền (integral antenna equipment)
Thiết bị anten liền là thiết bị thông tin vô tuyến có anten liền không sử dụng đầu nối ngoài và anten đó được coi là một phần của thiết bị. Anten liền có thể được nối bên trong hoặc bên ngoài thiết bị. Với loại thiết bị này thì cổng vỏ thiết bị và cổng anten là một.
1.3.3. Thiết bị anten rời (non-integral antenna equipment)
Thiết bị anten rời là thiết bị thông tin vô tuyến có đầu nối hoặc vành nối ống dẫn sóng để nối với anten hoặc trực tiếp hoặc qua cáp dẫn sóng, ống dẫn sóng. Thiết bị loại này có cổng anten riêng biệt với cổng vỏ thiết bị.
1.3.4. Thiết bị cố định (fixed equipment)
Thiết bị cố định là thiết bị được lắp đặt khai thác tại một vị trí cố định.
1.3.5. Cổng (port)
Cổng là một giao diện của thiết bị với môi trường điện từ. Bất cứ điểm kết nối nào trên thiết bị được sử dụng để kết nối các loại cáp vào hoặc ra thiết bị đều được coi là cổng. Xem minh họa trong Hình 1.
1.3.6. Độ rộng băng tần cần thiết (necessary bandwidth)
Độ rộng băng tần cần thiết là độ rộng của băng tần, đối với mỗi loại phát xạ, vừa đủ để đảm bảo truyền đưa tin tức với tốc độ và chất lượng theo yêu cầu trong những điều kiện định trước. Đối với các máy phát/bộ phát đáp đa kênh hoặc đa sóng mang, có nghĩa là nhiều tần số sóng mang được phát đi cùng một lúc từ bộ khuếch đại đầu ra tầng cuối hoặc từ anten, thì độ rộng băng tần cần thiết là băng tần của máy phát hay bộ phát đáp.
1.3.7. Độ rộng băng tần chiếm dụng (occupied bandwidth)
Độ rộng băng tần chiếm dụng là độ rộng của băng tần số, thấp hơn giới hạn tần số thấp và cao hơn giới hạn tần số cao, mà công suất phát xạ trung bình trong khu vực có tần số sẽ bằng số phần trăm cho trước b/2 của toàn bộ công suất trung bình của một phát xạ cho trước. Nếu không có định nghĩa khác của ITU-R đối với mỗi loại phát xạ thích hợp, thì giá trị b/2 là 0,5%.
1.3.8. Cổng viễn thông (telecommunications port)
Cổng viễn thông là cổng để kết nối trực tiếp với một mạng viễn thông.
1.3.9. Đơn công (simplex)
Đơn công là đường truyền thông tin một chiều tại một thời điểm (bao gồm cả chế độ bán song công).
1.3.10. Tiêu chuẩn sản phẩm (product standard)
Tiêu chuẩn sản phẩm là các tham số về quản lý tần số của sản phẩm vô tuyến.
1.3.11. Thiết bị thông tin vô tuyến (radio communications equipment)
Thiết bị thông tin vô tuyến bao gồm một hoặc nhiều máy phát và/hoặc máy thu vô tuyến được sử dụng cố định, di động hoặc xách tay. Thiết bị thông tin vô tuyến có thể hoạt động cùng với thiết bị phụ trợ nhưng các chức năng cơ bản không phụ thuộc vào các thiết bị phụ trợ này.
1.3.12. Dải tần hoạt động (operating frequency range)
Dải tần hoạt động là dải (hoặc các dải) các tần số vô tuyến liên tục của EUT.
1.3.13. Cổng vỏ thiết bị (enclosure port)
Cổng vỏ thiết bị là vỏ bọc vật lý của thiết bị, thông qua đó, trường điện từ trường có thể bức xạ qua hoặc tác động vào thiết bị.
1.4. Các chữ viết tắt
AC |
Alternating Current |
Dòng điện xoay chiều |
AM |
Amplitude Modulation |
Điều chế biên độ |
AMN |
Artificial Mains Network |
Mạch nguồn giả |
B |
measurement Bandwidth |
Băng tần đo |
BER |
Bit Error Ratio |
Tỷ lệ lỗi bit |
DC |
Direct Current |
Dòng điện một chiều |
DSB |
Double SideBand full carrier |
Hai biên đủ sóng mang |
EMC |
ElectroMagnetic Compatibility |
Tương thích điện từ |
e.m.f |
electromotive force |
Sức điện động |
ESD |
Electro Static Discharge |
Phóng tĩnh điện |
EUT |
Equipment Under Test |
Thiết bị được kiểm tra |
FER |
Frame Erasure Ratio |
Tỷ lệ xóa khung |
ITU-R |
International Telecommunication Union – Radio Sector |
Liên minh Viễn thông Thế giới – Bộ phận thông tin vô tuyến |
LISN |
Line Impedance Stabilizing Network |
Mạch ổn định trở kháng đường dây |
PEP |
Peak Envelope Power |
Công suất đường bao đỉnh |
RF |
Radio Frequency |
Tần số vô tuyến |
r.m.s |
root mean of squares |
Giá trị hiệu dụng |
SSB |
Single SideBand suppressed carrier modulation |
Điều chế đơn biên nén sóng mang |
TDM |
Time Division Multiplexed |
Bộ ghép kênh chia thời gian |
2. QUY ĐỊNH KỸ THUẬT
2.1. Các giới hạn phát xạ EMC và phương pháp đo
2.1.1. Phát xạ từ cổng vào/ra nguồn AC
Mục này đưa ra yêu cầu kỹ thuật đảm bảo thiết bị thông tin vô tuyến và thiết bị phụ trợ có khả năng giới hạn tạp âm nội xuất hiện tại các cổng nguồn AC của chúng.
Giới hạn:
EUT phải thỏa mãn các giới hạn trong Bảng 1 (bao gồm giá trị giới hạn trung bình và giá trị giới hạn gần đỉnh).
Dải tần số đo từ 150 kHz đến 30 MHz, ngoại trừ băng tần loại trừ đối với máy phát khi thực hiện phép đo ở chế độ phát.
Bảng 1 - Giới hạn phát xạ từ cổng vào/ra nguồn AC
Hiện tượng điện từ |
Dải tần, MHz |
Giới hạn, dBmV |
Tiêu chuẩn cơ bản (phương pháp đo) |
Chú thích |
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
Từ 0,15 đến 0,5 |
Từ 66 đến 56 (giá trị gần đỉnh) Từ 56 đến 46 (giá trị trung bình) |
TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006)
|
Chú thích 1 |
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
> 0,5 đến 5 |
56 (giá trị gần đỉnh) 46 (giá trị trung bình) |
TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006)
|
|
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
> 5 đến 30 |
60 (giá trị gần đỉnh) 50 (giá trị trung bình) |
TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006)
|
|
CHÚ THÍCH 1: Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số trong dải từ 0,15 đến 0,5 MHz. |
Phương pháp đo:
Phương pháp đo tuân thủ theo TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006).
Cổng ra nguồn AC phải được nối với tải, thông qua mạch ổn định trở kháng đường dây (LISN), sao cho tạo được mức dòng tương đương với mức dòng đã phân cấp cho nguồn đó.
Trường hợp cổng ra nguồn AC của mạng điện lưới nối trực tiếp (hoặc thông qua công tắc hay cầu chì) với cổng vào AC của EUT thì không cần thực hiện
phép đo tại cổng ra AC này.
CHÚ THÍCH: trong TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006), thuật ngữ “Mạch nguồn giả” (AMN) được sử dụng thay cho “Mạch ổn định trở kháng đường dây” (LISN).
2.1.2. Phát xạ từ cổng vào/ra nguồn DC
Mục này đưa ra yêu cầu kỹ thuật đảm bảo thiết bị thông tin vô tuyến và thiết bị phụ trợ có khả năng giới hạn tạp âm nội xuất hiện tại các cổng nguồn DC của chúng.
Yêu cầu này chỉ áp dụng cho các cổng vào/ra nguồn DC với cáp nối dài hơn
3 m. Nếu sử dụng bộ chuyển đổi AC-DC để cấp nguồn cho thiết bị với cáp nối ngắn hơn 3 m thì áp dụng yêu cầu phát xạ tại cổng AC của bộ chuyển đổi như trong 2.1.1 và không áp dụng yêu cầu này cho cổng DC của EUT.
Giới hạn:
EUT phải thỏa mãn các giới hạn cho trong Bảng 2.
Bảng 2 - Giới hạn phát xạ từ cổng vào/ra nguồn DC
Hiện tượng |
Dải tần, MHz |
Giới hạn, dBmV |
Tiêu chuẩn cơ bản (phương pháp đo) |
Chú thích |
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
Từ 0,15 đến 0,5 |
Từ 66 đến 56 (giá trị gần đỉnh) Từ 56 đến 46 (giá trị trung bình) |
TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006)
|
Chú thích 1 |
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
> 0,5 đến 5 |
56 (giá trị gần đỉnh) 46 (giá trị trung bình) |
TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006)
|
|
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
> 5 đến 30 |
60 (giá trị gần đỉnh) 50 (giá trị trung bình) |
TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006)
|
|
CHÚ THÍCH 1: Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số trong dải từ 0,15 MHz đến 0,5 MHz. |
Phương pháp đo:
Phương pháp đo tuân thủ theo TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006).
Nếu EUT được cấp nguồn DC qua hai dây riêng hoặc một dây nối đất thì phải thực hiện phép đo với cả hai trường hợp.
Cổng ra DC được nối với tải thông qua mạch ổn định trở kháng đường dây (LISN) sao cho tạo được mức dòng tương đương với mức dòng đã phân cấp cho nguồn đó.
Trường hợp cổng ra nguồn DC được nối trực tiếp (hoặc thông qua công tắc hay cầu chì) với cổng vào DC của EUT thì không cần thực hiện phép đo tại cổng ra DC này.
2.1.3. Phát xạ từ cổng vỏ của thiết bị phụ trợ độc lập
Mục này đưa ra yêu cầu kỹ thuật đảm bảo thiết bị phụ trợ có khả năng giới hạn phát xạ bức xạ từ cổng vỏ máy.
Yêu cầu này chỉ áp dụng cho các thiết bị phụ trợ không được tích hợp vào trong máy thu, máy phát hoặc máy thu phát vô tuyến.
Yêu cầu này áp dụng trên một cấu hình đại điện của thiết bị, hoặc cấu hình đại diện của tổ hợp thiết bị vô tuyến và thiết bị phụ trợ.
Giới hạn:
Các thiết bị phụ trợ độc lập phải thỏa mãn các giới hạn trong Bảng 3 (khoảng cách đo là 10 m).
Bảng 3 - Giới hạn phát xạ từ cổng vỏ của thiết bị phụ trợ độc lập
Dải tần, MHz |
Giới hạn (giá trị gần đỉnh), dBmV/m |
Từ 30 đến 230 |
30 |
> 230 đến 1000 |
37 |
Phương pháp đo:
Phương pháp đo tuân thủ TCVN 7189:2009 (CISPR 22:2006).
2.1.4. Phát xạ từ cổng vỏ máy của thiết bị anten rời và cổng vào/ra anten của thiết bị anten liền
Mục này đưa ra yêu cầu kỹ thuật đảm bảo khả năng giới hạn tạp âm nội (phát xạ giả) từ cổng vỏ của thiết bị thông tin vô tuyến anten rời.
Với trường hợp thiết bị thông tin vô tuyến anten liền, mục này đưa ra yêu cầu khả năng giới hạn phát xạ giả từ cổng anten, cũng là cổng vỏ của thiết bị.
Giới hạn:
EUT phải thỏa mãn được các giới hạn trong Bảng 4.
Bảng 4 - Giới hạn phát xạ từ cổng vỏ máy của thiết bị anten rời
và cổng vào/ra anten của thiết bị anten liền
Hiện tượng điện từ |
Dải tần |
Giới hạn Rx, Tx chế độ chờ, dBm (đỉnh) |
Giới hạn Tx chế độ làm việc, dBm (đỉnh) |
Chú thích |
Phát xạ tần số vô tuyến (Phát xạ giả) |
Từ 30 đến 230 MHz |
-57 (2 nW) |
-36 (250 nW) hoặc |
B = 100 đến 120 kHz |
Phát xạ tần số vô tuyến (Phát xạ giả) |
Từ 230 MHz đến 1 GHz |
-50 (10 nW) |
-36 (250 nW) hoặc |
B = 100 đến Chú thích 2 |
Phát xạ tần số vô tuyến (Phát xạ giả) |
>1 đến |
-47 (20 nW) |
-30 (1 mW) hoặc -74 dB PEP, lấy giá trị nào cao hơn. |
B = 1 MHz Chú thích 4 |
Phát xạ tần số vô tuyến (Phát xạ giả) |
>12,75 đến 40 GHz |
-47 (20 nW) |
-30 (1 mW) hoặc -74 dB PEP, lấy giá trị nào cao hơn. |
B = 1 MHz Chú thích 3 và 4 |
- CHÚ THÍCH 1: Đối với các máy phát được lắp đặt tại vị trí có khoảng cách nhỏ hơn 10 m tới các máy thu truyền thông quảng bá nội địa, giới hạn -54 dBm (4 nW) đỉnh được áp dụng trong chế độ làm việc với băng tần từ 47 đến 74 MHz, từ 87,5 đến 118 MHz và từ 174 đến 230 MHz. - CHÚ THÍCH 2: Đối với các máy phát được lắp đặt tại vị trí có khoảng cách nhỏ hơn 10 m tới các máy thu truyền thông quảng bá nội địa, giới hạn -54 dBm (4 nW) đỉnh được áp dụng trong chế độ làm việc với băng tần từ 470 đến 862 MHz. - CHÚ THÍCH 3: Chỉ áp dụng đối với các bộ phận vô tuyến, nó bao gồm một anten và được coi là một phần cấu trúc cơ khí của nó. - CHÚ THÍCH 4: Khởi đầu, có thể thực hiện phép đo tới tần số 4 GHz hoặc 2 x Fc, lấy giá trị nào lớn hơn. Nếu có bất cứ mức phát xạ giả nào, ở tần số trên 1,5 GHz, vượt quá -10 dB so với giới hạn thì phép đo phải được tiếp tục tới tần số 12,75 GHz hoặc 2 x Fc, lấy giá trị nào lớn hơn. |
Phương pháp đo:
Sử dụng các phương pháp đo công suất trực tiếp hoặc phương pháp thay thế, tuỳ theo phương pháp nào phù hợp hơn với dải tần khảo sát.
Hướng dẫn thực hiện phép đo có trong các tiêu chuẩn ETS 300 296,
ETS 300 390, ETR 027, ETS 300 086, ETS 300 113, ETR 028 của ETSI, hoặc CISPR 16-1. Phương pháp đo đã chọn phải được ghi trong biên bản đo.
Máy thu đo phải được điều chỉnh trên toàn dải tần đo, mức công suất phải được đo tại các tần số có thành phần phát xạ giả. Các phép đo phải được lặp lại với EUT ở chế độ chờ và chế độ thu. Nếu mức đo được thấp hơn 10 dB so với giới hạn trong Bảng 4 thì không phải ghi lại trong biên bản thử nghiệm.
Máy phát phải được điều chế theo điều chế đo kiểm thông thường trong mục A.5 trong quá trình đo kiểm (nếu thích hợp). Băng tần loại trừ xác định tại mục A.3 được áp dụng.
Đối với các máy phát anten rời thì cổng anten phải được kết cuối bằng tải không bức xạ có công suất thích hợp trong quá trình đo.
2.1.5. Phát xạ từ cổng vào/ra anten (phát xạ giả) của thiết bị anten rời
Mục này đưa ra yêu cầu kỹ thuật đảm bảo khả năng giới hạn mức phát xạ giả từ cổng anten của thiết bị thông tin vô tuyến anten rời.
Trong dải tần số từ 30 MHz đến 4 GHz, các yêu cầu về nhiễu dẫn trong mục này có thể được thay thế bằng các yêu cầu về phát xạ giả trong 2.1.4.
Giới hạn:
EUT phải thỏa mãn được các giới hạn trong Bảng 5.
Khi đánh giá tuân thủ phải chú ý đến mức suy hao của bộ suy hao công suất không phát xạ từ cổng anten đến cổng đo.
Nếu EUT chỉ sử dụng loại anten đặc biệt do nhà sản xuất cung cấp có
hệ số phát xạ thấp hơn tại các tần số tương ứng với các tần số có thành phần nhiễu dẫn và nếu mức nhiễu dẫn đo được này nằm ngoài giới hạn cho phép thì phải tính đến chỉ tiêu kỹ thuật anten của nhà sản xuất. Nếu theo nhà sản xuất, đặc tính khuếch đại (hệ số tăng ích) của anten tại tần số phát xạ giả nhỏ hơn nhiều mức 0 dBi và phát xạ giả của anten gây ra bởi nhiễu dẫn nhỏ hơn giới hạn phát xạ giả cho phép thì mức nhiễu dẫn được coi là phù hợp. Điều này có thể được diễn giải rõ hơn bằng công thức:
- Mức bức xạ dẫn đo được tại tần số f là x dBm, và
- Mức khuếch đại anten, theo nhà sản xuất, tại tần số f là g dBi;
- Công suất bức xạ phát xạ từ anten sẽ là: (x + g) dBm = h dBm
- Nếu thỏa mãn giới hạn trong Bảng 4 đối với tần số f, thì mức phát xạ dẫn được coi là phù hợp thậm chí nếu mức x lớn hơn giới hạn cho phép trong Bảng 5.
Ví dụ: Một máy phát ở chế độ hoạt động có mức nhiễu dẫn là -24 dBm tại
tần số 1,5 GHz:
- Mức này nằm ngoài giới hạn cho phép trong trong Bảng 5.
- Nhưng hệ số khuếch đại anten tại tần số này là -30 dBi (theo nhà sản xuất).
- Như vậy công suất phát xạ giả tại anten trong trường hợp này là -54 dBm.
- Mức -54 dBm này thỏa mãn giới hạn trong Bảng 4.
- Do vậy trong trường hợp này mức nhiễu dẫn được coi là phù hợp.
Nếu có nhiều loại anten sử dụng cho EUT, thì việc xem xét chỉ tiêu kỹ thuật anten chỉ đối với loại anten có mức khuếch đại lớn nhất tại tần số có phát xạ giả.
Bảng 5- Giới hạn phát xạ tại cổng vào/ra anten của thiết bị anten rời
Hiện tượng |
Dải tần |
Giới hạn Rx, Tx chế độ chờ, dBm (đỉnh) |
Giới hạn Tx chế độ làm việc, dBm (đỉnh) |
Chú thích |
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
Từ 9 kHz đến 150 kHz |
-57 (2 nW) |
-36 (250 nW) hoặc |
B = 1 kHz |
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
>150 kHz đến |
-57 (2 nW) |
-36 (250 nW) hoặc |
B = 9 đến 10 kHz |
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
>30 MHz đến |
-57 (2 nW) |
-36 (250 nW) hoặc |
B = 100 đến Chú thích 2 |
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
>1 GHz đến 12,75 GHz |
-47 (20 nW) |
-30 (1 mW) hoặc -74 dB PEP, lấy giá trị nào cao hơn |
B = 1 MHz Chú thích 1 |
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến |
>12,75 đến |
-47 (20 nW) |
-30 (1 mW) hoặc -74 dB PEP, lấy giá trị nào cao hơn |
B = 1 MHz Chú thích 1 |
- CHÚ THÍCH 1: Khởi đầu, có thể thực hiện phép đo tới tần số 4 GHz hoặc 2 x Fc, lấy giá trị nào lớn hơn. Nếu có bất cứ mức phát xạ giả nào, ở tần số trên 1,5 GHz, vượt quá -10 dB so với giới hạn, thì phép đo phải được tiếp tục tới tần số 12,75 GHz hoặc 2 x Fc, lấy giá trị nào lớn hơn. - CHÚ THÍCH 2: Đối với các máy phát được lắp đặt tại vị trí có khoảng cách nhỏ hơn 10 m tới các máy thu truyền thông quảng bá nội địa, giới hạn -54 dBm (4 nW) đỉnh được áp dụng trong băng tần từ 47 đến 74 MHz, từ 87,5 đến 118 MHz, từ 174 đến 230 MHz và từ 470 đến 862 MHz. |
Phương pháp đo:
Cổng anten phải được kết cuối bằng bộ suy hao công suất không bức xạ, đầu ra của bộ suy hao được nối tới máy đo. Máy thu đo phải có băng tần đo (B) đáp ứng được các yêu trong Bảng 5 và phải sử dụng bộ tách đỉnh.
Máy thu đo được điều chỉnh trên toàn dải tần đo, mức công suất phải được đo tại các tần số có thành phần phát xạ giả. Các phép đo phải được lặp lại với EUT ở chế độ chờ và chế độ thu. Nếu mức đo được thấp hơn 10 dB so với giới hạn trong Bảng 5 thì sẽ không phải ghi lại trong biên bản thử nghiệm.
Hướng dẫn thực hiện phép đo có trong các tiêu chuẩn ETS 300 296, ETS 300 390,
ETR 027, ETS 300 113, ETR 028, ETS 300 086, hoặc CISPR 16-1. Phương pháp đo phải được ghi lại trong báo cáo đo kiểm.
Đối với máy phát, băng tần loại trừ trong mục A.3.1 được áp dụng trong quá trình đo thử.
Nếu EUT chỉ nối với ống dẫn sóng có độ dài lớn hơn 2 lần bước sóng của tần số cắt thì phép đo được hạn chế chỉ với các tần số đo lớn hơn 0,7 lần tần số cắt.
2.2. Các yêu cầu miễn nhiễm EMC và phương pháp thử
2.2.1. Miễn nhiễm của cổng anten và cổng vỏ của thiết bị vô tuyến anten liền
2.2.1.1. EUT làm việc tại tần số dưới 2 GHz
Phép thử phóng tĩnh điện tuân thủ TCVN 8241-4-2:2009 (IEC 61000-4-2:2001).
Mức thử:
- ±2, ±4 và ±8 kV phóng qua không khí;
- ±2 và ±4 kV phóng tiếp xúc.
Áp dụng tiêu chí: B.
Các bước sau đây được thực hiện lần lượt:
a) Tần số hoạt động của EUT được điều chỉnh về tần số trung tâm trong dải tần hoạt động. Nếu EUT có nhiều dải tần hoạt động thì các phép thử tiếp theo dưới đây được lặp lại đối với mỗi dải tần hoạt động của thiết bị;
b) Mức tín hiệu mong muốn đưa vào lớn hơn mức để thiết lập đường truyền thông với các chỉ tiêu danh định 10 dB hoặc tại mức do nhà sản xuất xác định;
c) Đối với các máy thu, áp dụng tín hiệu nhiễu thử với mức 30 mV/m hoặc tại mức 80 dB trên mức tín hiệu mong muốn (áp dụng mức nào lớn hơn nhưng không vượt quá mức 3 V/m). Tín hiệu này được quét trên toàn dải tần từ 80 MHz đến 1 GHz. Công suất cần thiết cho cường độ trường thử được tính toán từ các giá trị đã biết của công suất vào và cường độ trường ghi được trong giai đoạn hiệu chỉnh. Tín hiệu thử được điều chế biên độ bằng tín hiệu hình sin 1 kHz với độ sâu điều chế 80% trừ trường hợp trùng với tần số tín hiệu mong muốn, trong trường hợp này tần số điều chế là 400 Hz. Băng tần loại trừ mục A.3.3 được áp dụng:
- Chất lượng đường truyền thông vô tuyến được đánh giá theo tiêu chí A;
- Chỉ tiêu đáp ứng máy thu đối với các hiện tượng băng rộng và băng hẹp được đánh giá phù hợp với mục C.2.3.
d) Đối với tất cả các EUT, áp dụng tín hiệu nhiễu thử với mức 3 V/m, tín hiệu này được quét trên dải tần từ 80 MHz đến 1 GHz. Tín hiệu thử được điều chế biên độ bằng tín hiệu hình sin 1 kHz với độ sâu điều chế 80% trừ trường hợp trùng với tần số tín hiệu mong muốn, trong trường hợp này tần số điều chế là 400 Hz. Băng tần loại trừ mục A.3 được áp dụng:
- Đối với các máy thu áp dụng tiêu chí A. Tín hiệu thử tại mức 3 V/m chỉ được sử dụng để đánh giá chất lượng của máy thu, không liên quan đến đường truyền thông vô tuyến (đánh giá chất lượng đường truyền thông theo mục c);
- Đối với các máy phát trong chế độ phát và chế độ chờ, đánh giá chất lượng theo tiêu chí A.
