Quy chuẩn kỹ thuật QCVN 53:2011/BTTTT Thiết bị vi ba số SDH điểm - Điểm dải tần tới 15 GHz

2.1.3.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

	Z

CHÚ THÍCH:  Giao diện STM-4 hoặc 4xSTM-1 được sử dụng tại điểm Z và Z’.

(*):        Không có các bộ lọc.

(**):       Kết nối tại RF, IF hoặc băng gốc.

• Hình 2 - Sơ đồ khối hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

2.2. Đặc tính kỹ thuật của máy phát

Các đặc tính kỹ thuật của máy phát phải phù hợp với những tín hiệu băng gốc tương ứng áp dụng tại điểm tham chiếu Z’ trong sơ đồ khối.

2.2.1. Dung sai tần số vô tuyến

2.2.1.1. Đối với hệ thống STM-1

Đối với tất cả các dải tần xem xét, dung sai tần số vô tuyến cực đại không được vượt quá:

±30 ppm khi hoạt động trong môi trường loại 3.1 và 3.2;

±50 ppm hoặc ±400 kHz (chọn mức nghiêm ngặt hơn), khi hoạt động trong các môi trường loại khác.

Giới hạn này bao gồm cả các nhân tố ngắn hạn (hiệu ứng môi trường) và dài hạn (lão hóa).

CHÚ THÍCH: Loại 3.1: những khu vực điều khiển được nhiệt độ.

Loại 3.2: những khu vực điều khiển được một phần nhiệt độ.

(Xem Phụ lục E).

2.2.1.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

Dung sai tần số vô tuyến không được vượt quá ± 20 ppm. Giới hạn này bao gồm cả các nhân tố ngắn hạn (hiệu ứng môi trường) và dài hạn (lão hóa). Để đo kiểm, nhà sản xuất phải đảm bảo nhân tố ngắn hạn và khẳng định phần (thời gian) lão hóa.

2.2.1.3. Phương pháp đo

Mục đích

Thẩm tra tần số ra Tx có nằm trong các giới hạn đó được quy định trong tiêu chuẩn liên quan hay không. Khi các máy phát không thể đặt trong điều kiện CW thì nhà sản xuất phải thỏa thuận với phòng thí nghiệm được công nhận về phương pháp đo kiểm độ chính xác tần số.

Phương pháp thích hợp là sử dụng máy đếm tần số có khả năng đo được tần số trung tâm của tín hiệu điều chế. Khi không có kiểu máy đếm này thì phải đo tần số LO và tính tần số ra theo công thức thích hợp.

Thiết bị đo

Bộ đếm tần số.

Cấu hình đo

• Hình 3 - Cấu hình đo dung sai tần số vô tuyến

Thủ tục đo

Đặt Tx hoạt động ở điều kiện CW, các phép đo tần số được thực hiện trên kênh do đơn vị đo kiểm lựa chọn trước. Tần số đo được phải nằm trong khoảng dung sai công bố trong tiêu chuẩn liên quan.

2.2.2. Dải công suất phát

2.2.2.1. Đối với hệ thống STM-1

Công suất ra trung bình cực đại của máy phát tại điểm tham chiếu C’ trong sơ đồ khối hệ thống (Hình 1) không được vượt quá +38 dBm (bao gồm cả dung sai và ảnh hưởng của ATPC/RTPC, nếu áp dụng).

Có bốn loại công suất ra danh định được xác định trong Bảng 1.

Bảng 1- Dải công suất ra danh định của hệ thống STM-1

Loại A		< +26 dBm
Loại B	³+26 dBm	< +31 dBm
Loại C	³+29 dBm	< +34 dBm
Loại D	³+34 dBm

CHÚ THÍCH 1:Trong phép đo hợp quy, nhà sản xuất sẽ công bố ATPC là đặc tính tùy chọn hay cố định.

CHÚ THÍCH 2:Sự thay đổi công nghệ có thể dẫn đến công suất của thiết bị nằm ngoài (các) dải công suất cho trong Bảng 1. Trong trường hợp này, không cần yêu cầu chứng nhận hợp quy riêng đối với các thiết bị có các dải công suất ra phụ khác nhau.

Khả năng điều chỉnh mức công suất ra có thể được yêu cầu để phục vụ các mục tiêu quản lý. Trong trường hợp này dải điều chỉnh, bởi bộ suy hao cố định hoặc tự động, phải theo từng bước bằng hoặc nhỏ hơn 5 dB.

2.2.2.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

Giá trị công suất ra danh định tham chiếu tại điểm B’ phải thuộc một trong các dải công suất chỉ ra trong Bảng 2 (không bao gồm ATPC).

Bảng 2 - Dải công suất ra danh định của hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

Loại A	+26 dBm	+31 dBm
Loại B	+31 dBm	+36 dBm
Loại C	+36 dBm	+41 dBm

Dung sai của giá trị danh định phải nhỏ hơn hoặc bằng ±1 dB.

Nhà sản xuất phải công bố giá trị danh định cực đại.

2.2.2.3. Phương pháp đo

Mục đích

Thẩm tra công suất trung bình ra cực đại đo tại điểm tham chiếu B’ hoặc C’ nằm trong giá trị công bố của nhà sản xuất cộng/trừ dung sai chuẩn hay không.

