Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 11688-3:2016 ISO/IEC 10373-3:2010 Thẻ định danh-Phương pháp thử-Phần 3: Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 11688-3:2016

ISO/IEC 10373-3:2010

THẺ ĐỊNH DANH - PHƯƠNG PHÁP THỬ - PHẦN 3: THẺ MẠCH TÍCH HỢP CÓ TIẾP XÚC VÀ THIẾT BỊ GIAO DIỆN LIÊN QUAN

Identification cards - Test methods - Part 3: Integrated circuit cards with contacts and related interface devices

Lời nói đầu

TCVN 11688-3:2016 hoàn toàn tương đương với ISO/IEC 10373-3:2010 và đính chính ISO/IEC 10373-3:2006/Cor.1:2013.

TCVN 11688-3:2016 do Tiểu Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/JTC 1/SC 17 “Thẻ nhận dạng” biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

Hiện nay, bộ tiêu chuẩn TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) về Thẻ định danh - Phương pháp kiểm thử gồm các tiêu chuẩn:

- TCVN 11688-1:2016 (ISO/IEC 10373-1:2016 and AMD 1:2012), Phần 1: Đặc tính chung;

- TCVN 11688-2:2016 (ISO/IEC 10373-2:2015), Phần 2: Thẻ có sọc từ;

- TCVN 11688-3:2016 (ISO/IEC 10373-3:2010), Phần 3: Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan;

- TCVN 11688-6:2016 (ISO/IEC 10373-6:2016), Phần 6: Thẻ cảm ứng.

THẺ ĐỊNH DANH - PHƯƠNG PHÁP THỬ - PHẦN 3: THẺ MẠCH TÍCH HỢP CÓ TIẾP XÚC VÀ THIẾT BỊ GIAO DIỆN LIÊN QUAN

Identification cards - Test methods - Part 3: Integrated circuit cards with contacts and related interface devices

1  Phạm vi áp dụng

Tiêu chuẩn này xác định phương pháp thử cho đặc tính của thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan theo định nghĩa trong TCVN 11167 (ISO/IEC 7816). Mỗi phương pháp thử được tham chiếu chéo với một hoặc nhiều tiêu chuẩn cơ bản, có thể là TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) hoặc một hay nhiều tiêu chuẩn bổ sung để xác định công nghệ lưu giữ thông tin trong các ứng dụng thẻ định danh.

CHÚ THÍCH  Các tiêu chí đối với khả năng chấp nhận không thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này, mà có thể trong các tiêu chuẩn khác đã nêu ở trên.

Tiêu chuẩn này xác định phương pháp thử cụ thể đối với công nghệ mạch tích hợp có tiếp xúc. TCVN 11688-1 (ISO/IEC 10373-1) xác định các phương pháp thử chung cho một hoặc nhiều công nghệ thẻ và các tiêu chuẩn khác trong bộ TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) xác định các phương pháp thử công nghệ cụ thể.

Phương pháp thử mô tả trong tiêu chuẩn này được thực hiện riêng rẽ và độc lập. Một thẻ không nhất thiết phải đạt qua tất cả thử nghiệm theo đúng trình tự. Phương pháp thử xác định trong tiêu chuẩn này dựa trên TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

Sự phù hợp của thẻ và các IFD xác định bằng cách sử dụng các phương pháp thử trong tiêu chuẩn này không ngăn được các thất bại trong trường. Thử nghiệm độ tin cậy nằm ngoài phạm vi tiêu chuẩn này.

Tiêu chuẩn này không quy định bất kỳ thử nghiệm nào thiết lập chức năng đầy đủ của thẻ mạch tích hợp. Phương pháp thử ở đây chỉ yêu cầu chức năng tối thiểu được kiểm tra. Chức năng tối thiểu được định nghĩa như sau.

- Mọi mạch tích hợp có trong thẻ vẫn thể hiện đáp ứng Answer to Reset (ARP) phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản.

- Mọi tiếp xúc liên kết với mạch tích hợp có trong thẻ vẫn thể hiện điện trở phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản.

2  Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu viện dẫn sau rất cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản mới nhất, bao gồm cả sửa đổi (nếu có).

TCVN 11165:2016 (ISO/IEC 7810:2003), Thẻ định danh - Đặc tính vật lý.

TCVN 11167-3:2015 (ISO/IEC 7816-3:2006), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp - Phần 3: Thẻ có tiếp xúc - Giao diện điện và giao thức truyền dẫn;

TCVN 11167-4:2016 (ISO/IEC 7816-4:2005), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp - Phần 4: Tổ chức, an toàn và lệnh trao đổi.

3  Thuật ngữ và định nghĩa

Tiêu chuẩn này áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa dưới đây.

3.1

Thẻ (card)

Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc như định nghĩa trong TCVN 11167 (ISO/IEC 7816).

3.2

Thiết bị đang thử nghiệm (device under test)

DUT

Thẻ thử nghiệm hoặc IFD là đối tượng thử nghiệm.

3.3

Hệ số etu (etu-factor)

Tham số có thể chuyển đổi bởi giao thức và việc lựa chọn tham số (PPS), mô tả trong 6.3.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

3.4

IFD

Thiết bị giao diện liên quan đến thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc định nghĩa trong TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

3.5

Sử dụng thông thường (normal use)

Sử dụng như một thẻ định danh theo 4.1, TCVN 11165 (ISO/IEC 7810), liên quan đến các quá trình thiết bị phù hợp với công nghệ thẻ và lưu trữ như một tài liệu cá nhân giữa các quá trình thiết bị.

3.6

Phương pháp thử (test method)

Phương pháp để thử nghiệm đặc tính của thẻ định danh và các thiết bị giao diện liên quan để xác nhận sự tuân thủ của thẻ và thiết bị với các tiêu chuẩn.

3.7

Kịch bản thử nghiệm (test scenario)

Giao thức điển hình xác định và ứng dụng truyền thông cụ thể được sử dụng với các phương pháp thử xác định trong tiêu chuẩn này.

3.8

Giao thức điển hình và truyền thông ứng dụng cụ thể (typical protocol, and application specific communication)

Truyền thông giữa một DUT và dụng cụ thử nghiệm tương ứng dựa trên giao thức và ứng dụng thực hiện trong DUT và thể hiện việc sử dụng thông thường.

4  Hạng mục chung áp dụng đối với phương pháp thử

4.1  Môi trường thử nghiệm

Trừ khi có quy định khác, thử nghiệm đặc tính vật lý, điện và lô-gic phải tiến hành trong môi trường có nhiệt độ 23°C ± 3°C, độ ẩm tương đối 40% đến 60%.

