Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 11688-6:2016 ISO/IEC 10373-6:2016 Thẻ định danh-Phương pháp thử-Phần 6: Thẻ cảm ứng

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 11688-6:2016

ISO 10373-6:2016

THẺ ĐỊNH DANH - PHƯƠNG PHÁP THỬ - PHẦN 6: THẺ CẢM ỨNG

Identification cards - Test methods - Part 6: Proximity cards

Lời nói đầu

TCVN 11688-6:2016 hoàn toàn tương đương với ISO/IEC 10373-6:2016.

TCVN 11688-6:2016 do Tiểu Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/JTC 1/SC 17 “Thẻ nhận dạng” biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ khoa học và Công nghệ công bố.

Hiện nay, bộ tiêu chuẩn TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) về Thẻ định danh - Phương pháp kiểm thử gồm các tiêu chuẩn:

- TCVN 11688-1:2016 (ISO/IEC 10373-1:2016 và Amd.1:2012), Phần 1: Đặc tính chung;

- TCVN 11688-2:2016 (ISO/IEC 10373-2:2015), Phần 2: Thẻ có sọc từ;

- TCVN 11688-3:2016 (ISO/IEC 10373-3:2010), Phần 3: Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan;

- TCVN 11688-6:2016 (ISO/IEC 10373-6:2016), Phần 6: Thẻ cảm ứng.

THẺ ĐỊNH DANH - PHƯƠNG PHÁP THỬ - PHẦN 6: THẺ CẢM ỨNG

Identification cards - Test methods - Part 6: Proximity cards

1  Phạm vi áp dụng

TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) xác định phương pháp thử các đặc tính của thẻ định danh theo định nghĩa đưa ra trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810). Mỗi phương pháp thử được tham chiếu chéo với hoặc nhiều tiêu chuẩn cơ bản, có thể là TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) hoặc một hay nhiều tiêu chuẩn bổ sung xác định công nghệ lưu trữ thông tin dùng cho các ứng dụng thẻ định danh.

CHÚ THÍCH 1 Các tiêu chí đối với khả năng chấp nhận không thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này, mà có thể trong các tiêu chuẩn khác đã nêu ở trên.

CHÚ THÍCH 2 Phương pháp thử mô tả trong tiêu chuẩn này được thực hiện riêng rẽ. Một thẻ không nhất thiết phải đạt qua tất cả thử nghiệm theo đúng trình tự.

Tiêu chuẩn này qui định các phương pháp thử đối với các thẻ và đối tượng không tiếp xúc, và các thiết bị nối kết không tiếp xúc, xác định trong TCVN 11689-1 (1SO/IEC 14443-1), TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2), TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) và TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4).

TCVN 11688-1 (ISO/IEC 10373-1) xác định các phương pháp thử chung cho hoặc nhiều công nghệ thẻ mạch tích hợp và các tiêu chuẩn khác trong bộ TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) xác định các phương pháp thử công nghệ cụ thể.

2  Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu viện dẫn sau rất cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản mới nhất, bao gồm cả sửa đổi (nếu có).

TCVN 11165 (ISO/IEC 7810), Thẻ định danh - Đặc tính vật lí;

TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp không tiếp xúc - Thẻ cảm ứng - Phần 1: Đặc tính vật lí;

TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp không tiếp xúc - Thẻ cảm ứng - Phần 2: Giao diện tín hiệu và công suất tần số radio;

TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp không tiếp xúc - Thẻ cảm ứng - Phần 3: Khởi tạo và chống va chạm;

TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp không tiếp xúc - Thẻ cảm ứng - Phần 4: Giao thức truyền dẫn;

IEC 61000-4-2:20081, Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-2: Testing and measurement techniques - Electrostatic discharge immunity test (Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-2: Phương pháp đo và thử - Miễn nhiễm phóng điện đối với hiện tượng phóng điện);

3  Thuật ngữ và định nghĩa, ký hiệu và thuật ngữ viết tắt

3.1  Thuật ngữ và định nghĩa

Tiêu chuẩn này áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa trong TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1), TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2), TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3), TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4) và sau đây.