Thiết bị đo

1)Máy đo công suất;

2) Bộ cảm biến công suất.

Cấu hình đo

• Hình 4 - Cấu hình đo dải công suất phát

Thủ tục đo

Đặt công suất của máy phát ở mức cực đại, đo công suất ra trung bình của máy phát tại điểm B’ (C’). Lưu ý tới các suy hao giữa điểm đo và máy đo công suất.

2.2.3.  Mặt nạ phổ RF, đặc tính CW rời rạc và RTPC

2.2.3.1. Mặt nạ phổ RF

2.2.3.1.1.  Đối với hệ thống STM-1

Phụ lục C đưa ra các yêu cầu tương thích. Yêu cầu tương thích cung cấp các lựa chọn đối với các hệ thống phân nhánh RF đơn kênh và đa kênh. Khi xem xét các yêu cầu tương thích trong phụ lục C mặt nạ phổ RF phải tính đến ảnh hưởng của hệ thống hoạt động tương tác khi lựa chọn kênh chuẩn (normal) hoặc kênh phía trong cùng (xem phần sau). Mặt nạ phổ được định nghĩa trong các Hình 5, 6 và 7 đối với các ứng dụng trong Phụ lục C như sau:

- Giới hạn của mặt nạ phổ trong Hình 8 và 9 áp dụng cho hệ thống không tuân theo bất kỳ yêu cầu tương thích nào trong Phụ lục C.

- Giới hạn của mặt nạ phổ trong Hình 5, 6 và 7 áp dụng cho hệ thống kênh chuẩn và kênh phía trong cùng tuân theo yêu cầu tương thích trong Phụ lục C. Các giới hạn được đánh dấu (a) trong Hình 5, 6 và 7 phải được thẩm tra trực tiếp bằng phép đo. Do không thể đo được trực tiếp các mức suy hao tới 105 dB nên nhà cung cấp phải công bố các giá trị mật độ phổ công suất tương đối nhỏ hơn -65 dB trong các Hình 5, 6 và 7 (đường cong b).

CHÚ THÍCH: Các giá trị này có thể được đánh giá bằng cách thêm vào đặc tính bộ lọc đo phổ tại điểm A’ trong Hình 5, 6 và 7. Do hạn chế của một vài loại máy phân tích phổ, có thể gặp khó khăn khi đo kiểm các hệ thống dung lượng cao/băng rộng. Trong trường hợp này, có thể xem xét những lựa chọn sau: sử dụng máy phân tích phổ hiệu suất cao để đo, sử dụng bộ lọc hình V (bộ lọc khe) và kỹ thuật đo hai bước. Trong trường hợp gặp khó khăn, các đồ thị đo kiểm ở biên và trong các điều kiện môi trường tới hạn có thể được coi là sở cứ về sự phù hợp của mặt nạ phổ.

Một mặt nạ phổ tương đối đơn giản hơn cho trong các Hình 5, 6 và 7, đường cong (c), có thể được áp dụng. Tuy nhiên, tất cả các đặc tính khác trong Quy chuẩn kỹ thuật này phải được thỏa mãn.

Đối với băng L6, với khe trung tâm đặc biệt nhỏ (44,49 MHz), mặt nạ xác định đối với biên phía trong cùng của khe trung tâm đối với các kênh 8 và 1’ được đưa ra trong Hình 6.

Đối với băng 7 GHz (khe trung tâm 56 MHz), mặt nạ xác định đối với các kênh phía trong cùng được đưa ra trong Hình 7.

Với hệ thống SDH, các mặt nạ phải được đo với tín hiệu đo thử điều chế băng tần gốc tuân theo Khuyến nghị O.181 [7] của ITU-T.

Mức 0 dB trên mặt nạ phổ tương ứng với mật độ phổ công suất của tần số trung tâm danh định không tính đến sóng mang dư.

Mặt nạ phổ không bao gồm dung sai tần số.

Thiết lập máy phân tích phổ để đo mặt nạ phổ RF như trong Bảng 3

• Hình 5 - Giới hạn mật độ phổ công suất cho các kênh chuẩn (loại 5 hạng A) với yêu cầu tương thích, xem Phụ lục C (điểm tham chiếu B’)

• Hình 6 - Giới hạn mật độ phổ công suất cho các kênh phía trong cùng (loại 5 hạng A), băng L6 GHz với yêu cầu tương thích, xem Phụ lục C (điểm tham chiếu B’)
•  

• Hình 7- Giới hạn mật độ phổ công suất cho các đỉnh trong của các kênh phía trong cùng (loại 5 hạng A), băng 7 GHz, khe trung tâm 56 MHz, với yêu cầu tương thích, xem Phụ lục C (điểm tham chiếu B’)

CHÚ THÍCH 1:Phổ tạp âm nền tại –60 dB được áp dụng đối với các hệ thống hoạt động trong băng tần dưới 10 GHz. Đối với các hệ thống hoạt động tại 13 GHz và 15 GHz, phổ tạp âm nền là –55 dB.

