STT

Nhóm nguyên liệu, vật liệu

Mô tả

I

Công đoạn nghiên cứu và phát triển

1

Photoresist (Chất cản quang)

Vật liệu nhạy sáng dùng tạo mẫu thử nghiệm, sản xuất

2

Silicon tinh khiết siêu cao (Polysilicon)

Silicon độ tinh khiết rất cao dùng chế tạo phôi tinh thể đơn và cắt wafer

3

GaAs, SiC, GaN

Hợp chất bán dẫn phát triển công nghệ mới

4

Mặt nạ quang khắc thử nghiệm

Một mặt nạ quang khắc chứa nhiều loại cấu trúc linh kiện thử nghiệm, mẫu kiểm tra và bộ giám sát quy trình, không dùng cho sản phẩm thương mại

5

Graphene trên đế

Một lớp carbon dày một nguyên tử trên đế (ví dụ: đồng hoặc silicon), được nghiên cứu cho kênh transistor thế hệ tiếp theo

6

Lớp đơn TMD trên đế (MoS₂, WSe₂…)

Một lớp phân tử dày một đơn vị của hợp chất kim loại chuyển tiếp dichalcogenide (ví dụ: MoS₂, WSe₂), được nghiên cứu cho các linh kiện quang điện tử và transistor tiên tiến

7

Tiền chất mới độ tinh khiết cao (ALD/CVD)

Lượng nhỏ của các tiền chất hóa học hữu cơ kim loại hoặc vô cơ mới với độ tinh khiết cao để phát triển các màng mỏng ALD/CVD thế hệ tiếp theo

8

Chất cản quang thử nghiệm

Các lô nhỏ công thức cản quang mới (ví dụ: chất cản quang oxit kim loại cho EUV mới) do các nhà cung cấp cung cấp để phát triển và đánh giá quy trình

II

Công đoạn sản xuất chip

9

Tấm wafer

Polysilicon được nấu chảy, tạo thành phôi tinh thể đơn, sau đó cắt lát, làm sạch, đánh bóng, oxy hóa trước khi khắc mạch. Vật liệu phổ biến nhất để sản xuất wafer là Silicon, nhưng cũng có các tấm wafer gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN) và silicon carbide (SiC) cho một số ứng dụng nhất định

10

Photoresist (Chất cản quang)

Vật liệu nhạy sáng dùng tạo mẫu thử nghiệm, sản xuất

11

Photomask

Tấm nền có khắc hoa văn vi mạch và được dùng trong quang khắc

13

Hóa chất xử lý wafer

Dùng trong khắc, rửa, và tẩy lớp phủ (etching/cleaning/stripping)

14

Vật tư CMP

Vật tư dùng cho mài, đánh bóng cơ học, hoá học (slurry, pad, conditioner) để làm phẳng bề mặt wafer

15

Bia/Đích phún xạ (Sputtering targets)

Vật liệu bia PVD để lắng đọng màng mỏng kim loại/hợp kim

16

Phôi mặt nạ quang

Tấm thạch anh độ tinh khiết cao là nguyên liệu cho mặt nạ quang DUV và EUV

18

Dung dịch lắng đọng điện hóa (ECD)

Dung dịch mạ gốc đồng, cùng với các chất phụ gia độc quyền, dùng để lấp đầy các rãnh nối đồng

21

Chất cản quang

Polymer nhạy sáng được tối ưu hóa cho quang khắc

22

Lớp phủ chống phản xạ (BARC/TARC)

Các lớp phủ được áp dụng dưới hoặc trên chất cản quang để hấp thụ các phản xạ ánh sáng lạc, cải thiện độ nét của mẫu

23

Dung dịch hiện hình (TMAH)

Dung dịch Tetramethylammonium hydroxide có nồng độ được kiểm soát chính xác, dùng để hòa tan chọn lọc chất cản quang

24

Vật liệu phủ quay (SOC, SOG, SOD)

Các vật liệu lỏng (Carbon, Thủy tinh, Điện môi) được quay lên wafer để tạo ra mặt nạ cứng hoặc các lớp cách điện

25

Chất tăng cường bám dính (HMDS)