2.2.1.2. EUT làm việc tại các tần số bằng hoặc lớn hơn 2 GHz
Phép thử phóng tĩnh điện tuân thủ TCVN 8241-4-2:2009 (IEC 61000-4-2:2001).
Mức thử:
- ±2, ±4 và ±8 kV phóng qua không khí;
- ±2 và ±4 kV phóng tiếp xúc.
Áp dụng tiêu chí: B.
Các bước sau đây được thực hiện lần lượt:
a) Tần số hoạt động của EUT được điều chỉnh về tần số trung tâm trong dải tần hoạt động. Nếu EUT có nhiều dải tần hoạt động, thì các phép thử tiếp theo dưới đây được lặp lại đối với mỗi dải tần hoạt động của thiết bị;
b) Mức tín hiệu mong muốn đưa vào lớn hơn mức để thiết lập đường truyền thông với các chỉ tiêu danh định 10 dB hoặc tại mức do nhà sản xuất xác định;
c) Đối với tất cả các thiết bị được kiểm tra, áp dụng tín hiệu nhiễu thử với mức
3 V/m, tín hiệu này được quét trên dải tần từ 80 MHz đến 1 GHz. Tín hiệu thử được điều chế biên độ bằng tín hiệu hình sin 1 kHz với độ sâu điều chế 80% trừ trường hợp trùng với tần số tín hiệu mong muốn, trong trường hợp này tần số điều chế là 400 Hz:
- Tất cả các chức năng chính được đánh giá theo tiêu chí A;
- Chỉ tiêu đáp ứng máy thu đối với các hiện tượng băng rộng và băng hẹp được đánh giá phù hợp với mục C.2.3.
2.2.2. Miễn nhiễm của cổng anten của thiết bị vô tuyến anten rời
2.2.2.1 Các mức thử và tiêu chí chất lượng
a) Phép thử nhiễu dẫn RF chế độ chênh lệch (dây-dây): các máy thu có tần số làm việc dưới 2 GHz.
Các bước sau đây được thực hiện lần lượt:
- Tần số làm việc của EUT được điều chỉnh về tần số trung tâm của dải tần hoạt động. Nếu EUT có nhiều dải tần hoạt động, thì các phép thử tiếp theo dưới đây được lặp lại đối với mỗi dải tần hoạt động của thiết bị;
- Mức tín hiệu mong muốn đưa vào phải lớn hơn mức để thiết lập đường truyền dẫn với các chỉ tiêu danh định 10 dB hoặc tại mức do nhà sản xuất xác định;
- Sử dụng tín hiệu thử với mức 80 dB lớn hơn mức tín hiệu mong muốn nhưng không lớn hơn +100 dBmV e.m.f, tín hiệu này được quét trên dải tần từ 80 MHz đến 1 GHz. Tín hiệu thử được điều chế biên độ bằng tín hiệu hình sin 1 kHz với độ sâu điều chế 80% trừ trường hợp trùng với tần số tín hiệu mong muốn, trong trường hợp này tần số điều chế là 400 Hz. áp dụng băng tần loại trừ mục A.3.3. Có thể thực hiện phép thử như trong mục 2.2.1.1 bước c) với loại anten đặc biệt do nhà sản xuất cung cấp.
Đánh giá chỉ tiêu về đáp ứng máy thu băng hẹp, băng rộng theo mục C.2.3.
Bảng 6 - Các mức thử và tiêu chí chất lượng
Hiện tượng điện từ |
Mức thử |
Tiêu chí |
Tiêu chuẩn cơ bản (phương pháp thử) |
Chú thích |
|
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến. Chế độ chung (dây-đất) |
Tần số, MHz |
Từ 0,15 |
A (trong băng |
TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6:2004)
|
Chú thích 1, 2 và 4 |
Biên độ, V (r.m.s unmod e.m.f) |
3 |
||||
Độ sâu điều chế AM,% |
80 |
||||
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến. Chế độ chênh lệch (dây-dây) |
|
|
A |
|
Theo mục a) hoặc b) Chú thích 3 và 5 |
Đột biến nhanh. Chế độ chung (dây-đất) |
Điện áp đỉnh, kV |
0,5 |
B |
IEC 61000-4-4 |
Chú thích 2 và 4 |
Dạng xung, Tr/Th ns |
5/50 |
||||
Tần số lặp, kHz |
5 |
||||
- CHÚ THÍCH 1: Phương pháp thử là phương pháp vòng kẹp cảm ứng dòng, áp dụng băng tần loại trừ mục A.3.3, có thể bỏ qua đáp ứng băng hẹp (xem mục C.2.3). - CHÚ THÍCH 2: Chỉ áp dụng với các cổng giao tiếp với cáp mà tổng độ dài có thể lớn hơn 3 m. - CHÚ THÍCH 3: Chỉ áp dụng đối với các máy thu. - CHÚ THÍCH 4: Chỉ áp dụng đối với các cổng giao tiếp với cáp đồng trục. - CHÚ THÍCH 5: Không thực hiện phép thử đối với các máy thu có tần số hoạt động bằng hay lớn hơn 2 GHz. |
b) Phép thử nhiễu dẫn RF chế độ chênh lệch (dây-dây): máy thu có tần số làm việc bằng hoặc lớn hơn 2 GHz
Phép thử nhiễu dẫn RF chế độ chênh lệch không thích hợp với loại thiết bị này và sẽ không được thực hiện.
Chứng minh:
- Trong khi đang khai thác, khi thực hiện phép thử, các tín hiệu nhiễu tới cổng anten được dịch tần ± 5% so với tần số làm việc và như vậy sẽ nằm trong băng tần loại trừ.
- Các thiết bị thông tin vô tuyến cố định có tần số sóng mang bằng hay lớn hơn 2 GHz thường sử dụng các anten định hướng.
2.2.3. Miễn nhiễm cổng vỏ của thiết bị thông tin vô tuyến anten rời và các loại thiết bị phụ trợ
Bảng 7 - Các mức thử và tiêu chí chất lượng
Hiện tượng điện từ |
Mức thử |
Tiêu chí |
Tiêu chuẩn cơ bản (Phương pháp thử) |
Chú thích |
|
Trường điện từ tần số vô tuyến |
Tần số, MHz |
Từ 80 |
A (trong băng tần loại trừ máy thu, áp dụng tiêu chí B) |
TCVN 8241-4-3:2009 (IEC 61000-4-3:2006)
|
Chú thích 1 |
Biên độ, V/m r.m.s |
3 |
||||
Độ sâu điều chế AM,% |
80 |
||||
Phóng tĩnh điện |
Điện áp đỉnh, kV (phóng qua không khí) |
± 2, ± 4 và ± 8 |
B |
TCVN 8241-4-2:2009 (IEC 61000-4-2:2001)
|
|
Điện áp đỉnh, kV (phóng tiếp xúc) |
± 2 và ± 4 |
||||
- CHÚ THÍCH 1: Tín hiệu thử được điều chế biên độ bằng tín hiệu hình sin 1 kHz với độ sâu điều chế 80% trừ trường hợp trùng với tần số tín hiệu mong muốn, trong trường hợp này tần số điều chế là 400 Hz. - CHÚ THÍCH 2: Đánh giá đáp ứng máy thu băng hẹp, băng rộng theo mục C.2.3. |
2.2.4. Miễn nhiễm của cổng vào/ra nguồn AC
Bảng 8 - Các mức thử và tiêu chí chất lượng
Hiện tượng |
Mức thử |
Tiêu chí |
Tiêu chuẩn |
Chú thích |
|
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến. Chế độ chung (dây-đất) |
Tần số, MHz |
Từ 0,15 đến 80 |
A (trong băng tần loại trừ máy thu, áp dụng tiêu chí B) |
TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6:2004)
|
Chú thích 1, 2 và 4 |
Biên độ, V (r.m.s unmod e.m.f) |
3 |
||||
Độ sâu điều chế AM,% |
80 |
||||
Đột biến nhanh. Chế độ chung (dây-đất) |
Điện áp đỉnh, kV |
1 |
B |
IEC 61000-4-4 |
Chú thích 2 |
Dạng xung, Tr/Th ns |
5/50 |
||||
Tần số lặp, kHz |
5 |
||||
Xung sét chế độ chung (dây-đất) |
Điện áp đỉnh, kV |
1 |
B |
TCVN 8241-4-5:2009 (IEC 61000-4-5:2005) |
Chú thích 3 |
Dạng xung, Tr/Th ms |
1,2/50 (8/20) |
||||
Xung sét chế độ chênh lệch |
Điện áp đỉnh, kV |
0,5 |
B |
TCVN 8241-4-5:2009 (IEC 61000-4-5:2005) |
Chú thích 3 |
Dạng xung, Tr/Th ms |
1,2/50 (8/20) |
||||
Sụt điện áp |
Mức giảm,% Thời gian, ms |
30 10 |
B |
TCVN 8241-4-11:2009 (IEC 61000-4-11:2004) |
Chú thích 3 |
Mức giảm,% Thời gian, ms |
60 100 |
B |
Chú thích 3 |
||
Ngắt quãng điện áp |
Mức giảm,% |
> 95 |
C |
TCVN 8241-4-11:2009 (IEC 61000-4-11:2004) |
Chú thích 3 |
Thời gian, ms |
5000 |
||||
- CHÚ THÍCH 1: Phép thử được thực hiện bằng phương pháp ghép tín hiệu hoặc kết nối trực tiếp. Phép thử có thể thực hiện bằng phương pháp ghép tín hiệu thử qua vòng kẹp cảm ứng dòng. Đáp ứng băng hẹp (đáp ứng giả) nếu có trong khi thử có thể bỏ qua. - CHÚ THÍCH 2: Áp dụng cho tất cả các cổng vào và các cổng ra giao tiếp với cáp mà tổng độ dài có thể lớn hơn 3 m. - CHÚ THÍCH 3: Chỉ áp dụng cho các cổng vào. - CHÚ THÍCH 4: Tín hiệu thử được điều chế biên độ bằng tín hiệu hình sin 1 kHz với độ sâu điều chế 80% trừ trường hợp trùng với tần số tín hiệu mong muốn, trong trường hợp này tần số điều chế là 400 Hz. |
2.2.5. Miễn nhiễm của cổng vào/ra tín hiệu/điều khiển
Bảng 9 - Các mức thử và tiêu chí chất lượng
Hiện tượng điện từ |
Mức thử |
Tiêu chí |
Tiêu chuẩn cơ bản (Phương pháp thử) |
Chú thích |
|
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến. Chế độ chung (dây-đất) |
Tần số, MHz |
Từ 0,15 đến 80 |
A (nằm trong băng tần loại trừ, áp dụng tiêu chí B) |
TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6:2004)
|
Chú thích 1, 2 và 3 |
Biên độ, V (r.m.s unmod e.m.f) |
3 |
||||
Độ sâu điều chế AM,% |
80 |
||||
Đột biến nhanh. Chế độ chung (dây-đất) |
Điện áp đỉnh, kV |
0,5 |
B |
IEC 61000-4-4 |
Chú thích 3 |
Dạng xung, Tr/Th ns |
5/50 |
||||
Tần số lặp, kHz |
5 |
||||
- CHÚ THÍCH 1: Phép thử được thực hiện sử dụng phương pháp ghép tín hiệu hoặc phương pháp kết nối trực tiếp. Phương pháp thử có thể là phương pháp vòng kẹp cảm ứng dòng. Đáp ứng băng hẹp (đáp ứng giả) nếu có trong phép thử có thể bỏ qua. - CHÚ THÍCH 2: Tín hiệu thử được điều chế biên độ bằng tín hiệu hình sin 1 kHz với độ sâu điều chế 80% trừ trường hợp trùng với tần số tín hiệu mong muốn, trong trường hợp này tần số điều chế là 400 Hz. - CHÚ THÍCH 3: Phép thử được thực hiện tại các cổng giao tiếp với cáp dài hơn 3 m. |
2.2.6. Miễn nhiễm của cổng viễn thông
Bảng 10 - Các mức thử và tiêu chí chất lượng
Hiện tượng |
Mức thử |
Tiêu chí |
Tiêu chuẩn cơ bản (Phương pháp thử) |
Chú thích |
|
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến. Chế độ chung (dây-đất)
|
Tần số, MHz |
Từ 0,15 đến 80 |
A (nằm trong băng tần loại trừ áp dụng tiêu chí B) |
TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6:2004)
|
Chú thích 1, 2. |
Biên độ, V (r.m.s unmod e.m.f) |
3 |
||||
Độ sâu điều chế AM,% |
80 |
||||
Đột biến nhanh. Chế độ chung (dây-đất). |
Điện áp đỉnh, kV |
0,5 |
B |
IEC 61000-4-4 |
|
Dạng xung, Tr/Th ns |
5/50 |
||||
Tần số lặp, kHz |
5 |
||||
Xung sét chế độ chênh lệch (dây-dây). |
Điện áp, kV |
0,5 |
B |
TCVN 8241-4-5:2009 (IEC 61000-4-5:2005) |
|
Dạng xung, Tr/Th ms |
1,2/50 |
||||
Xung sét chế độ chung (dây-đất) |
Điện áp, kV |
0,5 |
B |
TCVN 8241-4-5:2009 (IEC 61000-4-5:2005) |
|
Dạng xung, Tr/Th ms |
1,2/50 |
||||
- CHÚ THÍCH 1: Phép thử được thực hiện bằng phương pháp ghép tín hiệu hoặc kết nối trực tiếp. Phương pháp thử có thể là phương pháp vòng kẹp cảm ứng dòng. Đáp ứng băng hẹp (đáp ứng giả) nếu có trong phép thử có thể bỏ qua. - CHÚ THÍCH 2: Tín hiệu thử được điều chế biên độ bằng tín hiệu hình sin 1 kHz với độ sâu điều chế 80% trừ trường hợp trùng với tần số tín hiệu mong muốn, trong trường hợp này tần số điều chế là 400 Hz. |
2.2.7. Miễn nhiễm của cổng nguồn DC (cung cấp từ các phương tiện giao thông)
Mục này đưa ra yêu cầu kỹ thuật đảm bảo thiết bị thông tin vô tuyến và thiết bị phụ trợ hoạt động bình thường khi có đột biến nhanh và xung sét xuất hiện tại cổng vào nguồn DC trong môi trường giao thông.
Phương pháp thử:
Phép thử được thực hiện tại các cổng nguồn DC 12 V và 24 V của các thiết bị phụ trợ và/hoặc thiết bị thông tin vô tuyến được sử dụng trên các phương tiện giao thông.
Phương pháp thử tuân thủ ISO 7637 - 1 đối với các thiết bị sử dụng nguồn 12 V DC và ISO 7637 - 2 đối với các thiết bị sử dụng nguồn 24 V DC.
Đối với thiết bị được thiết kế để có thể sử dụng cả hai loại nguồn 12 và
24 V DC mà không cần thay đổi thành phần kết cấu, mô-đun hay điều chỉnh thì phép thử được thực hiện theo mục 2.2.7.2 và loại xung thử 4 của mục 2.2.7.1.
Đối với thiết bị được thiết kế để có thể sử dụng cả hai loại nguồn 12 và
24 V DC nhưng phải thay đổi thành phần kết cấu, mô-đun hay điều chỉnh thì phép thử được thực hiện theo các mục 2.2.7.1 và 2.2.7.2.
Tiêu chí chất lượng:
Tiêu chí B.
2.2.7.1 Miễn nhiễm của thiết bị được cấp nguồn 12 V DC
Với các thiết bị được cấp nguồn 12 V DC trực tiếp từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông, áp dụng các loại xung thử trong Bảng 11.
Bảng 11 - Các mức thử đối với các thiết bị được cấp nguồn 12 V DC trực tiếp
từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông
ISO 7637 - 1, xung |
Mức |
Số lượng xung |
Đặc tính |
Thời gian thử, phút |
3a |
II |
|
|
5 |
3b |
II |
|
|
5 |
4 |
II |
5 |
Vs = -5 V Va = -2,5 V t6 = 25 ms t8 = 5 s t = 5 ms |
|
Với các thiết bị không đòi hỏi cấp nguồn 12 V DC trực tiếp từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông, áp dụng các loại xung thử trong Bảng 11 và Bảng 12.
Bảng 12 - Các phép thử bổ sung đối với các thiết bị không đòi hỏi
cấp nguồn 12 V DC trực tiếp từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông
ISO 7637 – 1 |
Mức |
Số lượng xung |
Đặc tính |
1 |
II |
10 |
t1 = 2,5 s |
2 |
II |
10 |
t1 = 2,5 s |
Phải ghi vào biên bản thử nghiệm khi không áp dụng các xung thử trong Bảng 12 vì thiết bị được cấp nguồn trực tiếp từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông.
2.2.7.2 Miễn nhiễm của thiết bị được cấp nguồn 24 V DC
Với các thiết bị được cấp nguồn 24 V DC trực tiếp từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông, áp dụng các xung thử trong Bảng 13.
Bảng 13 - Các mức thử đối với các thiết bị được cấp nguồn 24 V DC
trực tiếp từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông
ISO 7637 - 2, xung |
Mức |
Số lượng xung |
Đặc tính |
Thời gian thử, phút |
3a |
II |
|
|
5 |
3b |
II |
|
|
5 |
4 |
II |
5 |
Vs = -10 V Va = -5 V t6 = 25 ms t8 = 5 s tf = 5 ms |
|
Với các thiết bị không đòi hỏi cấp nguồn 12 V DC trực tiếp từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông, áp dụng các loại xung trong Bảng 13 và Bảng 14.
Bảng 14 - Các phép thử bổ sung đối với các thiết bị không đòi hỏi
cấp nguồn 24 V DC trực tiếp từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông
ISO 7637 – 2 |
Mức |
Số lượng xung |
Đặc tính |
1a |
II |
10 |
t1 = 2,5 s Ri = 25 W |
1b |
II |
10 |
t1 = 2,5 s Ri = 100 W |
2 |
II |
10 |
t1 = 2,5 s |
Phải ghi vào biên bản thử nghiệm khi không áp dụng các xung thử trong Bảng 14 vì thiết bị được cấp nguồn trực tiếp từ nguồn ắc-qui của các phương tiện giao thông.
2.2.8. Miễn nhiễm của cổng nguồn DC (không cấp nguồn từ các phương tiện
giao thông)
Bảng 15 - Các mức thử và tiêu chí chất lượng
Hiện tượng |
Mức thử |
Tiêu chí |
Tiêu chuẩn |
Chú thích |
|
Nhiễu dẫn tần số vô tuyến. Chế độ chung (dây-đất). |
Tần số, MHz |
Từ 0,15 đến 80 |
A (nằm trong băng tần loại trừ áp dụng tiêu chí B) |
TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6:2004)
|
Chú thích 1, 2 và 4 |
Biên độ, V (r.m.s unmod e.m.f) |
3 |
||||
Độ sâu điều chế AM,% |
80 |
||||
Đột biến nhanh. Chế độ chung (dây-đất). |
Điện áp đỉnh, kV |
0,5 |
B |
IEC 61000-4-4 |
Chú thích 2 |
Dạng xung, Tr/Th ns |
5/50 |
||||
Tần số lặp, kHz |
5 |
||||
Xung sét chế độ chung (dây – đất) |
Điện áp, kV |
1 |
B |
TCVN 8241-4-5:2009 (IEC 61000-4-5:2005) |
Chú thích 3 |
Dạng xung, Tr/Th ms |
1,2/50 |
||||
- CHÚ THÍCH 1: Phép thử được thực hiện sử dụng phương pháp ghép tín hiệu hoặc kết nối trực tiếp. Phương pháp thử có thể là phương pháp vòng kẹp cảm ứng dòng. Đáp ứng băng hẹp (đáp ứng giả) nếu có trong phép thử có thể bỏ qua. - CHÚ THÍCH 2: Áp dụng cho tất cả các cổng vào và các cổng ra giao tiếp với cáp mà tổng độ dài có thể lớn hơn 3 m. - CHÚ THÍCH 3: Chỉ áp dụng cho các cổng độ dài cáp của nó có thể dài hơn 10 m. - CHÚ THÍCH 4: Tín hiệu thử được điều chế biên độ bằng tín hiệu sin 1 kHz với độ sâu điều chế 80% trừ trường hợp trùng với tần số tín hiệu mong muốn, trong trường hợp này tần số điều chế là 400 Hz. |
3. QUY ĐỊNH VỀ QUẢN LÝ
3.1. Các thiết bị thông tin vô tuyến điện được quy định tại Danh mục thiết bị phải thực hiện chứng nhận hợp quy, công bố hợp quy do Bộ Thông tin và Truyền thông ban hành phải tuân thủ Quy chuẩn này.
3.2. Trong trường hợp thiết bị thông tin vô tuyến điện nêu tại khoản 3.1 có quy chuẩn kỹ thuật riêng, thích hợp thì bất kỳ chỉ tiêu kỹ thuật nào liên quan đến cổng anten và cổng vỏ thiết bị trong quy chuẩn kỹ thuật đó được ưu tiên áp dụng so với các chỉ tiêu kỹ thuật tương ứng trong Quy chuẩn này. Các chỉ tiêu kỹ thuật còn lại của Quy chuẩn này vẫn phải được áp dụng để đánh giá tính tuân thủ EMC của thiết bị.
4. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN
Các tổ chức, cá nhân có hoạt động sản xuất, kinh doanh các thiết bị thông tin vô tuyến điện phải thực hiện chứng nhận hợp quy, công bố hợp quy và chịu sự kiểm tra của cơ quan quản lý nhà nước theo các quy định hiện hành.
5. TỔ CHỨC THỰC HIỆN
5.1. Cục Quản lý chất lượng Công nghệ thông tin và Truyền thông và các Sở Thông tin và Truyền thông có trách nhiệm tổ chức hướng dẫn, triển khai quản lý các thiết bị thông tin vô tuyến điện phù hợp với Quy chuẩn này.
5.2. Quy chuẩn này được áp dụng thay thế Tiêu chuẩn ngành TCN 68-192:2003 "Tương thích điện từ (EMC) - Thiết bị thông tin vô tuyến điện - Yêu cầu chung về tương thích điện từ".
5.3. Trong trường hợp các quy định nêu tại Quy chuẩn này có sự thay đổi, bổ sung hoặc được thay thế thì thực hiện theo quy định tại văn bản mới.
Phụ lục A
(Quy định)
Các qui định chung về điều kiện đo thử
A.1. Cấu hình và điều kiện kiểm tra
EUT phải được kiểm tra trong các điều kiện phù hợp với các tiêu chuẩn cơ bản hoặc các thông tin kỹ thuật liên quan kèm theo thiết bị. Đó là các thông tin được nhà sản xuất công bố như dải nhiệt độ, độ ẩm và điện áp nguồn.