CHÚ THÍCH 2:   Biên mặt nạ                   = 2,5 x (CS)

70 MHz đối với CS        = 28 MHz

72,5 MHz đối với CS     = 29 MHz

74,125 MHz đối với CS  = 29,65 MHz

75 MHz đối với CS        = 30 MHz

Hình 8 - Giới hạn mật độ phổ công suất cho các kênh chuẩn trong mọi băng (loại 5 hạng A), không có yêu cầu tương thích của Phụ lục C (điểm tham chiếu C’)

CHÚ THÍCH1: Phổ tạp âm nền tại –60 dB được áp dụng đối với các hệ thống hoạt động trong băng tần dưới 10 GHz. Đối với các hệ thống hoạt động tại 13 GHz và 15 GHz, phổ tạp âm nền là –55 dB.

CHÚ THÍCH2:   Biên mặt nạ                   = 2,5 x (CS)

70 MHz đối với CS        = 28 MHz

72,5 MHz đối với CS     = 29 MHz

74,125 MHz đối với CS  = 29,65 MHz

75 MHz đối với CS        = 30 MHz

• Hình 9 - Giới hạn mật độ phổ công suất cho các kênh chuẩn trong mọi băng (loại 5 hạng B), không có yêu cầu tương thích của Phụ lục C (điểm tham chiếu C’)

Bảng 3 - Thiết lập máy phân tích phổ

2.2.3.1.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

Ba yếu tố chính được xem xét khi khuyến nghị về mặt nạ phổ:

a) Kiểm soát nhiễu đưa vào các kênh tương tự khi hoạt động ở vị trí kênh lân cận.

b) Kiểm soát nhiễu đưa vào các kênh số giữa các hệ thống của các nhà sản xuất khác nhau hoạt động ở vị trí kênh lân cận.

c) Các chỉ tiêu kỹ thuật của máy phát khác nhau.

Các mặt nạ phổ RF phát xạ đối với các băng tần khác nhau được đưa ra trong các Hình 10 và 11.

Mặt nạ phổ mô tả trong Hình 10 áp dụng cho “hệ thống đơn sóng mang” truyền hai tín hiệu STM-1 trên một sóng mang và phân cực.

Mặt nạ phổ mô tả trong Hình 11 áp dụng cho “hệ thống đa sóng mang” phân chia tốc độ truyền thông qua hai hay nhiều sóng mang cho mỗi phân cực.

Mặt nạ phổ mô tả trong Hình 10 và 11 phải được thẩm tra trực tiếp bằng phương pháp đo (tham chiếu tại điểm B’) tới 65 dB. Do không thể đo trực tiếp các giá trị suy hao đến 110 dB, nên các giá trị trên 65 dB phải được thẩm tra bằng cách bổ sung thêm đặc tính của bộ lọc đối với phổ đo tại điểm tham chiếu A’.

CHÚ THÍCH: Mặt nạ phổ không bao gồm dung sai tần số.

• Hình 10 - Giới hạn mật độ phổ công suất cho tất cả các kênh tham chiếu tại điểm B’

CHÚ THÍCH: Mặt nạ phổ không bao gồm dung sai tần số.

• Hình 11 - Giới hạn mật độ phổ công suất cho tất cả các kênh tham chiếu tại điểm B’

Các mặt nạ phải được đo khi hệ thống đầy tải với truyền dẫn STM-4 hoặc 4xSTM-1 tại giao diện băng gốc và công suất ra đặt tại giá trị danh định. Các mặt nạ phổ sẽ áp dụng cho từng phân cực.

CHÚ THÍCH :Các hệ thống thực tế cần dự phòng NFD khoảng 48 dB từ tính toán trực tiếp hoặc đo phổ phát xạ thực tế.

Các thiết lập cho máy phân tích phổ để đo mặt nạ phổ RF như sau:

• Độ rộng băng IF                                  100 kHz;

• Tổng độ rộng dải quét                         100 MHz;

• Tổng số thời gian quét                        50 giây;

• Độ rộng băng bộ lọc video      0,1 kHz.

2.2.3.1.3. Phương pháp đo

Phép đo phải được thực hiện với máy phân tích phổ phù hợp kết nối tới cổng máy phát thông qua bộ suy hao phù hợp.

Trên thực tế, các phép đo mặt nạ phổ RF được thực hiện tại kênh thấp nhất, kênh trung gian và kênh cao nhất của khối đang thẩm tra.

Nếu trong Quy chuẩn kỹ thuật có nhiều hơn một mặt nạ phổ thì mặt nạ phổ tương ứng phải được ghi lại trong bản ghi kết quả đo.

Mục đích

Thẩm tra phổ tần số ra nằm trong giới hạn quy định của tiêu chuẩn liên quan.

Thiết bị đo

1) Máy phân tích phổ;

2) Máy vẽ đồ thị.

Cấu hình đo

• Hình 12 - Cấu hình đo mặt nạ phổ RF

Thủ tục đo

Cổng ra của máy phát phải được nối tới máy phân tích phổ thông qua bộ suy hao hoặc tải giả cùng với một số phương tiện giám sát phát xạ kèm theo máy phân tích phổ. Máy phân tích phổ phải có màn hiển thị liên tục thay đổi hoặc chức năng lưu trữ số. Độ rộng băng phân giải, khoảng tần số, thời gian quét và các thiết lập cho bộ lọc video của máy phân tích phổ được thiết lập theo tiêu chuẩn tương ứng.

