Tiêu chuẩn TCVN 6989-1-1:2008 Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađio

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 6989-1-1:2008

CISPR 16-1-1:2006

YÊU CẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ - PHẦN 1-1: THIẾT BỊ ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ - THIẾT BỊ ĐO

Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Measuring apparatus

Lời nói đầu

TCVN 6989-1-1 : 2008 hoàn toàn tương đương với tiêu chuẩn CISPR 16-1-1 : 2006.

TCVN 6989-1-1 : 2008 do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn TCVN/TC/E9 Tương thích điện tử biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

Lời giới thiệu

TCVN 6989-1 : 2003 (CISPR 16-1) được biên soạn lại thành 5 tiêu chuẩn mới theo phương pháp chấp nhận tiêu chuẩn quốc tế, có tiêu đề chung là “Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio”. Các phần mới của TCVN như sau:

TCVN 6989-1-1 : 2008: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Thiết bị đo

TCVN 6989-1-3 : 2008: Thiết bị đo nhiễu v à miễn nhiễm tần số radio - Thiết bị đo phụ trợ - Công suất nhiễu

TCVN 6989-1-5 : 2008: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Vị trí thử nghiệm hiệu chuẩn anten trong dải tần từ 30 MHz đến 1000 MHz.

Trong thời gian chưa có TCVN 6989-1-2 và TCVN 6989-1-4, các nội dung tương ứng trong TCVN 6989-1: 2003  (CISPR 16-1) vẫn có hiệu lực áp dụng.

Cấu trúc của bộ tiêu chuẩn quốc tế CISPR 16 gồm 4 phần chia thành 14 tiêu chuẩn như sau:

1) CISPR 16-1-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Measurement apparatus.

2) CISPR 16-1-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equipment - Conducted disturbance.

3) CISPR 16-1-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-3: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equipment - Disturbance power.

4) CISPR 16-1-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equipment -Radiated disturbance.

5) CISPR 16-1-5, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-5: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Antenna calibration test sites for 30 MHz to 1 000 MHz.

6) CISPR 16-2-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-1: Methods of measurement of disturbances and immunity - Conducted disturbance measurements.

7) CISPR 16-2-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-2: Methods of measurement of disturbances and immunity - Measurements of disturbance power.

8) CISPR 16-2-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-3: Methods of measurement of disturbances and immunity - Radiated disturbance measurements.

9) CISPR 16-2-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-4: Methods of measurement of disturbances and immunity - Immunity measurements

10) CISPR 16-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 3: CISPR technical reports

11) CISPR 16-4-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 4-1: Uncertainties, statistics and limit modelling - Uncertainties in standardized EMC tests

12) CISPR 16-4-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 4-2: Uncertainties, statistics and limit modelling - Uncertainties in EMC measurements

13) CISPR 16-4-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 4-3: Uncertainties, statistics and limit modelling - Statistics considerations in the determination of EMC compliance of mass-produced products.

14) CISPR 16-4-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 4-4: Uncertainties, statistics and limit modelling - Statistics of compliants and a model for the calculation of limits.

 

YÊU CẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ - PHẦN 1-1: THIẾT BỊ ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ - THIẾT BỊ ĐO

Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Measuring apparatus

1. Phạm vi áp dụng

Tiêu chuẩn này là tiêu chuẩn cơ bản, qui định các đặc tính và tính năng của thiết bị dùng để đo điện áp, dòng điện và trường của nhiễu tần số rađiô trong dải tần 9 kHz đến 18 GHz. Ngoài ra, tiêu chuẩn này cũng áp dụng cho các thiết bị chuyên dụng để đo nhiễu không liên tục. Các yêu cầu bao gồm cả phép đo nhiễu tần số rađiô loại băng rộng và băng hẹp.

Dưới đây là các loại máy thu được đề cập:

a) máy thu đo tựa đỉnh;

b) máy thu đo đỉnh;

c) máy thu đo trung bình;

d) máy thu đo hiệu dụng.

Các yêu cầu của tiêu chuẩn này phải được tuân thủ ở tất cả các tần số và tất cả các mức điện áp, dòng điện, công suất hoặc cường độ trường của nhiễu tần số rađiô nằm trong phạm vi chỉ thị CISPR của thiết bị đo.