Cấu hình kiểm tra và cách kiểm tra phải sao cho gần giống nhất với cấu hình và cách thức thiết bị được khai thác sử dụng và phù hợp với các yêu cầu trong Quy chuẩn này. Nếu khó có thể thực hiện một phép thử cụ thể nào đó trong điều kiện bình thường thì có thể sử dụng phần cứng hoặc phần mềm kiểm tra đặc biệt. Tuy nhiên phần cứng hoặc phần mềm này phải cho kết quả phép thử và đặc trưng cho điều kiện làm việc bình thường của EUT.
Nếu tần số vô tuyến tại đầu ra máy phát của EUT gồm nhiều tần số độc lập thì việc đánh giá EUT có thể được dựa trên các đặc tính của từng tín hiệu RF ở đầu ra.
Nếu EUT có nhiều băng tần phát thì tiến hành kiểm tra khi EUT làm việc tại tần số trung tâm của mỗi băng tần.
Nếu EUT là loại thiết bị anten liền nhưng có thể tháo rời được thì phải kiểm tra EUT với loại anten thông thường được sử dụng ngoại trừ có các qui định khác.
Nếu EUT là một phần của một hệ thống hoặc có kết nối với thiết bị phụ trợ thì phải kiểm tra qua cấu hình kết nối tối thiểu với các thiết bị phụ trợ cần thiết để có thể kiểm tra hết các loại cổng.
Trong chế độ làm việc bình thường, các cổng của EUT được nối tới thiết bị phụ trợ hay thiết bị khác thì khi tiến hành kiểm tra sẽ được nối tới các thiết bị đó (nếu điều kiện cho phép) hoặc được nối tới một thiết bị đầu cuối có chức năng mô phỏng các đặc tính vào/ra của các thiết bị đó. Các cổng vào/ra RF được kết cuối với trở kháng phù hợp.
Nếu EUT có một số lượng lớn các cổng thì phải chọn số lượng cổng để kiểm tra sao cho mô phỏng được điều kiện làm việc thực tế của EUT và có đủ tất cả các dạng kết cuối khác nhau.
Các cổng không được nối cáp trong chế độ làm việc bình thường của EUT, ví dụ như các cổng dịch vụ, cổng lập trình... thì không được nối tới bất kỳ loại cáp nào trong khi kiểm tra. Nếu bắt buộc phải kết nối cáp vào các cổng này hoặc phải kéo dài các cáp kết nối nội bộ thì phải áp dụng các biện pháp phòng ngừa để không gây ảnh hưởng khi đánh giá EUT.
Điều kiện, cấu hình và các chế độ làm việc của EUT khi kiểm tra phải được ghi trong biên bản thử nghiệm.
A.2. Bố trí các tín hiệu kiểm tra và tín hiệu kích thích EUT
Đối với các thiết bị thông tin vô tuyến anten rời không sử dụng cáp đồng trục để nối tới anten (ví dụ như ống dẫn sóng hay dây song hành 600 W) thì phải sử dụng các loại dây truyền dẫn có lớp che chắn thích hợp để nối từ EUT đến thiết bị đo.
A.2.1. Bố trí tín hiệu kiểm tra tại đầu vào máy phát
Máy phát được điều chế bằng một nguồn tín hiệu trong hoặc ngoài có khả năng tạo ra tín hiệu kiểm tra thích hợp (xem mục A.5.2).
A.2.2. Bố trí tín hiệu kiểm tra tại đầu ra máy phát
Đối với các thiết bị thông tin vô tuyến anten liền thì tín hiệu mong muốn để thiết lập đường truyền thông được phát đi từ EUT tới một anten được đặt trong môi trường kiểm tra. Thiết bị đo tín hiệu mong muốn này được đặt bên ngoài môi trường kiểm tra.
Đối với thiết bị thông tin vô tuyến anten rời thì tín hiệu mong muốn để thiết lập đường truyền thông được phát đi từ đầu nối anten qua ống dẫn sóng hoặc cáp dẫn có lớp che chắn thích hợp. Thiết bị đo tín hiệu mong muốn này được đặt bên ngoài môi trường kiểm tra.
Nếu cần, phải áp dụng các biện pháp thỏa đáng để tránh bất kỳ một ảnh hưởng nào của tín hiệu nhiễu vào máy đo.
A.2.3. Bố trí tín hiệu kiểm tra tại đầu vào máy thu
Đối với thiết bị thông tin vô tuyến anten liền, tín hiệu vào mong muốn để thiết lập đường truyền thông được đưa vào máy thu từ một anten được đặt trong môi trường kiểm tra. Trừ các trường hợp đặc biệt khác nêu trong Quy chuẩn này thì tín hiệu này phải có mức lớn hơn 40 dB so với mức để thiết lập đường truyền thông với các chỉ tiêu danh định (có thể thấp hơn nếu nhà sản xuất công bố). Mức này được đo khi các bộ khuếch đại công suất phát nhiễu EMC đang làm việc nhưng không có kích thích. Mức của tín hiệu vào mong muốn này thay thế tương đương mức tín hiệu thu của máy thu trong chế độ làm việc bình thường và phải đủ lớn để ngăn tạp âm băng rộng từ các bộ khuếch đại công suất tạo nhiễu EMC không làm ảnh hưởng đến kết quả phép đo. Nguồn tín hiệu vào mong muốn này được đặt bên ngoài môi trường kiểm tra.
CHÚ THÍCH: Nếu cần có thể phải lắp thêm bộ lọc dải hẹp (notch filter), bộ lọc này được điều chỉnh về tần số của đường truyền thông để làm giảm tạp âm nền và phép đo được chính xác hơn.
Đối với thiết bị thông tin vô tuyến anten rời thì tín hiệu vào mong muốn để thiết lập đường truyền thông được đưa vào đầu nối anten qua đường truyền dẫn có lớp che chắn thích hợp. Nguồn tín hiệu vào mong muốn này được đặt bên ngoài môi trường kiểm tra. Trừ các trường hợp đặc biệt khác nêu trong Quy chuẩn này, tín hiệu này phải có mức lớn hơn 40 dB so với mức để thiết lập đường truyền thông với các chỉ tiêu kỹ thuật danh định (có thể thấp hơn nếu nhà sản xuất công bố), mức này được đo khi các bộ khuếch đại công suất phát nhiễu EMC đang làm việc nhưng không có kích thích.
Các nguồn tín hiệu kiểm tra phải có trở kháng phù hợp với trở kháng đầu vào máy thu. Yêu cầu này nhất thiết phải được thỏa mãn cho cả khi có nhiều tín hiệu được đưa đến máy thu cùng một lúc.
A.2.4. Bố trí tín hiệu kiểm tra tại đầu ra máy thu
Đối với các thiết bị thoại thì đầu ra tần số âm tần của máy thu phải được ghép, thông qua ống dẫn âm cách điện, tới một đồng hồ đo méo âm hoặc thiết bị đo khác được đặt bên ngoài môi trường kiểm tra. Nếu điều kiện thực tế không cho phép thực hiện kỹ thuật này, thì có thể áp dụng các biện pháp khác để nối đầu ra máy thu tới thiết bị đo méo và phải được ghi rõ trong biên bản thử nghiệm. Phải áp dụng các biện pháp phòng ngừa để tối thiểu hóa bất cứ ảnh hưởng nào tới thiết bị đo.
Đối với các thiết bị phi thoại thì đầu ra của máy thu phải được ghép, thông qua các phương tiện dẫn có cách điện, tới thiết bị đo đặt ngoài môi trường kiểm tra. Nếu máy thu có đầu nối tại đầu ra, thì nó sẽ được nối tới thiết bị đo đặt bên ngoài môi trường kiểm tra bằng loại cáp thường được sử dụng trong chế độ làm việc bình thường của EUT. Phải áp dụng các biện pháp phòng ngừa để tối thiểu hóa bất cứ ảnh hưởng nào tới thiết bị đo. Mô tả hệ thống đo phải được ghi lại trong biên bản thử nghiệm.
A.2.5. Bố trí các tín hiệu thử miễn nhiễm
Bố trí các tín hiệu thử miễn nhiễm được mô tả chi tiết trong các tiêu chuẩn EMC cơ bản có liên quan như TCVN 8241-4-2:2009 (IEC 61000-4-2:2001), TCVN 8241-4-3:2009 (IEC 61000-4-3:2006), IEC 1000 4-4, TCVN 8241-4-5:2009 (IEC 61000-4-5:2005), TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6:2004), TCVN 8241-4-11:2009 (IEC 61000-4-11:2004).
A.3. Băng tần loại trừ
Các tần số làm việc của các thiết bị thông tin vô tuyến thông thường được loại trừ khỏi phép thử miễn nhiễm. Các tần số làm việc của các máy phát vô tuyến và tần số phát xạ ngoài băng cũng được loại trừ khỏi các phép đo phát xạ EMC.
Không có băng tần loại trừ áp dụng cho các phép đo phát xạ EMC đối với các máy thu và các thiết bị phụ trợ.
Loại trừ các phép thử vô tuyến, hay còn gọi là băng tần loại trừ, phải được ghi lại chi tiết trong biên bản kết quả trong mọi trường hợp khác nhau.
A.3.1. Băng tần loại trừ đối với máy phát trong các phép đo phát xạ EMC
Các băng tần loại trừ sẽ không được áp dụng khi đo máy phát ở chế độ chờ.
Băng tần loại trừ cho các loại máy phát khác nhau được cho trong Bảng A.1.
Áp dụng băng tần loại trừ cho các máy phát để tránh đo các bức xạ do điều chế (nếu có) hoặc do hệ số dốc của bộ lọc trong thiết bị đo mặc dù không đặt tại tần số danh định của máy phát.
Bảng A.1 - Băng tần loại trừ đối với máy phát cho các phép đo phát xạ
Các loại EUT |
Độ rộng của băng tần loại trừ (chú thích 1 và 2) |
Tần số trung tâm của |
Thiết bị có phân kênh, Fn < 0,05 Fc |
5 Fn + Fs |
Fc |
Thiết bị không phân kênh, bao gồm cả thiết bị trải phổ hoặc thiết bị có Fn > 0,05 Fc |
1,1 Fn + Fs |
Fc |
Thiết bị nhảy tần |
4 Fn + Fh + Fs |
Fch |
Fn: Độ rộng băng tần cần thiết của loại phát xạ mong muốn Fs: Độ rộng băng tần bao phủ = 20 B B (độ rộng băng tần đo): 1 kHz trong dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz; 9 đến 10 kHz trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz; 100 đến 120 kHz trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz; 1 MHz trong dải tần lớn hơn 1 GHz. Fh: Dải tần số nhảy tần Fc: Tần số trung tâm của băng tần cần thiết của máy phát Fch: Tần số trung tâm của dải nhảy tần của máy phát. CHÚ THÍCH 1: Sự cần thiết phải mở rộng băng tần loại trừ đối với máy phát lên tới 20 lần độ rộng băng tần đo là để dành chỗ cho băng tần bao phủ, Fs, của các bộ lọc trong thiết bị đo. Có thể sử dụng các băng tần đo có độ rộng nhỏ hơn. Băng loại trừ và độ rộng băng tần đo phải được ghi chi tiết trong biên bản thử nghiệm. CHÚ THÍCH 2: Đối với các thiết bị làm việc tại các tần số dưới 30 MHz, băng tần loại trừ được mở rộng về mỗi phía 5% tần số trung tâm. |
A.3.2. Băng tần loại trừ đối với máy phát trong các phép thử miễn nhiễm
Băng tần loại trừ là băng tần tính từ tần số trung tâm trừ đi hai lần độ rộng băng tần chiếm dụng đến tần số trung tâm cộng hai lần độ rộng băng tần chiếm dụng.
Đối với các thiết bị ghép kênh chia thời gian thì băng tần loại trừ đối với máy phát bằng băng tần loại trừ đối với máy thu cho các phép thử miễn nhiễm.
A.3.3. Băng tần loại trừ đối với máy thu trong các phép thử miễn nhiễm
Băng tần loại trừ đối với máy thu là băng tần làm việc của máy thu được mở rộng về mỗi phía là ± 5% tần số trung tâm.
A.4. Các quy định đối với phép đo phát xạ EMC
Các phép đo được thực hiện khi EUT làm việc đúng chức năng và ở chế độ tạo ra mức bức xạ lớn nhất trong băng tần khảo sát.
Phải áp dụng các biện pháp để tối đa hóa mức phát xạ của EUT, ví dụ như dịch chuyển các cáp nối...
Nếu điều kiện cho phép, một tín hiệu tone hoặc một luồng bit sẽ được sử dụng để điều chế máy phát. Nhà sản xuất phải cung cấp thông tin về loại điều chế để tạo ra mức phát xạ lớn nhất trong chế độ phát.
Nếu EUT có nhiều băng tần làm việc thì nó phải được đặt chế độ làm việc tại tần số trung tâm của mỗi băng tần.
Nếu EUT có một hoặc nhiều băng tần làm việc rộng thì phải thực hiện ít nhất một phép đo mỗi decade trong toàn bộ dải tần của EUT. Các tần số được lựa chọn cho phép đo phải được ghi trong biên bản thử nghiệm.
A.5. Các quy định cho các phép thử miễn nhiễm EMC
Đối với các phép thử miễn nhiễm của thiết bị phụ trợ, nếu không có tiêu chí đánh giá đạt/không đạt riêng thì máy thu, máy phát hoặc máy thu-phát kết nối tới thiết bị phụ trợ đó được dùng làm sở cứ để đánh giá thiết bị phụ trợ đạt hay không đạt trong phép thử.
A.5.1. Chế độ làm việc
Đối với phép thử miễn nhiễm của các máy phát thì các máy phát phải làm việc ở chế độ có công suất đường bao đỉnh (PEP) đầu ra RF lớn nhất hoặc tại mức không nhỏ hơn -6 dB so với mức công suất tối đa do giới hạn nhiệt của thiết bị. Máy phát phải được điều chế theo qui định trong mục A.5.2. Nếu điều kiện cho phép thì đường truyền thông liên tục được thiết lập khi bắt đầu phép thử và áp dụng tiêu chí chất lượng trong mục C.2.1. Nếu trong điều kiện EUT không có khả năng thiết lập đường truyền thông liên tục thì áp dụng tiêu chí chất lượng trong mục C.2.2.
Đối với các phép thử miễn nhiễm của các máy thu, tín hiệu đầu vào mong muốn được điều chế như trong mục A.5.2. Nếu điều kiện cho phép thì thiết lập đường truyền thông liên tục khi bắt đầu phép thử và áp dụng tiêu chí chất lượng trong mục C.2.1. Nếu thiết bị không cho phép thiết lập đường truyền thông liên tục thì áp dụng tiêu chí chất lượng trong mục C.2.2.
A.5.2. Điều chế tín hiệu thử
Đối với thiết bị thoại tương tự:
- Tín hiệu đầu vào máy thu được điều chỉnh về tần số làm việc danh định, được điều chế bằng tín hiệu hình sin tần số 1 kHz, chỉ số điều chế do nhà sản xuất xác định (trong chế độ làm việc bình thường);
- Các máy phát ở chế độ phát hai biên đủ sóng mang được điều chế bằng tín hiệu hình sin tần số 1 kHz. Mức của tín hiệu này cần được điều chỉnh để đạt được độ sâu điều chế tín hiệu ra ít nhất là 60%;
- Các máy phát ở chế độ phát đơn biên nén sóng mang được điều chế bằng
tín hiệu hình sin tần số 1 kHz;
- Các máy phát ở chế độ điều pha được điều chế bằng tín hiệu hình sin tần số 1 kHz, mức của tín hiệu này được điều chỉnh sao cho đạt được độ lệch bằng 60% độ lệch đỉnh của tín hiệu RF đầu ra;
- Trong trường hợp máy phát ở chế độ điều pha và áp dụng kỹ thuật trắc âm âm thanh thì có thể thực hiện phép thử ngưỡng xuyên âm thay cho các phép thử trên. Tín hiệu thử là tín hiệu hình sin tần số 1 kHz với mức chuẩn sao cho đạt được độ lệch 60% độ lệch đỉnh. Đối với máy thu, dạng điều chế này được áp dụng cho các tín hiệu mong muốn. Đối với máy phát, dạng điều chế này áp dụng cho tín hiệu RF đầu ra. Sau khi xác định được mức chuẩn, cắt điều chế 1 kHz trong khoảng thời gian thực hiện phép thử.
Đối với các loại thiết bị khác (ví dụ như thoại số, số liệu...):
- Tín hiệu mong muốn đầu vào máy thu được điều chỉnh về tần số làm việc danh định của máy thu và được điều chế bằng một tín hiệu thử do nhà sản xuất
xác định trong điều kiện làm việc bình thường;
- Máy phát cũng được điều chế bằng một tín hiệu thử do nhà sản xuất qui định trong điều kiện làm việc bình thường;
- Nhà sản xuất có thể sẽ cung cấp thiết bị điều chế/giải điều chế;
- Máy phát tín hiệu thử (điều chế) phải có khả năng tạo ra luồng số liệu
liên tục hoặc mẫu bản tin có thể lặp lại;
- Trong trường hợp EUT là thiết bị số liệu, thì thiết bị kiểm tra phải có khả năng:
+ Đọc và hiển thị tỷ lệ lỗi bit (BER) hoặc tỷ lệ xóa khung (FER) của một luồng số liệu liên tục; hoặc
+ Đọc và hiển thị (lặp lại) sự chấp nhận bản tin hoặc tốc độ lưu thoát số liệu với trường hợp hệ thống tự sửa lỗi.
Phụ lục B
(Quy định)
Đánh giá chất lượng
B.1. Yêu cầu chung
Nhà sản xuất phải cung cấp các thông tin dưới đây về EUT. Các thông tin này phải được ghi trong biên bản thử nghiệm:
- Các chức năng chính của EUT được kiểm tra trong và sau phép thử EMC;
- Các chức năng khai thác của EUT phù hợp với tài liệu hướng dẫn sử dụng của nó;
- Dạng điều chế và các đặc tính truyền dẫn được sử dụng để kiểm tra (ví dụ như chuỗi bit ngẫu nhiên, sắp xếp bản tin...);
- Thiết bị phụ trợ kết nối với thiết bị vô tuyến nếu có;
- Phương pháp giám sát việc thiết lập và duy trì đường truyền thông;
- Các chức năng điều khiển và các số liệu lưu giữ cần thiết cho thiết bị làm việc bình thường và phương pháp để đánh giá sau các xung thử EMC;
- Một danh mục đầy đủ các loại cổng như cổng nguồn, cổng anten, cổng tín hiệu/điều khiển và độ dài tối đa của cáp nối. Các cổng nguồn được phân loại tiếp là nguồn AC hay DC;
- Danh mục các đầu nối dịch vụ, đầu nối lập trình;
- Độ rộng băng thông của bộ lọc ngay trước bộ giải điều chế của máy thu;
- Chi tiết về dải tần làm việc của EUT;
- Trường hợp EUT là thiết bị anten rời thì phải có mô tả chi tiết tất cả các loại anten của nhà sản xuất cung cấp để sử dụng cho thiết bị đó;
- Phải có mô tả chi tiết cơ chế phục hồi chế độ làm việc bình thường của thiết bị bằng nhân công;
- Phiên bản phần mềm của EUT sử dụng trong khi kiểm tra.
B.2. EUT có thể thiết lập đường truyền thông liên tục
Nếu EUT cho phép thiết lập đường truyền thông liên tục thì áp dụng các yêu cầu về điều chế tín hiệu thử và bố trí phép thử như trong Phụ lục A.
B.3. EUT chỉ có thể thiết lập đường truyền thông không liên tục
Nếu EUT không cho phép thiết lập đường truyền thông liên tục hoặc trường hợp thiết bị phụ trợ được kiểm tra độc lập thì nhà sản xuất phải xác định phương pháp thử và mức chỉ tiêu, suy giảm chỉ tiêu cho phép trong và/hoặc sau phép thử. Nhà sản xuất phải cung cấp các thông tin sau:
- Tiêu chí đánh giá đạt/không đạt của EUT;
- Phương pháp giám sát chất lượng của EUT.
Đánh giá chất lượng được thực hiện trong và/hoặc sau phép thử phải đơn giản dễ thực hiện, nhưng cũng tại thời điểm đó phải có được những chứng minh thỏa đáng rằng các chức năng chính của EUT có làm việc.
B.4. Phân loại EUT
Thiết bị xách tay hoặc tổ hợp thiết bị được cấp nguồn từ ắc-qui của các phương tiện giao thông được coi là các thiết bị được sử dụng trong môi trường giao thông.
Thiết bị xách tay hoặc tổ hợp thiết bị được cấp nguồn từ mạng điện lưới công cộng được coi là các thiết bị sử dụng trong môi trường cố định.
B.5. Phương pháp đánh giá thiết bị phụ trợ
Thiết bị phụ trợ có thể:
- Được công bố tuân thủ với các phép thử miễn nhiễm và các phép đo bức xạ độc lập với máy thu, máy phát hoặc máy thu-phát;
- Được công bố tuân thủ với tiêu chuẩn EMC thích hợp khác;
- Trường hợp thiết bị phụ trợ được kiểm tra trong khi kết nối với máy thu, máy phát hay máy thu-phát thì tuân thủ được đánh giá theo các mục thích hợp trong Quy chuẩn này.
Phụ lục C
(Quy định)
Tiêu chí chất lượng
C.1. Yêu cầu chung
EUT phải đáp ứng được các tiêu chí chất lượng trong Bảng C.1.
Nếu EUT chỉ có chức năng là máy phát, thì các phép thử phải được lặp lại khi EUT ở chế độ chờ (nếu có) để khẳng định không xuất hiện sự truyền dẫn không mong muốn.
Nếu EUT là máy thu-phát, thì máy phát không được làm việc không chủ định trong khi thực hiện phép thử.
Các tiêu chí A, B và C trong Bảng C.1 được sử dụng như sau:
- Tiêu chí A cho các phép thử miễn nhiễm với hiện tượng có bản chất liên tục;
- Tiêu chí B cho các phép thử miễn nhiễm với hiện tượng có bản chất đột biến;
- Tiêu chí C cho các phép thử miễn nhiễm với các hiện tượng nguồn cung cấp tạm ngắt trong khoảng thời gian vượt quá một chu kỳ đã cho nào đó.
Bảng C.1 - Định nghĩa các tiêu chí chất lượng
Tiêu chí |
Trong khi thực hiện phép thử |
Sau khi thực hiện phép thử |
A |
Làm việc như qui định Suy giảm chỉ tiêu (Chú thích 1) Không mất chức năng |
Làm việc như qui định Không suy giảm chỉ tiêu (Chú thích 2) Không mất chức năng. |
B |
Mất chức năng (một hoặc nhiều lần) |
Làm việc như qui định Không suy giảm chỉ tiêu (Chú thích 2) Tự phục hồi các chức năng |
C |
Mất chức năng (một hoặc nhiều lần) |
Làm việc như qui định Không suy giảm chỉ tiêu (Chú thích 2) Phục hồi các chức năng nhờ tác động bên ngoài (Chú thích 3) |
- CHÚ THÍCH 1: Suy giảm chỉ tiêu trong khi tiến hành phép thử được hiểu là suy giảm tới một mức không thấp hơn mức chỉ tiêu tối thiểu do nhà sản xuất xác định để đảm bảo thiết bị làm việc đúng qui định. Trong một số trường hợp mức chỉ tiêu tối thiểu có thể thay thế bằng mức suy giảm chỉ tiêu cho phép. Nếu mức chỉ tiêu tối thiểu hay mức suy giảm cho phép không được nhà sản xuất xác định thì có thể xác định từ các tài liệu liên quan đến thiết bị và mức mà đối tượng sử dụng mong muốn khi sử dụng thiết bị đúng qui định - CHÚ THÍCH 2: Không suy giảm chỉ tiêu sau khi tiến hành phép thử được hiểu là không có sự suy giảm dưới mức chỉ tiêu tối thiểu do nhà sản xuất xác định. Trong một số trường hợp mức chỉ tiêu tối thiểu có thể thay thế bằng mức suy giảm chỉ tiêu cho phép. Sau phép thử không có sự thay đổi các số liệu làm việc. Nếu mức chỉ tiêu tối thiểu hay mức suy giảm cho phép không được nhà sản xuất xác định thì có thể xác định từ các tài liệu liên quan đến thiết bị và mức mà đối tượng sử dụng mong muốn khi sử dụng thiết bị đúng qui định - CHÚ THÍCH 3: EUT phải có khả năng cảnh báo khi cần phải khôi phục chức năng bằng tay sau phép thử EMC, ví dụ như cảnh báo bằng đèn, âm thanh,... và các thao tác cần thiết để khôi phục, chẩn đoán phải được ghi chi tiết trong hướng dẫn sử dụng thiết bị. |
C.2. Đánh giá khả năng miễn nhiễm của máy thu
C.2.1. EUT có khả năng thiết lập đường truyền thông liên tục
Thiết lập đường truyền thông liên tục khi bắt đầu phép thử, việc duy trì đường truyền thông và đánh giá thông tin tín hiệu được khôi phục lại, ví dụ như tín hiệu âm thanh, được sử dụng làm tiêu chí chất lượng để đánh giá EUT trong và sau phép thử.