4.2  Điều kiện ổn định trước

Ở đây, điều kiện ổn định trước được yêu cầu bởi phương pháp thử, các thẻ định danh được thử nghiệm phải ở điều kiện môi trường thử nghiệm trong khoảng thời gian là 24 giờ trước khi tiến hành thử nghiệm.

4.3  Lựa chọn phương pháp thử

Thử nghiệm phải được áp dụng như yêu cầu để thử nghiệm các thuộc tính của thẻ xác định bởi tiêu chuẩn cơ bản có liên quan (xem 4.8).

4.4  Dung sai mặc định

Trừ khi có quy định khác, dung sai mặc định là ± 5 % phải được áp dụng cho các giá trị đại lượng cho trước để quy định các đặc tính của thiết bị thử nghiệm (ví dụ các kích thước tuyến tính) và các qui trình phương pháp thử (ví dụ: điều chỉnh thiết bị thử nghiệm).

4.5  Độ không đảm bảo đo tổng

Độ không đảm bảo đo tổng cho từng đại lượng xác định bởi các phương pháp thử này phải được nêu trong báo cáo thử nghiệm.

4.6  Quy ước phép đo điện

Sự khác biệt tiềm tàng được xác định liên quan đến tiếp xúc GND (tiếp đất) của thẻ và các dòng đến thẻ được coi là dương.

4.7  Dụng cụ

4.7.1  Dụng cụ thử nghiệm thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc (dụng cụ thử nghiệm thẻ)

4.7.1.1  Tạo diện áp VCC (Ucc) và định xung nhịp thời gian

Bảng 1 - Điện áp và định xung nhịp thời gian cho VCC

4.7.1.2  Đo ICC

Bảng 2 - Tham số I_CC

4.7.1.3  Tạo điện áp SPU (C6)

Xem 5.5 và TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

4.7.1.4  Tạo điện áp RST và định xung nhịp thời gian

Bảng 3 - Điện áp RST và định xung nhịp thời gian

4.7.1.5  Đo dòng RST

Bảng 4 - Dòng RST

4.7.1.6  Tạo điện áp I/O và định xung nhịp thời gian trong chế độ tiếp nhận

Bảng 5 - Điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

4.7.1.7  Đo dòng I/O trong chế độ tiếp nhận

Bảng 6 - Dòng I/O (chế độ tiếp nhận)

4.7.1.8  Tạo dòng I/O

Bảng 7 - Dòng I/O

4.7.1.9  Đo diện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Bảng 8 - Điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

4.7.1.10  Tạo điện áp CLK

Bảng 9 - Điện áp CLK

4.7.1.11  Tạo dạng sóng CLK (phép đo chu kì đơn)

Bảng 10 - Dạng sóng CLK

4.7.1.12  Đo dòng CLK

Bảng 11 - Dòng CLK

4.7.1.13  Đo điện dung tiếp xúc của RST, CLK và I/O

Bảng 12 - Điện dung tiếp xúc

4.7.1.14  Tạo trình tự kích hoạt và vô hiệu hóa của các tiếp xúc

Bảng 13 - Kích hoạt và vô hiệu hóa

4.7.1.15  Mô phỏng giao thức I/O

Dụng cụ thử nghiệm thẻ phải có khả năng mô phỏng giao thức T=0 và T=1 và ứng dụng IFD được yêu cầu để thực hiện các truyền thông cụ thể ứng dụng điển hình tương ứng đối với các ứng dụng thẻ.

CHÚ THÍCH  Nếu một chức năng cụ thể không được thực hiện trong thẻ, thì dụng cụ thử nghiệm thẻ không yêu cầu phải có khả năng thử nghiệm tương ứng (ví dụ như giao thức T=1 không thực hiện trong thẻ).

4.7.1.16  Tạo định xung nhịp thời gian ký tự I/O trong chế độ tiếp nhận

Dụng cụ thử nghiệm thẻ phải có khả năng tạo chuỗi dữ liệu bit I/O theo TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816- 3). Tất cả tham số định xung nhịp thời gian như độ dài bit bắt đầu, thời gian bảo vệ, tín hiệu báo lỗi v.v, phải cấu hình được.

Bảng 14 - Định xung nhịp thời gian ký tự I/O (chế độ tiếp nhận)

4.7.1.17  Đo và giám sát giao thức I/O

Dụng cụ-thử nghiệm-thẻ phải có khả năng đo và giám sát định xung nhịp thời gian của các trạng thái thấp và cao theo lô-gic của đường l/O liên quan đến tần số CLK.

Bảng 15 - Đặc tính định xung nhịp thời gian

4.7.1.18  Phân tích giao thức

Dụng cụ thử nghiệm thẻ phải có khả năng phân tích Dòng bit-l/O dữ liệu theo giao thức T=0 và T=1 theo TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) và trích xuất luồng dữ liệu lô-gic để kiểm tra giao thức và ứng dụng chi tiết hơn.

CHÚ THÍCH  Nếu một chức năng cụ thể không được thực hiện trong thẻ, thì dụng cụ thử nghiệm thẻ không yêu cầu phải có thử nghiệm khả năng tương ứng (ví dụ như giao thức T=1 không thực hiện trong thẻ). Ngược lại, một dụng cụ có thể cần các khả năng mở rộng, ví dụ: có khả năng tạo mọi lệnh trong trường hợp 2 (xem TCVN 11167-4:2016 (ISO/IEC 7816-4:2005)) nếu thẻ không hỗ trợ tiêu chuẩn READ BINARY (đọc nhị phân).