Hóa chất (Hexamethyldisilazane) xử lý bề mặt wafer để đảm bảo chất cản quang bám dính tốt

26

Chất lỏng quang khắc nhúng

Chất lỏng được sử dụng giữa thấu kính cuối cùng và wafer trong các máy quét 193i, cho phép tạo mẫu có độ phân giải cao hơn

27

Bia phún xạ

Bia kim loại/hợp kim độ tinh khiết cao (ví dụ: Cu, Ta, Ti, Al, W, Co) được sử dụng trong các hệ thống PVD để lắng đọng các màng mỏng

28

Các loại khí chuyên dụng

Khí khối (N₂, Ar, O₂, H₂, He); Khí ăn mòn; Khí làm sạch buồng, Khí lắng đọng, Khí pha tạp, Hỗ hợp khí cho laser Excimer

29

Vật liệu Mảng Lọc màu (CFA)

Các sắc tố màu có thể quang khắc được quay và tạo mẫu để hình thành bộ lọc màu cho cảm biến hình ảnh

30

Vật liệu Polymer cho Thấu kính vi mô

Một polymer được tạo mẫu trên mỗi pixel và sau đó được nấu chảy lại để tạo thành một thấu kính nhỏ giúp tập trung ánh sáng

III

Công đoạn đóng gói, kiểm thử

31

Khung dẫn (leadframes)

Dùng để nâng đỡ và cố định chip bán dẫn; tạo kết nối điện giữa chip và bảng mạch; tản nhiệt và bảo vệ cơ học cho chip bán dẫn

32

Đế mạch (substrates)

Vật liệu nền cách điện có nguồn gốc polymer hoặc composite được sử dụng để gắn chip; kết nối điện giữa chip và bảng mạch; tản nhiệt và bảo vệ cơ học cho chip bán dẫn

33

Gói gốm (ceramic packages)

Vỏ đóng gói chip bán dẫn sử dụng vật liệu gốm cách điện và dẫn nhiệt tốt, giúp bảo vệ chip, đảm bảo kết nối điện ổn định và tản nhiệt hiệu quả

34

Nhựa bọc (encapsulation resins)

Vật liệu polymer chuyên dụng để bảo vệ chip; cách điện và dẫn nhiệt tốt, giúp bảo vệ chip, đảm bảo kết nối điện ổn định và tản nhiệt hiệu quả

35

Dây kết nối (bonding wires)

Sợi kim loại siêu mảnh để kết nối điện giữa chip bán dẫn và các chân đầu ra

36

Keo gắn chip (die-attach materials)

Vật liệu kết dính chuyên dụng được sử dụng để gắn chip bán dẫn lên đế kim loại

37

Tấm xen kẽ Silicon

Một miếng silicon mỏng với hệ thống dây dọc mật độ cao (TSV), được sử dụng làm cầu nối để kết nối nhiều die, bao gồm tấm xen kẽ Silicon và thủy tinh

38

Băng cắt

Một màng PVC có lớp dính phía sau giữ wafer trên một khung kim loại trong quá trình cắt

39

Màng gắn Die (DAF)

Một màng dính mỏng, được tạo hình sẵn, được sử dụng để gắn chính xác die bán dẫn vào đế hoặc khung chì

40

Hợp chất đúc Epoxy

Một vật liệu epoxy dạng hạt được nấu chảy và ép chuyển để bao bọc die và các dây nối.

41

Chất trám nắp / Hàn

Vật liệu được sử dụng để gắn nắp kim loại hoặc gốm vào một gói, tạo ra một lớp bịt kín

42

Bi hàn / Cầu hàn

Các quả cầu hàn được tạo hình sẵn gắn vào đáy của gói BGA để tạo kết nối cuối cùng.