Với máy phát được điều chế bởi tín hiệu có các đặc tính được đưa ra trong tiêu chuẩn tương ứng, mật độ công suất Tx phải được đo bằng máy phân tích phổ và máy vẽ đồ thị. Đồ thị mật độ phổ công suất của máy phát tại kênh thấp nhất, kênh trung gian và kênh cao nhất phải được ghi lại khi có thể. Ngoài ra, đồ thị phải được ghi lại tại điện áp cung cấp bình thường và tới hạn tại biên nhiệt độ và môi trường tới hạn.

2.2.3.2. Thành phần CW rời rạc vượt quá giới hạn mặt nạ phổ

2.2.3.2.1. Vạch phổ tại tốc độ ký hiệu

2.2.3.2.1.1. Đối với hệ thống STM-1

Mức công suất (điểm tham chiếu B’) của vạch phổ tại khoảng cách từ tần số trung tâm của kênh bằng tốc độ kí hiệu phải nhỏ hơn hoặc bằng -37 dBm.

2.2.3.2.1.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

Mức công suất (điểm tham chiếu B’) của vạch phổ tại khoảng cách từ tần số trung tâm của kênh bằng tốc độ kí hiệu phải nhỏ hơn hoặc bằng -37 dBm.

2.2.3.2.2. Các thành phần CW bổ sung

2.2.3.2.2.1. Đối với hệ thống STM-1

Nếu các thành phần CW vượt quá mặt nạ phổ thì cần có các yêu cầu bổ sung dưới đây.

Các vạch phổ này phải không được:

- Vượt quá mặt nạ với hệ số lớn hơn {10 log (CSmin/IFbw) - 10} dB (xem CHÚ THÍCH);

-Khoảng cách giữa mỗi tần số khác nhau nhỏ hơn CSmin.

Trong đó:

- CSmin = 10 MHz với băng 4 GHz ;

- CSmin = 14,825 MHz với băng 6L GHz ;

- CSmin = 7 MHz với băng 7 và 8 GHz ;

- CSmin = 1,75 MHz với băng 13 và 15 GHz .

Độ rộng băng IF là độ rộng băng phân giải khuyến nghị, được đưa ra trong Bảng 3.

CHÚ THÍCH :Trong trường hợp việc tính toán theo hệ số dẫn đến giá trị âm, thì sẽ không cho phép hệ số nữa.

Hình 13 chỉ ra ví dụ điển hình của yêu cầu này.

• Hình 13 - Vạch phổ của CW vượt quá mặt nạ phổ (ví dụ điển hình)
• 2.2.3.2.2.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

Nếu các thành phần CW vượt quá mặt nạ phổ thì cần có các yêu cầu bổ sung dưới đây.

Các vạch phổ này phải không được:

- Vượt quá mặt nạ với hệ số lớn hơn {10log(CSmin/IFbw) - 10}dB.

- Khoảng cách giữa mỗi tần số khác nhau nhỏ hơn CSmin.

Với:

CSmin = 10 000 kHz tại băng 4 GHz, 5 GHz, U6 GHz và 11 GHz.

IFbw là độ rộng băng IF phân giải khuyến nghị, tính theo kHz (được chỉ ra trong  2.2.3.1.2).

Hình 14 chỉ ra ví dụ điển hình của yêu cầu này.

D1, D2³CSmin

• Hình 14 - Vạch phổ của CW vượt quá giới hạn mặt nạ phổ (ví dụ điển hình)

2.2.3.2.3. Phương pháp đo

Mục đích

Để thẩm tra mức công suất của các vạch phổ tại khoảng cách từ tần số trung tâm bằng tốc độ kí hiệu là nhỏ hơn –x dBm hoặc x dB dưới mức công suất trung bình của sóng mang.

Yêu cầu của tiêu chuẩn liên quan có thể là suy hao tương đối so với công suất sóng mang trung bình hoặc mức tuyệt đối.

Xem chú thích trong  2.2.3.1.3.

2.2.3.3. Điều khiển công suất phát từ xa (RTPC)

2.2.3.3.1. Đối với hệ thống STM-1

RTPC là đặc tính tuỳ chọn. Khi thiết bị sử dụng đặc tính này thì nhà sản xuất sẽ công bố dải RTPC và dung sai tương ứng. Các phép đo kiểm phải được thực hiện tại mức công suất ra tương ứng với mức RTPC đặt tại công suất danh định cực đại đối với chỉ tiêu của máy phát và đối với chỉ tiêu hệ thống.

Mặt nạ phổ RF phải được thẩm tra tại 3 điểm (thấp, trung bình và cao) của độ lệch công suất RTPC và với ATPC đặt tại mức công suất cực đại cho phép (nếu có). Nếu các phép đo mặt nạ phổ gặp trở ngại thì có thể xác định bằng kinh nghiệm. Các phương pháp đo thực tế phải được quan tâm nghiên cứu thêm .

Khi tính đến tạp băng rộng được tạo ra bởi chuỗi các máy phát thì dải RTPC phải được giới hạn để đảm bảo rằng các yêu cầu về mặt nạ phổ được thoả mãn trong toàn dải công suất ra của máy phát.