CHÚ THÍCH Các yếu tố trong dấu ngoặc vuông đậm [ ] là các định nghĩa tùy chọn.

3.1.1

Tiêu chuẩn cơ bản (Base standard)

Tiêu chuẩn đưa ra phương pháp thử được sử dụng để kiểm tra sự phù hợp.

3.1.2

Mức phân tầng (CascadeLevels)

Số các mức phân tầng của PICC.

3.1.3

Tập lệnh (Command Set)

Tập mô tả các lệnh PICC trong quá trình khởi tạo và chống va chạm.

CHÚ THÍCH Xem 6.4, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) đối với PICC kiểu A và 7.5, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) đối với PICC kiểu B.

3.1.4

Tác động tải (Loading Effect)

Thay đổi dòng ăng-ten PCD bởi sự có mặt (các) PICC trong trường do điều chỉnh nối kết lẫn nhau của cộng hưởng ăng-ten PCD và hệ số chất lượng.

3.1.5

Mute (chặn đáp ứng) (Mute)

Không đáp ứng trong suốt thời gian tạm ngưng được qui định, ví dụ như việc hết hạn của FWT.

3.1.6

Trạng thái PICC (PICC States)

Trạng thái PICC khác nhau trong quá trình khởi tạo và chống va chạm.

CHÚ THÍCH Xem 6.3, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) đối với PICC kiểu A và 7.4, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) đối với PICC kiểu B.

3.1.7

Kịch bản (Scenario)

Ứng dụng và giao thức điển hình xác định quy định việc trao đổi thông tin được sử dụng với các phương pháp thử được xác định trong tiêu chuẩn này.

3.1.8

Trạng thái khởi đầu thử nghiệm (Test initial State)

TIS

Yếu tố từ trạng thái PICC, là trạng thái PICC trước khi thực hiện một lệnh PICC cụ thể từ Tập lệnh.

3.1.9

Phương pháp thử (Test method)

Phương pháp để thử nghiệm đặc tính của thẻ định danh với mục đích kiểm tra sự tuân thủ của thẻ với các tiêu chuẩn.

3.1.10

Trạng thái đích thử nghiệm (Test Target State)

TTS

Yếu tố từ trạng thái PICC, là trạng thái PICC sau khi thực hiện một lệnh PICC cụ thể từ Tập lệnh.

3.2  Ký hiệu và thuật ngữ viết tắt

Bảng 1 - Ánh xạ từ UID đến UIDTX

4  Hạng mục mặc định áp dụng đối với các phương pháp thử

4.1  Môi trường thử nghiệm

Trừ khi có qui định khác, thử nghiệm phải được thực hiện trong môi trường nhiệt độ 23 ^oC ± 3 ^oC (73 ^oF ± 5 ^oF) và độ ẩm tương đối từ 40 % đến 60 %.

4.2  Điều kiện ổn định trước

Phương pháp thử trong tiêu chuẩn này không yêu cầu điều kiện ổn định trước về môi trường đối với các PICC hay PCD.

4.3  Dung sai mặc định

Trừ khi có qui định khác, một dung sai mặc định ± 5 % phải được áp dụng với các giá trị đại lượng cho trước qui định đặc tính của thiết bị thử nghiệm (ví dụ như kích thước tuyến tính) và các quy trình phương pháp thử (ví dụ: hiệu chỉnh thiết bị thử nghiệm).

4.4  Điện cảm giả

Các điện trở và tụ điện nên có điện cảm không đáng kể.

4.5  Độ không đảm bảo đo tổng

Độ không đảm bảo đo tổng đối với mỗi đại lượng được xác định bởi các phương pháp thử phải được nêu rõ trong báo cáo thử nghiệm.

Thông tin cơ bản được đưa ra trong ISO/IEC Guide 98-3:2008.