C.2.2. EUT chỉ có khả năng thiết lập đường truyền thông không liên tục
Nếu EUT không có khả năng thiết lập đường truyền thông liên tục hoặc trường hợp thiết bị phụ trợ được kiểm tra độc lập thì nhà sản xuất phải công bố mức chỉ tiêu hoặc mức suy giảm chỉ tiêu cho phép trong và/hoặc sau phép thử. Các chỉ tiêu này phải có trong tài liệu đi kèm thiết bị.
Các tiêu chí do nhà sản xuất xác định ít nhất phải cùng mức với các tiêu chí trong mục C.1.
C.2.3. Đánh giá các đáp ứng thu, băng rộng và băng hẹp
a) Hiện tượng băng rộng
- EUT có tần số làm việc dưới 1 MHz
Nếu có bất kỳ một đáp ứng nào làm cho EUT không thỏa mãn tiêu chí A trong dải tần lớn hơn 50 lần độ rộng băng tần cần thiết của dịch vụ vô tuyến của EUT
thì được coi là đáp ứng miễn nhiễm EMC băng rộng và kết quả phép thử được coi là không đạt. Theo đề xuất của nhà sản xuất thiết bị thì phép thử có thể được lặp lại với dải tần tương đương 2 và 2,5 lần băng tần của bộ lọc nằm ngay trước bộ giải điều chế. Nếu một trong hai trường hợp sau không xuất hiện bất kỳ hiện tượng nào thì kết quả phép thử được đánh giá là đạt. Sự lựa chọn nào được sử dụng để đánh giá EUT phải được ghi trong biên bản thử nghiệm.
- EUT có tần số làm việc trên 1 MHz
Nếu có bất kỳ một đáp ứng nào làm cho EUT không thỏa mãn tiêu chí A trong dải tần lớn hơn 10 lần độ rộng băng tần cần thiết của dịch vụ vô tuyến của EUT
thì được coi là đáp ứng miễn nhiễm EMC băng rộng và phép thử được coi là
không đạt. Theo đề xuất của nhà sản xuất thiết bị, thì phép thử có thể được lặp lại với dải tần tương đương 2 và 2,5 lần băng tần của bộ lọc nằm ngay trước bộ giải điều chế. Nếu một trong hai trường hợp sau không xuất hiện bất kỳ hiện tượng nào thì kết quả phép thử được đánh giá là đạt. Sự lựa chọn nào được sử dụng để đánh giá EUT phải được ghi trong biên bản thử nghiệm.
b) Hiện tượng băng hẹp
- EUT có tần số làm việc dưới 1 MHz.
Nếu có bất kỳ một đáp ứng nào làm cho EUT không thỏa mãn tiêu chí A trong dải tần nhỏ hơn 50 lần độ rộng băng tần cần thiết của dịch vụ vô tuyến của EUT thì được coi là một đáp ứng giả máy thu. Tất cả các đáp ứng giả băng hẹp này phải được ghi trong biên bản thử nghiệm. Nếu bất cứ một đáp ứng nào loại này xuất hiện thì phép thử được coi là không đạt trừ phi nhà sản xuất công bố một danh mục đầy đủ các tần số đáp ứng giả băng hẹp trong tài liệu sử dụng đi kèm thiết bị. Trong trường hợp này, danh mục tần số đó phải được ghi trong biên bản thử nghiệm dưới dạng phụ lục.
- EUT có tần số làm việc trên 1 MHz.
Nếu có bất kỳ một đáp ứng nào làm cho EUT không thỏa mãn tiêu chí A trong dải tần nhỏ hơn 10 lần độ rộng băng tần cần thiết của dịch vụ vô tuyến của EUT thì được coi là một đáp ứng giả máy thu. Tất cả các đáp ứng giả băng hẹp này phải được ghi trong biên bản thử nghiệm. Nếu bất cứ một đáp ứng nào loại này xuất hiện thì phép thử được coi là không đạt trừ phi nhà sản xuất công bố một danh mục đầy đủ các tần số đáp ứng giả băng hẹp trong tài liệu sử dụng đi kèm thiết bị. Trong trường hợp này, danh mục tần số đó phải được ghi trong biên bản thử nghiệm dưới dạng phụ lục.
CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
QCVN 22:2010/BTTTT
QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA
VỀ AN TOÀN ĐIỆN CHO CÁC THIẾT BỊ ĐẦU CUỐI VIỄN THÔNG
National technical regulation
on electrical safety of Telecommunications Terminal Equipments
HÀ NỘI - 2010
Mục lục
1. QUY ĐỊNH CHUNG 5
1.1. Phạm vi điều chỉnh 5
1.2. Đối tượng áp dụng 5
1.3. Giải thích từ ngữ 5
2. QUY ĐỊNH KỸ THUẬT 8
2.1. Các yêu cầu đối với mạch điện áp viễn thông (TNV) và chống điện giật 8
2.1.1. Các yêu cầu đối với việc kết nối thiết bị 8
2.1.1.1. Các loại mạch kết nối 8
2.1.1.2. Mạch kết nối là các mạch ELV 8
2.1.1.3. Những quy định về an toàn 8
2.1.2. Các yêu cầu đối với mạch điện áp viễn thông (TNV) 9
2.1.2.1. Các giới hạn của mạch TNV 9
2.1.2.2. Cách ly với các mạch khác và các bộ phận có thể tiếp cận 9
2.1.2.3. Phép thử cách ly mạch TNV với các mạch SELV đã nối đất 10
2.1.2.4. Cách ly với các điện áp nguy hiểm 11
2.1.2.5. Kết nối mạch TNV với các mạch khác 12
2.1.3. Bảo vệ để tránh tiếp xúc với các mạch TNV 12
2.1.3.1. Khả năng tiếp cận 12
2.1.3.2. Các ngăn ắc quy 12
2.2. Yêu cầu đảm bảo an toàn cho các nhân viên phục vụ và những người sử dụng thiết bị khác của mạng điện thoại cố định 12
2.2.1. Bảo vệ khỏi điện áp nguy hiểm 12
2.2.2 Sử dụng đất bảo vệ 13
2.2.3. Cách ly mạng viễn thông với đất 13
2.2.3.1. Các yêu cầu 13
2.2.3.2. Phép thử cách ly mạng viễn thông với đất 13
2.2.3.3. Các trường hợp ngoại lệ 14
2.2.4. Dòng rò đến mạng viễn thông 14
2.2.4.1. Các giới hạn của dòng rò đến mạng viễn thông 14
2.2.4.2. Đo dòng rò đến mạng Viễn thông 15
2.3. Bảo vệ người sử dụng thiết bị khỏi quá áp trên mạng viễn thông 15
2.3.1. Các yêu cầu về cách ly 15
2.3.2. Thủ tục thử 16
2.3.2.1. Phép thử xung 17
2.3.2.2. Phép thử độ bền điện 18
2.4. Yêu cầu an toàn điện cho bản thân thiết bị đầu cuối viễn thông 18
2.4.1. Các yêu cầu chung 18
2.4.1.1. Cấu trúc và thiết kế của thiết bị 18
2.4.1.2. Các thông tin cung cấp cho người sử dụng 19
2.4.1.3. Phân loại thiết bị 19
2.4.2. Giao diện nguồn 19
2.4.2.1. Dòng điện đầu vào 19
2.4.2.2. Giới hạn điện áp của các thiết bị cầm tay 19
2.4.2.3. Dây trung tính 19
2.4.2.4. Các bộ phận trong thiết bị dùng nguồn IT 19
2.4.2.5. Dung sai nguồn 19
2.4.3. Bảo vệ để tránh các nguy hiểm 19
2.4.3.1. Bảo vệ khỏi điện giật và các nguy hiểm về năng lượng 19
2.4.3.2. Cách điện 22
2.4.3.3. Mạch SELV 27
2.4.3.4. Các mạch giới hạn dòng 29
2.4.3.5. Các điều khoản đối với việc nối đất 30
2.4.3.6. Ngắt nguồn sơ cấp 31
2.4.3.7. Khoá an toàn 31
2.4.4. Dòng rò đất 31
2.4.4.1. Tổng quan 31
2.4.4.2. Các yêu cầu 31
2.4.4.3. Thiết bị một pha 32
2.4.4.4. Thiết bị ba pha 32
2.4.4.5. Thiết bị có dòng rò vượt quá 3,5 mA 33
2.4.5. Dòng rò đất đối với các thiết bị nối với các hệ thống nguồn IT 33
2.4.5.1. Tổng quan 33
2.4.5.2. Các yêu cầu 33
2.4.5.3. Thiết bị một pha 34
2.4.5.4. Thiết bị ba pha 35
2.4.5.5. Thiết bị có dòng rò vượt quá 3,5 mA 35
3. QUY ĐỊNH VỀ QUẢN LÝ 36
4. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN 39
5. TỔ CHỨC THỰC HIỆN 39
Phụ lục A (Quy định) Dụng cụ đo trong phép đo dòng rò 40
Phụ lục B (Tham khảo) Bộ tạo xung thử 41
Phụ lục C (Quy định) Yêu cầu đối với các tín hiệu chuông điện thoại 42
Phụ lục D (Tham khảo) Một số công cụ sử dụng trong các phép thử 46
Lời nói đầu
QCVN 22:2010/BTTTT được xây dựng trên cơ sở soát xét, chuyển đổi Tiêu chuẩn ngành TCN 68-190:2003 "Thiết bị đầu cuối viễn thông - Yêu cầu an toàn điện" ban hành theo Quyết định số 195/2003/QĐ-BBCVT ngày 29 tháng 12 năm 2003 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông (nay là Bộ Thông tin và Truyền thông). Các quy định kỹ thuật và phương pháp xác định của QCVN 22: 2010/BTTTT phù hợp với tiêu chuẩn EN 41003:1996 “Các yêu cầu an toàn đối với thiết bị nối với mạng viễn thông” và EN 60950:1992 (amd. 11, 1997) “Các yêu cầu an toàn đối với các thiết bị công nghệ thông tin, bao gồm cả các thiết bị điện thương mại”. QCVN 22:2010/BTTTT do Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu điện biên soạn, Vụ Khoa học và Công nghệ trình duyệt và được ban hành kèm theo Thông tư số 18/2010/TT-BTTTT ngày 30 tháng 07 năm 2010 của Bộ trưởng Bộ Thông tin và Truyền thông. |
QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA
VỀ AN TOÀN ĐIỆN CHO CÁC THIẾT BỊ ĐẦU CUỐI VIỄN THÔNG
National technical regulation
on electrical safety of Telecommunications Terminal Equipments
1. QUY ĐỊNH CHUNG
1.1. Phạm vi điều chỉnh
Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia này quy định các yêu cầu kỹ thuật về an toàn điện đối với các thiết bị đầu cuối viễn thông kết nối với mạng viễn thông công cộng.
Các yêu cầu kỹ thuật quy định trong Quy chuẩn này nhằm:
- Bảo vệ các nhân viên phục vụ và những người sử dụng các thiết bị khác trên mạng điện thoại cố định khỏi những nguy hiểm do việc kết nối thiết bị với mạng;
- Bảo vệ những người sử dụng thiết bị đầu cuối viễn thông khỏi quá áp trên mạng.
Quy chuẩn này không bao gồm các nội dung sau:
- Độ tin cậy của thiết bị khi làm việc;
- Bảo vệ thiết bị hoặc mạng điện thoại cố định khỏi nguy hiểm;
- Các yêu cầu đối với thiết bị viễn thông được cấp nguồn từ xa.
1.2. Đối tượng áp dụng
Quy chuẩn này được áp dụng đối với các tổ chức, cá nhân Việt Nam và nước ngoài có hoạt động sản xuất, kinh doanh các thiết bị đầu cuối viễn thông trên lãnh thổ Việt Nam.
1.3. Giải thích từ ngữ
1.3.1. Điện áp nguy hiểm (hazardous voltage - excessive voltage)
Điện áp nguy hiểm là điện áp vượt quá 42,4 V xoay chiều đỉnh hoặc 60 V một chiều, xuất hiện trong mạch mà không thoả mãn các yêu cầu đối với mạch giới hạn dòng hay mạch TNV.
1.3.2. Cách điện công tác (operational insulation)
Cách điện công tác là cách điện cần cho sự hoạt động bình thường của thiết bị.
CHÚ THÍCH: Cách điện công tác, theo định nghĩa, không bảo vệ chống điện giật. Tuy nhiên, nó có thể hạn chế đến mức thấp nhất ảnh hưởng của hiện tượng đánh lửa và cháy.
1.3.3. Cách điện cơ bản (basic insulation)
Cách điện cơ bản là cách điện tạo nên sự bảo vệ tối thiểu đối với hiện tượng điện giật.
1.3.4. Cách điện bổ sung (supplementary insulation)
Cách điện bổ sung là cách điện độc lập dùng bổ sung cho cách điện cơ bản để bảo đảm tránh điện giật trong trường hợp hỏng cách điện cơ bản.
1.3.5. Cách điện kép (double insulation)
Cách điện kép là cách điện gồm cả cách điện cơ bản và cách điện bổ sung.
1.3.6. Cách điện tăng cường (reinforced insulation)
Cách điện tăng cường là một hệ thống cách điện đơn cho phép bảo vệ chống điện giật tương đương với cách điện kép tại các điều kiện quy định trong Quy chuẩn này.
CHÚ THÍCH: Thuật ngữ “hệ thống cách điện” không có nghĩa là cách điện phải là một bộ phận đồng nhất. Nó có thể gồm nhiều lớp, không thể thử giống như cách điện bổ sung hoặc cách điện cơ bản.
1.3.7. Mạch sơ cấp (primary circuit)
Mạch sơ cấp là mạch bên trong thiết bị, nối trực tiếp với nguồn điện bên ngoài hoặc nguồn cung cấp điện tương đương khác (như máy phát điện).
1.3.8. Mạch thứ cấp (secondary circuit)
Mạch thứ cấp là mạch không nối trực tiếp với nguồn sơ cấp mà nhận nguồn cung cấp từ một máy biến áp, một bộ chuyển đổi, một thiết bị cách ly tương đương hoặc từ nguồn pin.
1.3.9. Mạch điện áp cực thấp (Extra Low Voltage (ELV) circuit)
Mạch ELV là mạch thứ cấp, ở điều kiện hoạt động bình thường, có điện áp giữa hai dây dẫn bất kỳ hay giữa một dây dẫn và đất không vượt quá 42,4V xoay chiều đỉnh hay 60 V một chiều. Mạch ELV được cách ly với điện áp nguy hiểm bằng ít nhất một lớp cách điện cơ bản và không thỏa mãn các yêu cầu đối với mạch SELV cũng như mạch giới hạn dòng.
1.3.10. Mạch điện áp cực thấp an toàn (Safety Extra Low Voltage (SELV) circuit)
Mạch SELV là mạch thứ cấp được thiết kế và bảo vệ sao cho ở điều kiện hoạt động bình thường thì điện áp của mạch không vượt quá giá trị an toàn cho phép.
CHÚ THÍCH: Giá trị điện áp an toàn (giá trị điện áp khi hoạt động bình thường và khi hỏng đơn) được quy định trong 2.4.3.3.
1.3.11. Mạch giới hạn dòng (Limited Current Circuit)
Mạch giới hạn dòng là mạch được thiết kế và bảo vệ ở điều kiện hoạt động bình thường và điều kiện có thể hỏng, dòng điện trong mạch không vượt quá các giá trị giới hạn.
CHÚ THÍCH: Các giá trị dòng điện giới hạn (dòng bão hoà) được quy định trong 2.4.3.4.
1.3.12. Mạch điện áp viễn thông (Telecommunication Network Voltage (TNV) Circuit)
Mạch điện áp viễn thông là mạch trong thiết bị có vùng tiếp cận đến nó bị hạn chế và được thiết kế, bảo vệ sao cho ở điều kiện hoạt động bình thường và hỏng đơn, điện áp không vượt quá các giá trị giới hạn xác định.
Mạch điện áp viễn thông được coi là một mạch thứ cấp.
Mạch TNV được chia thành ba loại là TNV-1, TNV-2 và TNV-3 theo các định nghĩa 1.3.13, 1.3.14 và 1.3.15.
CHÚ THÍCH: Giá trị điện áp giới hạn quy định ở điều kiện hoạt động bình thường và hỏng đơn được cho trong 2.1.2.1.
1.3.13. Mạch TNV-1 (Telecommunication Network Voltage Circuit 1)
Mạch TNV-1 là một mạch TNV mà:
- Điện áp hoạt động bình thường của nó không vượt quá các giới hạn đối với một mạch SELV ở điều kiện hoạt động bình thường;
- Có thể phải chịu sự quá áp do mạng viễn thông.
1.3.14. Mạch TNV-2 (Telecommunication Network Voltage Circuit 2)
Mạch TNV-2 là một mạch TNV mà:
- Điện áp hoạt động bình thường của nó vượt quá các giới hạn đối với một mạch SELV ở điều kiện hoạt động bình thường;
- Không phải chịu sự quá áp do mạng viễn thông.
1.3.15. Mạch TNV-3 (Telecommunication Network Voltage Circuit 3)
Mạch TNV-3 là một mạch TNV mà:
- Điện áp hoạt động bình thường của nó vượt quá các giới hạn đối với một mạch SELV ở điều kiện hoạt động bình thường;
- Có thể phải chịu sự quá áp do mạng viễn thông.
1.3.16. Nguồn IT (Insulation Terrestrial)
Mạng điện hạ áp có điểm trung tính cách ly với đất còn vỏ thiết bị điện được nối với tiếp đất bảo vệ độc lập.
1.3.17. Nguồn TN (Terrestrial neutral)
Mạng điện hạ áp có điểm trung tính trực tiếp nối đất
1.3.18. Nguồn TT (Terrestriated Terrestrial)
Mạng điện hạ áp có trung tính trực tiếp nối đất còn vỏ thiết bị điện được nối với tiếp đất bảo vệ đôc lập.
1.3.19. Người phục vụ (service personnel)
Người phục vụ là những người được đào tạo về kỹ thuật và có kinh nghiệm để nhận thức được nguy hiểm mà họ có thể gặp phải khi thực hiện nhiệm vụ và có biện pháp hạn chế đến mức thấp nhất sự nguy hiểm đối với bản thân họ và những người khác.
1.3.20. Người vận hành (operator)
Người vận hành là bất cứ người nào ngoài người phục vụ. Trong Quy chuẩn này, khái niệm “người vận hành” tương đương khái niệm “người sử dụng” và hai khái niệm có thể đổi cho nhau.
1.3.21. Người sử dụng (user)
Khái niệm “người sử dụng” tương đương với “người vận hành”.
1.3.22. Thiết bị loại I (Class I Equipment)
Thiết bị loại I là thiết bị được bảo vệ chống điện giật bằng cách:
- Sử dụng lớp cách điện cơ bản;
- Có các biện pháp nối các bộ phận dẫn điện với dây đất bảo vệ trong toà nhà (những bộ phận có thể gây ra điện áp nguy hiểm nếu lớp cách điện cơ bản bị hỏng).
CHÚ THÍCH:
1. Thiết bị loại I có thể có các bộ phận được cách điện kép, cách điện tăng cường hoặc các bộ phận hoạt động trong các mạch SELV.
2. Đối với thiết bị dùng dây cấp nguồn, yêu cầu dây cấp nguồn phải có dây đất bảo vệ.
1.3.23. Thiết bị loại II (class II equipment)
Thiết bị loại II là thiết bị mà việc bảo vệ chống điện giật không chỉ dựa vào lớp cách điện cơ bản mà còn có các biện pháp bổ sung như cách điện kép hoặc cách điện tăng cường, không phụ thuộc việc nối đất bảo vệ cũng như các điều kiện lắp đặt.
CHÚ THÍCH: Thiết bị loại II có thể là một trong các loại sau:
- Thiết bị có lớp vỏ điện bằng vật liệu cách điện liền bọc tất cả các bộ phận dẫn điện, trừ các bộ phận nhỏ như là bảng tên, đinh vít, đinh được cách ly với các bộ phận có điện áp nguy hiểm bằng ít nhất một lớp cách điện tăng cường; thiết bị này được gọi là thiết bị loại II được bọc cách điện;
- Thiết bị có lớp bọc bằng kim loại bền có sử dụng cách điện kép hoặc cách điện tăng cường, thiết bị này gọi là thiết bị loại II được bọc kim loại;
- Thiết bị kết hợp hai loại trên.
1.3.24. Vùng người vận hành tiếp cận (operator access area)
Ở điều kiện hoạt động bình thường, vùng người vận hành có thể tiếp cận là một trong số các vùng sau:
- Vùng có thể tiếp cận không cần sử dụng công cụ hỗ trợ;
- Vùng tiếp cận được bằng các công cụ chỉ dành riêng cho người khai thác;
- Vùng mà người vận hành được hướng dẫn tiếp cận không quan tâm đến việc có cần sử dụng công cụ hỗ trợ hay không.
1.3.25. Vùng truy cập dịch vụ (service access area)
Là vùng người phục vụ tiếp cận ngoại trừ vùng người vận hành tiếp cận, là vị trí mà khi cần thiết, người phục vụ có thể tiếp cận thậm chí thiết bị đang hoạt động.
1.3.26. Vùng hạn chế tiếp cận (restricted access location)
Vùng hạn chế tiếp cận là vùng có cả hai đặc điểm sau đây:
- Chỉ dành cho người phục vụ hoặc người sử dụng tiếp cận nếu đã được hướng dẫn về các lý do hạn chế đối với vùng này và phải thực hiện các biện pháp đề phòng;
- Có thể tiếp cận bằng việc sử dụng một công cụ, khoá và chìa khoá hoặc các phương tiện an toàn và được kiểm soát bởi người có trách nhiệm với vùng này.
2. QUY ĐỊNH KỸ THUẬT
2.1. Các yêu cầu đối với mạch điện áp viễn thông (TNV) và chống điện giật
2.1.1. Các yêu cầu đối với việc kết nối thiết bị
2.1.1.1. Các loại mạch kết nối
Khi thực hiện kết nối thiết bị đầu cuối viễn thông với mạng điện thoại cố định, phải sử dụng các mạch kết nối như sau:
- Mạch SELV hoặc mạch giới hạn dòng;
- Mạch TNV-1, TNV-2 hoặc TNV-3.
Mạch kết nối được lựa chọn sao cho sau khi thực hiện kết nối, thiết bị phải thoả mãn các yêu cầu đối với mạch SELV và mạch TNV.