4.7.2  Dụng cụ thử nghiệm thiết bị giao diện (Dụng cụ thử nghiệm IFD)

4.7.2.1  Tạo dòng VCC (l_CC)

Bảng 16 - Dòng VCC

4.7.2.2  Đo điện áp VCC (Ucc) và định xung nhịp thời gian

Bảng 17 - Điện áp VCC và định xung nhịp thời gian

4.7.2.3  Đo điện áp (Ucc) SPU (C6) và định xung nhịp thời gian

Bảng 18 - Điện áp SPU và định xung nhịp thời gian

4.7.2.4  Tạo dòng RST

Bảng 19 - Dòng RST

4.7.2.5  Đo điện áp RST và định xung nhịp thời gian

Bảng 20 - Điện áp RST và định xung nhịp thời gian

4.7.2.6  Tạo các dòng I/O

Bảng 21 - Các dòng I/O

4.7.2.7  Đo điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Bảng 22 - Điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

4.7.2.8  Tạo điện áp I/O và định xung nhịp thời gian trong chế độ truyền dẫn

Bảng 23 - I/O điện áp và định xung nhịp thời gian (chế độ truyền dẫn)

4.7.2.9  Đo I/O dòng in chế độ truyền dẫn

Bảng 24 - Dòng I/O (chế độ truyền dẫn)

4.7.2.10  Tạo dòng CLK

Bảng 25 - Dòng CLK

4.7.2.11  Đo điện áp CLK và định xung nhịp thời gian

Bảng 26 - Điện áp CLK và định xung nhịp thời gian

4.7.2.12  Đo dạng sóng CLK (phép đo chu kì đơn)

Bảng 27 - Dạng sóng CLK

4.7.2.13  Đo điện dung tiếp xúc giữa GND và I/O

Bảng 28 - Điện dung tiếp xúc

4.7.2.14  Mô phỏng giao thức I/O

Dụng cụ thử nghiệm IFD phải có khả năng mô phỏng giao thức T=0 và T=1 và các ứng dụng thẻ được yêu cầu thực hiện kịch bản thử nghiệm.

CHÚ THÍCH  Nếu một chức năng cụ thể không thực hiện trong thẻ, dụng cụ thử nghiệm thẻ không yêu cầu phải có khả năng thử nghiệm tương ứng (ví dụ như giao thức T=1 không thực hiện trong thẻ).

4.7.2.15  Tạo định xung nhịp thời gian ký tự I/O trong chế độ truyền dẫn

Thử nghiệm dụng cụ thử nghiệm IFD phải có khả năng tạo chuỗi dữ liệu bit I/O theo TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) liên quan đến tần số CLK.

Tất cả tham số định xung nhịp thời gian như là độ dài bit bắt đầu, thời gian bảo vệ và tín hiệu tín hiệu báo lỗi v.v... phải có cấu hình.

Bảng 29 - Định xung nhịp thời gian tham số

4.7.2.16  Đo và giám sát giao thức I/O

Dụng cụ thử nghiệm thẻ phải có khả năng đo và giám sát định xung nhịp thời gian các trạng thái thấp và cao theo lô-gic của đường l/O liên quan đến tần số CLK.

Bảng 30 - Đặc tính định xung nhịp thời gian

4.7.2.17  Phân tích giao thức

Dụng cụ thử nghiệm thẻ phải có khả năng phân tích dòng bit l/O theo giao thức T=0 và T=1 phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) và trích xuất luồng dữ liệu lô-gic để kiểm tra giao thức và ứng dụng chi tiết hơn.

CHÚ THÍCH  Nếu một chức năng cụ thể không thực hiện trong thẻ, dụng cụ thử nghiệm thẻ không yêu cầu phải có khả năng thử nghiệm tương ứng (ví dụ như giao thức T=1 không thực hiện trong thẻ).

4.7.2.18  Trở kháng tổng thể (các nguồn dòng và điện áp thụ động)

Bảng 31 - Trở kháng

4.7.3  Kịch bản thử nghiệm

Thử nghiệm của DUT như xác định trong các Điều 6, 7, 8 và 9 yêu cầu một kịch bản thử nghiệm được thực thi. Kịch bản thử nghiệm này là một ‘truyền thông ứng dụng cụ thể và giao thức điển hình’, phụ thuộc vào giao thức và chức năng ứng dụng cụ thể dự kiến sử dụng thông thường và thực hiện trong DUT.

Kịch bản thử nghiệm phải được xác định bởi thực thể đang tiến hành các thử nghiệm này và phải được tài liệu hóa các kết quả thử nghiệm. Kịch bản thử nghiệm phải bao gồm một tập con đại diện hoặc tập con tốt hơn, nếu thực tế, các chức năng đầy đủ của DUT mong muốn sử dụng trong quá trình sử dụng thông thường. Thì kịch bản thử nghiệm phải có một khoảng thời gian ít nhất là 1s.

CHÚ THÍCH  Các thực thể thử nghiệm có thể yêu cầu thông tin về giao thức đã thực hiện và chức năng cũng như hướng sử dụng của DUT để có thể thử nghiệm các thực thể để xác định một kịch bản thử nghiệm.

4.8  Mối quan hệ của phương pháp thử so với yêu cầu tiêu chuẩn cơ bản

Tất cả các định nghĩa điện áp tương đối (ví dụ như 0,7 x Ucc, 0,15 x Ucc hoặc Ucc + 0,3 V) phải được xác định so với GND (đất) và được kiểm tra so với giá trị Ucc đo được đồng thời.

Bảng 32 - Phương pháp thử đặc tính điện của thẻ có tiếp xúc

Bảng 33 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc - Trả lời để khởi động lại

Bảng 34 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc - Giao thức T=0

Bảng 35 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc - Giao thức T=1

Bảng 36 - Phương pháp thử đặc tính vật lý và điện của IFD

Bảng 37 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD - Trả lời để khởi động lại

Bảng 38 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD - Giao thức T=0

Bảng 39 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD - Giao thức T=1

5  Phương pháp thử đặc tính điện của thẻ có tiếp xúc

5.1  Tiếp xúc VCC

Mục đích của thử nghiệm này là đo dòng tiêu thụ bởi thẻ trên tiếp xúc VCC và kiểm tra nếu thẻ hoạt động trong dải Ucc cụ thể (xem 5.2.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

5.1.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

5.1.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Thiết lập tham số dưới đây trong dụng cụ thử nghiệm thẻ (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất hỗ trợ bởi thẻ):

Bảng 40 - Tham số dụng cụ thử nghiệm-thẻ

b) Khởi động lại thẻ.

c) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong khoảng thời gian truyền thông này, tín hiệu sau đây được theo dõi liên tục và xác định giá trị sau đây:

Bảng 41 - Tín hiệu theo dõi

d) Thực hiện một việc dừng xung đồng hồ theo 6.3.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) nếu được hỗ trợ bởi thẻ. Trong khoảng thời gian dừng xung đồng hộ, tín hiệu và giá trị chỉ ra trong Bảng 41 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

e) Khởi động lại f_CLK theo TCVN 5.3.4, 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

f) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này tín hiệu và giá trị chỉ ra trong Bảng 41 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

g) Lặp lại bước b) đến f) với Ucc = Ucc lớn nhất.

h) Lặp lại thử nghiệm a) đến g) cho tất cả các lớp điện áp hỗ trợ bởi thẻ.

5.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo giá trị xác định theo qui trình và tất cả các thông tin đã phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) chưa.