5  Dụng cụ và mạch đối với thử nghiệm thông số trong TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1) và TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2)

Điều này xác định dụng cụ và mạch thử nghiệm đối với việc kiểm tra hoạt động của PICC hoặc PCD theo TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1) và TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2). Dụng cụ thử nghiệm gồm:

- Dụng cụ đo (xem 5.1);

- Cuộn dây hiệu chuẩn (xem 5.2);

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm (xem 5.3);

- PICC tham chiếu (xem 5.4).

- Thiết lập thử nghiệm EMD (xem 5.5).

Các dụng cụ này được mô tả trong các Điều dưới đây.

5.1  Yêu cầu tối thiểu đối với dụng cụ đo

5.1.1  Máy hiện sóng

Máy hiện sóng lấy mẫu kỹ thuật số phải có khả năng lấy mẫu ở tốc độ ít nhất 500 triệu mẫu/s với độ phân giải ít nhất 8 bit tại thang đo tối ưu và phải có băng thông tổng tối thiểu 250 MHz. Máy hiện sóng nên có khả năng xuất dữ liệu được lấy mẫu như tệp văn bản để tạo thuận lợi cho việc tính toán và các hoạt động khác như tạo cửa sổ trên dữ liệu được lấy mẫu bằng cách sử dụng các chương trình phần mềm (xem các Phụ lục E và F).

CHÚ THÍCH Băng thông tổng là kết hợp của băng thông máy hiện sóng và băng thông hệ thống dò.

5.2  Cuộn dây hiệu chuẩn

Điều này xác định kích cỡ, chiều dày và đặc tính của các cuộn dây hiệu chuẩn 1 và 2.

Cuộn dây hiệu chuẩn 1 phải chỉ được dùng trong khối lắp ráp PCD thử nghiệm 1 và cuộn dây hiệu chuẩn 2 phải chỉ được dùng trong khối lắp ráp PCD thử nghiệm 2.

5.2.1  Kích cỡ thẻ cuộn dây hiệu chuẩn

Thẻ cuộn dây hiệu chuẩn phải gồm một vùng có chiều cao và chiều rộng kiểu ID-1 xác định trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) chứa một cuộn dây vòng xoắn đồng tâm với viền ngoài của thẻ (xem Hình 1).

Hình 1 - Các cuộn dây hiệu chuẩn 1 và 2

5.2.2  Chiều dày và vật liệu của thẻ cuộn dây hiệu chuẩn

Chiều dày của thẻ cuộn dây hiệu chuẩn phải nhỏ hơn thẻ ID-1. Thẻ cuộn dây hiệu chuẩn phải được làm bằng vật liệu cách điện phù hợp:

5.2.3  Đặc tính cuộn dây

Cuộn dây trên thẻ cuộn dây hiệu chuẩn phải có một vòng xoắn. Dung sai kích thước tương đối phải bằng ± 2 %.

Kích cỡ bên ngoài của cuộn dây phải là 72 mm x 42 mm với bán kính góc 5 mm.

CHÚ THÍCH 1 Diện tích trên đó mà trường được tích hợp là 3000 mm².

CHÚ THÍCH 2 Tại 13,56 MHz điện cảm xấp xỉ 250 nH và điện trở xấp xỉ 0,4 Ω.

Hệ số hiệu chuẩn mạch hở đối với cuộn dây hiệu chuẩn 1 là 0,318 V (rms) [tương đương 900 mV (đỉnh-đỉnh) trên mỗi A/m (rms)].

Kích cỡ ngoài của cuộn dây hiệu chuẩn 2 là 46 mm x 24 mm với bán kính góc 2 mm.

CHÚ THÍCH 3 Diện tích trên đó mà trường được tích hợp là 1100 mm².

CHÚ THÍCH 4 Tại 13,56 MHz điện cảm xấp xỉ 140 nH và điện trở xấp xỉ 0,3 Ω.