43

Keo hàn

Một loại keo được sử dụng trong Công nghệ Gắn bề mặt (SMT) và cho một số quy trình gắn flip-chip

44

Trụ / Bướu đồng

Các trụ đồng được mạ là phương pháp kết nối chính cho đóng gói flip-chip mật độ cao hiện đại

45

Tấm tản nhiệt tích hợp (IHS)

Nắp kim loại tiếp xúc với đỉnh của die, bảo vệ nó và tản nhiệt

46

Vật liệu giao diện nhiệt 1 (TIM1)

Vật liệu được áp dụng giữa die bán dẫn và tấm tản nhiệt để đảm bảo truyền nhiệt hiệu quả (TIM1 and 2)

47

Bướu hàn vi mô

Các bướu hàn nhỏ kết nối các die hoạt động (ví dụ: GPU, CPU) với tấm xen kẽ silicon.

48

Chồng bộ nhớ băng thông cao (HBM)

Một khối các die DRAM được xếp chồng lên nhau đã được đóng gói sẵn, được kết nối bằng TSV, tích hợp bên cạnh một die logic

49

Mâm cặp tĩnh điện (ESC)

Bệ kẹp wafer bằng lực tĩnh điện và kiểm soát nhiệt độ của nó. Một vật tư tiêu hao có tuổi thọ giới hạn

50

Vòi sen / Tấm phân phối khí

Một tấm có các lỗ nhỏ giúp đưa khí xử lý vào buồng một cách đồng đều

51

Tấm lót & Tấm chắn buồng

Các tấm chắn có thể tháo rời bảo vệ thành buồng chính khỏi môi trường plasma ăn mòn

52

Vòng hội tụ & Vòng cạnh

Các vòng bao quanh wafer để định hình mật độ plasma và cải thiện độ đồng đều của quy trình ở cạnh wafer

53

Sợi đốt / Buồng hồ quang nguồn ion

Bộ phận tiêu hao trong máy cấy ion tạo ra các ion ban đầu cho chùm tia

54

Kim loại & Hợp kim hiệu suất cao

Được sử dụng để chế tạo khung thiết bị, thân buồng, giá đỡ kết cấu và các đồ gá tùy chỉnh

55

Gốm kỹ thuật

Được sử dụng để chế tạo các bộ phận chắc chắn, không dẫn điện và chống mài mòn như đầu kẹp robot và chất cách điện

56

Polymer hiệu suất cao

Được sử dụng để chế tạo các bộ phận yêu cầu khả năng chống hóa chất, ma sát thấp và tạo ra ít hạt

57

Vật liệu quang học

Nguyên liệu thô để chế tạo các cửa sổ quan sát, cửa sổ, thấu kính và các bộ phận quang học khác

58

Nam châm đất hiếm

Được sử dụng trong các máy bơm turbo phân tử, động cơ robot, hệ thống treo từ và bộ cách ly

59

Chất lỏng truyền nhiệt

Các chất lỏng công nghiệp được tuần hoàn trong các vòng làm lạnh lớn cung cấp khả năng làm mát cho tất cả các thiết bị nhà máy

60

Dầu bơm chân không

Dầu Perfluoropolyether (PFPE) được sử dụng trong một số loại bơm chân không "ướt" yêu cầu tính trơ hóa học cao

STT

Nhóm thiết bị, máy móc, công cụ

Mô tả

I

Công đoạn thiết kế, nghiên cứu và phát triển

1

Thiết bị đo chính xác (profilometer, ellipsometer…)

Đo bề mặt mẫu thô, thử nghiệm tính chất vật liệu

2

MBE / ALD / MOCVD

Hệ thống lắng đọng epitaxy dùng trong nghiên cứu cấu trúc lớp mỏng

3

FOUP / SMIF pods

Module bảo vệ wafer trong môi trường nghiên cứu sạch

4

Khung máy phân tích tham số

Khung máy và bộ điều khiển chứa các mô-đun nguồn/đo khác nhau để kiểm tra điện

5

Thiết bị/ Mô-đun đo đặc tính điện

Một nhóm các mô-đun cắm thêm được thiết kế để đo đặc tính điện của các linh kiện bán dẫn. Bao gồm các mô-đun có khả năng cấp và đo điện áp/dòng điện (đo I-V), phát xung để kiểm tra đáp ứng tức thời và độ tin cậy, cũng như đo điện dung – điện áp (C-V) nhằm phân tích lớp điện môi cổng và hồ sơ pha tạp