5.2  Tiếp xúc I/O

Mục đích của thử nghiệm này là đo điện dung tiếp xúc của tiếp xúc I/O, các điện áp I/O đầu ra (U_OH , U_OL) dưới các điều kiện hoạt động thông thường (I_OL lớn nhất/nhỏ nhất và I_OH lớn nhất/nhỏ nhất), I/O t_R và t_F trong chế độ truyền dẫn của thẻ và dòng I/O đầu vào (I_IL) trong chế độ tiếp nhận của thẻ.

5.2.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

5.2.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Đo điện dung CIO của l/O tiếp xúc.

b) Thiết lập tham số dưới đây trong dụng cụ thử nghiệm thẻ (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất hỗ trợ bởi thẻ):

Bảng 42 - Tham số dụng cụ thử nghiệm thẻ

c) Khởi động lại thẻ.

d) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau đây được xác định:

Bảng 43 - Xác định giá trị

e) Ngắt mạch thẻ.

f) Thiết lập dụng cụ thử nghiệm thẻ với tham số chỉ ra trong Bảng 42.

g) Khởi động lại thẻ.

h) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính và giá trị chỉ ra trong Bảng 43 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

i) Ngắt mạch thẻ.

j) Lặp lại bước b) đến i) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

5.2.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo điện dung của l/O tiếp xúc, giá trị xác định theo qui trình và tất cả truyền thông phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

5.3  Tiếp xúc CLK

Mục đích của thử nghiệm này là đo dòng tiêu thụ bởi thẻ trên tiếp xúc CLK và kiểm tra xem thẻ thực hiện với các tần số và dạng sóng đồng đồ cụ thể (xem 5.2.3, 8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

5.3.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

5.3.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Đo điện dung C_CLK của tiếp xúc CLK.

b) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụ thử nghiệm thẻ (bắt đầu với lớp điện áp được hỗ trợ bởi thẻ):

Bảng 44 - Tham số dụng cụ thử nghiệm-thẻ

c) Khởi động lại thẻ.

d) Thiết lập f_CLK đến f_CLK lớn nhất theo TCVN 5.2.3, 8.3, 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

e) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau đây được xác định:

Bảng 45 - Giá trị được xác định

f) Ngắt mạch thẻ.

g) Thiết lập dụng cụ thử nghiệm thẻ với tham số chỉ ra trong Bảng 44.

h) Khởi động lại thẻ.

i) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính và giá trị chỉ ra trong Bảng 45 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

j) Ngắt mạch thẻ.

k) Lặp lại bước b) đến j) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

5.3.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo điện dung của tiếp xúc CLK, giá trị giá trị xác định theo qui trình và tất cả truyền thông phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

5.4  Tiếp xúc RST

Mục đích của thử nghiệm này là đo dòng tiêu thụ bằng thẻ trên tiếp xúc RST và kiểm tra thẻ có thực hiện với giá trị định xung nhịp thời gian cho phép nhỏ nhất và lớn nhất không và các điện áp của một tín hiệu RST (xem TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), 5.2.2).

5.4.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

5.4.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Đo điện dung CRST của tiếp xúc RST.

b) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụ thử nghiệm thẻ (bắt đầu với lớp điện áp được hỗ trợ bởi thẻ):

Bảng 46 - Tham số dụng cụ thử nghiệm-thẻ

c) Khởi động lại thẻ.

d) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này tín hiệu sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau được xác định:

e) Ngắt mạch thẻ.

f) Thiết lập dụng cụ thử nghiệm thẻ với tham số chỉ ra trong Bảng 46.

g) Khởi động lại thẻ.

h) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính và giá trị chỉ ra trong Bảng 47 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

i) Ngắt mạch thẻ.

j) Lặp lại bước b) đến i) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

5.4.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu điện dung của tiếp xúc RST, xác định theo qui trình và tất cả truyền thông phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

5.5  Tiếp xúc SPU (C6)

Không có thử nghiệm chuẩn để áp dụng đối với tiếp xúc SPU (C6). Nếu trường tiếp xúc này sử dụng trong ứng dụng tiềm tàng, các thử nghiệm ứng dụng cụ thể nên được áp dụng.

Bảng 47 - Giá trị được xác định

6  Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc

6.1  Trả lời để khởi động lại

6.1.1  Khởi động lại lạnh và Trả lời để Khởi động lại (ATR)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định cách hoạt động của thẻ trong khoảng thời gian qui trình khởi động lại lạnh theo TCVN 6.2.2, 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

6.1.1.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.1.1.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

Trong qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được kiểm soát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại.

a) Kích hoạt thẻ theo 6.2.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

b) Thiết lập RST ở trạng thái các chu kỳ xung đồng hồ H 400 sau khi CLK được kích hoạt.

c) Nếu thẻ phản ứng với việc gửi một ATR, thì báo hiệu một lỗi truyền dẫn theo 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) cho ít nhất một ký tự (được lựa chọn ngẫu nhiên) của ATR.

d) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ.

e) Vô hiệu hóa thẻ.

6.1.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi tín hiệu và ATR.

6.1.2  Khởi động lại nóng

Mục đích của thử nghiệm này là xác định cách hoạt động của thẻ trong khi khởi động lại nóng qui trình theo 6.2.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

6.1.2.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.1.2.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

Trong qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được kiểm soát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại:

a) Kích hoạt và khởi động lại thẻ theo 6.2.1 và 6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

b) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ.

c) Tạo một khởi động lại nóng với thời hạn 400 chu kì đồng hồ theo 6.2.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

d) Nếu thẻ phản ứng với việc gửi một ATR, tín hiệu một lỗi truyền dẫn theo 7.3.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) cho ít nhất một ký tự (được lựa chọn ngẫu nhiên) của ATR.

e) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ.

f) Ngắt mạch thẻ.

6.1.2.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi tín hiệu và ATR.

6.2  Giao thức T=0

Các thử nghiệm tiếp theo sau có thể được áp dụng nếu chỉ thẻ hỗ trợ giao thức T=0.

CHÚ THÍCH  ε_t được xác định trong Bảng 14 - định xung nhịp thời gian ký tự I/O (chế độ tiếp nhận).

6.2.1  Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này xác định định xung nhịp thời gian của dữ liệu được truyền bởi thẻ (xem 7.1, 7.2, 10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.2.1.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.2.1.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

Trong qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được kiểm soát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại:

a) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ với tham số định xung nhịp thời gian bit danh định (xem 10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

b) Lặp lại a) với từng hệ số etu được cung cấp

c) Lặp lại a) và b) cho tất cả các ứng dụng được cung cấp.