Hệ số hiệu chuẩn mạch hở đối với cuộn dây hiệu chuẩn 2 là 0,118 V (rms) [tương đương 333 mV (đỉnh-đỉnh) trên mỗi A/m (rms)].

Cuộn dây phải được làm như một cuộn dây in sẵn trên bảng mạch in sẵn (PCB) được mạ bằng 35μm đồng. Chiều rộng của rãnh phải là 500 μm với dung sai tương đối ± 20%. Kích cỡ các tấm lót liên kết phải là 1,5 mm x 1,5 mm.

Đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao với dẫn nạp đầu vào tương đương với điện dung song song Cp < 14 pF và một điện trở song song Rp > 9 kΩ tại 13,56 MHz phải được sử dụng để đo (mạch hở) điện áp cảm ứng trong cuộn dây.

Nối đất đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao càng ngắn càng tốt, ngắn hơn 20 mm hoặc nối đồng trục.

5.3  Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm

Xác định 2 bộ lắp ráp PCD thử nghiệm:

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1 đối với các PICC “Lớp 1”, “Lớp 2”, “Lớp 3” và đối với các PICC không tuyên bố tuân thủ lớp nào;

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1 đối với các PICC “Lớp 4”, “Lớp 5”, “Lớp 6”.

Mỗi bộ lắp ráp PCD thử nghiệm phải gồm một ăng-ten PCD thử nghiệm hình tròn và 2 cuộn cảm song song: cuộn cảm a và cuộn cảm b, như chỉ ra trong Hình 2. Các cuộn cảm phải được kết nối để tín hiệu từ một cuộn dây ngược pha với cuộn kia. Điện thế kế P1 10 Ω để tinh chỉnh điểm cân bằng khi các cuộn cảm không được tải bởi một PICC hoặc mọi mạch nối kết từ tính. Tải điện dung của đầu dò gồm 5 điện dung kí sinh phải nhỏ hơn 14 pF.

Điện dung của các mối nối và của đầu dò máy hiện sóng nên giữ mức nhỏ nhất đối với khả năng phát lại.

Để tránh sai lệch ngoài ý muốn trong trường hợp một thiết lập không đối xứng với dải điều chỉnh của điện thế kế P1 chỉ là 10 Ω. Nếu thiết lập không thể bù bởi 10 Ω điện thế kế P1, thì nên kiểm tra sự đối xứng tổng thể của thiết lập đó.

Nối đất đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao nên càng ngắn càng tốt, ngắn hơn 20 mm hoặc nối đồng trục.

Hình 2 - Thiết lập thử nghiệm (nguyên tắc)

5.3.1  Ăng-ten PCD thử nghiệm

Trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1, ăng-ten PCD thử nghiệm 1 phải có đường kính 150 mm.

Trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 2, ăng-ten PCD thử nghiệm 2 phải có đường kính 100 mm

Mỗi cấu trúc ăng-ten PCD thử nghiệm phải phù hợp với bản vẽ tương ứng trong Phụ lục A.

Việc làm khớp mỗi ăng-ten PCD thử nghiệm nên được thực hiện bằng cách sử dụng một bộ phân tích trở kháng hoặc một bộ phân tích mạng hoặc một đồng hồ đo LCR. Nếu một bộ phân tích trở kháng hoặc một bộ phân tích mạng hoặc một đồng hồ đo LCR không có sẵn, thì việc làm khớp có thể thực hiện theo quy trình trong Phụ lục B.

5.3.2  Cuộn cảm

Trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1, kích cỡ các cuộn cảm 1 phải là 100mm x 70mm với bán kính góc 10mm.

Trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 2, kích cỡ các cuộn cảm 2 phải là 60 mm x 47 mm với bán kính góc 10 mm.

Mỗi cấu trúc cuộn cảm phải phù hợp với bản vẽ tương ứng trong Phụ lục C.