CHÚ THÍCH :Khi việc sử dụng ATPC là bắt buộc cho các mục tiêu quản lý thì công suất đầu ra của máy phát phải thoả mãn giới hạn mặt nạ phổ trong toàn dải ATPC.

2.2.3.3.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

RTPC là đặc tính tuỳ chọn. Khi thiết bị sử dụng đặc tính này thì nhà sản xuất phải công bố dải RTPC và dung sai tương ứng. Các phép đo kiểm phải được thực hiện với mức công suất ra tương ứng với:

- RTPC được điều chỉnh tới các giá trị cực đại và cực tiểu đối với chỉ tiêu hệ thống.

- RTPC được đặt tại công suất cực đại đối với chỉ tiêu của máy phát.

- Mặt nạ phổ RF phải được thẩm tra tại 3 điểm (phần thấp, phần trung bình và phần cao của băng tần đó được hoạch định (nếu có thể áp dụng). Điều khiển công suất Tx phải được thiết lập tới giá trị cực đại.

2.2.3.3.3. Phương pháp đo

Khi sử dụng chức năng điều khiển công suất phát từ xa, chức năng này phải được kiểm tra và ghi lại trong quá trình đo kiểm công suất ra của máy phát.

2.2.4. Phát xạ giả

Phát xạ giả từ máy phát cần phải xác định bởi 2 lý do:

a) Để hạn chế nhiễu đi vào các hệ thống khác đang hoạt động nằm hoàn toàn bên ngoài hệ thống đang xem xét (phát xạ bên ngoài), các giới hạn này được tham chiếu tại Khuyến nghị CEPT/ERC 74-01 [6] dựa trên Khuyến nghị ITU-R SM.329-7 [12] và F.1191-1 [13];

b) Để hạn chế nhiễu nội bên trong hệ thống nơi mà các máy phát và máy thu được nối trực tiếp thông qua các bộ lọc và các hệ thống phân nhánh.

Điều này dẫn đến: có hai mức giới hạn phát xạ giả, trong đó giới hạn xác định đối với nhiễu “nội” phải không lớn hơn giới hạn của nhiễu “ngoại”.

2.2.4.1. Phát xạ giả bên ngoài

2.2.4.1.1. Đối với hệ thống STM-1

Theo Khuyến nghị CEPT/ERC 74-01 [6]: phát xạ giả bên ngoài được xác định là những phát xạ tại tần số cách tần số sóng mang danh định±250% của khoảng cách kênh liên quan.

Bên ngoài băng±250% của khoảng cách kênh liên quan (CS), giới hạn phát xạ giả của các hệ thống vô tuyến dịch vụ cố định, cùng với dải tần số được xem xét để đo hợp quy, phải áp dụng tại điểm tham chiếu C’.

2.2.4.1.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

Theo Khuyến nghị CEPT/ERC 74-01 [6]: phát xạ giả bên ngoài được định nghĩa là những phát xạ tại tần số cách tần số sóng mang danh định±250% của khoảng cách kênh liên quan.

Bên ngoài băng±250% của khoảng cách kênh liên quan (CS), giới hạn phát xạ giả của các hệ thống vô tuyến dịch vụ cố định cùng với dải tần số được xem xét để đo hợp quy, phải được áp dụng.

Bên trong băng±250% của khoảng cách kênh liên quan, phát xạ chỉ bao gồm phát xạ cơ bản và phát xạ ngoài băng, phải tuân theo mặt nạ phổ và các giới hạn yêu cầu trong  2.2.3.1 và 2.2.3.2.

Các giá trị giới hạn được tính tại điểm tham chiếu C’.

2.2.4.1.3. Phương pháp đo

Mục đích

Để thẩm tra rằng bất kỳ phát xạ giả nào tạo ra từ máy phát đều nằm trong giới hạn trích dẫn trong chuẩn liên quan. Phát xạ giả là phát xạ nằm ngoài độ rộng băng cần thiết dùng để truyền dữ liệu đầu vào từ máy phát đến máy thu, mức phát xạ giả có thể bị giảm mà không ảnh hưởng tới sự truyền tải thông tin tương ứng. Phát xạ giả bao gồm phát xạ hài, phát xạ ký sinh, các thành phần xuyên điều chế và các thành phần biến đổi tần số.

Thiết bị đo

1) Máy phân tích phổ;

2) Các khối trộn của máy phân tích phổ;

3) Máy vẽ đồ thị

Cấu hình đo

• Hình 15 - Cấu hình đo phát xạ giả bên ngoài

Thủ tục đo

Cổng đầu ra máy phát phải được nối với máy phân tích phổ thông qua bộ suy hao phù hợp và/hoặc bộ lọc khe để hạn chế công suất tới máy phân tích phổ. Trong một số trường hợp, khi giới hạn tần số trên vượt quá dải tần hoạt động cơ bản của máy phân tích phổ thì phải có bộ trộn và bộ chuyển đổi ống dẫn sóng phù hợp. Một điều quan trọng đó là mạch điện nằm giữa máy phát và đầu vào bộ trộn, hoặc máy phân tích phổ, được định rõ đặc điểm trên toàn dải tần cần đo. Những tổn hao này phải được sử dụng để thiết lập đường giới hạn của máy phân tích phổ tại một giá trị đảm bảo rằng chỉ tiêu kỹ thuật tại điểm C’ không được vượt quá (xem Hình 15).