6.2.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.2.2  Lặp lại ký tự I/O đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này là xác định cách sử dụng và định xung nhịp thời gian của việc sao chép ký tự bằng thẻ (xem 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.2.2.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.2.2.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ có tham số định xung nhịp thời gian bit danh nghĩa (xem 10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

b) Trong qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được kiểm soát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại.

c) Trên mỗi byte được gửi bởi thẻ tạo 5 điều kiện lỗi liên tiếp theo 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816- 3), với khoảng thời gian nhỏ nhất (1 etu + ε_t) và thời gian nhỏ nhất giữa cạnh dẫn của bit bắt đầu và cạnh dẫn của tín hiệu báo lỗi ((10,5 - 0,2) etu + ε_t).

d) Trên mỗi byte được gửi bởi thẻ tạo 5 điều kiện lỗi liên tiếp theo 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816- 3), với khoảng thời gian lớn nhất (2 etu - ε_t) và thời gian lớn nhất giữa cạnh dẫn của bit bắt đầu và cạnh dẫn của tín hiệu báo lỗi ((10,5 + 0,2) etu - ε_t).

e) Lặp lại c) đến d) cho tất cả các ATR được cung cấp (xem lựa chọn lớp trong 6.2.4, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.2.2.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.2.3  Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O và tín hiệu báo lỗi đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này là xác định việc định xung nhịp thời gian tiếp nhận và tín hiệu báo lỗi của thẻ (xem 7.1, 7.2, 7 3, 10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.2.3.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.2.3.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

Trong qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được kiểm soát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại.

a) Thiết lập tham số định xung nhịp thời gian bit sau tại dụng cụ thử nghiệm thẻ:

Bảng 48 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

b) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ.

c) Tạo năm lỗi chẵn lẻ liên tiếp cho một byte đơn sau một byte đơn hợp lệ được truyền đi, theo sau bởi năm lỗi chẵn lẻ liên tiếp cho byte đơn tiếp theo trong việc truyền tải.

d) Lặp lại a) đến b) với từng hệ số etu được cung cấp.

e) Thiết lập tham số định xung nhịp thời gian bit sau tại dụng cụ thử nghiệm thẻ:

Bảng 49 - Dụng cụ thử nghiệm thẻ dụng cụ định xung nhịp thời gian bit

f) Lặp lại b) đến d).

g) Lặp lại a) đến f) cho tất cả các ứng dụng được cung cấp.

6.2.3.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.3  Giao thức T=1

Phương pháp thử tiếp theo có thể được áp dụng nếu chỉ thẻ hỗ trợ giao thức T=1.

Nếu một lỗi truyền bất ngờ xảy ra trong khi thử nghiệm, bất kỳ qui trình phụ hồi phải được thực hiện theo 11.6.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

CHÚ THÍCH  Một số trong các mô tả sau này của phương pháp thử có chứa các kịch bản để nhỏ nhất họa các qui trình được mô tả. Một vài kịch bản này dựa trên giả định rằng thẻ chứa một tệp rõ ràng với một chiều dài 36 byte và có nội dung '31 32 33 34 ... 54 ' và hiểu I (0,0) (INF = '00 B0 00 00 02') như 2 byte READ BINARY (đọc nhị phân).

6.3.1  Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=1

Mục đích của thử nghiệm này là xác định định xung nhịp thời gian của dữ liệu được truyền đi bằng thẻ (xem 7.1, 7.2, 8.3, 11.2, 11.3, 11.4.2, 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.1.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.1.2  Qui trình

Các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại:

a) Thực hiện một T=1 điển hình và truyền thông cụ thể ứng dụng với thẻ trong ít nhất 1s với tham số bit danh nghĩa định xung nhịp thời gian (xem 11.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)) và sự trễ nhỏ nhất giữa 2 ký tự liên tiếp xác định bởi N (xem 8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)) trong ATR.

b) Lặp lại a) với từng hệ số etu được cung cấp.

c) Lặp lại a) đến b) cho từng ứng dụng được cung cấp.

6.3.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.3.2  Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O đối với giao thức T=1

Mục đích của thử nghiệm này là xác định việc định xung nhịp thời gian tiếp nhận của thẻ sử dụng giao thức T=1 (xem 7.1, 7.2, 8.3, 11.2, 11.3, 11.4.2, 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.2.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.2.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

Trong qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được kiểm soát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại.

a) Thiết lập tham số định xung nhịp thời gian bit sau tại dụng cụ thử nghiệm thẻ:

Bảng 50 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

b) Thực hiện một T=1 điển hình và ứng dụng quy định truyền thông với thẻ ít nhất trong 1s.

c) Lặp lại a) đến b) với từng hệ số-etu được cung cấp.

d) Thiết lập tham số định xung nhịp thời gian bit sau tại dụng cụ thử nghiệm thẻ:

Bảng 51 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

e) Thực hiện một T=1 điển hình và ứng dụng quy định truyền thông với thẻ ít nhất trong 1s.

f) Lặp lại d) đến e) với từng hệ số etu được cung cấp.

6.3.2.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.3.3  Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định phản ứng của thẻ liên quan đến CWT (xem TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), Điều 7, 11.4.3).

CHÚ THÍCH  Ký hiệu sử dụng trong mô tả của qui trình sau đây được xác định trong TCVN 11167-4:2016 (ISO/IEC 7816-4:2005).

6.3.3.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.3.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Được đặt trong một tệp rõ ràng được tạo bởi ít nhất 2 byte.

b) Gửi một khối n byte đến thẻ với CWT được công bố trong ATR.

c) Ghi lại sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng thẻ.

Kịch bản 1 - Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT)

6.3.3.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng thẻ.

6.3.4  Phản ứng thẻ tới IFD vượt quá thời gian chờ ký tự (CWT)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định phản ứng của thẻ trên IFD vượt quá CWT (xem 5.2.5, Điều 7, 11.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.4.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.4.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Gửi ít hơn n byte của một khối n byte đến thẻ.

b) Ghi lại sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng thẻ.

CHÚ THÍCH  Phản ứng của thẻ về các va chạm có thể là kết quả của việc bị gián đoạn cần được điều tra.

6.3.4.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng thẻ.