6

Trạm dò

Dùng để kiểm tra điện ban đầu hoặc toàn bộ wafer của các linh kiện bán dẫn, có sẵn dưới dạng cấu hình thủ công hoặc bán tự động

7

Máy phân tích mạng và nhiễu

Một hệ thống chuyên dụng để đo đặc tính hiệu suất tần số cao (tham số S) và nhiễu tần số thấp của transistor

8

Kính hiển vi chuyên dụng

Thiết bị tạo hình ảnh 3D bề mặt ở cấp độ nguyên tử bằng đầu dò quét và phát hiện khuyết tật bên trong chip đã đóng gói hoặc wafer được liên kết bằng siêu âm tần số cao

9

Máy nhiễu xạ tia X (XRD)

Một thiết bị sử dụng nhiễu xạ tia X để phân tích độ tinh thể, ứng suất và pha của các màng mỏng

10

Nền tảng công cụ cụm mô-đun

Một nền tảng tích hợp cho phép gắn các mô-đun xử lý khác nhau để xử lý tuần tự mà không phá vỡ chân không

11

Máy cấy ion nghiên cứu

Một máy cấy ion linh hoạt có khả năng xử lý nhiều loại nguyên tố ở các năng lượng và liều lượng khác nhau cho các cấu hình pha tạp thử nghiệm

II

Công đoạn sản xuất

12

Thiết bị chế tạo wafer

Thiết bị được sử dụng trong quy trình sản xuất wafer

13

Thiết bị quang khắc

Thiết bị chuyên dụng trong sản xuất chip bán dẫn thông qua việc chiếu ánh sáng cực tím (UV/DUV/EUV) qua hệ thống thấu kính chính xác cao để tạo ra các chi tiết trên bề mặt phiến silicon có kích thước và hình dạng giống như thiết kế, đáp ứng cả công nghệ quang khắc truyền thống và tiên tiến

14

Thiết bị cấy Ion

Thiết bị được sử dụng để thẩm thấu các tạp chất vào tấm silicon để thay đổi đặc tính về điện ở các vùng khác nhau một cách có kiểm soát nhằm tạo ra các thành phần của chip bán dẫn

15

Thiết bị ăn mòn

Thiết bị ăn mòn plasma hoặc hóa học trên wafer bán dẫn

16

Thiết bị lắng đọng màng mỏng

Thiết bị được sử dụng để phủ một lớp vật liệu mỏng (bằng các công nghệ như PVD/PECVD/LPCVD/ALD/Epi/ECD) có độ chính xác cao lên bề mặt của wafer nhằm tạo các lớp cách điện hoặc lớp dẫn điện để xây dựng các cấu trúc trong chip bán dẫn

17

Hệ thống kiểm tra và đo lường wafer

Hệ thống kiểm tra, phát hiện khuyết tật và kiểm soát chất lượng

18

Thiết bị làm sạch bằng Plasma

Thiết bị sử dụng plasma để làm sạch, bao gồm hệ thống loại bỏ lớp cản quang sau quang khắc và làm sạch nội bộ buồng xử lý

19

Lò đứng

Một lò lớn để xử lý hàng loạt lên đến 150 wafer cho các quá trình nhiệt kéo dài như oxy hóa, khuếch tán và ủ

20

Hệ thống xử lý nhiệt nhanh (RTP)

Một hệ thống xử lý từng wafer sử dụng đèn cường độ cao cho các chu kỳ gia nhiệt và làm mát rất nhanh

21

Công cụ làm phẳng hóa học-cơ học (CMP)

Thiết bị làm phẳng bề mặt wafer bằng cách ép nó vào một tấm đánh bóng đang quay với sự có mặt của bùn hóa học

22

Công cụ phun rửa từng wafer

Một công cụ để làm sạch từng wafer với độ chính xác cao bằng cách sử dụng hóa chất phun và năng lượng siêu âm để loại bỏ các hạt

23

Máy bước i-Line/g-Line

Các công cụ quang khắc chính cho các nút quy trình cũ, sử dụng đèn hồ quang thủy ngân làm nguồn sáng