5.3.3  Bộ lắp ráp của PCD thử nghiệm

Các cuộn cảm 1 và ăng-ten PCD thử nghiệm 1 phải được lắp song song và với các cuộn cảm và ăng-ten đồng trục và để khoảng cách giữa các điện dẫn tích cực là 37,5 mm như chỉ ra trong Hình 3, Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1.

Các cuộn cảm 2 và ăng-ten PCD thử nghiệm 2 phải được lắp song song và với các cuộn cảm và ăng-ten đồng trục và để khoảng cách các điện dẫn tích cực là 23 mm như chỉ ra trong Hình 3, Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 2.

Dung sai kích thước phải lớn hơn ± 0,5 mm. Khoảng cách giữa cuộn dây trong DUT và cuộn dây hiệu chuẩn phải bằng với cuộn dây của ăng-ten PCD thử nghiệm.

CHÚ THÍCH Các khoảng cách này được chọn để đưa ra một từ trường mạnh và đồng nhất ở vị trí DUT.

Hình 3 - Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1 và Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 2

5.4  PICC tham chiếu

Một PICC tham chiếu được xác định để thử nghiệm khả năng của một PCD để:

- tạo một cường độ trường ít nhất H_min và không vượt quá H_max;

- truyền công suất đến PICC;

- truyền một tín hiệu được điều chế đến PICC;

- nhận tín hiệu điều chế tải từ PICC;

trong bộ qui tắc hoạt động của PICC tham chiếu đó.

5.4.1  Kích thước của PICC tham chiếu

PICC tham chiếu phải gồm một vùng chứa các cuộn dây có chiều cao và chiều rộng xác định trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) đối với kiểu ID-1. Bên ngoài vùng này, chứa mạch mô phỏng các chức năng PICC được yêu cầu phải được gắn theo cách giống như cho phép chèn vào các thiết lập thử nghiệm và do vậy không gây nhiễu đến thử nghiệm. Kích thước như chỉ ra trong Hình 4.

Hình 4 - Kích thước PICC tham chiếu

5.4.2  Cấu trúc PICC tham chiếu

Cấu trúc PICC tham chiếu được xác định trong Phụ lục D. Nếu các đầu nối được sử dụng giữa các cuộn và mạch, các đầu nối đó phải nhỏ nhất, nếu có, tác động đến các phép đo RF.

PICC tham chiếu phải có một sơ đồ mạch như trong Hình 5 và các giá trị thành phần như trong Bảng 2.

Hình 5 - Sơ đồ mạch PICC tham chiếu

CHÚ THÍCH Vị trí 'd' chân nối J1 là RFU.

Bảng 2 - Danh sách thành phần PICC tham chiếu

Tại CON1 tín hiệu điều chế tải phải được áp dụng. Điều chế tải có thể được xác định trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm. Khi không được sử dụng, bộ tạo tín hiệu điều chế tải phải ngắt kết nối hoặc đặt là 0 V.

Với điện áp tại CON2, tải PICC tham chiếu có thể được điều chỉnh đến khi điện áp DC yêu cầu chỉ tại CON3.

Điện áp DC PICC tham chiếu phải được đo tại CON3 sử dụng một vôn kế trở kháng cao và các dây kết nối nên là dây xoắn hoặc đồng trục.

Các thông số dạng sóng PCD thu được tại CON4 sử dụng một đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao. Nối đất đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao càng ngắn càng tốt, ngắn hơn 20 mm hoặc nối đồng trục.

Vị trí ‘a’ của J2 phải được sử dụng cho thử nghiệm tốc độ bit fc/128, fc/64, fc/32 và fc/16.

Vị trí ‘b’ của J2 phải được sử dụng cho thử nghiệm tốc độ bit fc/8, fc/4 và fc/2.