6.3.5  Thời gian bảo vệ khối (BGT)

Mục đích của thử nghiệm này là đo thời gian giữa các cạnh dẫn của 2 ký tự liên tiếp (BGT) gửi theo các hướng ngược nhau (xem 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.5.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.5.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

6.3.5.2.1  Qui trình 1

a) Được đặt trong một tệp rõ ràng được tạo bởi ít nhất 2 byte.

b) Xây dựng một khối-l chính xác

c) Gửi khối-l đến thẻ.

d) Thẻ nên đáp ứng với một khối-l chính xác theo Nguyên tắc 1.

Kịch bản 2 - Thời gian bảo vệ khối (BGT), Qui trình 1

e) Ghi lại bắt đầu định xung nhịp thời gian với bit bắt đầu của ký tự cuối cùng từ dụng cụ thử nghiệm thẻ cho đến bit bắt đầu của ký tự đầu tiên của đáp ứng thẻ.

6.3.5.2.2  Qui trình 2

a) Được đặt trong một tệp rõ ràng được tạo bởi ít nhất 2 byte.

b) Xây dựng một khối-l với một EDC sai (ký tự phát hiện lỗi).

c) Gửi khối-l đến thẻ.

d) Thẻ phải gửi chính xác một khối R báo chưa nhận (NAK) chỉ ra một lỗi EDC trong byte kiểm soát giao thức (PCB) theo Nguyên tắc 7.1:

Kịch bản 3 - Thời gian bảo vệ khối (BGT), Qui trình 2

e) Ghi bắt đầu định xung nhịp thời gian với bít bắt đầu của ký tự cuối cùng của dụng cụ thử nghiệm thẻ cho đến bít bắt đầu của ký tự đầu tiên của đáp ứng thẻ (xem 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.5.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo việc định xung nhịp thời gian được ghi lại.

6.3.6  Xếp thứ tự khối bởi thẻ

Mục đích của thử nghiệm này là xác định phản ứng của thẻ đối với một lỗi truyền dẫn (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

Khối bị lỗi: khối bị truyền lỗi, ví dụ như một hay nhiều ký tự mắc sai lỗi về bit chẵn lẻ, hoặc một lỗi trong phần kết thúc.

6.3.6.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.6.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

6.3.6.2.1  Qui trình 1

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi khối có sai lỗi đến thẻ.

c) Nếu thẻ không bắt đầu gửi một khối trong BWT hoặc gửi R (0) sau đó gửi các khối chính xác một lần nữa.

Kịch bản 4 - Xếp thứ tự khối bởi thẻ, Qui trình 1

d) Ghi lại đáp ứng của thẻ.

6.3.6.2.2  Qui trình 2

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi khối l(0,0) đến thẻ, với trường INF chứa một lệnh hỗ trợ bởi thẻ.

c) Đợi trả lời của thẻ và gửi khối có sai lỗi đến thẻ.

d) Nếu thẻ không bắt đầu gửi một khối trong BWT hoặc gửi R(1) với bit b1 của PCB đặt là 1 sau đó gửi khối bị lỗi lặp lại 3 lần.

Kịch bản 5 - Xếp thứ tự khối bởi thẻ, Qui trình 2

e) Ghi lại đáp ứng của thẻ bao gồm có hay không việc thẻ ở trạng thái câm lặng sau khi nhận khối cuối cùng.

6.3.6.2.3  Qui trình 3 (với liên kết chuỗi)

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi khối 1(0,1) đến thẻ, với trường INF chứa một lệnh cần móc chuỗi hỗ trợ bởi thẻ.

c) Đợi trả lời của thẻ và gửi khối có sai lỗi đến thẻ.

d) Nếu thẻ không bắt đầu gửi một khối trong BWT hoặc gửi R(1) với bit b1 của PCB đặt là 1 sau đó gửi lại khối bị lỗi.

Kịch bản 6 - Xếp thứ tự khối bởi thẻ, Quy trình 3 (với liên kết chuỗi)

e) Ghi lại phản ứng của thẻ.

6.3.6.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của thẻ đối với từng qui trình.

6.3.7  Đáp ứng của thẻ đối với lỗi giao thức

Mục đích của thử nghiệm này là phân tích phản ứng của thẻ đối với một lỗi giao thức (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

Khối hỏng: Khối không hợp lệ với mã hóa PCB chưa biết, hoặc mã hóa PCB đã biết với sai lỗi N(S), N(R) hoặc M, hoặc PCB không phù hợp với khối dự kiến.

6.3.7.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.7.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi một khối bị lỗi đến thẻ.

c) Nếu thẻ không bắt đầu gửi một khối trong BWT hoặc gửi R(0) với bit b2 của PCB đặt là 1 sau đó gửi khối chính xác. Nếu thẻ ở trạng thái câm lặng thử nghiệm kết thúc tại điểm này.

Kịch bản 7 - Đáp ứng của thẻ đối với các lỗi giao thức

Thử nghiệm này có thể được lặp lại với các kiểu PCB bị sai lỗi khác nhau.

6.3.7.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của thẻ.

6.3.8  Khôi phục lỗi truyền dẫn bởi thẻ

Mục đích của thử nghiệm này là phân tích phản ứng của thẻ đối với một báo chưa nhận (NAK) (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

Báo chưa nhận (NAK): Khối R với N(R) ra khỏi chuỗi.

6.3.8.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.8.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi khối 1(0,0) đến thẻ, với trường INF chứa một lệnh hỗ trợ bởi thẻ (Đọc nhị phân của 2 byte không có khoảng bù) và đợi trả lời chứa trong khối 1(0,0) hoặc 1(1,0).

c) Gửi R(0) hoặc R(1) đến thẻ. Nhận đáp ứng của thẻ.

d) Thẻ phải lặp lại khối l.

Kịch bản 8 - Khôi phục một lỗi truyền dẫn bởi thẻ

6.3.8.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của thẻ.

6.3.9  Đồng bộ lại

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra cách hoạt động của thẻ sau đồng bộ hóa lại (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.9.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.9.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Khởi động lại thẻ.

b) Trao đổi 2 khối-l theo từng hướng với một lệnh được hỗ trợ bởi thẻ.

c) Gửi 2 khối báo chưa nhận (NAK) và sau đó một khối S(RESYNCH yêu cầu) đến thẻ.

d) Ghi lại đáp ứng của thẻ.

e) Nếu thẻ gửi S(RESYNCH đáp ứng), gửi khối l(0,0).

f) Ghi lại đáp ứng của thẻ.

Kịch bản 9 - Đồng bộ lại

6.3.9.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của thẻ.

6.3.10  Thỏa thuận IFSD

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra thỏa thuận IFSD (xem 11.4.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816- 3)).