Phương pháp đo được đề cập trong phần 2, các thông tin thêm về nhiễu tần số rađiô được nêu trong phần 3 của bộ tiêu chuẩn TCVN 6989 (CISPR 16). Độ không đảm bảo đo, số liệu thống kê và mô hình giới hạn được đề cập trong phần 4 của bộ tiêu chuẩn TCVN 6989 (CISPR 16).

2. Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu viện dẫn dưới đây là cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu ghi năm công bố, áp dụng các bản được nêu. Đối với các tài liệu không ghi năm công bố thì áp dụng bản mới nhất bao gồm cả các sửa đổi.

TCVN 6988 : 2006 (CISPR 11 : 2004) Thiết bị tần số rađiô dùng trong công nghiệp, nghiên cứu khoa học và y tế (ISM) - Đặc tính nhiễu điện từ - Giới hạn và phương pháp đo.

TCVN 7492-1 : 2005 (CISPR 14-1 :2005), Tương thích điện từ - Yêu cầu đối với thiết bị điện gia dụng, dụng cụ điện và các thiết bị tương tự - Phần 1: Phát xạ

IEC 60050-161 : 1990, International Electronical Vocabulary (IEV) - Chapter 161: Electromagnetic Amendment 1 (1997), Amendment 2 (1998)

CISPR 16-3 : 2003, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 3: CISPR technical reports (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô - Phần 3: Báo cáo kỹ thuật của CISPR)

BIPM/IEC/FCC/ISO/IUPAC/IUPAP/OIML : 1993, International vocabulary of basic and general terms in metrology (Từ vựng quốc tế về các thuật ngữ cơ bản và thuật ngữ chung trong đo lường)

3. Thuật ngữ và định nghĩa

Tiêu chuẩn này áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa dưới đây. Xem thêm IEC 60050 (161) và tài liệu “Từ vựng quốc tế về các thuật ngữ cơ bản và thuật ngữ chung trong đo lường”.

3.1 Độ rộng băng tần (bandwidth)

B_n

Độ rộng của đường cong chọn lọc toàn băng của máy thu nằm giữa hai điểm có mức suy giảm quy định, bên dưới đáp tuyến giữa băng. Độ rộng băng tần ký hiệu là B_n, trong đó n là mức suy giảm quy định, tính bằng đềxiben.

3.2 Độ rộng băng tần xung (impulse bandwidth)

B_imp

Trong đó:

A(t)_max   là đỉnh của đường bao tại đầu ra IF của máy thu có điện tích xung IS đặt tại đầu vào của máy thu;

G_o         là hệ số khuếch đại của mạch ở tần số trung tâm.

Riêng đối với hai bộ biến đổi điều hưởng ghép nối tới hạn thì

B_imp = 1,05 x B₆ = 1,31 x B₃

trong đó:

B₆ và B₃ lần lượt là độ rộng băng tần tại các điểm -6 dB và -3 dB (xem điều A.2 để có thêm thông tin).

3.3 Diện tích xung (impulse area)

IS

Diện tích xung (đôi khi gọi là cường độ xung, IS) là vùng điện áp-thời gian của một xung được xác định bằng tích phân:

IS = V(t) dt  (tính bằng mVs hoặc dB (mVs))

CHÚ THÍCH: Mật độ phổ (D) liên quan đến diện tích xung và biểu thị bằng mV/MHz hoặc dB(mV/MHz). Đối với xung chữ nhật có độ rộng xung T ở các tần số f <> thì áp dụng quan hệ D (mV/MHz) = x10⁶ IS (mVs)

3.4 Hằng số thời gian nạp điện (electrical charge time constant)

T_c

Thời gian cần thiết sau khi đặt tức thời điện áp sóng sin không đổi vào đầu vào của tầng ngay trước bộ tách sóng để điện áp đầu ra bộ tách sóng đạt tới 63% giá trị cuối của nó.

CHÚ THÍCH: Hằng số thời gian này được xác định như sau: Đặt lên đầu vào tầng ngay trước bộ tách sóng một tín hiệu sóng sin có biên độ không đổi và có tần số bằng tần số giữa băng của bộ khuếch đại IF. Ghi lại số chỉ D của thiết bị đo loại không có quán tính (ví dụ như máy hiện sóng ống tia catốt) được nối với đầu cuối của mạch khuếch đại một chiều sao cho không ảnh hưởng đến hoạt động của bộ tách sóng. Mức tín hiệu được chọn sao cho duy trì được đáp tuyến của các tầng liên quan trong phạm vi dải làm việc tuyến tính. Một tín hiệu sóng sin của mức này, được đặt trong một thời gian nhất định và có chuỗi sóng có đường bao hình chữ nhật, được chặn sao cho độ lệch là 0,63D. Khoảng thời gian đặt tín hiệu này bằng thời gian nạp của bộ tách sóng.