2.1.1.2. Mạch kết nối là các mạch ELV
Khi một thiết bị được dùng hỗ trợ cho thiết bị chủ, có thể dùng các mạch ELV làm mạch kết nối giữa các thiết bị nếu các thiết bị đó vẫn thoả mãn các yêu cầu của Quy chuẩn này khi đã được nối với nhau.
2.1.1.3. Những quy định về an toàn
Trạng thái an toàn với các thiết bị khác của các điểm kết nối (mạch SELV, mạch TNV, mạch giới hạn dòng và mạch ELV) phải được ghi trong tài liệu của nhà sản xuất kèm theo thiết bị.
2.1.2. Các yêu cầu đối với mạch điện áp viễn thông (TNV)
2.1.2.1. Các giới hạn của mạch TNV
Trong một mạch TNV hoặc các mạch TNV nối với nhau, điện áp giữa hai dây dẫn bất kỳ và điện áp giữa một dây dẫn với đất phải thoả mãn các yêu cầu sau:
(a) Đối với mạch TNV-1
- Không được vượt quá 42,4 V xoay chiều đỉnh hoặc 60 V một chiều ở điều kiện hoạt động bình thường;
- Không được vượt quá các giới hạn quy định trong Hình 1 (các giá trị điện áp trong Hình 1 được đo trên một điện trở 5 kΩ ± 2%) trong trường hợp thiết bị có một hỏng đơn của lớp cách điện hoặc một bộ phận (không kể các bộ phận có lớp cách điện kép hoặc cách điện tăng cường).
CHÚ THÍCH: Trong trường hợp lớp cách điện đơn hoặc một bộ phận bị hỏng, giới hạn điện áp của mạch TNV-1 sau 200 ms là giới hạn đối với mạch TNV-2 hoặc TNV-3 ở điều kiện hoạt động bình thường.
- Đối với tín hiệu chuông điện thoại, điện áp của tín hiệu này tuân theo các yêu cầu trong Phụ lục C.
(b) Đối với mạch TNV-2 và TNV-3
Đối với các điện áp tín hiệu không phải là tín hiệu chuông, giá trị điện áp giữa hai dây dẫn bất kỳ và điện áp giữa một dây dẫn bất kỳ và đất có thể vượt quá 42,4 V xoay chiều đỉnh hoặc 60 V một chiều nhưng phải thoả mãn các yêu cầu sau:
Hình 1 - Điện áp cực đại mạch TNV sau khi có một hỏng đơn
- Không được vượt quá 70,7 V xoay chiều đỉnh hoặc 120 V một chiều ở điều kiện hoạt động bình thường;
- Không được vượt quá giới hạn chỉ ra trong Hình 1 trong trường hợp thiết bị có một hỏng đơn của lớp cách điện hoặc một bộ phận (không kể các bộ phận có lớp cách điện kép hoặc cách điện tăng cường).
2.1.2.2. Cách ly với các mạch khác và các bộ phận có thể tiếp cận
Sự cách ly của các mạch SELV, TNV-1, các bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận với các mạch TNV-2, TNV-3 phải đảm bảo sao cho trong trường hợp lớp cách điện có hỏng đơn, điện áp trên các mạch SELV, TNV-1 và các bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận không vượt quá các giới hạn trong 2.1.2.1 đối với mạch TNV-2 và TNV-3 ở điều kiện hoạt động bình thường.
CHÚ THÍCH:
- Xem thêm 2.2.3 và 2.3.
- Ở điều kiện làm việc bình thường, các giới hạn trong 2.4.3.3.2 luôn áp dụng với mạch SELV và các bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận.
- Các giới hạn trong 2.1.2.1 luôn áp dụng với các mạch TNV.
Các yêu cầu về cách ly sẽ được thoả mãn nếu có lớp cách điện cơ bản như trong Bảng 1, trong đó có áp dụng 2.3.1 (không loại trừ các giải pháp khác).
Bảng 1 - Cách ly với các mạch TNV
Các bộ phận được cách ly |
Sự cách ly |
|
Mạch SELV hoặc các bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận |
Mạch TNV-1 Mạch TNV-2 Mạch TNV-3 |
Như 2.3.1 Cách điện cơ bản Cách điện cơ bản và như 2.3.1 |
Mạch TNV-1 Mạch TNV-2 Mạch TNV-1 |
Mạch TNV-2 Mạch TNV-3 Mạch TNV-3 |
Cách điện cơ bản và như 2.3.1 Như 2.3.1 Cách điện cơ bản |
Mạch TNV-1 Mạch TNV-2 Mạch TNV-3 |
Mạch TNV-1 Mạch TNV-2 Mạch TNV-3 |
Cách điện công tác Cách điện công tác Cách điện công tác |
Trong trường hợp thỏa mãn các điều kiện sau, không cần sử dụng lớp cách điện cơ bản:
- Mạch SELV, mạch TNV-1 hoặc bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận đã được nối đất bảo vệ;
- Các hướng dẫn lắp đặt đã quy định rằng kết cuối nối đất bảo vệ phải được nối cố định với đất;
- Phải tiến hành phép thử ở 2.1.2.3 nếu ở điều kiện hoạt động bình thường, mạch TNV-2 hoặc TNV-3 nhận tín hiệu hoặc nguồn có điện áp vượt quá giá trị 42,4 V xoay chiều đỉnh hoặc 60 V một chiều sinh ra từ bên ngoài và đưa vào thiết bị (ví dụ từ mạng viễn thông).
Tùy theo nhà sản xuất, một mạch TNV-1 hoặc TNV-2 có thể được coi như một mạch TNV-3. Trong trường hợp này, mạch TNV-1 và TNV-2 phải thoả mãn các yêu cầu về cách ly đối với mạch TNV-3.
Việc tuân thủ các yêu cầu này được kiểm tra bằng cách kiểm tra, đo thử và nếu cần thiết có thể mô phỏng lỗi của các bộ phận hay lớp cách điện có thể xảy ra trong thiết bị.
CHÚ THÍCH: Khi thực hiện cách ly bằng lớp cách điện cơ bản và các yêu cầu trong 2.3.1, điện áp thử trong phép thử xung và phép thử độ bền điện thường lớn hơn giá trị điện áp thử đối với lớp cách điện cơ bản.
2.1.2.3. Phép thử cách ly mạch TNV với các mạch SELV đã nối đất
(a) Mục đích phép thử
Mục đích của phép thử là kiểm tra sự cách ly giữa mạch TNV và các mạch SELV đã nối đất. Chỉ tiến hành phép thử này nếu nó được quy định trong 2.1.2.2.
(b) Phương pháp thử
Có thể sử dụng một máy phát thử do nhà sản xuất quy định để tạo điện áp làm việc lớn nhất có thể nhận được từ nguồn bên ngoài. Nếu không có loại máy này, có thể dùng máy phát thử 120 ± 2 (V) xoay chiều ở tần số 50 Hz hoặc 60 Hz và có trở kháng trong 1200 Ω ± 2%.
CHÚ THÍCH: Máy phát thử nói trên không dùng để tạo các điện áp thực tế trên mạng viễn thông, mà để tác động lên mạch của thiết bị được thử theo cách có thể lặp đi lặp lại nhiều lần.
Máy phát thử được nối tới các điểm kết cuối mạng viễn thông của thiết bị. Một cực của máy phát thử được nối với đất của thiết bị, xem Hình 2. Điện áp thử được đưa vào tối đa là 30 phút. Nếu rõ ràng là không có dấu hiệu của sự suy giảm chất lượng, phép thử có thể kết thúc sớm hơn.
Phép thử được lặp lại sau khi đổi các chiều nối với các điểm kết cuối mạng viễn thông của thiết bị.
Hình 2 - Máy phát điện áp thử
c) Yêu cầu đối với phép thử
Trong quá trình thử, điện áp giữa hai dây bất kỳ hay một dây bất kỳ và đất trên các mạch SELV, mạch TNV-1 hoặc các bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận, không vượt quá 42,4 V điện áp xoay chiều đỉnh hoặc 60 V một chiều.
2.1.2.4. Cách ly với các điện áp nguy hiểm
Trừ các trường hợp quy định trong 2.1.2.5, các mạch TNV cần được cách ly với các mạch có điện áp nguy hiểm bằng một trong hai hoặc bằng cả hai phương pháp sau đây:
- Bằng lớp cách điện kép hoặc cách điện tăng cường;
- Bằng lớp cách điện cơ bản và màn chắn dẫn điện nối với đất bảo vệ.
Việc tuân thủ các yêu cầu này được kiểm tra bằng cách xem xét, phân tích và đo đạc.
2.1.2.5. Kết nối mạch TNV với các mạch khác
Một mạch TNV có thể nối với các mạch khác nếu mạch TNV đã được cách ly với các mạch sơ cấp bên trong thiết bị (bao gồm cả trung tính), trừ các trường hợp quy định trong 2.4.3.2.7.
CHÚ THÍCH: Giới hạn trong 2.1.2.1 luôn áp dụng đối với các mạch TNV.
Nếu một mạch TNV nối với một hoặc nhiều mạch khác, mạch TNV trong các mạch đó phải thỏa mãn các giới hạn trong 2.1.2.1.
Khi mạch TNV được cấp nguồn từ một mạch thứ cấp, mạch này đã được cách ly với mạch điện áp nguy hiểm bằng một trong hai biện pháp sau:
- Sử dụng lớp cách điện kép hoặc cách điện tăng cường;
- Sử dụng một màn chắn dẫn điện đã nối đất, màn chắn này cách ly với mạch điện áp nguy hiểm bằng lớp cách điện cơ bản, thì mạch TNV được coi là đã cách ly với mạch điện áp nguy hiểm bằng phương pháp tương tự.
Việc tuân thủ các yêu cầu này được kiểm tra bằng cách xem xét, phân tích và mô phỏng lỗi của các bộ phận hay lớp cách điện có thể xảy ra trong thiết bị.
2.1.3. Bảo vệ để tránh tiếp xúc với các mạch TNV
CHÚ THÍCH: Trong một số trường hợp, việc tiếp cận các mạch TNV qua các mạch khác bị hạn chế như quy định trong 2.3.1.
2.1.3.1. Khả năng tiếp cận
Thiết bị phải được bảo vệ hợp lý để tránh sự tiếp xúc với các bộ phận dẫn điện hở của các mạch TNV, nơi có điện áp vượt quá 42,4 V xoay chiều đỉnh hoặc 60 V một chiều ở điều kiện hoạt động bình thường (cụ thể là TNV- 2 hoặc TNV- 3).
Các trường hợp không cần tuân theo yêu cầu này bao gồm:
- Phần tiếp xúc của các đầu nối không thể chạm vào bằng que thử (Phụ lục D);
- Thiết bị lắp đặt trong vùng hạn chế tiếp cận;
- Các bộ phận dẫn điện hở nằm bên trong ngăn ắc quy theo như 2.1.3.2;
- Các bộ phận dẫn điện hở trong vùng tiếp cận của người phục vụ.
2.1.3.2. Các ngăn ắc quy
Có thể tiếp cận với các bộ phận dẫn điện hở của các mạch TNV-2 và TNV-3 bên trong một ngăn ắc quy trong thiết bị nếu có tất cả các điều kiện sau:
- Ngăn ắc quy phải có nắp, khi mở phải sử dụng các công cụ hỗ trợ bằng chốt hoặc then cài;
- Khi nắp đóng, không thể tiếp cận với các mạch TNV-2 và TNV-3;
- Có thông báo với chỉ dẫn trên cửa để lưu ý người sử dụng khi mở cửa.
2.2. Yêu cầu đảm bảo an toàn cho các nhân viên phục vụ và những người sử dụng thiết bị khác của mạng điện thoại cố định
2.2.1. Bảo vệ khỏi điện áp nguy hiểm
Mạch nối trực tiếp với mạng viễn thông phải thoả mãn với các yêu cầu đối với mạch SELV hoặc mạch TNV.
Việc tuân thủ yêu cầu này được kiểm tra bằng cách đo.
2.2.2 Sử dụng đất bảo vệ
Thiết bị loại I phải sử dụng đất bảo vệ riêng (không dùng đất bảo vệ của mạng viễn thông).
Khi bảo vệ mạng viễn thông bằng đất bảo vệ của thiết bị, hướng dẫn lắp đặt thiết bị và các tài liệu kỹ thuật khác phải quy định rõ rằng việc hợp nhất đất bảo vệ phải được đảm bảo.
Việc tuân thủ với yêu cầu này được kiểm tra bằng cách xem xét, phân tích.
2.2.3. Cách ly mạng viễn thông với đất
2.2.3.1. Các yêu cầu
Trừ trường hợp quy định trong 2.2.3.3, phải có lớp cách điện giữa mạch nối với mạng viễn thông và các bộ phận hoặc mạch nối đất trong thiết bị được kiểm tra hoặc nối qua thiết bị khác. Các bộ triệt xung mắc song song với lớp cách điện phải có điện áp đánh thủng một chiều nhỏ nhất bằng 1,6 lần điện áp danh định hoặc 1,6 lần ngưỡng trên dải điện áp danh định của thiết bị. Trong trường hợp giữ nguyên các bộ triệt xung ở vị trí trên trong khi thử độ bền điện của lớp cách điện, các bộ triệt xung đó phải đảm bảo không bị hư hỏng.
Việc tuân thủ với các yêu cầu này được kiểm tra bằng cách xem xét, phân tích và bằng các phép thử dưới đây.
2.2.3.2. Phép thử cách ly mạng viễn thông với đất
(a) Mục đích phép thử
Mục đích của phép thử là kiểm tra sự cách ly giữa mạng viễn thông và đất.
(b) Phương pháp thử
Lớp cách điện phải được kiểm tra độ bền điện theo phép thử trong 2.3.2.2. Trong khi kiểm tra độ bền điện, có thể bỏ các bộ phận mắc song song với lớp cách điện trừ các tụ điện. Khi đó, cần thực hiện một phép thử phụ theo mạch thử ở Hình 3 với tất cả các bộ phận có trong mạch. Phép thử được thực hiện với mức điện áp bằng điện áp danh định hoặc ngưỡng trên dải điện áp danh định của thiết bị.
(c) Yêu cầu đối với phép thử
Khi thực hiện các phép thử này, phải đảm bảo:
- Không xảy ra sự đánh thủng lớp cách điện trong khi thử độ bền điện;
- Khi thử độ bền điện, các bộ phận mắc song song với lớp cách điện không bị hư hỏng;
- Dòng chạy trong mạch thử theo Hình 3 không được vượt quá 10 mA.
2.2.3.3. Các trường hợp ngoại lệ
Các yêu cầu trong 2.2.3.1 không áp dụng đối với các thiết bị sau:
- Thiết bị được nối cố định hay thiết bị cắm loại B;
- Thiết bị do người phục vụ lắp đặt và có hướng dẫn lắp đặt trong đó yêu cầu thiết bị phải được nối với một ổ cắm có nối đất bảo vệ;
- Thiết bị có dây đất bảo vệ được nối cố định và có kèm theo hướng dẫn lắp đặt dây dẫn này.
2.2.4. Dòng rò đến mạng viễn thông
2.2.4.1. Các giới hạn của dòng rò đến mạng viễn thông
Dòng rò đến mạng viễn thông phát sinh từ nguồn cung cấp cho thiết bị không được vượt quá các giá trị quy định trong Bảng 4 (đối với các thiết bị sử dụng hệ thống nguồn TT hoặc TN) và Bảng 5 (đối với các thiết bị sử dụng hệ thống nguồn IT).
Yêu cầu này không áp dụng đối với các thiết bị có mạch nối với mạng viễn thông đã nối đất trong thiết bị.
Việc tuân thủ yêu cầu này được kiểm tra bằng các phép thử trong 2.2.4.2 bằng cách sử dụng dụng cụ đo trong Phụ lục A, hoặc một mạch khác cho kết quả tương tự, và thường sử dụng một biến áp cách ly như hình vẽ.
2.2.4.2. Đo dòng rò đến mạng Viễn thông
(a) Mục đích phép đo:
Mục đích của phép đo là xác định dòng rò từ nguồn thiết bị đến mạng viễn thông.
(b) Phương pháp đo
- Đối với thiết bị có nhiều mạch được nối với mạng viễn thông, phép đo chỉ áp dụng với một mẫu của mỗi loại mạch.
- Đối với thiết bị 1 pha, dùng mạch đo như ở Hình 4. Phép đo được thực hiện kết hợp thuận cực và đảo cực mạch nguồn (công tắc S1) và mạch nối với mạng viễn thông (công tắc S2).
- Đối với thiết bị 3 pha, dùng mạch đo như ở Hình 5. Phép đo được thực hiện thuận cực và đảo cực mạch nối với mạng viễn thông (công tắc S2).
Hình 5 - Mạch đo dòng rò chạy đến mạng viễn thông (thiết bị 3 pha)
- Đối với thiết bị loại II, đường đứt nét như ở Hình 4 và 5, nếu có, không được sử dụng trong mạch đo này.
(c) Yêu cầu đối với phép đo
Dòng rò đo được trên các dụng cụ đo trong Hình 4 và Hình 5 không được vượt quá các giá trị quy định trong Bảng 2 (đối với các thiết bị sử dụng hệ thống nguồn TT và TN) hoặc Bảng 5 (đối với các thiết bị sử dụng hệ thống nguồn IT).
CHÚ THÍCH: Dụng cụ đo dòng rò cho trong Phụ lục A.
2.3. Bảo vệ người sử dụng thiết bị khỏi quá áp trên mạng viễn thông
2.3.1. Các yêu cầu về cách ly
Để bảo vệ người sử dụng thiết bị khỏi quá áp trên mạng viễn thông cần phải thực hiện các yêu cầu cách ly.
Các mạch TNV-1 hoặc TNV-3 trong thiết bị phải được cách ly về điện với một số bộ phận của thiết bị. Các bộ phận đó bao gồm:
(a) Các bộ phận dẫn điện không nối đất và các bộ phận không dẫn điện của thiết bị để cầm hoặc chạm vào khi sử dụng (ví dụ như ống nghe điện thoại, bàn phím);
(b) Các bộ phận và mạch có thể chạm vào bằng đầu thử (Phụ lục D), trừ các tiếp giáp của đầu nối mà không thể chạm vào bằng que thử (Phụ lục D);
(c) Các mạch nối với các thiết bị khác. Yêu cầu này vẫn được áp dụng dù cho mạch này có thể tiếp cận được hay không. Không áp dụng yêu cầu này cho các mạch được nối với một thiết bị khác mà bản thân thiết bị đó đã tuân thủ các yêu cầu trong 2.3).
Nếu qua phân tích mạch và thiết bị, thấy đã có các biện pháp bảo đảm an toàn khác, ví dụ giữa hai mạch mà cả hai mạch đều được nối với đất bảo vệ thì không áp dụng các yêu cầu này.
Việc tuân thủ với các yêu cầu này được kiểm tra bằng các phép thử trong 2.3.2.
2.3.2. Thủ tục thử
Các yêu cầu về cách ly trong 2.3.1 được kiểm tra bằng một trong hai phép thử 2.3.2.1 hoặc 2.3.2.2.
Một phương pháp khác để kiểm tra thiết bị hoàn chỉnh là áp dụng phép thử cho một bộ phận yêu cầu cần được cách ly (ví dụ một bộ chuyển đổi tín hiệu). Trong trường hợp này, không được cho các bộ phận khác hoặc các dây nối tham gia mạch đo, trừ khi các bộ phận và dây dẫn đó cũng thoả mãn các yêu cầu về cách ly trong 2.3.1.
Nhà sản xuất thiết bị phải quy định:
- Sử dụng phép thử xung 2.3.2.1 hay phép thử độ bền điện 2.3.2.2;
- Thử thiết bị hoàn chỉnh hay thử một bộ phận.
Phép thử 2.3.2.1 và 2.3.2.2 sử dụng mạch đo như trong Hình 6.
Trong các phép thử, tất cả các dây dẫn nối với mạng viễn thông được nối với nhau (xem Hình 6), bao gồm cả các dây dẫn mà nhà quản lý mạng viễn thông yêu cầu nối với đất. Tương tự, tất cả các dây dẫn nối với các thiết bị khác đều được nối với nhau trong trường hợp (c).
Các bộ phận không dẫn điện được thử bằng cách gắn một lá kim loại vào bề mặt. Nếu sử dụng lá kim loại có chất dính, chất dính đó phải là chất dẫn điện.
Hình 6 - Các điểm đưa điện áp thử
2.3.2.1. Phép thử xung
(a) Mục đích phép thử
Mục đích của phép thử xung là kiểm tra khả năng chịu đựng của lớp cách ly giữa mạch TNV với các bộ phận của thiết bị đối với điện áp xung.
(b) Phương pháp thử
Đưa 10 xung thử từ bộ tạo xung thử (Phụ lục B) vào các điểm cần thử (xem sơ đồ Hình 6). Khoảng cách giữa hai xung liên tiếp là 60 s và điện áp ban đầu Uc, là:
- Đối với trường hợp (a) của 3.3.1: 2,5 kV;
- Đối với trường hợp (b) và (c): 1,5 kV.
CHÚ THÍCH: Giá trị 2,5 kV trong trường hợp (a) được chọn để đảm bảo khả năng cách điện, không cần mô phỏng các hiện tượng quá áp.
(c) Tiêu chí tuân thủ
- Khi thực hiện phép thử xung, không được xảy ra hiện tượng đánh thủng lớp cách điện. Hiện tượng đánh thủng lớp cách điện được coi là xảy ra khi dòng chạy qua mạch do điện áp thử đưa vào tăng lên nhanh chóng, không kiểm soát được, có nghĩa là lớp cách điện không hạn chế được dòng chạy qua.
- Trong khi thực hiện phép thử, nếu bộ triệt xung hoạt động (hoặc xảy ra sự đánh lửa bên trong ống phóng khí) chứng tỏ:
+ Đối với trường hợp (a) của 2.3.1, đã có sự đánh thủng;
+ Đối với trường hợp (b) và (c), hoạt động này được chấp nhận.
- Đối với các phép thử xung, sự hư hỏng của lớp cách điện có thể được kiểm tra bằng phép thử điện trở lớp cách điện. Điện áp thử là 500 V một chiều hoặc khi có các bộ triệt xung, điện áp thử một chiều có giá trị nhỏ hơn 10% so với điện áp hoạt động hoặc điện áp phóng của bộ triệt xung. Điện trở lớp cách điện không được nhỏ hơn 2 MΩ. Có thể tháo bỏ các bộ triệt xung khi đo điện trở lớp cách điện.
CHÚ THÍCH:
Một cách khác để kiểm tra hoạt động của bộ triệt xung hoặc hiện tượng đánh thủng lớp cách điện là quan sát dạng sóng trên thiết bị hiện sóng.
2.3.2.2. Phép thử độ bền điện
(a) Mục đích phép thử
Mục đích của phép thử độ bền điện là đánh giá độ bền điện của lớp cách ly giữa mạch TNV với các bộ phận của thiết bị.
(b) Phương pháp thử
Tác động vào lớp cách điện bằng điện áp xoay chiều hình sin tần số 50/60 Hz, hoặc điện áp một chiều bằng giá trị đỉnh của điện áp xoay chiều nói trên. Thời gian tác động là 60 s.
Các điện áp thử xoay chiều là:
- Đối với trường hợp (a) của 3.3.1: 1,5 kV;
- Đối với trường hợp (b) và (c): 1,0 kV.
Điện áp tăng đều từ 0 đến điện áp nói trên và sau đó giữ tại giá trị này trong 60 s.
CHÚ THÍCH: Nếu có các tụ điện mắc qua lớp cách điện được thử, nên sử dụng điện áp thử một chiều.