Máy phát hoạt động với công suất đầu ra lớn nhất mà nhà sản xuất công bố, đo mức và tần số của tất cả các tín hiệu quan trọng và vẽ đồ thị trên băng tần xác định trong chỉ tiêu kỹ thuật liên quan. Khuyến nghị sử dụng bước quét 5 GHz cho dải tần dưới 21,2 GHz và bước quét 10 GHz cho dải tần trên 21,2 GHz. Tuy nhiên, các phát xạ giả gần với giới hạn phải được vẽ trên một dải giới hạn để chứng minh rõ ràng rằng tín hiệu không vượt quá giới hạn có liên quan.

CHÚ THÍCH 1:Khi yêu cầu kỹ thuật chỉ ra rằng phép đo phát xạ giả được thực hiện với thiết bị trong điều kiện điều chế, độ rộng băng phân giải của máy phân tích phổ phải thiết lập tới mức xác định trong chỉ tiêu kỹ thuật. Khoảng tần số và tốc độ quét của máy phân tích phổ cần điều chỉnh để duy trì nền tạp âm nằm dưới đường giới hạn và duy trì máy phân tích phổ trong điều kiện chuẩn.

CHÚ THÍCH 2 :Phép đo mức phát xạ giả của thiết bị hoạt động trong điều kiện CW có thể được thực hiện với độ rộng băng phân giải, khoảng tần số và tốc độ quét đảm bảo máy phân tích phổ ở điều kiện được lấy chuẩn trong khi vẫn duy trì được sự sai khác giữa nền tạp âm và đường giới hạn tối thiểu là 10 dB.

CHÚ THÍCH 3 :Do thiết bị sử dụng tín hiệu RF ở mức thấp và điều chế băng thông rộng nên phép đo công suất RF bức xạ có độ không đảm bảo đo lớn hơn các phép đo dẫn. Vì thế khi thiết bị được lắp bình thường với ăng ten tích hợp, nhà sản xuất phải cung cấp một bộ ghép đo có chức năng chuyển đổi các tín hiệu bức xạ thành tín hiệu dẫn đưa vào kết cuối 50W.

Do thiếu sự chuẩn hóa nên hầu hết các tiêu chuẩn DRRS có các yêu cầu không được xác định rõ ràng.

Cụ thể hai tham số đo có thể bị thiếu:

- Độ rộng băng ước lượng (BWe) sử dụng trong đo kiểm máy phân tích phổ.

- Bên ngoài độ rộng băng nằm ở hai phía tần số trung tâm danh định, các phát xạ được gọi là “phát xạ ngoài băng”, và vì thế chúng không phải là “phát xạ giả”.

Trong những trường hợp này, yêu cầu phải được xem xét theo điều khoản CEPT đối với “điều kiện sóng mang không điều chế” (nghĩa là: chỉ xem xét phát xạ CW). Bên ngoài độ rộng băng nằm ở hai phía tần số trung tâm danh định phải được lấy là ±250% khoảng cách kênh liên quan, theo Khuyến nghị ITU-R F.1191-1 [13].

Tuy nhiên nếu trong tiêu chuẩn thiết bị có công bố BWe thì phải sử dụng giá trị BWe đó.

Hầu hết các DRRS hiện đại không có khả năng truyền sóng mang không điều chế, trong trường hợp này, phép đo phải thực hiện với sóng mang điều chế, miễn là giớii hạn mức tạp âm giống như phát xạ giả (ví dụ: hài và tần số ảnh của bộ trộn) được xem như “mức lớn nhất trong bất kỳ băng cơ bản nào bằng BWe”.

Trong các trường hợp khác, tiêu chuẩn liên quan có thể đòi hỏi rõ ràng đối với các điều kiện sóng mang điều chế và đưa ra các tham số cho thủ tục đo kiểm.

2.2.4.2. Phát xạ giả nội

2.2.4.2.1.  Đối với hệ thống STM-1

Các mức phát xạ giả từ máy phát, tham chiếu tại điểm B’ của Hình 1, được quy định trong Bảng 4.

Mức yêu cầu sẽ là mức trung bình cộng của phát xạ đang xem xét.

Bảng 4 - Mức nội đối với phát xạ giả của máy phát

Những yêu cầu đối với phát xạ giả nội là không cần thiết đối với các hệ thống không tuân thủ các yêu cầu tương thích trong Phụ lục C.

2.2.4.2.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

Các mức phát xạ giả từ máy phát, tham chiếu tại điểm B’ được xác định trong Bảng 5.

Bảng 5 – Các mức phát xạ giả từ máy phát tham chiếu tại điểm B’

Đối với các hệ thống số không có mạng phân nhánh (nghĩa là có bộ song công), giới hạn -90 dBm đối với tín hiệu giả đưa ra ở trên phải được mở rộng tới  -70 dBm.

2.2.5. ATPC và RFC

2.2.5.1. Điều khiển công suất phát tự động (ATPC)

2.2.5.1.1. Đối với hệ thống STM-1

ATPC là đặc tính tuỳ chọn. Khi thiết bị sử dụng đặc tính này thì nhà cung cấp phải công bố dải ATPC và dung sai tương ứng. Nhà sản xuất phải công bố nếu như thiết bị được thiết kế có ATPC là đặc tính thường xuyên cố định. Việc đo kiểm phải được thực hiện với mức công suất ra tương ứng với:

- Giá trị ATPC được thiết lập tới giá trị cố định đối với chỉ tiêu hệ thống.