3.5 Hằng số thời gian phóng điện (electrical discharge time constant)

T_D

Thời gian cần thiết sau khi loại bỏ tức thời điện áp sóng sin không đổi đặt vào đầu vào tầng ngay trước bộ tách sóng để đầu ra bộ tách sóng giảm xuống còn 37% giá trị ban đầu.

CHÚ THÍCH: Phương pháp đo này tương tự như phương pháp đo hằng số thời gian nạp nhưng thay việc đặt tín hiệu trong một thời gian nhất định bằng việc ngắt tín hiệu trong một thời gian nhất định. Thời gian cần thiết để độ lệch giảm xuống còn 0,37D là hằng số thời gian phóng điện của bộ tách sóng.

3.6 Hằng số thời gian về cơ của thiết bị chỉ thị dao động tắt dần tới hạn (mechanical time constant of a critically damped indicating instrument)

T_M

T_M = T_L/2p

trong đó:

T_L         là chu kỳ dao động tự do của thiết bị đo khi loại bỏ các yếu tố cản dịu.

CHÚ THÍCH 1: Đối với thiết bị đo dao động tắt dần tới hạn, phương trình chuyển động của hệ thống này có thể viết thành:

trong đó:

         độ lệch;

i           là dòng điện chạy qua thiết bị đo;

k          là hằng số.

Từ phương trình trên có thể suy ra hằng số thời gian này cũng chính là độ rộng của xung chữ nhật (có biên độ không đổi) gây nên độ lệch 35% so với độ lệch ổn định gây ra do dòng điện liên tục có cùng biên độ với dòng điện của xung chữ nhật.

CHÚ THÍCH 2: Phương pháp đo và phương pháp điều chỉnh được rút ra từ một trong hai điểm sau:

a) Chu kỳ dao động tự do được điều chỉnh đến 2pT_M, bổ sung yếu tố cản dịu sao cho T = 0,35.

b) Nếu không thể đo được thời gian dao động thì yếu tố làm nhụt được điều chỉnh, chỉnh đến ngay dưới mức tới hạn sao cho dao động vượt quá không lớn hơn 5% và mômen quán tính của chuyển động này làT = 0,35.

3.7 Hệ số quá tải (overload factor)

Tỷ số giữa mức tương ứng với phạm vi hoạt động tuyến tính thực tế của một mạch điện (hoặc một nhóm mạch điện) và mức tương ứng với độ lệch toàn thang đo của thiết bị chỉ thị.

Mức lớn nhất tại đó đáp tuyến ổn định của một mạch điện (hoặc một nhóm mạch điện) không sai lệch quá 1 dB so với mức tuyến tính lý tưởng xác định trong phạm vi hoạt động tuyến tính thực tế của một mạch điện (hoặc một nhóm mạch điện).

3.8 Điện áp đối xứng (symmetric voltage)

Trong mạch điện hai dây, ví dụ như nguồn điện lưới một pha, điện áp đối xứng là điện áp nhiễu tần số rađiô xuất hiện giữa hai dây. Điện áp này đôi khi còn gọi là điện áp phương thức vi sai. Nếu Va là véctơ điện áp giữa một trong các đầu nối điện lưới và đất, còn Vb là véctơ điện áp giữa đầu nối điện lưới kia và đất thì điện áp đối xung là hiệu véctơ (Va - Vb).

3.9 Phạm vi chỉ thị CISPR (CISPR indicating range)

Phạm vi do nhà chế tạo qui định để đưa ra các chỉ số đồng hồ lớn nhất và nhỏ nhất mà nằm trong phạm vi này máy thu thỏa mãn các yêu cầu trong tiêu chuẩn này.

4. Máy thu đo tựa đỉnh trong dải tần 9 kHz đến 1 000 MHz

Yêu cầu kỹ thuật của máy thu phụ thuộc vào tần số làm việc. Có một yêu cầu kỹ thuật cho máy thu trong dải tần 9 kHz đến 150 kHz (băng tần A), một yêu cầu kỹ thuật trong dải tần 150 kHz đến 30 MHz (băng tần B), một yêu cầu kỹ thuật trong dải tần 30 MHz đến 300 MHz (băng tần C) và một yêu cầu kỹ thuật trong dải tần 300 MHz đến 1 000 MHz  (băng tần D).