Trong trường hợp (b) và (c), có thể tháo bỏ các bộ triệt xung nếu các dụng cụ này đã qua phép thử xung trong 2.3.2.1 đối với các trường hợp (b) và (c) khi được thử như các cấu kiện hoặc bộ phận rời của thiết bị.
(c) Tiêu chí tuân thủ
- Khi thực hiện phép thử độ bền điện, không được xảy ra hiện tượng đánh thủng lớp cách điện. Hiện tượng đánh thủng lớp cách điện được coi là xảy ra khi dòng chạy qua mạch do điện áp thử đưa vào tăng lên nhanh chóng, không kiểm soát được, có nghĩa là lớp cách điện không hạn chế được dòng chạy qua.
- Trong khi thực hiện phép thử, nếu bộ triệt xung hoạt động (hoặc xảy ra sự đánh lửa bên trong ống phóng khí), thì:
+ Trong trường hợp (a) của 2.3.1: hiện tượng đó cho thấy đã có hư hỏng;
+ Trong trường hợp (b) và (c): hiện tượng đó (do bất cứ bộ triệt xung nào trong mạch thử) cho thấy có sự hư hỏng.
CHÚ THÍCH: Một cách khác để kiểm tra hoạt động của bộ triệt xung hoặc hiện tượng đánh thủng lớp cách điện là quan sát dạng sóng trên thiết bị hiện sóng.
2.4. Yêu cầu an toàn điện cho bản thân thiết bị đầu cuối viễn thông
2.4.1. Các yêu cầu chung
2.4.1.1. Cấu trúc và thiết kế của thiết bị
Thiết bị cần được thiết kế và có cấu tạo sao cho ở các điều kiện làm việc bình thường hay ở điều kiện hỏng hoặc có lỗi thiết bị vẫn bảo vệ người sử dụng tránh các rủi ro do điện giật và các nguy hiểm khác trong thiết bị theo quy định của Quy chuẩn này.
Nếu các phương pháp, các loại vật liệu hay các công nghệ cấu tạo nên thiết bị không được quy định cụ thể, thiết bị phải có mức an toàn không thấp hơn mức quy định trong Quy chuẩn này.
2.4.1.2. Các thông tin cung cấp cho người sử dụng
Các thông tin chi tiết cần được cung cấp cho người sử dụng để khi sử dụng thiết bị theo hướng dẫn của nhà sản xuất, sẽ không xảy ra các nguy hiểm.
2.4.1.3. Phân loại thiết bị
Thiết bị được phân loại theo cách bảo vệ chống điện giật của nó, bao gồm:
- Thiết bị loại I;
- Thiết bị loại II;
- Thiết bị loại III.
CHÚ THÍCH: Thiết bị có chứa các mạch ELV hay các bộ phận có điện áp nguy hiểm là thiết bị loại I hoặc thiết bị loại II. Quy chuẩn này không quy định các yêu cầu về bảo vệ chống điện giật cho thiết bị loại III.
2.4.2. Giao diện nguồn
2.4.2.1. Dòng điện đầu vào
Ở điều kiện hoạt động với tải thường, dòng đầu vào bão hoà của thiết bị không được vượt quá 10% so với giá trị dòng điện danh định.
2.4.2.2. Giới hạn điện áp của các thiết bị cầm tay
Điện áp danh định của thiết bị cầm tay không được vượt quá 250 V.
2.4.2.3. Dây trung tính
Nếu có dây trung tính, nó cần phải được cách ly với đất và với phần thân của thiết bị như các dây pha. Điện áp làm việc của các bộ phận nối giữa trung tính và đất phải bằng điện áp pha - trung tính.
2.4.2.4. Các bộ phận trong thiết bị dùng nguồn IT
Đối với các thiết bị dùng hệ thống nguồn IT, các bộ phận nối giữa dây pha và đất cần có khả năng chịu đựng đối với điện áp làm việc bằng điện áp pha - pha. Tuy nhiên, có thể sử dụng các tụ điện thoả mãn một trong các tiêu chuẩn sau, nếu chúng thích hợp với điện áp pha - trung tính.
- Tiêu chuẩn IEC 384-14:1981;
- Tiêu chuẩn IEC 384-14:1993, mục Y1, Y2 hoặc Y4.
CHÚ THÍCH: Các tụ kiểu này được thử khả năng chịu đựng ở mức điện áp bằng 1,7 lần điện áp danh định.
2.4.2.5. Dung sai nguồn
Thiết bị được cung cấp nguồn trực tiếp cần được thiết kế với dung sai nguồn là +6% và -10%. Nếu điện áp danh định là 230 V một pha hoặc 400 V ba pha, thiết bị phải hoạt động an toàn trong khoảng dung sai nguồn nhỏ nhất là +10% và -10%.
2.4.3. Bảo vệ để tránh các nguy hiểm
2.4.3.1. Bảo vệ khỏi điện giật và các nguy hiểm về năng lượng
2.4.3.1.1. Tiếp cận các bộ phận có năng lượng
Quy chuẩn này quy định các yêu cầu đối với việc bảo vệ chống điện giật do các bộ phận có năng lượng gây ra, dựa trên nguyên tắc người vận hành được phép tiếp cận với:
- Các phần hở của các mạch SELV;
- Các phần hở của các mạch giới hạn dòng;
- Các mạch TNV ở các điều kiện quy định trong 3.1.3.
Việc tiếp cận với các bộ phận và dây có năng lượng khác cũng như lớp cách điện của chúng được hạn chế theo quy định trong 2.4.3.1.2 và 2.4.3.1.3.
Các yêu cầu bổ sung để tránh các năng lượng nguy hiểm được quy định trong 2.4.3.1.4 và 2.4.3.1.5.
2.4.3.1.2. Bảo vệ trong vùng tiếp cận của người vận hành
Thiết bị phải có cấu trúc sao cho trong vùng tiếp cận, người vận hành được bảo vệ khi tiếp xúc với:
- Các bộ phận hở của mạch ELV hay các bộ phận hở có điện áp nguy hiểm;
- Các bộ phận của mạch ELV hay các bộ phận có điện áp nguy hiểm chỉ được bảo vệ bằng sơn, men, giấy thường, bông, bọt hay các hợp chất kín trừ nhựa tự cứng;
- Lớp cách điện cơ bản và cách điện công tác của các bộ phận hay các dây điện trong mạch ELV hoặc mạch có điện áp nguy hiểm, trừ những trường hợp cho phép trong 2.4.3.1.3;
- Các bộ phận dẫn điện chưa nối đất, cách ly với các mạch ELV hoặc các bộ phận có điện áp nguy hiểm chỉ bằng lớp cách điện cơ bản và công tác.
Yêu cầu này áp dụng cho tất cả các vị trí của thiết bị khi thiết bị đã được nối vào mạng và hoạt động bình thường.
Việc bảo vệ phải được thực hiện bằng lớp cách điện hoặc tấm chắn, hoặc sử dụng khoá an toàn.
2.4.3.1.3. Tiếp cận với mạng dây điện bên trong
2.4.3.1.3.1. Mạch ELV
Người vận hành được phép tiếp cận lớp cách điện của mạng dây điện trong mạch ELV với điều kiện:
a) Người vận hành không cần cầm, nắm vào dây điện;
b) Mạng dây điện được bố trí và cố định sao cho không chạm vào các bộ phận dẫn điện chưa nối đất;
c) Khoảng cách qua lớp cách điện của mạng dây không nhỏ hơn các giá trị cho trong Bảng 2;
Bảng 2 - Khoảng cách qua lớp cách điện của mạng dây
Điện áp làm việc (trong trường hợp lỗi cách điện cơ bản) |
Khoảng cách qua lớp cách điện tối thiểu |
|
V đỉnh hoặc một chiều |
V r.m.s (không phải dạng hình sin) |
mm |
Trên 71, dưới 350 Trên 350 |
Trên 50, dưới 250 Trên 250 |
0,17 0,31 |
d) Thỏa mãn các yêu cầu đối với cách điện bổ sung.
Khi mạng dây điện trong mạch ELV không thỏa mãn cả hai điều kiện a) và b), lớp cách điện phải thoả mãn tất cả các yêu cầu đối với lớp cách điện bổ sung và phải chịu được phép thử độ bền điện trong 3.3.2.2.
2.4.3.1.3.2. Các mạch có điện áp nguy hiểm
Lớp cách điện của mạng dây có điện áp nguy hiểm không nối đất mà người vận hành có thể tiếp cận hoặc chạm vào phải thoả mãn các yêu cầu đối với lớp cách điện kép hoặc cách điện tăng cường.
2.4. 3.1.4. Bảo vệ trong vùng tiếp cận và vùng hạn chế tiếp cận
2.4.3.1.4.1. Bảo vệ trong vùng tiếp cận của người phục vụ
Trong vùng tiếp cận của người phục vụ, cần áp dụng các yêu cầu sau đây:
- Các bộ phận hở có điện áp nguy hiểm cần được sắp đặt và che chắn để tránh việc tiếp xúc một cách vô tình trong khi làm việc với các bộ phận khác của thiết bị.
- Quy chuẩn này không quy định về việc tiếp cận với các mạch ELV hay các mạch TNV.
- Khi xem xét việc tiếp xúc vô tình với các bộ phận hở có khả năng xảy ra hay không, cần quan tâm đến cách người phục vụ đã tiếp cận hoặc đến gần các bộ phận hở để làm việc với các bộ phận khác.
- Các bộ phận hở có năng lượng nguy hiểm (xem 2.4.3.1.5) cần được sắp đặt và che chắn để tránh xảy ra việc chạm chập do các vật liệu dẫn điện có thể vô tình xảy ra khi làm việc với các bộ phận khác của thiết bị.
Tất cả các lớp che chắn nhằm tuân thủ các yêu cầu trong mục này phải dễ dàng tháo bỏ hoặc thay thế, nếu việc tháo bỏ là cần thiết trong công tác của người phục vụ.
2.4.3.1.4.2. Bảo vệ trong vùng hạn chế tiếp cận
Thiết bị lắp đặt trong vùng hạn chế tiếp cận phải thoả mãn các yêu cầu đối với vùng tiếp cận của người vận hành trừ các điểm cho phép trong 3.1.3 và hai yêu cầu sau đây:
- Đối với mạch thứ cấp có điện áp nguy hiểm dùng để cấp điện cho bộ tạo tín hiệu chuông theo như 3.1.2.1(b), được phép tiếp cận với các bộ phận hở của mạch bằng đầu thử (Phụ lục D). Tuy nhiên, các bộ phận này cần được sắp đặt và che chắn để tránh việc tiếp xúc một cách vô tình. Khi xem xét việc tiếp xúc vô tình với các bộ phận hở có khả năng xảy ra hay không, cần quan tâm đến cách người phục vụ tiếp cận hoặc đến gần các bộ phận hở có điện áp nguy hiểm.
- Các bộ phận hở có năng lượng nguy hiểm (xem 2.4.3.1.5) cần được sắp đặt và bảo vệ sao cho các vật liệu dẫn điện không bị chập một cách vô tình.
2.4.3.1.5. Các năng lượng nguy hiểm trong vùng tiếp cận của người vận hành
Không được phép có năng lượng nguy hiểm trong vùng tiếp cận của người vận hành.
2.4.3.1.6. Khoảng hở phía sau lớp vỏ dẫn điện (dù đã nối đất hay không) không được giảm đến mức có thể gây ra sự tăng mức năng lượng nguy hiểm mà vẫn có thể thực hiện phép thử.
2.4.3.1.7. Tay cầm của các nút vận hành, các tay nắm, các đòn bẩy và những thứ tương tự không được nối với các mạch có điện áp nguy hiểm hoặc mạch ELV.
2.4.3.1.8. Các tay nắm dẫn điện, nút điều khiển và những thứ tương tự sử dụng bằng tay và chỉ được nối đất qua một trục hay một lớp đệm phải là một trong số các loại sau:
- Được cách ly khỏi điện áp nguy hiểm một khoảng bằng phần hở của lớp cách điện kép hoặc cách điện tăng cường;
- Được bọc bằng lớp cách điện bổ sung trên các phần có thể tiếp cận.
2.4.3.1.9. Vỏ bọc dẫn điện của các tụ điện trong mạch ELV hoặc mạch điện áp nguy hiểm không được nối với các bộ phận dẫn điện không nối đất trong vùng tiếp cận của người vận hành. Chúng cần được cách ly với các bộ phận này bằng lớp cách điện bổ sung hoặc bằng một thanh kim loại đã nối đất.
2.4.3.1.10. Thiết bị cần được thiết kế sao cho khi đã ngắt khỏi nguồn chính, không xảy ra điện giật do điện tích trên các tụ nối với mạch nguồn.
2.4.3.2. Cách điện
2.4.3.2.1. Các phương pháp cách điện
Việc cách điện phải được thực hiện bằng một trong hai hoặc kết hợp cả hai cách sau đây:
- Sử dụng các vật liệu cách điện dạng đặc hoặc dạng lá có đủ độ dày và khe hở trên bề mặt;
- Có khoảng hở không khí đủ lớn.
2.4.3.2.2. Các đặc tính của vật liệu cách điện
Khi lựa chọn và sử dụng các vật liệu cách điện cần chú ý đến các yêu cầu về độ bền cách điện, độ bền nhiệt và độ bền cơ khí, tần số của điện áp làm việc và môi trường làm việc (nhiệt độ, áp suất, độ ẩm và mức ô nhiễm).
Không dùng cao su tự nhiên, vật liệu chứa amiang hoặc vật liệu có tính hút ẩm làm lớp cách điện.
2.4.3.2.3. Các yêu cầu đối với lớp cách điện
Lớp cách điện trong thiết bị cần thoả mãn các yêu cầu về nhiệt độ khi làm việc và các yêu cầu sau, trừ khi áp dụng 2.4.3.1.3:
- Các yêu cầu về độ bền điện;
- Các yêu cầu về khe hở, khoảng hở bề mặt và khoảng cách qua lớp cách điện.
2.4.3.2.4. Các tham số của lớp cách điện
Để xác định các điện áp thử, khe hở, khoảng hở và khoảng cách qua lớp cách điện, cần xem xét hai tham số sau:
- ứng dụng của lớp cách điện (xem 2.4.3.2.5);
- điện áp làm việc của lớp cách điện (xem 2.4.3.2.6).
2.4.3.2.5. Phân loại các lớp cách điện
Theo chức năng và cấu tạo, các lớp cách điện được xem xét theo các dạng: công tác, cơ bản, bổ sung, tăng cường và cách điện kép.
Việc sử dụng các loại cách điện trong một số trường hợp được cho trong Bảng 3 và được mô tả trong Hình 7. Trong nhiều trường hợp, cách điện có thể được nối tắt bằng một đường dẫn điện, ví dụ như khi dùng trong 2.4.3.2.7, 2.4.3.3.5, 2.4.3.4.6 hay 3.1.2.5 nếu duy trì được mức độ an toàn.
Đối với cách điện kép, có thể chuyển đổi giữa các phần tử cơ bản và các phần tử bổ sung. Khi sử dụng cách điện kép có thể dùng các mạch ELV hay các bộ phận dẫn điện không nối đất giữa cách điện cơ bản và cách điện bổ sung, nếu duy trì được mức cách điện tổng.
Bảng 3 - Các ví dụ về ứng dụng của cách điện
Loại cách điện |
Cách điện |
Mã trong Hình 7 |
|
giữa: |
với: |
||
1. Công tác |
Mạch SELV |
- Bộ phận dẫn điện nối đất - Bộ phận dẫn điện cách điện kép - Mạch SELV khác |
OP1 OP2 OP1 |
Mạch ELV |
- Bộ phận dẫn điện nối đất - Mạch SELV nối đất - Bộ phận dẫn điện cách điện cơ bản - Mạch ELV khác |
OP3 OP3 OP4 OP1 |
|
Mạch thứ cấp có điện áp nguy hiểm, nối đất |
- Mạch thứ cấp có điện áp nguy hiểm nối đất khác |
OP5 |
|
Mạch TNV |
- Bộ phận dẫn điện nối đất - Mạch SELV nối đất - Mạch TNV khác cùng loại |
OP1 OP6 |
|
Các bộ phận nối tiếp/song song của cuộn biến áp |
|
|
|
2. Cơ bản |
Mạch sơ cấp |
- Mạch thứ cấp có điện áp nguy hiểm nối đất hoặc không nối đất - Bộ phận dẫn điện nối đất - Mạch SELV nối đất - Bộ phận dẫn điện cách điện cơ bản - Mạch ELV |
B1 B2 B2 B3 B3 |
Mạch thứ cấp có điện áp nguy hiểm nối đất hoặc không nối đất |
- Mạch thứ cấp có điện áp nguy hiểm không nối đất - Bộ phận dẫn điện nối đất - Mạch SELV nối đất - Bộ phận dẫn điện cách điện cơ bản - Mạch ELV |
B4 B5 B5 B6 B6 |
|
Mạch TNV |
- Bộ phận dẫn điện cách điện kép - Mạch SELV không nối đất - Bộ phận dẫn điện nối đất - Mạch SELV nối đất |
B7 B7 B8 B8 |
|
3. Bổ sung |
Các bộ phận dẫn điện cách điện cơ bản hoặc mạch ELV |
- Bộ phận dẫn điện cách điện kép - Mạch SELV không nối đất |
S1 S1 |
Mạch TNV |
- Bộ phận dẫn điện cách điện cơ bản - Mạch ELV |
S2 S2 |
|
4. Bổ sung hoặc tăng cường |
Mạch thứ cấp có điện áp nguy hiểm không nối đất |
- Bộ phận dẫn điện cách điện kép - Mạch SELV không nối đất - Mạch TNV |
S/R S/R S/R |
5.Tăng cường |
Mạch sơ cấp |
- Bộ phận dẫn điện cách điện kép - Mạch SELV không nối đất - Mạch TNV |
R1 R1 R2 |
Mạch thứ cấp có điện áp nguy hiểm được nối đất |
- Bộ phận dẫn điện cách điện kép - Mạch SELV không nối đất - Mạch TNV |
R3 R3 R4 |
OP - Cách điện công tác R - Cách điện tăng cường
S - Cách điện bổ sung B - Cách điện cơ bản
Hình 7 - Các ví dụ về việc ứng dụng của lớp cách điện
2.4.3.2.6. Xác định điện áp làm việc
Để xác định điện áp làm việc, cần áp dụng các nguyên tắc trong 2.4.3.2.6.1, và các nguyên tắc trong 2.4.3.2.6.2, 2.4.3.2.6.3, 2.4.3.2.6.4 và 2.4.3.2.6.5, nếu cần.
CHÚ THÍCH: Các điện áp làm việc trong nguồn chuyển mạch (switch), được xác định tốt nhất bằng cách đo đạc.
2.4.3.2.6.1. Các nguyên tắc chung
Để xác định điện áp làm việc giữa một mạch sơ cấp và mạch thứ cấp hoặc đất cần sử dụng giá trị điện áp danh định và giá trị cực đại của dải điện áp danh định.
Các bộ phận dẫn điện có thể tiếp xúc mà chưa nối đất, cần được giả thiết là đã nối đất.
Khi cuộn biến áp hay các phần khác ở chế độ thả nổi (floating), nghĩa là không nối với mạch thiết lập thế tương đối với đất thì nó cần phải được giả thiết đã nối đất ở điểm tại đó đạt được điện áp làm việc cao nhất.
Khi sử dụng cách điện kép, điện áp làm việc qua cách điện cơ bản cần được xác định bằng cách giả thiết ngắn mạch qua cách điện bổ sung và ngược lại. Đối với cách điện giữa các cuộn dây biến áp, phải giả thiết ngắn mạch xảy ra ở điểm có điện áp làm việc cao nhất sinh ra ở lớp cách điện khác.
Đối với lớp cách điện giữa hai cuộn dây biến áp, phải sử dụng điện áp cao nhất giữa hai điểm trên hai cuộn dây, đồng thời cần chú ý đến các điện áp ngoài mà cuộn dây nối tới.
Đối với lớp cách điện giữa một cuộn dây biến áp và một bộ phận khác, phải sử dụng điện áp cao nhất giữa bất cứ điểm nào trên cuộn dây và bộ phận đó.
2.4.3.2.6.2. Khoảng hở trong mạch sơ cấp
Khi sử dụng điện áp làm việc để xác định khoảng hở đối với mạch sơ cấp:
- Đối với điện áp một chiều, cần xét cả giá trị đỉnh của các sóng bội;
- Cần bỏ qua các đột biến không có tính lặp đi lặp lại (ví dụ, nhiễu khí quyển);
CHÚ THÍCH: Giả thiết rằng các hiệu ứng đột biến này trong mạch thứ cấp không vượt quá mức đột biến trong mạch sơ cấp.
- Điện áp của mạch ELV, SELV và TNV coi như có giá trị 0;
- Đối với các điện áp đỉnh có tính lặp đi lặp lại vượt quá các giá trị đỉnh của điện áp nguồn, cần sử dụng giá trị đỉnh đặc trưng lớn nhất.
2.4.3.2.6.3. Khoảng hở trong mạch thứ cấp
Đối với điện áp làm việc dùng để xác định khoảng hở đối với mạch thứ cấp:
- Đối với điện áp một chiều, cần xét cả giá trị đỉnh của sóng bội;
- Đối với dạng sóng không phải dạng hình sin, phải sử dụng các giá trị đỉnh.
2.4.3.2.6.4. Khe hở
Khi sử dụng điện áp làm việc để xác định khe hở:
- Cần sử dụng các giá trị hiệu dụng hoặc giá trị một chiều;
- Nếu sử dụng giá trị một chiều, phải bỏ qua các sóng bội;
- Bỏ qua các điều kiện ngắn hạn (ví dụ, trong tín hiệu chuông nhịp ở mạch TNV).
2.4.3.2.6.5. Các phép thử độ bền điện
Các giá trị điện áp làm việc dùng để xác định các điện áp thử độ bền điện trong 3.3.2.2 cần là giá trị một chiều đối với điện áp một chiều và là giá trị đỉnh đối với các giá trị điện áp khác.
2.4.3.2.7. Các thành phần nối tắt cách điện kép hay cách điện tăng cường
2.4.3.2.7.1. Các tụ nối
Có thể nối tắt lớp cách điện kép hay cách điện tăng cường bằng:
- Một tụ đơn thoả mãn tiêu chuẩn IEC384-14:1993, phần Y1; hoặc
- Hai tụ nối tiếp, cả hai thoả mãn tiêu chuẩn IEC 384-14:1981, loại U hay Y; hoặc IEC 384-14:1993, loại Y2 hay Y4.
Khi dùng hai tụ nối tiếp, chúng cần được đánh giá với điện áp làm việc tổng trên đôi tụ và hai tụ này cần có giá trị điện dung danh định như nhau.
2.4.3.2.7.2. Các điện trở nối
Có thể nối tắt cách điện kép và cách điện tăng cường bằng các điện trở mắc nối tiếp. Các điện trở này cần có giá trị điện trở danh định như nhau.
2.4.3.2.7.3. Các bộ phận có thể tiếp cận
Khi các bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận hoặc các mạch được cách ly với các bộ phận khác bằng cách điện kép hay cách điện tăng cường và chúng được nối tắt bởi các linh kiện theo 2.4.3.2.7.1 và 2.4.3.2.7.2, các bộ phận có thể tiếp cận cần thoả mãn các yêu cầu trong 2.4.3.4. Những yêu cầu này áp dụng sau khi thử độ bền điện của lớp cách điện.
2.4.3.3. Mạch SELV
2.4.3.3.1. Các yêu cầu chung
Các mạch SELV phải có điện áp an toàn khi chạm vào cả khi hoạt động bình thường và khi có hỏng đơn, ví dụ như thủng một lớp của cách điện cơ bản hay hỏng ở một bộ phận.