6.3.10.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.10.2  Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệm thẻ.

a) Khởi động lại thẻ.

b) Trao đổi 1 khối-l theo từng hướng với một lệnh được hỗ trợ bởi thẻ.

c) Gửi khối S(IFS yêu cầu) đến thẻ.

Kịch bản 10 - Thỏa thuận IFSD

d) Ghi lại đáp ứng của thẻ.

6.3.10.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo đáp ứng của thẻ.

6.3.11  Bỏ qua khi lỗi bởi IFD

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra cách hoạt động bỏ qua khi lỗi móc chuỗi của thẻ (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.11.1  Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.11.2  Qui trình

a) Khởi động lại thẻ.

b) Trao đổi 1 khối-l theo từng hướng với một lệnh được hỗ trợ bởi thẻ.

c) Gửi khối 1(1,1) đến thẻ, với trường INF chứa một lệnh cần móc chuỗi được hỗ trợ bởi thẻ.

d) Đợi trả lời của thẻ và gửi S(yêu cầu ABORT).

Kịch bản 11 - Bỏ qua khi lỗi bởi IFD

e) Ghi lại sự có mặt, nội dung của một đáp ứng của thẻ.

6.3.11.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo sự có mặt và nội dung của một đáp ứng của thẻ.

7  Phương pháp thử đặc tính vật lý và điện của IFD

7.1  Kích hoạt các tiếp xúc

Mục đích của thử nghiệm này là xác định chuỗi kích hoạt các tiếp xúc trong khi kích hoạt pha kích hoạt thẻ (xem 6.1, 6.2.1, 6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.1.1  Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.1.2  Qui trình

Nối IFD với dụng cụ thử nghiệm IFD.

a) Đo mức và định xung nhịp thời gian của tín hiệu trên các tiếp xúc IFD ít nhất trong 1s.

b) Kích hoạt IFD.

c) Đo mức và định xung nhịp thời gian của tín hiệu trên các tiếp xúc IFD ít nhất trong 1s.

Các hoạt động cần thiết để ‘Kích hoạt IFD’ phụ thuộc nhiều vào việc kiến tạo IFD. Chúng phải bao gồm tất cả các hoạt động cần thiết cho đến khi IFD cung cấp qui trình ‘Khởi động lại lạnh của thẻ’ như định nghĩa trong 6.2.1 TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

7.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các mức ghi được và định xung nhịp thời gian của tín hiệu trên tất cả các tiếp xúc IFD.

Phải sử dụng giá trị 20 ns như trễ nhỏ nhất giữa hai chuyển tiếp tín hiệu tiếp sau trong khi kích hoạt các tiếp xúc cho đến khi một giá trị phân biệt được xác định trong TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

7.2  Tiếp xúc VCC

Mục đích của thử nghiệm này là đo điện áp được cung cấp bởi IFD trên tiếp xúc VCC (xem 5.2.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.2.1  Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.2.2  Qui trình

Kết nối IFD đến dụng cụ thử nghiệm-IFD.

a) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụ thử nghiệm IFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD):

Bảng 52 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

b) Kích hoạt IFD.

c) IFD khởi động lại dụng cụ thử nghiệm IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

d) Tạo một ATR với tham số sau đây:

Bảng 53 - Tham số ATR

e) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

f) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệm IFD. Trong toàn bộ truyền thông tạo các đỉnh nhọn dòng điện ngẫu nhiên từ 1 kHz đến 100 kHz trong dải xác định theo 5.2.1, TCVN 11167- 3 (ISO/IEC 7816-3). Trong truyền thông này, tín hiệu sau phải được giám sát liên tục và các giá trị sau được xác định:

Bảng 54 - Giá trị được xác định

g) Nếu IFD tạo một dừng xung đồng hồ (xem 6.3.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)), thiết lập tham số lcc tại dụng cụ thử nghiệm IFD đến lcc lớn nhất về thời gian của dừng xung đồng hồ. Trong quá trình dừng xung đồng hồ, tín hiệu phải được kiểm soát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 54 được xác định.

h) Vô hiệu hóa IFD.

i) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụ thử nghiệm IFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD):

Bảng 55 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

j) Kích hoạt IFD.

k) IFD khởi động lại dụng cụ thử nghiệm IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

l) Tạo một ATR tham số sau đây:

Bảng 56 - Tham số ATR

m) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

n) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệm IFD. Trong toàn bộ truyền thông tạo những đỉnh nhọn dòng điện ngẫu nhiên từ 1 kHz đến 100 kHz trong dải xác định theo 5.2.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)

Trong truyền thông này tín hiệu sau phải được giám sát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 54 được xác định.

o) Nếu IFD tạo một dừng xung đồng hồ (xem 6.3.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)), thiết lập tham số lcc tại dụng cụ thử nghiệm IFD đến lcc lớn nhất về thời gian của dừng xung đồng hồ. Trong quá trình dừng xung đồng hồ tín hiệu phải được kiểm soát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 54 được xác định.

p) Vô hiệu hóa IFD.

q) Lặp lại bước a) đến p) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ bởi IFD.

7.2.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo xác định giá trị Ucc nhỏ nhất, Ucc lớn nhất cho tất cả các kịch bản trên cùng với các điều kiện đo lường (lcc và Fi).

7.3  Tiếp xúc I/O

Mục đích của thử nghiệm này là đo điện dung tiếp xúc của tiếp xúc I/O, các điện áp I/O đầu ra (U_OH, U_OL) dưới các điều kiện hoạt động thông thường (I_OL lớn nhất/nhỏ nhất và I_OH lớn nhất/nhỏ nhất), I/O t_R và t_F rõ ràng chế độ truyền dẫn của IFD và dòng I/O đầu ra (I_IL) rõ ràng trong chế độ tiếp nhận của IFD.

7.3.1  Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.3.2  Qui trình

Nối IFD với dụng cụ thử nghiệm IFD.

a) Đo điện dung CIO của l/O-tiếp xúc.

b) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụ thử nghiệm IFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD):

Bảng 57 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

c) Kích hoạt IFD.

d) IFD khởi động lại dụng cụ thử nghiệm IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

e) Tạo một ATR.

f) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệm IFD. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau đây được xác định:

Bảng 58 - Giá trị được xác định

g) Vô hiệu hóa IFD.

h) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụ thử nghiệm IFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD) như chỉ ra trong Bảng 59:

Bảng 59 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

i) Khởi động lại thẻ.

j) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này các đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 58 được xác định.

k) Vô hiệu hóa IFD.

l) Lặp lại bước b) đến k) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

7.3.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu dung lượng của l/O tiếp xúc, giá trị xác định theo qui trình và tất cả các truyền thông phải phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

7.4  Tiếp xúc CLK

Mục đích của thử nghiệm này là xác định đặc tính của tín hiệu CLK (xem 5.2.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.4.1  Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.4.2  Qui trình

Nối IFD với dụng cụ thử nghiệm IFD.

a) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụ thử nghiệm IFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD).