-Giá trị ATPC được thiết lập ở mức công suất khả dụng cực đại đối với chỉ tiêu phát.

Phải thẩm tra rằng phổ RF phát xạ nằm trong mặt nạ phổ RF tuyệt đối, được tính toán đối với công suất ra cực đại cho phép của thiết bị, bao gồm cả suy hao do RTPC, nếu có.

CHÚ THÍCH :Khi việc sử dụng ATPC là điều kiện bắt buộc để điều chỉnh thì công suất đầu ra của máy phát phải phù hợp với giới hạn mặt nạ phổ trong toàn dải ATPC.

Dải ATPC là khoảng công suất từ mức công suất ra danh định đến mức công suất ra nhỏ nhất của bộ khuếch đại (tại điểm B’) có ATPC.

2.2.5.1.2. Đối với hệ thống 4xSTM-1 hoặc STM-4

ATPC là đặc tính tuỳ chọn. Khi thiết bị sử dụng đặc tính này thì nhà cung cấp phải công bố dải ATPC và dung sai tương ứng. Nhà sản xuất phải công bố nếu như thiết bị được thiết kế có ATPC là đặc tính thường xuyên cố định. Việc đo kiểm phải được thực hiện với mức công suất ra tương ứng với:

- Giá trị ATPC được thiết lập tới giá trị cố định đối với chỉ tiêu hệ thống.

- Giá trị ATPC được thiết lập ở mức công suất khả dụng cực đại đối với chỉ tiêu phát.

2.2.5.1.3. Phương pháp đo

ATPC là đặc tính tuỳ chọn. Tuy nhiên, khi thiết bị sử dụng đặc tính này thì phải kiểm tra mức công suất ra trung bình cực tiểu và cực đại. Ngoài ra, phải chứng minh được sự hoạt động đúng của tính năng tự động. Khi tiêu chuẩn không bao gồm chỉ tiêu kỹ thuật của ATPC thì đo kiểm đối với ATPC dựa vào chỉ tiêu kỹ thuật của nhà sản xuất.

Mục đích

Thẩm tra việc hoạt động chính xác của mạch vòng điều khiển, nghĩa là: khi sử dụng ATPC, công suất ra của máy phát có thể được thiết lập bằng tay tới mức cực đại và cực tiểu. Ngoài ra, cũng phải kiểm tra tính hoạt động đúng của mạch vòng điều khiển, nghĩa là: công suất đầu ra Tx phải tương ứng với mức vào tại máy thu từ xa.

Thiết bị đo

Giống với phép đo công suất cực đại.

Cấu hình đo (nhân công)

• Hình 16 - Cấu hình đo điều khiển công suất phát tự động (ATPC) (nhân công)

• Hình 17 - Cấu hình đo điều khiển công suất phát tự động (ATPC) (tự động)

Thủ tục đo

Đặt công suất ra của máy phát ở mức cực đại, đo công suất trung bình tại điểm B’(C’). Lặp lại phép đo với công suất ra của máy phát ở mức cực tiểu. Toàn bộ suy hao giữa điểm B’(C’) và máy đo công suất phải được tính đến.

Phải thẩm tra tính hoạt động đúng của mạch vòng kín đối với tất cả các thiết bị có bộ điều khiển công suất tự động. Ban đầu, bộ suy hao B (xem Hình 17) được thiết lập cho công suất ra Tx cực tiểu, sau đó tăng dần cho đến khi đạt được mức ra cực đại của máy phát. Trong toàn dải công suất phát, mức vào máy thu phải được duy trì trong giới hạn đưa ra trong chuẩn liên quan hoặc trong tiêu chuẩn hoạt động được bảo đảm của nhà sản xuất. Lặp lại phép đo để thẩm tra rằng chỉ tiêu điều khiển công suất tự động, giữa công suất cực đại và cực tiểu của máy phát, phù hợp với chuẩn liên quan hoặc với giới hạn chỉ tiêu của nhà sản xuất.

2.2.5.2. Điều khiển tần số từ xa (RFC)

2.2.5.2.1. Đối với hệ thống STM-1

RFC là đặc tính tuỳ chọn. Khi thiết bị sử dụng đặc tính này thì nhà sản xuất phải công bố dải RFC và dung sai tương ứng. Việc đo kiểm phải được thực hiện bao gồm:

- Thủ tục thiết lập RFC phải thực hiện ít nhất tại 3 tần số (thấp, giữa và cao của dải bao trùm);

- Thủ tục thiết lập RFC không được tạo ra phát xạ bên ngoài mặt nạ phổ tần số trước đó và cuối cùng.

2.2.5.2.2. Phương pháp đo

Điều khiển tần số từ xa là đặc tính tuỳ chọn. Tuy nhiên, khi lắp đặt, chức năng này phải được kiểm tra trong phép đo độ chính xác tần số.