Nếu dùng mạch SELV để nối với mạng viễn thông, cần xem xét cả các điện áp sinh ra bên trong và bên ngoài của thiết bị khi thiết bị hoạt động bình thường, bao gồm cả các tín hiệu chuông. Không cần xem xét đến hiện tượng thế đất tăng và các điện áp cảm ứng từ đường điện nguồn và từ các đường dây tải điện vào mạng viễn thông.
2.4.3.3.2. Điện áp ở các điều kiện bình thường
Trong một hoặc nhiều mạch SELV nối với nhau, ở các điều kiện hoạt động bình thường, điện áp giữa hai dây dẫn bất kỳ và điện áp giữa một dây dẫn bất kỳ và đất bảo vệ của thiết bị (đối với thiết bị loại I) không được vượt quá 42,4 V xoay chiều đỉnh hay 60 V một chiều.
CHÚ THÍCH: Mạch thoả mãn các yêu cầu trên nhưng phải chịu quá áp từ mạng viễn thông là một mạch TNV-1.
2.4.3.3.3. Điện áp ở điều kiện lỗi
Trừ các trường hợp cho phép trong 3.1.2.2, khi lớp cách điện cơ bản hoặc lớp cách điện bổ sung hoặc một bộ phận (trừ các bộ phận có cách điện kép và cách điện tăng cường) bị hỏng đơn, điện áp của một mạch SELV không được vượt quá 42,4 V xoay chiều đỉnh hoặc 60 V một chiều trong thời gian quá 0,2 s. Đồng thời, các giá trị này không được vượt quá giới hạn 71 V xoay chiều đỉnh hoặc 120 V một chiều.
Trừ các trường hợp cho phép trong 2.4.3.3.5, cần phải sử dụng một trong các phương pháp như trình bày trong 2.4.3.3.3.1, 2.4.3.3.3.2 hoặc 2.4.3.3.3.3.
Trong một mạch đơn (ví dụ mạch chỉnh lưu - biến áp), người vận hành có thể tiếp cận với các bộ phận thoả mãn tất cả các yêu cầu đối với mạch SELV. Các bộ phận khác của một mạch tương tự không thoả mãn tất cả các yêu cầu đối với mạch SELV thì người vận hành không được phép tiếp cận.
CHÚ THÍCH:
- Các bộ phận khác nhau của mạch SELV có thể được bảo vệ bằng các phương pháp khác nhau, ví dụ:
+ Phương pháp 2 trong biến áp nguồn có chỉnh lưu cầu;
+ Phương pháp 1 đối với mạch thứ cấp AC;
+ Phương pháp 3 ở đầu ra của chỉnh lưu cầu.
- Ở các điều kiện bình thường, giới hạn điện áp của mạch SELV như của mạch ELV; một mạch SELV có thể coi là một mạch ELV có bảo vệ bổ sung ở các điều kiện lỗi.
2.4.3.3.3.1. Cách ly bằng cách điện kép hoặc cách điện tăng cường (phương pháp 1)
Khi một mạch SELV chỉ cách ly với các mạch khác bằng cách điện kép hoặc cách điện tăng cường, cần phải dùng một trong các cấu trúc sau:
- Cách ly cố định bằng hàng rào;
- Giữa các mạng dây kề nhau có lớp cách điện và đã được kiểm tra, đánh giá với điện áp làm việc cao nhất;
- Mạng dây của mạch SELV hoặc các mạch khác có lớp cách điện thoả mãn các yêu cầu đối với lớp cách điện bổ sung hoặc cách điện tăng cường ở điện áp làm việc cao nhất;
- Mạng dây của mạch SELV hoặc các mạch khác có lớp cách điện bổ sung bên ngoài;
- Hai biến áp riêng rẽ nối tiếp nhau, trong đó một biến áp có cách điện cơ bản và một biến áp có cách điện bổ sung;
- Sử dụng các phương tiện khác có hiệu quả cách điện tương đương.
2.4.3.3.3.2. Cách ly bằng tấm chắn đã nối đất (phương pháp 2)
Khi các mạch SELV đã cách ly khỏi các bộ phận có điện áp nguy hiểm bằng tấm chắn nối đất hoặc các bộ phận dẫn điện đã nối đất khác, các bộ phận có điện áp nguy hiểm cần được cách ly với các bộ phận đã nối đất bằng ít nhất một lớp cách điện cơ bản. Các bộ phận đã nối đất này phải thoả mãn các yêu cầu trong 2.4.3.5.
2.4.3.3.3.3. Bảo vệ bằng cách nối đất mạch SELV (phương pháp 3)
Các bộ phận của mạch SELV được bảo vệ bằng cách nối đất phải được nối với đất bảo vệ sao cho trở kháng mạch tương đối hoặc hoạt động của thiết bị bảo vệ hoặc cả hai đều thoả mãn các yêu cầu trong 2.4.3.3.3. Các bộ phận này cũng cần được cách ly với các bộ phận của các mạch khác (trừ mạch SELV) bằng ít nhất một lớp cách điện cơ bản. Mạch SELV phải có dung lượng mang dòng rò đủ để đảm bảo cho hoạt động của thiết bị bảo vệ (nếu có) và để đảm bảo không có dòng rò đến đất.
2.4.3.3.4. Các yêu cầu về cấu trúc bổ sung
Thiết bị cần phải được cấu trúc như sau:
- Các kết cuối báo chuông và tương tự cần đảm bảo tránh xoay chuyển vì điều đó có thể làm giảm khoảng hở giữa các mạch SELV và các bộ phận có điện áp nguy hiểm xuống dưới các giá trị tối thiểu đã được quy định;
- Trong các ổ cắm, phích cắm nhiều đường và những nơi có thể xảy ra ngắn mạch phải có các biện pháp để tránh sự tiếp xúc giữa các mạch SELV và các bộ phận có điện áp nguy hiểm do việc ngắt kết cuối hoặc do đứt dây tại điểm kết cuối;
- Các bộ phận không được cách điện, có điện áp nguy hiểm cần được sắp đặt và bảo vệ để tránh xảy ra ngắn mạch đối với mạch SELV, ví dụ khi người phục vụ sử dụng các công cụ hay các que thử;
- Các mạch SELV không được dùng các đầu nối như quy định trong tiêu chuẩn IEC83 hay IEC320.
2.4.3.3.5. Nối mạch SELV với các mạch khác
Các mạch SELV được phép lấy nguồn từ các mạch khác hoặc nối với các mạch khác nếu chúng thoả mãn các điều kiện sau đây:
- Mạch SELV được cách ly với mạch sơ cấp (cả thành phần trung tính) trong thiết bị bằng ít nhất một lớp cách điện cơ bản, trừ những trường hợp quy định trong trong 2.4.3.2.7 và 2.4.3.4.6;
- Mạch SELV thỏa mãn các giới hạn trong 2.4.3.3.2 ở điều kiện hoạt động bình thường;
- Mạch SELV thoả mãn các quy định trong 2.4.3.3.3 khi mạch SELV hoặc mạch thứ cấp nối với nó có hỏng đơn, trừ các trường hợp quy định trong 3.1.2.2.
Nếu mạch SELV nối với một hoặc nhiều mạch khác, mạch SELV phải thoả mãn các yêu cầu trong 2.4.3.3.2 và 2.4.3.3.3.
Khi mạch SELV lấy nguồn từ một mạch thứ cấp, mạch thứ cấp này được cách ly với mạch có điện áp nguy hiểm bằng một trong các phương pháp:
- Sử dụng cách điện kép hoặc cách điện tăng cường;
- Sử dụng tấm chắn dẫn điện đã nối đất, cách ly với mạch có điện áp nguy hiểm bằng cách điện cơ bản thì mạch SELV được coi là đã cách ly với mạch sơ cấp hay mạch có điện áp nguy hiểm khác bằng phương pháp đó.
2.4.3.4. Các mạch giới hạn dòng
2.4.3.4.1. Các mạch giới hạn dòng cần được thiết kế sao cho không vượt quá các giới hạn quy định trong 2.4.3.4.2, 2.4.3.4.3, 2.4.3.4.4 và 2.4.3.4.5 ở điều kiện làm việc bình thường và khi vỡ lớp cách điện cơ bản hay hỏng đơn của bộ phận và các lỗi do hậu quả trực tiếp của các lỗi này.
Trừ các trường hợp quy định trong 2.4.3.4.6, việc cách ly các bộ phận của mạch giới hạn dòng với các mạch khác tương tự như đối với mạch SELV trong 2.4.3.3.
2.4.3.4.2. Đối với các tần số không vượt quá 1 kHz, dòng ở trạng thái tĩnh qua một điện trở thuần 2000 Ω nối giữa hai bộ phận của mạch giới hạn dòng hoặc giữa một bộ phận và đất bảo vệ thiết bị, không được vượt quá 0,7 mA xoay chiều đỉnh hay 2 mA một chiều. Đối với các tần số trên 1 kHz, giới hạn 0,7 mA được nhân với giá trị tần số tính bằng kHz nhưng không được vượt quá 70 mA đỉnh.
2.4.3.4.3. Đối với các bộ phận có điện áp không vượt quá 450 V xoay chiều đỉnh hoặc một chiều, điện dung mạch không được vượt quá 0,1 μF.
2.4.3.4.4. Đối với các bộ phận có điện áp vượt quá 450 V xoay chiều đỉnh hay một chiều nhưng không quá 15000 V xoay chiều đỉnh hay một chiều, lượng điện tích nạp không quá 45 μC.
2.4.3.4.5. Đối với các bộ phận có điện áp vượt quá 15000 V xoay chiều đỉnh hay một chiều, mức năng lượng không được vượt quá 350 mJ.
2.4.3.4.6. Mạch giới hạn dòng có thể nối với các mạch khác hoặc lấy nguồn từ các mạch khác nếu thỏa mãn các điều kiện dưới đây:
- Mạch giới hạn dòng thoả mãn các giới hạn trong 2.4.3.4.2, 2.4.3.4.3, 2.4.3.4.4 và 2.4.3.4.5 ở điều kiện hoạt động bình thường;
- Trong trường hợp có hỏng đơn trong một bộ phận hay lớp cách điện trong mạch giới hạn dòng hoặc trong một bộ phận hay lớp cách điện trong các mạch nối với nó, mạch giới hạn dòng vẫn thoả mãn các giới hạn trong 2.4.3.4.2, 2.4.3.4.3, 2.4.3.4.4 và 2.4.3.4.5.
Nếu một mạch giới hạn dòng nối với một hoặc nhiều mạch khác, mạch giới hạn dòng phải thỏa mãn các yêu cầu trong 2.4.3.4.1.
2.4.3.5. Các điều khoản đối với việc nối đất
2.4.3.5.1. Thiết bị loại I
Các bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận của thiết bị loại I, có thể mang điện áp nguy hiểm trong trường hợp lớp cách điện hỏng đơn, phải được nối với đất bảo vệ trong thiết bị.
Trong vùng tiếp cận của người phục vụ, nơi các bộ phận dẫn điện có điện áp nguy hiểm khi có lỗi trong lớp cách điện đơn, các bộ phận này phải được nối với đất bảo vệ hoặc nếu không thể thực hiện được, phải có cảnh báo đối với người phục vụ là những bộ phận này chưa được nối đất và cần kiểm tra điện áp nguy hiểm trước khi chạm vào.
Yêu cầu này không áp dụng với các bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận đã cách ly với các bộ phận có điện áp nguy hiểm bằng một trong hai cách sau đây:
- Nối đất các bộ phận kim loại;
- Sử dụng lớp cách điện đặc hoặc khe không khí, hoặc kết hợp cả hai, thoả mãn các yêu cầu đối với cách điện kép hoặc cách điện tăng cường.
2.4.3.5.2. Thiết bị loại II
Đối với thiết bị loại II, không có quy định về việc nối đất bảo vệ trừ trường hợp có phương tiện duy trì sự liên tục mạch nối đất bảo vệ của các thiết bị khác trong hệ thống. Các phương tiện này phải được cách ly với các bộ phận có điện áp nguy hiểm bằng lớp cách điện kép hay cách điện tăng cường.
Nếu thiết bị loại II có đường nối đất phục vụ mục đích công tác, mạch đất công tác phải được cách ly với các bộ phận có điện áp nguy hiểm bằng cách điện kép hoặc cách điện tăng cường.
2.4.3.5.3. Các dây dẫn nối đất bảo vệ không được lắp kèm các công tắc hoặc cầu chì.
2.4.3.5.4. Nếu một hệ thống chứa cả các thiết bị loại I và các thiết bị loại II, việc kết nối thiết bị phải bảo đảm nối đất cho tất cả các thiết bị loại I, không phụ thuộc vào sự bố trí thiết bị trong hệ thống.
2.4.3.5.5. Các dây dẫn đất bảo vệ có thể để trần hoặc có vỏ bọc cách điện. Nếu sử dụng vỏ cách điện, phải có màu dạng xanh/vàng trừ hai trường hợp sau:
- Đối với dây nối đất dạng xoắn, lớp cách điện phải có màu xanh/vàng hoặc trong suốt;
- Đối với dây dẫn bảo vệ ở dạng lắp ghép như cáp rời, thanh dẫn, dây dẻo... có thể dùng bất cứ màu nào sao cho không nhầm lẫn khi sử dụng.
2.4.3.5.6. Các kết nối với đất bảo vệ phải đảm bảo sao cho khi ngắt kết nối ở một bộ phận sẽ không làm ngắt kết nối của các bộ phận khác, trừ khi các bộ phận khác cũng được ngắt ra khỏi điện áp nguy hiểm ở cùng thời điểm.
2.4.3.5.7. Các kết nối với đất bảo vệ cần được thiết lập sớm hơn và ngắt muộn hơn các kết nối với nguồn, bao gồm:
- Đầu nối của một bộ phận nối đất bảo vệ mà người vận hành có thể tháo ra;
- Phích cắm ở dây nguồn;
- Bộ ghép thiết bị.
2.4.3.5.8. Các kết nối với đất bảo vệ cần được thiết kế sao cho chúng không thể bị ngắt trước khi bỏ các bộ phận chúng bảo vệ ra, trừ khi đã ngắt bộ phận đó ra khỏi điện áp nguy hiểm ở cùng thời điểm.
2.4.3.5.9. Đối với các dây nguồn cố định hoặc các dây nguồn không thể tháo lắp được, các đầu nối đất bảo vệ cần thoả mãn các yêu cầu đối với các đầu nối trong mạng dây dùng cho dây nguồn sơ cấp ngoài.
Nếu có phương tiện kẹp, cần tránh để rơi dây dẫn một cách bất ngờ. Nói chung, các thiết kế thường sử dụng các đầu nối mang dòng (khác với đầu nối dạng trụ), có khả năng đàn hồi đủ thoả mãn yêu cầu; một số thiết kế khác cần sử dụng một số biện pháp đặc biệt như sử dụng một bộ phận đàn hồi để không bị ngắt một cách vô tình.
2.4.3.5.10. Chống ăn mòn
Các bộ phận dẫn điện ở các kết nối đất bảo vệ không phải chịu sự ăn mòn do hoạt động điện hoá trong môi trường hoạt động, lưu giữ và vận chuyển như quy định trong tài liệu hướng dẫn của nhà sản xuất.
Các kết cuối nối đất bảo vệ phải có khả năng chống ăn mòn đáng kể. Khả năng này có thể đạt được bằng phương pháp mạ hoặc bọc hợp lý.
2.4.3.5.11. Điện trở của các dây dẫn nối đất bảo vệ
Điện trở của kết nối giữa đất bảo vệ hoặc tiếp giáp nối đất và các bộ phận cần nối đất không được vượt quá 0,1 Ω.
2.4.3.6. Ngắt nguồn sơ cấp
Phải có thiết bị ngắt để ngắt thiết bị khỏi nguồn.
2.4.3.7. Khoá an toàn
Phải có khoá an toàn tại những nơi người vận hành có thể bị nguy hiểm khi tiếp cận.
2.4.4. Dòng rò đất
2.4.4.1. Tổng quan
Thiết bị nối với các hệ thống nguồn TT và TN phải thoả mãn với các yêu cầu từ 2.4.4.2 đến 2.4.4.5. Thiết bị nối với các hệ thống nguồn IT phải thoả mãn với các yêu cầu trong 2.4.5.
2.4.4.2. Các yêu cầu
Thiết bị phải có dòng rò đất không vượt quá các giá trị trong Bảng 4 khi được đo như trong 2.4.4.3 hay 2.4.4.4.
Bảng 4 - Dòng rò đất cực đại
Thiết bị loại |
Kiểu thiết bị |
Dòng rò cực đại, mA |
II |
Tất cả các loại thiết bị |
0,25 |
I |
Thiết bị cầm tay |
0,75 |
I |
Thiết bị có thể di chuyển (trừ thiết bị cầm tay) |
3,5 |
I |
Thiết bị cố định, cắm kiểu A |
3,5 |
I |
Thiết bị cố định, nối vĩnh viễn hay thiết bị cắm kiểu B |
|
|
- Không chịu các điều kiện trong 2.4.4.5 |
3,5 |
|
- Chịu các điều kiện trong 2.4.4.5 |
5% dòng đầu vào |
Nếu một hệ thống gồm các thiết bị nối riêng rẽ đến nguồn sơ cấp riêng, mỗi thiết bị đều cần được thử riêng rẽ. Một hệ thống gồm các thiết bị nối chung đến nguồn sơ cấp có thể được coi là một thiết bị đơn.
Thiết bị được thiết kế dùng với nhiều nguồn chỉ cần thử với một nguồn. Đối với thiết bị cắm kiểu B hoặc thiết bị nối vĩnh viễn, nếu qua nghiên cứu sơ đồ mạch có thể thấy rằng dòng rò đất vượt quá 3,5 mA nhưng không quá 5% dòng điện đầu vào, không cần thực hiện phép thử.
Nếu việc thử thiết bị ở điện áp nguồn khó khăn nhất không thực hiện được, có thể tiến hành thử ở một điện áp trong khoảng điện áp danh định hoặc trong phạm vi dung sai của điện áp danh định sau đó tính toán các kết quả.
2.4.4.3. Thiết bị một pha
Thiết bị một pha nối giữa một dây pha và dây trung tính được thử bằng cách sử dụng mạch đo như trong Hình 8 với khoá ở các vị trí 1 và 2.
Với mỗi vị trí khoá này, các khoá trong thiết bị dùng để điều khiển nguồn sơ cấp cần được đóng và mở ở các vị trí của chúng.
Các giá trị dòng điện không được vượt quá các giới hạn trong Bảng 4.
Hình 8 - Mạch đo dòng rò đất trong thiết bị một pha
2.4.4.4. Thiết bị ba pha
Thiết bị ba pha hoặc thiết bị nối giữa hai dây pha được thử bằng cách sử dụng mạch đo như trong Hình 9. Trong quá trình thử, các khoá trong thiết bị dùng để điều khiển nguồn sơ cấp cần được đóng và mở ở các vị trí của chúng.
Các linh kiện dùng để triệt nhiễu điện từ (EMI) nối giữa dây pha và đất phải được tháo từng cái một; với thao tác này, nhóm các linh kiện nối song song nhờ một kết nối đơn được xử lý như một linh kiện đơn.
CHÚ THÍCH: Các bộ lọc thường được đóng kín nên có thể cần một bộ rời để thử hoặc phải mô phỏng mạng lọc.
Mỗi lần ngắt đường đến đất, cần lặp lại thứ tự hoạt động của khoá.
Các giá trị dòng điện không được vượt quá các giới hạn trong Bảng 4.
Hình 9 - Mạch đo dòng rò đất trong thiết bị ba pha
2.4.4.5. Thiết bị có dòng rò vượt quá 3,5 mA
Thiết bị cố định loại I như thiết bị nối vĩnh viễn hoặc thiết bị cắm kiểu B có dòng rò đất vượt quá 3,5 mA phải thoả mãn các điều kiện sau:
- Dòng rò không được vượt quá 5% dòng điện đầu vào trên mỗi pha. Khi tính toán có thể sử dụng tải không cân bằng lớn nhất của các dòng điện ba pha. Nếu cần, có thể sử dụng các phép thử trong 2.4.4.3 và 2.4.4.4 nhưng phải dùng dụng cụ đo có trở kháng nhỏ (không đáng kể);
- Tiết diện của dây đất bảo vệ trong mạch không được nhỏ hơn tiết diện của các dây nguồn ít nhất 1,0 mm2 trên đường có dòng rò lớn;
- Cần có cảnh báo ở nơi kết nối với nguồn sơ cấp, ví dụ:
“DÒNG RÒ LỚN
CẦN NỐI ĐẤT TRƯỚC KHI NỐI VỚI NGUỒN”.
2.4.5. Dòng rò đất đối với các thiết bị nối với các hệ thống nguồn IT
2.4.5.1. Tổng quan
Phần này quy định các yêu cầu đối với các thiết bị nối với hệ thống nguồn IT. Thiết bị thỏa mãn các yêu cầu này sẽ thoả mãn với các yêu cầu trong 2.4 khi kết nối đến các hệ thống nguồn TT hay TN.
CHÚ THÍCH: Trong hệ thống nguồn IT, dòng điện qua dây đất an toàn của thiết bị khi đã được kết nối đúng có thể cao hơn trong các hệ thống nguồn TT hay TN. ở điều kiện có thể chấp nhận, các phép đo trong này sẽ xác định dòng rò có thể qua người trong trường hợp đứt dây đất an toàn của thiết bị một cách bất ngờ.
2.4.5.2. Các yêu cầu
Thiết bị cần có dòng rò đất không vượt quá các giá trị trong Bảng 5 khi được đo như trong 2.4.5.3 hay 2.4.5.4.
Bảng 5 - Dòng rò đất cực đại đối với thiết bị nối với nguồn IT
Thiết bị loại |
Kiểu thiết bị |
Dòng rò cực đại, mA |
II |
Tất cả các loại thiết bị |
0,25 |
I |
Thiết bị cầm tay |
0,75 |
I |
Thiết bị có thể di chuyển (trừ thiết bị cầm tay) |
3,5 |
I |
Thiết bị cố định, cắm kiểu A |
3,5 |
I |
Thiết bị cố định, nối vĩnh viễn hay thiết bị cắm kiểu B |
|
|
- Không chịu các điều kiện trong 2.4.5.5 |
3,5 |
|
- Chịu các điều kiện trong 2.4.5.5 |
5% dòng đầu vào |
Nếu một hệ thống gồm các thiết bị nối riêng rẽ đến nguồn sơ cấp riêng, mỗi thiết bị đều cần được thử riêng rẽ. Một hệ thống gồm các thiết bị nối chung đến nguồn sơ cấp có thể được coi là một thiết bị đơn.
Thiết bị được thiết kế dùng với các nhiều nguồn chỉ cần thử với một nguồn. Đối với thiết bị cắm kiểu B hoặc thiết bị nối vĩnh viễn, nếu qua nghiên cứu sơ đồ mạch có thể thấy rằng dòng rò đất vượt quá 3,5 mA nhưng không quá 5% dòng điện đầu vào thì không cần thực hiện phép thử.
Nếu việc thử thiết bị ở điện áp nguồn khó khăn nhất không thực hiện được, có thể tiến hành thử ở một điện áp trong khoảng điện áp danh định hoặc trong phạm vi dung sai của điện áp danh định sau đó tính toán các kết quả.
2.4.5.3. Thiết bị một pha
2.4.5.3.1. Thiết bị một pha nối giữa một dây pha và dây trung tính được thử bằng cách sử dụng mạch đo như trong Hình 10 với khoá ở các vị trí 1, 2 và 3.
2.4.5.3.2. Với mỗi vị trí khoá này, các khoá trong thiết bị dùng để điều khiển nguồn sơ cấp cần được đóng và mở ở tất cả các vị trí của chúng.