4.1 Trở kháng vào

Mạch đầu vào của máy thu đo phải là mạch không cân bằng. Để đặt chế độ điều khiển máy thu nằm trong phạm vi chỉ thị CISPR, trở kháng vào phải có giá trị danh nghĩa  là 50 W với hệ số điện áp sóng đứng không vượt quá 2,0:1 khi độ suy giảm RF là 0 và không vượt quá 1,2:1 khi độ suy giảm RF lớn hơn hoặc bằng 10dB.

Với trở kháng vào đối xứng trong dải tần 9 kHz đến 30 MHz: sử dụng một biến áp đầu vào cân bằng để có thể thực hiện các phép đo đối xứng. Trở kháng vào ưu tiên là 600W ứng với dải tần 9 kHz đến 150 kHz. Trở kháng vào đối xứng này có thể lắp trong mạng giả đối xứng liên quan cần được ghép nối với máy thu hoặc đặt tùy ỳ trong máy thu đó

4.2 Các đặc tính cơ bản

Đáp tuyến với các xung như qui định trong 4.4 được tính trên cơ sở máy thu đo có các đặc tính cơ bản dưới đây.

Bảng 1 - Các đặc tính cơ bản của máy thu tựa đỉnh

Đặc tính	Băng tần
	Băng tần A 9 kHz đến 150 kHz	Băng tần B 0,15 MHz đến 30 kHz	Băng tần C 30 MHz đến 1 000 MHz
Độ rộng băng tần ở điểm -6 dB, B6 tính bằng kHz	0,20	9	120
Hằng số thời gian nạp điện của bộ tách sóng, tính bằng ms	45	1	1
Hằng số thời gian phóng điện của bộ tách sóng, tính bằng ms	500	160	550
Hằng số thời gian về cơ của thiết bị chỉ thị có dao động tắt dần tới hạn, tính bằng ms	160	160	100
Hệ số quá tải của các mạch trước bộ tách sóng, tính bằng dB	24	30	43,5
Hệ số quá tải của bộ khuếch đại một chiều giữa bộ tách sóng và thiết bị chỉ thị, tính bằng dB	6	12	6
CHÚ THÍCH 1: Định nghĩa hằng số thời gian về cơ (xem 3.6) được giả thiết rằng thiết bị chỉ thị là tuyến tính, nghĩa là dòng điện tăng lên các giá trị bằng nhau thì độ lệch cũng tăng lên các giá trị bằng nhau. Có thể sử dụng thiết bị chỉ thị có quan hệ khác giữa dòng điện và độ lệch với điều kiện là thiết bị đó thỏa mãn các yêu cầu của 4.2. Trong một thiết bị điện tử, hằng số thời gian về cơ có thể được mô phỏng bằng mạch điện. CHÚ THÍCH 2: Không đưa ra dung sai đối với các hằng số thời gian điện và cơ. Giá trị thực được sử dụng trong từng máy thu riêng biệt được xác định bởi thiết kế để thỏa mãn các yêu cầu trong 4.4

4.3 Độ chính xác của điện áp sóng sin

Độ chính xác của phép đo điện áp sóng sin phải tốt hơn ± 2 dB khi đặt một tín hiệu sóng sin ở trở kháng nguồn có điện trở là 50 W

4.4 Đáp tuyến với xung

CHÚ THÍCH: Phụ lục B và Phụ lục C mô tả các phương pháp xác định đặc tính đầu ra của máy phát xung dùng trong thử nghiệm theo các yêu cầu của 4.4

4.4.1 Quan hệ về biên độ (hiệu chuẩn tuyệt đối)

Đáp tuyến của máy thu đo với xung có diện tích xung là a) mVs (microvôn giây) sức điện động ở trở kháng nguồn 50W, có phổ đồng nhất lên đến ít nhất là b) MHz, lặp lại với tần số c) Hz phải bằng đáp tuyến với tín hiệu sóng sin không điều chế ở tần số điều hưởng có giá trị hiệu dụng của sức điện động là 2mV [66 dB(mV)]. Trở kháng nguồn của máy phát xung và máy phát tín hiệu phải giống nhau. Ở mức điện áp sóng sin, dung sai ±1,5 dB là chấp nhận được.