5.4.3  Chỉnh tần số cộng hưởng PICC tham chiếu

Tần số cộng hưởng PICC tham chiếu phải được hiệu chuẩn với quy trình sau:

a) Đặt chân nối J1 đến vị trí ‘a’

b) Kết nối cuộn dây hiệu chuẩn trực tiếp với bộ tạo tín hiệu và đầu kết nối PICC tham chiếu CON3 với vôn kế trở kháng cao. Kết nối tất cả các đầu kết nối với thiết bị tương tự như sử dụng cho thử nghiệm.

c) Định vị PICC tham chiếu với khoảng cách d = 10 mm trên cuộn dây hiệu chuẩn với các trục của 2 cuộn dây (cuộn dây hiệu chuẩn và cuộn dây chính PICC tham chiếu) tương tự nhau (xem Hình 6).

d) Vận hành cuộn dây hiệu chuẩn với sóng hình sin đặt là tần số cộng hưởng mong muốn.

e) Điều chỉnh các tụ điện PICC tham chiếu C1 và C2 để nhận điện áp DC lớn nhất ở CON3.

f) Điều chỉnh mức vận hành bộ tạo tín hiệu để đọc điện áp DC V_tải ở CON3.

g) Lặp lại các bước e) và f) cho đến khi điện áp lớn nhất sau bước e) là V_tải.

h) Hiệu chuẩn bộ lắp ráp PCD thử nghiệm để tạo điều kiện hoạt động H_min trên cuộn dây hiệu chuẩn.

i) Đặt PICC tham chiếu vào trong vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm. Chuyển chân nối J1 đến vị trí ‘b’ và điều chỉnh R2 đạt điện áp DC là V_tải đo tại đầu kết nối CON3. Điều kiện trường hoạt động được kiểm tra bởi việc giám sát điện áp trên cuộn dây hiệu chuẩn và được hiệu chỉnh, nếu cần.

j) Lặp lại các bước b) đến g) với giá trị thu được của R2.

CHÚ THÍCH Có thể sử dụng thay thế bộ tạo tín hiệu bằng một bộ phân tích mạng véc-tơ nếu đủ công suất cung cấp để tạo V_tải tại CON3 trong khi đạt đến phần điện trở lớn nhất của trở kháng phức đo được của cuộn dây hiệu chuẩn.

Hình 6 - Thiết lập điều chỉnh tần số PICC tham chiếu (nguyên tắc)

5.5  Thiết lập thử nghiệm EMD

5.5.1  Mô tả chung

Thiết lập thử nghiệm EMD gồm:

- Bộ tạo tín hiệu với tạp âm pha thấp, được sử dụng để tổng hợp cả mẫu thử nghiệm EMD và các lệnh thử nghiệm PCD gửi đến PICC trong quá trình thử nghiệm;

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm;

- Thiết bị phân tích biên độ tín hiệu:

- hoặc một thiết bị thu nhận tín hiệu (ví dụ máy hiện sóng) và phần mềm tính toán phù hợp,

- hoặc một bộ phân tích quang phổ (xem những điều bắt buộc bổ sung trong 5.5.2).

Thiết bị phân tích biên độ tín hiệu phải có khả năng phát công suất đối với các phép đo thời gian với tần số cố định, băng thông cố định, dải động cao, độ không đảm bảo đo thấp và độ phân giải thời gian cao.

CHÚ THÍCH Thử nghiệm EMD PICC có thể được thực hiện bằng việc sử dụng tín hiệu đầu ra RF của một PCD thương mại. Thử nghiệm EMD PICC có thể sử dụng mô phỏng PICC để tạo mẫu thử nghiệm EMD.

5.5.2  Tính toán công suất so với thời gian

Khởi đầu tín hiệu thu được phải được tạo cửa sổ Bartlett với độ chính xác 2 chu kì sóng mang điều chế. Biến đổi Fourier của các mẫu được tạo cửa sổ này tạo một giá trị công suất. Bằng cách dịch cửa sổ Bartlett qua các bước 1/fc từ khi khởi động đến lúc kết thúc tín hiệu thu được, kết quả công suất so với thời gian mong muốn được tính toán cuối cùng.