2.3. Yêu cầu về định hướng ăng ten

Theo tài liệu tham chiếu chuẩn [5]:

Dải tần số

Trong Quy chuẩn kỹ thuật này, toàn bộ dải tần từ 3 GHz đến 20 GHz được chia làm 2 dải tần như sau:

Dải tần 1:            từ 3 GHz đến 14 GHz;

Dải tần 2:            từ 14 GHz đến 20 GHz;

Phân loại ăng ten

Theo tăng ích ăng ten: có 2 loại được ứng dụng:

- Tăng ích loại 1: Loại ăng ten này yêu cầu tăng ích thấp đối với mục đích kết hợp;

- Tăng ích loại 2: Loại ăng ten này yêu cầu tăng ích cao đối với mục đích kết hợp.

Theo đường bao mẫu bức xạ (RPE): có 4 loại được xác định:

-  Loại 1:  Những ăng ten sử dụng trong các mạng có khả năng nhiễu thấp. Ví dụ điển hình về khả năng nhiễu thấp có thể là:

- Những ăng ten sử dụng trong các mạng vô tuyến, nơi có kế hoạch triển khai mật độ thấp, và vì thế, khả năng nhiễu giữa các hệ thống và bên trong hệ thống thấp, và tại những nơi đề xuất cho mạng vô tuyến số dung lượng cao.

- Những ăng ten sử dụng trong các mạng vô tuyến, nơi có khả năng nhiễu giữa các hệ thống và bên trong hệ thống trung bình, và tại những nơi đề xuất cho mạng vô tuyến số dung lượng thấp.

- Loại 2:  Những ăng ten sử dụng trong các mạng có khả năng nhiễu cao. Ví dụ điển hình về khả năng nhiễu cao có thể là:

- Những ăng ten sử dụng trong các mạng vô tuyến, nơi có khả năng nhiễu giữa các hệ thống và bên trong hệ thống trung bình, và tại những nơi đề xuất cho mạng vô tuyến số dung lượng cao.

- Những ăng ten sử dụng trong các mạng vô tuyến, nơi có kế hoạch triển khai mật độ cao, và vì thế, khả năng nhiễu giữa các hệ thống và bên trong hệ thống cao, và tại những nơi đề xuất cho mạng vô tuyến số dung lượng thấp.

- Loại 3: Những ăng ten sử dụng trong các mạng có khả năng nhiễu rất cao. Ví dụ điển hình về khả năng nhiễu rất cao có thể là:

-Những ăng ten sử dụng trong các mạng vô tuyến, nơi có kế hoạch triển khai mật độ cao, và vì thế, khả năng nhiễu giữa các hệ thống và bên trong hệ thống cao, và tại những nơi đề xuất cho mạng vô tuyến số dung lượng cao.

- Loại 4: Những ăng ten sử dụng trong các mạng có khả năng nhiễu cực kỳ cao. Ví dụ điển hình về khả năng nhiễu cực kỳ cao có thể là:

Những ăng ten sử dụng trong các mạng vô tuyến, nơi có kế hoạch triển khai mật độ rất cao, và vì thế, khả năng nhiễu giữa các hệ thống và bên trong hệ thống rất cao, và tại những nơi đề xuất cho mạng vô tuyến số dung lượng cao.

Trong những băng tần có thể tồn tại sự nghẽn phổ, người quản lý có thể yêu cầu sử dụng các ăng ten loại cao hơn.

Theo phân biệt phân cực chéo (XPD): có 3 loại chỉ tiêu XPD được xác định (xem  2.3.3, Bảng 6):

- XPD loại 1: các ăng ten có độ phân biệt phân cực chéo chuẩn.

- XPD loại 2: các ăng ten có độ phân biệt phân cực chéo cao.

- XPD loại 3: các ăng ten có độ phân biệt phân cực chéo cao trong miền góc mở rộng.

Đặc tính kỹ thuật về điện

Đối với mỗi loại ăng ten, nhà sản xuất ăng ten phải thông báo rõ về băng tần hoạt động và tăng ích ít nhất tại hai biên và điểm giữa của băng tần hoạt động. Ăng ten có sử dụng mái che phải thoả mãn các yêu cầu của Quy chuẩn kỹ thuật khi mái che được đặt.

Hệ thống ăng ten phải bức xạ sóng phân cực tuyến tính (đơn hoặc kép).

2.3.1. Đường bao mẫu bức xạ (RPE)

(Các) RPE đối với mỗi loại ăng ten, phải đảm bảo tính linh hoạt tối đa trong việc quản lý để tối ưu hoá sự kết hợp.

Mẫu bức xạ đồng phân cực và phân cực chéo đo trong mặt phẳng phương vị đối với cả hai phân cực phải không được vượt quá (các) RPE được xác định trong danh sách như sau:

Dải tần 1:

-  Loại 1: Hình 18a)

-  Loại 2: Hình 18b)

-  Loại 3: Hình 18c)

-  Loại 4: Hình 18d)

Dải tần 2:

-  Loại 1: Hình 19a)

-  Loại 2: Hình 19b)

-  Loại 3: Hình 19c)

•  
•  
•  
•  
•  
•  
•  
•  
•  
•  
•  
• Hình 18a - RPE đối với các ăng ten loại 1 trong dải tần 1
•  

• Hình 18b - RPE đối với các ăng ten loại 2 trong dải tần 1
•