24

Lò phản ứng Epitaxial (EPI) dày

Một lò phản ứng Epi chuyên dụng có khả năng nuôi các lớp silicon rất dày, chất lượng cao, cần thiết cho các vùng trôi điện áp cao

25

Bồn ướt / Trạm làm sạch tự động

Một trạm tự động di chuyển các hộp wafer qua nhiều bể hóa chất để làm sạch nhiều bước

26

Robot xử lý Wafer 200mm/150mm

Các cánh tay robot và hệ thống tự động hóa được thiết kế cho các kích thước wafer nhỏ hơn, là tiêu chuẩn trong các fab có nút quy trình cũ

27

Máy liên kết Wafer

Thiết bị liên kết một wafer silicon đã xử lý với một wafer khác để bao bọc và bảo vệ các cấu trúc MEMS

III

Công đoạn đóng gói, kiểm thử

28

Thiết bị cắt wafer

Thiết bị cắt wafer thành các chip riêng lẻ

29

Thiết bị đóng gói

Kết nối chip vào leadframe hoặc substrate

30

Thiết bị hàn dây

Gắn dây vàng/nhôm giữa chip và leadframe

31

Thiết bị kiểm tra

Kiểm tra điện/tín hiệu của chip sau đóng gói

32

Thiết bị dán/chống ẩm

Bảo vệ chip khỏi ẩm, bụi

33

Hệ thống mài mặt sau Wafer

Một máy mài chính xác làm mỏng wafer từ mặt sau đến một độ dày xác định, cần thiết cho các gói mỏng

34

Máy gắn Wafer

Một máy tự động gắn wafer đã được làm mỏng lên một khung cắt với băng dính cắt

35

Máy gắn Die

Một hệ thống robot tự động gắp các die riêng lẻ từ wafer đã cắt và đặt chúng chính xác lên đế

36

Máy gắn Flip-Chip

Một máy có độ chính xác cao giúp căn chỉnh và liên kết một flip-chip với đế bằng áp suất và nhiệt

37

Máy nối dây

Một hệ thống robot tự động sử dụng năng lượng siêu âm và áp suất để tạo ra các kết nối dây mỏng như sợi tóc

38

Máy làm sạch bằng Plasma (Đóng gói)

Một hệ thống được sử dụng để làm sạch các khung chì và đế trước khi gắn die hoặc đúc để cải thiện độ bám dính của vật liệu

39

Hệ thống phân phối Epoxy

Một hệ thống phân phối chính xác lượng vật liệu lỏng được kiểm soát như chất làm đầy dưới chip hoặc chất bao phủ glob top

40

Hệ thống đúc

Một hệ thống tự động bao bọc các chip đã lắp ráp bằng hợp chất đúc epoxy để cung cấp sự bảo vệ vật lý

41

Hệ thống khắc Laser

Một hệ thống sử dụng tia laser để khắc vĩnh viễn lên đỉnh của gói với số hiệu bộ phận, logo và mã truy xuất nguồn gốc

42

Hệ thống tách gói

Một hệ thống cưa hoặc cắt laser các dải hoặc tấm gói đã đúc thành các đơn vị hoàn chỉnh riêng lẻ

43

Máy gắn bi hàn

Một máy đặt chính xác các bi hàn lên các đệm của gói BGA

44

Máy dò Wafer

Một hệ thống robot xử lý các wafer, căn chỉnh chúng và đưa chúng tiếp xúc với một thẻ dò để kiểm tra ở cấp độ wafer

45

Bộ xử lý kiểm tra

Một hệ thống robot xử lý các chip đã đóng gói cuối cùng, đặt chúng vào một đế cắm kiểm tra và phân loại chúng vào các thùng dựa trên kết quả kiểm tra

46

Mô-đun nâng dọc (VLM) / Băng chuyền dọc

Một hệ thống tự động để lưu trữ và lấy hàng mật độ cao cho các phụ tùng và vật tư tiêu hao

47

Xe đẩy & Xe đẩy chống tĩnh điện (ESD)

Xe đẩy có dây nối đất và bánh xe dẫn điện để di chuyển vật liệu thủ công trong khu vực được kiểm soát ESD