Các giá trị dòng điện không được vượt quá các giới hạn trong Bảng 5.
Hình 10 - Mạch đo dòng rò đất trong thiết bị một pha nối với nguồn IT
2.4.5.4. Thiết bị ba pha
2.4.5.4.1. Thiết bị ba pha và thiết bị nối giữa hai dây pha được thử ở các điều kiện dưới đây bằng cách sử dụng mạch đo như trong Hình 11 có khoá ở các vị trí 1, 2, 3 và 4.
2.4.5.4.2. Với mỗi vị trí khoá này, các khoá trong thiết bị dùng để điều khiển nguồn sơ cấp cần được đóng và mở ở các vị trí của chúng.
2.4.5.4.3. Trong phép thử 2.4.5.4.2, các linh kiện dùng để triệt nhiễu điện từ (EMI) nối giữa dây pha và đất phải được tháo từng cái một; với thao tác này, nhóm các linh kiện nối song song nhờ một kết nối đơn được xử lí như một linh kiện đơn.
Mỗi lần ngắt đường đến đất, cần lặp lại thứ tự đầy đủ trong 2.4.5.4.2.
CHÚ THÍCH: Các bộ lọc thường được đóng kín nên có thể cần có một bộ rời để thử hoặc phải mô phỏng mạng lọc.
Các giá trị dòng điện không được vượt quá các giới hạn trong Bảng 5.
Hình 11 - Mạch đo dòng rò đất trong thiết bị ba pha nối với nguồn IT
2.4.5.5. Thiết bị có dòng rò vượt quá 3,5 mA
Thiết bị cố định loại I như thiết bị nối vĩnh viễn hoặc thiết bị cắm kiểu B có dòng rò đất vượt quá 3,5 mA phải thoả mãn các điều kiện sau:
- Dòng rò không được vượt quá 5 % dòng điện đầu vào trên mỗi pha. Khi tính toán có thể sử dụng tải không cân bằng lớn nhất của các dòng điện ba pha. Nếu cần, có thể sử dụng các phép thử trong 2.4.4.3 và 2.4.4.4 nhưng phải dùng dụng cụ đo có trở kháng nhỏ (không đáng kể);
- Tiết diện của dây đất bảo vệ trong mạch không được nhỏ hơn tiết diện của các dây nguồn ít nhất 1,0 mm2 trên đường dòng rò lớn;
- Cần có cảnh báo ở nơi kết nối với nguồn sơ cấp, ví dụ:
“DÒNG RÒ LỚN
CẦN NỐI ĐẤT TRƯỚC KHI NỐI VỚI NGUỒN”.
3. QUY ĐỊNH VỀ QUẢN LÝ
3.1. Các thiết bị đầu cuối viễn thông được quy định tại Danh mục thiết bị phải thực hiện chứng nhận hợp quy, công bố hợp quy do Bộ Thông tin và Truyền thông ban hành phải tuân thủ Quy chuẩn này.
3.2. Yêu cầu đánh giá phù hợp của thiết bị với Quy chuẩn này được quy định cụ thể theo bảng sau:
Nội dung |
Yêu cầu kỹ thuật |
Đánh giá phù hợp |
Tham chiếu |
1 |
Các yêu cầu đối với mạch điện áp viễn thông (TNV) và chống điện giật |
|
|
|
- Yêu cầu đối với các mạch kết nối |
Kiểm tra |
3.1.1 |
|
- Các yêu cầu đối với mạch TNV |
|
|
|
+ Các giới hạn của mạch TNV |
Kiểm tra |
3.1.2.1 |
|
+ Cách ly mạch TNV với các mạch khác và các bộ phận có thể tiếp cận chưa được nối đất |
Phép thử 3.1.2.3 |
3.1.2.2 |
|
+ Cách ly với các điện áp nguy hiểm |
Xem xét, phân tích |
3.1.2.4 |
|
+ Kết nối mạch TNV với các mạch khác |
Xem xét, phân tích |
3.1.2.5 |
|
- Bảo vệ chống tiếp xúc với các mạch TNV |
Kiểm tra |
3.1.3 |
2 |
Yêu cầu đảm bảo an toàn cho những người phục vụ và người sử dụng mạng viễn thông |
|
|
|
- Bảo vệ tránh điện áp nguy hiểm |
Xem xét, đo đạc |
3.2.1 |
|
- Nối đất bảo vệ |
Xem xét, phân tích |
3.2.2 |
|
- Cách ly mạng viễn thông với đất |
Xem xét, phân tích, thử |
3.2.3 |
|
- Dòng rò đến mạng viễn thông |
Đo |
3.2.4 |
3 |
Bảo vệ người sử dụng thiết bị khỏi sự quá áp trên mạng viễn thông |
Thử |
3.3 |
3.3. Điều kiện và phương pháp thử
3.3.1 Chỉ áp dụng các yêu cầu và phép thử trong Quy chuẩn này nếu phép thử là an toàn. Nếu căn cứ vào thiết kế và cấu trúc của thiết bị thấy rằng phép thử cụ thể không áp dụng được, thì không thực hiện các phép thử này.
Cần xem xét hậu quả của các sai hỏng có thể xảy ra bằng cách phân tích thiết kế mạch và cấu trúc mạch để xác định rõ thiết bị có liên quan đến vấn đề an toàn hay không.
3.3.2. Các phép thử quy định trong Quy chuẩn này được coi là các phép thử mẫu, trừ khi có các quy định khác.
3.3.3. Một mẫu hoặc các mẫu được thử phải đại diện cho loạt thiết bị người sử dụng sẽ nhận.
Một cách khác để thực hiện các phép thử đối với một thiết bị hoàn chỉnh là thực hiện các phép thử riêng rẽ trên các mạch, các bộ phận hoặc các khối nhỏ ở bên ngoài thiết bị, với điều kiện thiết bị sau khi đã được ghép nối phải tuân thủ các yêu cầu của Quy chuẩn. Nếu một phép thử bất kỳ nói trên cho thấy có sự không thoả mãn trong thiết bị hoàn chỉnh, phải lặp lại phép thử trên thiết bị hoàn chỉnh.
Nếu một phép thử nào xác định trong Quy chuẩn này có thể gây hỏng thiết bị, thì có thể sử dụng một mô hình có điều kiện tương ứng để biểu diễn điều kiện cần đánh giá.
CHÚ THÍCH 1: Các phép thử cần thực hiện theo thứ tự sau đây:
- Lựa chọn trước các linh kiện hoặc vật liệu;
- Thực hiện các phép thử sơ bộ các linh kiện hoặc các khối nhỏ (bench tests);
- Thực hiện các phép thử khi thiết bị chưa được cấp nguồn;
- Thực hiện các phép thử khi thiết bị đang hoạt động (live tests):
+ Điều kiện hoạt động bình thường;
+ Điều kiện hoạt động bất thường;
+ Điều kiện hư hỏng có thể.
CHÚ THÍCH 2: Các đơn vị liên quan nên cùng xem xét chương trình thử, các mẫu thử và trình tự thử.
3.3.4. Trừ trường hợp các điều kiện thử cụ thể đã được quy định trong Quy chuẩn và trường hợp thấy rõ ảnh hưởng nghiêm trọng của kết quả phép thử, phải thực hiện các phép thử ở các điều kiện bất lợi nhất trong phạm vi quy định của nhà sản xuất về các tham số sau:
- Điện áp nguồn;
- Tần số nguồn;
- Vị trí của thiết bị và các bộ phận có thể di chuyển được;
- Chế độ hoạt động;
- Việc điều chỉnh các bộ ổn nhiệt, thiết bị điều chỉnh hoặc các núm điều khiển tương tự trong vùng tiếp cận của người vận hành, cụ thể:
+ Có thể điều chỉnh được mà không cần dùng dụng cụ hỗ trợ,
+ Có thể điều chỉnh được bằng cách sử dụng chìa khoá hoặc dụng cụ dành riêng cho người vận hành.
3.3.5. Khi xác định điện áp nguồn bất lợi nhất để thực hiện phép thử, cần quan tâm các yếu tố sau đây:
- Các điện áp bội của điện áp danh định;
- Các giá trị tới hạn của dải điện áp danh định;
- Dung sai các điện áp danh định (thường do nhà sản xuất thiết bị quy định).
Nếu nhà sản xuất thiết bị không quy định dung sai, thì lấy là +6% và -10%. Nếu điện áp danh định là 230 V một pha hoặc 400 V ba pha, dung sai không được nhỏ hơn +10% và -10%.
Khi thiết bị thử được thiết kế chỉ để dùng với nguồn một chiều, cần quan tâm đến các ảnh hưởng của cực tính.
3.3.6. Khi xác định tần số nguồn bất lợi nhất để thực hiện phép thử, cần quan tâm đến các tần số danh định khác nhau trong dải tần số danh định (ví dụ 50 Hz và 60 Hz), nhưng không cần quan tâm đến dung sai của tần số danh định (ví dụ 50 Hz ± 0,5 Hz).
3.3.7. Khi xác định giá trị nhiệt độ cực đại (Tmax) hoặc lượng tăng nhiệt độ cực đại (ΔTmax) để tuân thủ phép thử thường dựa vào giả thiết nhiệt độ không khí trong phòng là 25oC. Tuy nhiên, các nhà sản xuất thiết bị có thể quy định nhiệt độ phòng cao hơn.
Không cần duy trì nhiệt độ phòng (Tamb) ở một giá trị xác định trong suốt quá trình thử, nhưng nhiệt độ này phải được giám sát và ghi lại.
Các nhiệt độ đo được trên thiết bị phải thoả mãn một trong các điều kiện sau đây (tất cả các nhiệt độ được đo bằng oC):
Nếu Tmax đã xác định: (T-Tamb) ≤ (Tmax- Tmra)
Nếu ΔTmax đã xác định: (T - Tamb) ≤ (ΔTmax + 25 - Tmra)
Trong đó:
T: Nhiệt độ đo được của một bộ phận ở các điều kiện thử quy định
Tmra: Nhiệt độ phòng cực đại theo quy định của nhà sản xuất hoặc là 25oC (chọn giá trị lớn hơn).
Trong suốt quá trình thử, nhiệt độ phòng không được vượt quá Tmra trừ khi có sự chấp thuận của tất cả các đơn vị có liên quan.
3.3.8. Nhiệt độ của cuộn dây phải được xác định bằng phương pháp cặp nhiệt độ hoặc phương pháp điện trở, trừ trường hợp có quy định dùng phương pháp cụ thể khác. Nhiệt độ của các bộ phận khác xác định bằng phương pháp cặp nhiệt độ. Có thể sử dụng các phương pháp đo nhiệt độ khác nếu các phương pháp đó không ảnh hưởng đến sự cân bằng nhiệt và có độ chính xác thỏa mãn Quy chuẩn. Phải chọn vị trí đặt các bộ cảm ứng nhiệt sao cho chúng ảnh hưởng ít nhất đến nhiệt độ của bộ phận cần đo.
3.3.9. Để xác định dòng điện đầu vào và khi các kết quả thử khác bị ảnh hưởng, cần phải quan tâm và điều chỉnh các tham số sau để có được các kết quả bất lợi nhất:
- Tải của các chức năng tuỳ chọn của thiết bị được nhà sản xuất cung cấp kèm theo thiết bị;
- Tải của các bộ phận khác của thiết bị được nhà sản xuất quy định dùng nguồn từ thiết bị được thử;
- Tải nối với các đầu ra nguồn chuẩn bất kỳ trong vùng tiếp cận của người vận hành trên thiết bị.
Có thể sử dụng các tải giả để mô phỏng các tải này trong quá trình thử.
3.3.10. Trong Quy chuẩn này, các chất lỏng dẫn điện được coi là các bộ phận dẫn điện.
3.3.11. Các dụng cụ đo điện cần có thang đo đủ để có thể đọc chính xác các thông số, có quan tâm đến các thành phần một chiều, tần số cao, tần số nguồn, mức hài... của thông số được đo. Nếu đo các giá trị hiệu dụng, cần sử dụng các dụng cụ đo có thể đo được các giá trị hiệu dụng của cả dạng sóng hình sin và không sin.
3.3.12. Khi cần sử dụng các lỗi mô phỏng hoặc các điều kiện hoạt động bất thường, phải mô phỏng lần lượt từng trường hợp một. Các lỗi do hậu quả trực tiếp của lỗi cố ý hoặc điều kiện hoạt động không bình thường được coi là một phần của lỗi cố ý hoặc điều kiện hoạt động bất thường đó.
Cần kiểm tra các đặc tính kỹ thuật của các bộ phận, thiết bị, sơ đồ mạch để xác định các điều kiện lỗi có thể xảy ra. Các lỗi này bao gồm:
- Hiện tượng ngắn mạch và hở mạch của các thiết bị bán dẫn và tụ điện;
- Các lỗi gây ra sự tiêu tán liên tục của các điện trở dùng cho mục đích tiêu tán gián đoạn;
- Các lỗi bên trong các mạch tích hợp gây ra sự tiêu tán quá mức;
- Lỗi trong lớp cách điện cơ bản giữa các bộ phận có dòng điện của mạch sơ cấp và:
+ Các bộ phận dẫn điện có thể tiếp cận,
+ Các màn chắn dẫn điện đã nối đất,
+ Các bộ phận của mạch SELV,
+ Các bộ phận của mạch giới hạn dòng.
3.3.13. Khi Quy chuẩn đã quy định điện áp giữa một bộ phận dẫn điện và đất, phải xem xét tất cả các bộ phận đã nối đất sau đây:
- Cực đất bảo vệ (nếu có);
- Các bộ phận dẫn điện có yêu cầu nối đất bảo vệ;
- Các bộ phận dẫn điện đã nối đất công tác trong thiết bị.
Các bộ phận sẽ được tiếp đất trong khi sử dụng bằng cách nối với thiết bị khác, nhưng không được tiếp đất ở thiết bị trong khi thử, phải được nối đất tại điểm có điện áp cao nhất. Không cần đo điện áp rơi trên dây nối đất bảo vệ của dây nguồn hoặc trong dây đất của một mạng dây ngoài khác.
3.3.14. Được phép dùng loại cách điện tốt hơn so với loại được Quy chuẩn quy định. Tương tự, cũng được phép dùng loại vật liệu chống cháy tốt hơn so với một loại cụ thể được Quy chuẩn quy định.
4. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN
Các tổ chức, cá nhân liên quan có trách nhiệm thực hiện chứng nhận hợp quy và công bố hợp quy các thiết bị đầu cuối viễn thông và chịu sự kiểm tra của cơ quan quản lý nhà nước theo các quy định hiện hành.
5. TỔ CHỨC THỰC HIỆN
5.1. Cục Quản lý chất lượng Công nghệ thông tin và Truyền thông và các Sở Thông tin và Truyền thông có trách nhiệm tổ chức hướng dẫn, triển khai quản lý các thiết bị đầu cuối viễn thông phù hợp với Quy chuẩn này.
5.2. Quy chuẩn này được áp dụng thay thế Tiêu chuẩn ngành TCN 68-190:2003 "Thiết bị đầu cuối viễn thông - Yêu cầu an toàn điện".
5.3. Trong trường hợp các quy định nêu tại Quy chuẩn này có sự thay đổi, bổ sung hoặc được thay thế thì thực hiện theo quy định tại văn bản mới.
Phụ lục A
(Quy định)
Dụng cụ đo trong phép đo dòng rò
Dụng cụ đo trong phép đo dòng rò (dòng rò đất và dòng rò đến mạng viễn thông) có sơ đồ mạch như sau:
V: Vôn kế
Hình A.1 - Dụng cụ đo trong phép đo dòng rò
Đọc giá trị thực trên Vôn kế. Trong đó:
- Sai số: ≤ 2%
- Trở kháng đầu vào: ≥ 1 MΩ
- Dung kháng đầu vào: ≥ 200 pF
- Dải tần: 15 Hz đến 1 MHz
Giá trị dòng rò tính theo công thức:
Dòng rò =
Phụ lục B
(Tham khảo)
Bộ tạo xung thử
Mạch trong Hình B.1 (giá trị như trong Bảng B.1) dùng để tạo xung, tụ điện C1 ban đầu được nạp tới điện áp Uc. Sử dụng mạch thử đối với xung 10/700 μs quy định trong Khuyến nghị K.17 của ITU-T để mô phỏng sét trong mạng viễn thông. Mạch thử đối với xung 1,2/50 μs quy định trong Khuyến nghị K.21 của ITU-T dùng để mô phỏng các trạng thái đột biến trong các hệ thống nguồn.
CHÚ THÍCH: Cần chú ý khi sử dụng các bộ tạo xung mà tụ C1 tích điện lớn.
Hình B.1 - Mạch tạo xung
Bảng B.1 - Các giá trị trong mạch tạo xung
Xung thử |
C1 |
R1 |
R2 |
C2 |
R3 |
10/700 ms |
20 mF |
50 W |
15 W |
0,2 mF |
25 W |
1,2/50 ms |
1 mF |
76 W |
13 W |
33 mF |
25 W |
Phụ lục C
(Quy định)
Yêu cầu đối với các tín hiệu chuông điện thoại
C.1. Quy định chung
Có hai phương thức an toàn điện tương đương rất phổ biến được mô tả trong Phụ lục này. Phương thức A là dạng điển hình cho các mạng điện thoại tương tự ở châu Âu và phương thức B là dạng điển hình ở Bắc Mỹ. Quy chuẩn này quy định sử dụng một trong hai phương thức nêu trên.
C.2. Phương thức A
Phương thức này yêu cầu các dòng điện ITS1 và ITS2 qua điện trở 5 kΩ, giữa hai dây dẫn bất kỳ hay giữa một dây dẫn và đất không vượt qua các giới hạn sau:
a) ITS1 là dòng điện hiệu dụng, xác định bằng cách tính toán hoặc đo đạc với thời gian rung chuông đơn t1 (như định nghĩa trong Hình C.1), không được vượt quá:
- Giá trị dòng cho bởi đường cong trong Hình C.1 tại thời điểm t1 đối với chuông nhịp (t1 < ∞), hoặc
- 16 mA hay 20 mA khi chuông nhịp biến thành liên tục do hỏng đơn, đối với trường hợp chuông liên tục (t1 = ∞).
Trong đó ITS1 tính bằng mA, được tính như sau:
Trong đó:
IP là dòng đỉnh, tính bằng mA;
IPP là dòng đỉnh - đỉnh, tính bằng mA;
t1 được tính bằng ms.
b) ITS2 là dòng trung bình của một tín hiệu chuông nhịp với một chu kỳ tín hiệu chuông t2 (Hình C.1), dòng này không được vượt quá 16 mA r.m.s, trong đó ITS2 tính bằng mA, được tính như sau:
Trong đó:
ITS1 tính bằng mA, như trong mục a);
Idc là dòng một chiều tính bằng mA qua một điện trở 5 kΩ khi xung nhịp ở mức thấp;
t1 và t2 tính bằng ms.
t1 là:
- Độ rộng của tín hiệu chuông đơn, khi có tín hiệu chuông trong toàn bộ thời gian này.
- Tổng thời gian có tín hiệu chuông trong khoảng thời gian của một tín hiệu chuông đơn bao gồm 2 hay nhiều khoảng có tín hiệu chuông rời rạc, ví dụ như trong hình dưới: t1 = t1a+t1b.
t2 là chu kỳ tín hiệu chuông.
Hình C.1 - Độ rộng và chu kỳ tín hiệu chuông
C.3. Phương thức B
Phương thức này dựa trên tiêu chuẩn Mỹ, CFR47 (“Các nguyên tắc của FCC”) phần 68, mục D với các yêu cầu bổ sung áp dụng ở các điều kiện lỗi. Nguồn tín hiệu chuông phải thoả mãn các yêu cầu trong C.3.1, C.3.2 và C.3.3.
C.3.1. Tín hiệu chuông
C.3.1.1. Chỉ sử dụng tín hiệu chuông có các tần số bằng hoặc nhỏ hơn 70 Hz.
C.3.1.2. Điện áp tín hiệu chuông đo qua một điện trở ít nhất 1 MΩ phải nhỏ hơn 300 V đỉnh - đỉnh và 200 V đỉnh - đất.
C.3.1.3. Điện áp tín hiệu chuông phải được ngắt để tạo khoảng nghỉ ít nhất 1 s cách nhau không quá 5 s. Trong thời gian này, điện áp với đất không vượt quá 56,5 V một chiều.
C.3.2. Thiết bị ngắt và điện áp điều khiển
C.3.2.1. Các điều kiện sử dụng thiết bị ngắt hoặc điện áp điều khiển
Mạch tín hiệu chuông cần có một thiết bị ngắt như trong C.3.2.2, hoặc có một điện áp điều khiển như trong C.3.2.3, hoặc cả hai tuỳ theo dòng điện qua điện trở xác định nối giữa nguồn tín hiệu chuông và đất:
- Nếu dòng qua điện trở 500 Ω không vượt quá 100 mA đỉnh - đỉnh, không cần thiết bị ngắt cũng như điện áp điều khiển;
- Nếu dòng qua điện trở 1500 Ω vượt quá 100 mA đỉnh - đỉnh, cần có một thiết bị ngắt. Nếu thiết bị ngắt thoả mãn các tiêu chuẩn ngắt trong Hình C.2 với điện trở 500 Ω thì không cần dùng điện áp điều khiển. Tuy nhiên, nếu thiết bị ngắt chỉ thoả mãn các tiêu chuẩn ngắt với điện trở 1500 Ω, cần có điện áp điều khiển.
- Nếu dòng qua điện trở 500 Ω vượt quá 100 mA đỉnh - đỉnh, mà dòng qua điện trở 1500 Ω không vượt giá trị này thì:
+ Dùng một thiết bị ngắt thoả mãn các tiêu chuẩn ngắt trong Hình C.2 với điện trở 500 Ω, hoặc
+ Dùng một điện áp điều khiển.
C.3.2.2. Thiết bị ngắt
Một thiết bị ngắt nhạy dòng phía trước nguồn tín hiệu sẽ ngắt tín hiệu chuông như trong Hình C.2.
CHÚ THÍCH
- t được đo bằng thời gian nối điện trở R với mạch.
- Độ nghiêng của đồ thị tính bằng
Hình C.2 - Tiêu chuẩn ngắt điện áp tín hiệu chuông
C.3.2.3. Điện áp điều khiển
Điện áp với đất trên đầu dây hay trong vòng dây có độ lớn ít nhất 19 V đỉnh, không được vượt quá 56,5 V một chiều khi không có tín hiệu chuông (trạng thái rỗi).
C.3.3. Các điều kiện lỗi
Nguồn tín hiệu chuông cần thoả mãn các yêu cầu trong C.3.1 và C.3.2.
C.3.3.1. Dòng điện qua điện trở 5 kΩ không được vượt quá 20 mA r.m.s khi điện trở này nối giữa:
- Hai dây dẫn bất kỳ;
- Một dây dẫn bất kỳ và đất.
C.3.3.2. Dòng điện không vượt quá 500 mA r.m.s khi nối:
- Các dây dẫn đầu ra với nhau, hoặc
- Một dây dẫn bất kỳ với đất.
Phụ lục D
(Tham khảo)
Một số công cụ sử dụng trong các phép thử
(Các kích thước tính bằng mm)
Hình D.1 - Que thử (test probe)
Dung sai về kích thước:
- Đối với các góc 14 và 37o: ± 15’
- Các bán kính tròn: ± 0,1mm
- Các đoạn thẳng:
+ Nhỏ hơn hoặc bằng 15 mm: 0 hoặc -0,1 mm
+ Từ 15 đến 25 mm: ± 0,1 mm
+ Trên 25 mm: ± 0,3 mm
Vật liệu làm đầu thử: ví dụ thép đã tôi
Hình D.2 - Đầu thử (test finger)