CHÚ THÍCH Kết quả băng thông 3 dB của cửa sổ được mô tả ở trên là 531 kHz và tạp âm của nó tương đương một lượng băng thông 843 kHz.

Việc tính toán công suất so với thời gian phải được thực hiện tại fc+ fs và fc - fs, sử dụng thang đo như một tín hiệu hình sin thuần túy cho kết quả biên độ đỉnh của tín hiệu đó. Một ví dụ về tính toán được đưa ra trong Phụ lục J.

Trong trường hợp sử dụng một bộ phân tích quang phổ, bộ phân tích đó phải có ít nhất một băng thông phân tích tương đương. Nó phải vượt qua thử nghiệm điều kiện ổn định trước nền tạp âm, như trong 5.5.3, và có lượng dư bổ sung 10/fc trên t_EPICC yêu cầu và không có đỉnh nhọn trên giới hạn EMD.

5.5.3  Thử nghiệm điều kiện ổn định trước nền tạp âm

5.5.3.1  Mục đích

Để đảm bảo một dải động cao và đủ nhạy, phép đo nền tạp âm phải được thực hiện và đạt qua bởi thiết lập thử nghiệm EMD. Mục đích của thử nghiệm đặt trước này là để xác minh dụng cụ được sử dụng cho phép đo mức EMD thỏa mãn một yêu cầu tạp âm nhỏ nhất.

Thử nghiệm nền tạp âm đạt qua nếu độ lệch chuẩn tạp âm nhỏ hơn ít nhất 3 lần giới hạn EMD V_{E, PICC}, khi được đo như trong 5.5.3.2.

Độ lệch chuẩn tạp âm được đo bởi việc tính giá trị căn bậc hai của trung bình bình phương của các kết quả biến đổi Fourier, như trong 5.5.2.

CHÚ THÍCH Nền tạp âm này có thể đạt được hoặc với bộ số hóa 14-bit tại một tốc độ lấy mẫu 100 triệu mẫu trên mỗi giây hoặc một máy hiện sóng kỹ thuật số 8-bit tại tốc độ lấy mẫu 1000 triệu mẫu trên mỗi giây.

5.5.3.2  Quy trình thử nghiệm

Thực hiện các bước sau để đánh giá tạp âm tại ít nhất H_min và H_max.

a) Chỉnh PICC tham chiếu đến 13,56 MHz.

b) Điều chỉnh công suất RF được truyền bởi bộ tạo tín hiệu đến ăng ten PCD thử nghiệm với cường độ trường được yêu cầu như đo được bởi cuộn dây hiệu chuẩn.

c) Đặt PICC tham chiếu vào trong vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm, đặt chân nối J1 đến vị trí ‘b’ và điều chỉnh R2 đạt đến điện áp V_tải tại CON3. Ngoài ra, chân nối J1 có thể đặt đến vị trí ‘c’ và điện áp tác dụng trên CON2 được điều chỉnh để đạt đến điện áp V_tải tại CON3. Trong cả 2 trường hợp, điều kiện trường hoạt động phải được kiểm tra bằng việc kiểm tra điện áp trong cuộn dây hiệu chuẩn và được hiệu chỉnh khi cần thiết.

d) Ghi tín hiệu của các cuộn cảm trong khoảng thời gian ít nhất là 250 μs.

e) Tính độ lệch chuẩn tạp âm tại fc + fs và fc -fs sử dụng phần mềm máy tính phù hợp, ví dụ như đã đưa ra trong Phụ lục J. Kiểm tra xem các độ lệch chuẩn tạp âm này có nhỏ hơn 3 lần V_{E, PICC} không.

5.5.3.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ độ lệch chuẩn tạp âm tại fc+ fs và fc- fs và phải nêu các yêu cầu đầy đủ.

6  Thử nghiệm thông số trong TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1)

6.1  Thử nghiệm PCD

6.1.1  Từ trường luân phiên

6.1.1.1  Mục đích

Thử nghiệm này xác định PCD tạo một trường không cao hơn giá trị trung bình được qui định trong TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1), tại mọi vị trí PICC có thể có.