48

Xe nâng Pallet tương thích phòng sạch

Xe nâng tay hoặc điện có bánh xe không bong tróc, chống tĩnh điện và bề mặt dễ lau chùi để sử dụng trong môi trường được kiểm soát

49

Robot di động tự hành (AMR)

Các phương tiện robot được sử dụng để tự động vận chuyển pallet, xe đẩy hoặc hộp từ khu vực nhận hàng đến kho hoặc sản xuất

50

Cân / Hệ thống cân bình khí

Các cân được kết nối với WMS, liên tục cân các bình khí hóa lỏng để theo dõi lượng còn lại của chúng

51

Hệ thống chùm tia kép (FIB/SEM)

Nền tảng của Phân tích lỗi (FA); sử dụng Chùm ion hội tụ (FIB) để phay một mặt cắt chính xác và một SEM tích hợp để chụp ảnh nó

52

Kính hiển vi

Cung cấp hình ảnh có độ phân giải ở cấp độ nguyên tử của mặt cắt của một thiết bị, cần thiết để phân tích cấu trúc cổng và giao diện màng

53

Hệ thống tháo vỏ tự động

Loại bỏ an toàn lớp vỏ epoxy của một con chip mà không làm hỏng die hoặc dây nối, cho phép phân tích trực tiếp

54

Chụp ảnh nhiệt Lock-in/Ảnh nhiệt

Một hệ thống xác định các điểm nóng trên chip với độ nhạy cực cao bằng cách phát hiện các thay đổi nhiệt độ tương quan với một kích thích điện

55

Hệ thống đầu dò Nano

Một hệ thống với các đầu dò siêu nhỏ có thể được đặt trên các transistor hoặc các kết nối riêng lẻ bên trong kính hiển vi để đo chúng

56

Máy đánh bóng mặt cắt

Chuẩn bị các mặt cắt lớn hơn, không bị hư hại của một mẫu để phân tích bằng SEM, thường được sử dụng khi cần trường nhìn rộng hơn FIB

57

Quang phổ khối

Kiểm tra độ tinh khiết của các hóa chất khối và vật liệu xử lý đầu vào

58

Máy phân tích khí dư (RGA)

Phân tích thành phần của các khí bên trong một buồng chân không để chẩn đoán rò rỉ (ví dụ: không khí hoặc nước) hoặc ô nhiễm quy trình

59

Sắc ký khí-Khối phổ (GC-MS)

Tách, xác định và định lượng các hỗn hợp phức tạp của các hợp chất hữu cơ dễ bay hơi, được sử dụng để phân tích ô nhiễm

60

Hệ thống kiểm tra tuổi thọ hoạt động ở nhiệt độ cao (HTOL)

Một lò lớn có nhiều ổ cắm cấp nguồn và gây áp lực cho các thiết bị ở nhiệt độ cao trong hơn 1000 giờ để sàng lọc các hỏng hóc sớm

61

Buồng thử nghiệm ứng suất gia tốc cao (HAST)

Một buồng áp dụng nhiệt độ cao và độ ẩm cao dưới áp suất để đẩy nhanh các cơ chế hỏng hóc do độ ẩm gây ra

62

Buồng chu kỳ nhiệt / Sốc nhiệt

Một buồng di chuyển nhanh các thiết bị giữa các nhiệt độ cực nóng và lạnh để kiểm tra tính toàn vẹn cơ học của gói

63

Hệ thống kiểm tra Di chuyển điện (EM) & Di chuyển ứng suất (SM)

Một hệ thống gây áp lực lên các cấu trúc kết nối ở mật độ dòng điện và nhiệt độ cao để xác định tính nhạy cảm của chúng với hỏng hóc

64

Thiết bị kiểm tra ESD (HBM & CDM)

Thiết bị đưa các thiết bị vào các sự kiện phóng tĩnh điện được tiêu chuẩn hóa để xác định định mức độ bền ESD của chúng

65

Thiết bị kiểm tra Latch-Up động

Một hệ thống kiểm tra tính nhạy cảm của một thiết bị với hiện tượng chốt, một tình trạng trong đó một thyristor ký sinh được kích hoạt, gây ra đoản mạch