Bảng 2 - Đặc tính xung thử nghiệm dùng cho máy thu đo tựa đỉnh

Dải tần	a) mVs	b) MHz	c) Hz
9 kHz đến 150 kHz	13,5	0,15	25
0,15 MHz đến 30 MHz	0,316	30	100
30 MHz đến 300 MHz	0,044	300	100
300 MHz đến 1 000 MHz	0,044	1 000	100

4.4.2 Sự thay đổi theo tần số lặp (hiệu chuẩn tương đối)

Đáp tuyến của máy thu đo với xung lặp phải sao cho chỉ thị trên máy thu đo là không đổi, quan hệ giữa biên độ và tần số lặp theo Hình 1a, 1b hoặc 1c.

Hình 1a - Đường cong đáp tuyến xung (Băng tần A)

Hình 1b - Đường cong đáp tuyến xung (Băng tần B)

Hình 1c - Đường cong đáp tuyến xung (Băng tần C và D)

Hình 1d - Đường cong đáp tuyến xung lý thuyết của máy thu tách sóng tựa đỉnh và máy thu tách sóng trung bình (xem 6.4.2)

Hình 1 - Các đường cong đáp tuyến xung

Đường cong đáp tuyến của một máy thu đo cụ thể phải nằm giữa các giới hạn được xác định trên hình thích hợp và số liệu trong Bảng 3.

Bảng 3 - Đáp tuyến xung của máy thu tựa đỉnh

Tần số lặp Hz	Mức tương đương tương đối của xung trong băng tần qui định, tính bằng dB
	Băng tần A 9 kHz đến 150 kHz	Băng tần B 0,15 MHz đến 30 MHz	Băng tần C 30 MHz đến 300 MHz	Băng tần D 300 MHz đến 1000 MHz
1 000	chú thích 4	-4,5 ± 1,0	-8,0 ± 1,0	-8,0 ± 1,0
100	-4,0 ± 1,0	0 (chuẩn)	0 (chuẩn)	0 (chuẩn)
60	-3,0 ± 1,0	-	-	-
25	0 (chuẩn)	-	-	-
20	-	+6,5 ± 1,0	+9,0 ± 1,0	+9,0 ± 1,0
10	+4,0 ± 1,0	+10,0 ± 1,5	­+14,0 ± 1,5	­+14,0 ± 1,5
5	+7,5 ± 1,0	-	-	-
2	+13,0 ± 2,0	+20,5 ± 2,0	+26,0 ± 2,0	+26,0 ± 2,0*
1	+17,0 ± 2,0	+22,5 ± 2,0	+28,5 ± 2,0	+28,5 ± 2,0*
Xung đơn lẻ	+19,0 ± 2,0	+23,5 ± 2,0	+31,5 ± 2,0	+31,5 ± 2,0*
CHÚ THÍCH 1: Ảnh hưởng của đặc tính máy thu lên đáp tuyến xung của máy thu được xem xét trong Phụ lục D. CHÚ THÍCH 2: Quan hệ giữa các đáp tuyến xung của máy thu tựa đỉnh với các máy thu có các loại bộ tách sóng khác được cho trong 5.4, 6.4.1 và 7.4.1. CHÚ THÍCH 3: Đường cong đáp tuyến xung lý thuyết của máy thu tách sóng tựa đỉnh và máy thu tách sóng trung bình kết hợp trên một thang đo tuyệt đối được cho trên Hình 1d. Trục tung của Hình 1d chỉ ra diện tích xung mạch hở, tính bằng dB (mVs) tương ứng với điện áp sóng sin mạch hở là 66 dB (mV) hiệu dụng. Chỉ thị trên máy thu đo có đầu vào tương thích với máy phát hiệu chuẩn khi đó sẽ là 60 dB (mV). Nếu độ rộng băng tần đo nhỏ hơn tần số lặp xung thì các đường cong ở Hình 1d là phù hợp khi máy thu được điều hướng đến một đường rời rạc trên phổ. CHÚ THÍCH 4: Do có sự xếp chồng của các xung trong bộ khuếch đại IF nên không thể quy định được đáp tuyến trên 100 Hz trong dải  tần 9 kHz đến 150 kHz. CHÚ THÍCH 5: Phụ lục A đề cập đến cách xác định đường cong đáp tuyến với xung lặp. CHÚ THÍCH 6: Đáp tuyến xung bị giới hạn do quá tải ở đầu vào máy thu ở tần số trên 300 MHz. Các giá trị được đánh dấu sao (*) trong bảng này là các giá trị tùy chọn, không phải là thiết yếu.