Bảng 60 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

b) Kích hoạt IFD.

c) IFD khởi động lại dụng cụ thử nghiệm-IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

d) Tạo một ATR tham số sau đây:

Bảng 61 - Tham số ATR

e) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

f) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệm IFD. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau đây được xác định:

Bảng 62 - Giá trị được xác định

g) Vô hiệu hóa IFD.

h) Thiết lập tham số in Dụng cụ thử nghiệm IFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD) như chỉ ra trong Bảng 63.

Bảng 63 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

i) Kích hoạt IFD.

j) IFD khởi động lại dụng cụ thử nghiệm IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

k) Tạo một ATR với tham số chỉ ra trong Bảng 61.

l) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

m) IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệm IFD. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 62 được xác định:

n) Vô hiệu hóa IFD.

o) Lặp lại bước a) đến n) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

7.4.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu giá trị xác định theo qui trình, tham số tương ứng và tất cả các truyền thông phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

7.5  Tiếp xúc RST

Mục đích của thử nghiệm này là xác định đặc tính của tín hiệu RST (xem 5.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.5.1  Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.5.2  Qui trình

Nối IFD với dụng cụ thử nghiệm IFD.

a) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụ thử nghiệm IFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD):

Bảng 64 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

b) Kích hoạt IFD.

c) IFD khởi động lại dụng cụ thử nghiệm IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

d) Tạo một ATR.

e) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

f) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệm IFD. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau đây được xác định:

Bảng 65 - Giá trị được xác định

g) Vô hiệu hóa IFD.

h) Thiết lập tham số trong dụng cụ thử nghiệm IFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi FD) như chỉ ra trong Bảng 66:

Bảng 66 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

i) Kích hoạt IFD.

j) IFD khởi động lại dụng cụ thử nghiệm IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

k) Tạo một ATR.

l) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

m) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệm IFD. Trong truyền thông này đặc tính và giá trị chỉ ra trong Bảng 65 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

n) Vô hiệu hóa IFD.

o) Lặp lại bước a) đến n) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

7.5.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo giá trị xác định trong qui trình và tham số tương ứng.

7.6  Tiếp xúc SPU (C6)

Thử nghiệm này chỉ nên áp dụng khi SPU (C6) trong thẻ không cách điện, hạng mục đích của thử nghiệm này là đo điện áp được cung cấp bởi IFD trên tiếp xúc SPU (C6) (xem 5.2.4, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.7  Vô hiệu hóa các tiếp xúc

Mục đích của thử nghiệm này là xác định trình tự Vô hiệu hóa các tiếp xúc bởi IFD (xem 6.4, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.7.1  Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.7.2  Qui trình

Nối IFD với dụng cụ thử nghiệm IFD.

a) Kích hoạt IFD.

b) IFD khởi động lại dụng cụ thử nghiệm IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

c) Tạo một ATR.

d) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

e) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệm IFD. Đối với mỗi qui trình vô hiệu hóa trong hoặc cuối truyền thông, việc bắt đầu với cạnh đổ phía dưới của RST tín hiệu, tiếp tục kiểm soát các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O và ghi điện áp và định xung nhịp thời gian của tất cả các chuyển tiếp tín hiệu trên các tiếp xúc này.

Phải dùng giá trị bằng 20 ns như trễ nhỏ nhất giữa 2 chuỗi chuyển tiếp tín hiệu trong quá trình kích hoạt các tiếp xúc đến khi một giá trị khác được xác định trong TCVN 11167-3(ISO/IEC 7816-3)

8  Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD

8.1  Trả lời để khởi động lại

8.1.1  Thiết lập thẻ (Khởi động lại lạnh)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định khởi động lại lạnh được cung cấp bởi IFD (xem 6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

8.1.1.1  Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.1.1.2  Qui trình

Nối IFD với dụng cụ-thử nghiệm-IFD.

a) Kích hoạt IFD.

b) Liên tục giám sát tín hiệu RST và xác định định xung nhịp thời gian (tương đối so với CLK-tín hiệu) và điện áp của tất cả các chuyển đổi trên các tiếp xúc RST ít nhất trong 1s.

8.1.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo điện áp và định xung nhịp thời gian của tất cả các chuyển tiếp tín hiệu trên tiếp xúc RST.

8.1.2  Thiết lập thẻ (Khởi động lại nóng)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định khởi động lại nóng cung cấp bởi IFD (xem 6.2.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.1.2.1  Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.1.2.2  Qui trình

Nối IFD với dụng cụ thử nghiệm IFD.

a) Kích hoạt IFD.

b) IFD khởi động lại dụng cụ - thử nghiệm - IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

c) Tạo một ATR.

d) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

e) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệm IFD. Trong truyền thông này tín hiệu RST phải được kiểm soát liên tục và điện áp và định xung nhịp thời gian (liên quan đến CLK tín hiệu) của bất kỳ việc truyền tín hiệu được ghi.

8.1.2.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo điện áp và định xung nhịp thời gian của tất cả các khởi động lại nóng được cung cấp bởi IFD, nếu có.

8.2  Giao thức T=0

Các thử nghiệm tiếp theo sau có thể chỉ được áp dụng nếu IFD hỗ trợ giao thức T=0.

CHÚ THÍCH  ε_t được xác định trong Bảng 14 - Định xung nhịp thời gian ký tự I/O (chế độ tiếp nhận).

8.2.1  Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này là xác định định xung nhịp thời gian của dữ liệu được truyền bởi IFD.

8.2.1.1  Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.2.1.2  Qui trình

Nối IFD với dụng cụ thử nghiệm IFD.

Trong quá trình thực hiện qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được giám sát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại:

a) Thiết lập thời gian bảo vệ lớn nhất tại IFD bởi việc thiết lập tham số N trong ATR đến 254 (xem 8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

b) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm.

c) Lặp lại a) đến b) với từng hệ số etu được cung cấp.

d) Lặp lại c) đối với tất cả các ứng dụng được hỗ trợ. Lựa chọn ứng dụng bằng cách thay đổi ATR và lựa chọn chế độ như mô tả trong 6.3.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

8.2.1.3  Báo cáo thử nghiệm