4.5 Độ chọn lọc

4.5.1 Độ chọn lọc trên toàn băng (băng thông)

Đường cong biểu diễn độ chọn lọc trên toàn băng của máy thu đo phải nằm trong các giới hạn chỉ ra trên Hình 2a, 2b hoặc 2c.

Độ chọn lọc phải được mô tả bằng sự biến đổi biên độ điện áp sóng sin đầu vào theo tần số tạo ra một chỉ thị không đổi trên máy thu đo.

CHÚ THÍCH: Để phép đo của thiết bị có yêu cầu độ chọn lọc cao hơn ở tần số chuyển tiếp giữa 130 kHz và 150 kHz (ví dụ, thiết bị phát tín hiệu nguồn lưới như định nghĩa trong EN 50065-11)) thì có thể lắp thêm bộ lọc thông cao trước máy thu đo để có được độ chọn lọc kết hợp dưới đáy giữa máy thu đo CISPR và bộ chọn thông cao.

Tần số kHz	Độ suy giảm tương đối dB
150	≤ 1
146	≤ 6
145	≥ 6
140	≥ 34
130	≥ 81

Máy thu đo kết hợp với bộ lọc thông cao cần thỏa mãn các yêu cầu của tiêu chuẩn này.

4.5.2 Tỷ số loại bỏ tần số trung gian

Tỷ số giữa điện áp sóng sin đầu vào ở tần số trung gian và điện áp ở tần số điều hưởng tạo ra cùng một chỉ thị trên máy thu đo không được nhỏ hơn 40 dB. Nếu sử dụng nhiều hơn một tần số trung gian, yêu cầu này phải được thỏa mãn ở từng tần số trung gian.

4.5.3 Tỷ số loại bỏ tần số ảnh

Tỷ số giữa điện áp sóng sin đầu vào ở tần số ảnh và điện áp ở tần số điều hưởng tạo ra cùng một chỉ thị trên máy thu đo không được nhỏ hơn 40dB. Nếu sử dụng nhiều hơn một tần số trung gian, yêu cầu này phải được thỏa mãn ở các tần số ảnh hưởng ứng với từng tần số trung gian.

Hình 2b - Giới hạn độ chọn lọc trên toàn băng - băng thông (xem 4.5.1, 5.5, 6.5, 7.5) (Băng tần A)

Hình 2b - Giới hạn độ chọn lọc trên toàn băng - Băng thông (xem 4.5.1, 5.5, 6.5) (Băng tần B)

Hình 2c - Giới hạn độ chọn lọc trên toàn băng - băng thông (xem 4.5.1, 5.5, 6.5, 7.5) (Băng tần C và D)

Hình 2 - Giới hạn độ chọn lọc trên toàn băng.

4.5.4 Các đáp tuyến giả khác

Tỷ số giữa điện áp sóng sin ở đầu vào tại các tần số không phải là tần số quy định trong 4.5.2 và 4.5.3 và điện áp tại tần số điều hưởng tạo ra cùng một chỉ thị trên máy thu đo không được nhỏ hơn 40 dB. Ví dụ về các tần số có thể xuất hiện các đáp tuyến giả là:

(1/m)(nf_L ± f_i) và (1/k)(f_o)

trong đó:

m,n,k    là số nguyên;                                        f_i          là tần số trung gian;

f_L          là tần số bộ dao động nội;                    f_o          là tần số điều hưởng.

CHÚ THÍCH: Nếu sử dụng từ hai tần số trung gian trở lên thì tần số f_L và f_i có thể là một trong các tần số trung gian và tần số bộ dao động nội được sử dụng. Ngoài ra, đáp tuyến giả có thể xuất hiện khi không có tín hiệu đầu vào đặt đến máy thu đo; ví dụ như khi các hài của bộ dao động nội khác biệt về tần số ở một trong các tần số trung gian. Vì thế, các yêu cầu trong 4.5.4 không thể áp dụng trong trường hợp xuất hiện các đáp tuyến giả. Ảnh hưởng của các đáp tuyến giả này được đề cập trong 4.7.2.

(Mời xem tiếp trong file tải về)