6.1.1.2  Quy trình thử nghiệm

a) Chỉnh PICC 1 tham chiếu đến 19 MHz như trong 5.4.3 các bước a) đến g).

b) Hiệu chuẩn bộ lắp ráp PCD thử nghiệm để tạo giá trị trường trung bình được qui định trong 4.4, TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1) trên cuộn dây hiệu chuẩn.

c) Đặt PICC tham chiếu vào trong vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm. Chuyển chân nối J1 đến vị trí ‘b’ và điều chỉnh R2 đạt điện áp DC bằng 3 V đo tại đầu kết nối CON3. Điều kiện trường hoạt động được kiểm tra bởi việc giám sát điện áp trên cuộn dây hiệu chuẩn và được hiểu chỉnh, nếu cần.

CẢNH BÁO - Giá trị R2 nên ở khoảng giữa 55 Ω và 65 Ω.

d) Vị trí PICC 1 tham chiếu tại mọi vị trí PICC có thể. Điện áp DC ở CON3 phải không vượt quá 3 V.

e) Nếu vượt quá, sử dụng cùng một hệ số biến đổi để đo điện áp DC lớn nhất và trung bình và biến đổi cường độ trường để kiểm tra các giá trị trường lớn nhất và trung bình trong khoảng thời gian 30 s qui định trong 4.4, TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1).

6.1.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra điện áp DC đo được tại CON3.

6.2  Thử nghiệm PICC

6.2.1  Từ trường luân phiên

6.2.1.1  Mục đích

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra cách hoạt động của PICC trong mối quan hệ với từ trường luân phiên phơi nhiễm tại 13,56 MHz.

6.2.1.2  Dụng cụ

Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm phải sử dụng để tạo từ trường luân phiên.

6.2.1.3  Quy trình thử nghiệm

Quy trình như sau:

a) Phù hợp với lớp PICC, điều chỉnh công suất RF được cấp bởi bộ tạo tín hiệu đến ăng-ten PCD thử nghiệm để cường độ trường của mức trung bình được qui định trong 4.4, TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1) như được đo bởi cuộn dây hiệu chuẩn.

b) Đặt PICC đang thử nghiệm ở vị trí DUT và ngay lập tức điều chỉnh lại phần điều khiển RF vào ăng-ten PCD thử nghiệm đến cường độ trường được yêu cầu, nếu cần.

c) Sau 5 min, gỡ bỏ PICC khỏi vị trí DUT trong ít nhất 5 s.

d) Để phù hợp với lớp PICC, điều chỉnh công suất RF được cấp bởi bộ tạo tín hiệu đến ăng-ten PCD thử nghiệm để cường độ trường của mức trung bình được qui định trong 4.4, TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1) như được đo bởi cuộn dây hiệu chuẩn.

e) Đặt PICC đang thử nghiệm ở vị trí DUT và ngay lập tức điều chỉnh lại phần điều khiển RF vào ăng-ten PCD thử nghiệm đến cường độ trường được yêu cầu, nếu cần.

f) Áp dụng trong 5 min một điều chế ASK 100 % đối với trường này với chu kì tác nhiệm sau:

- 5 s tại 0 A/m (rms);

- 25 s tại mức lớn nhất được qui định trong 4.4, TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1), phù hợp với lớp PICC.

g) Kiểm tra các hoạt động PICC như dự định.

6.2.1.4  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu có hay không các hoạt động PICC như dự định.

6.2.2  Thử nghiệm điện tĩnh

6.2.2.1  Mục đích

Mục đích của thử nghiệm này là để kiểm tra cách hoạt động của thẻ IC trong mối quan hệ với phóng tĩnh điện (ESD) phơi nhiễm trong mẫu thử nghiệm. PICC đang thử nghiệm bị phơi nhiễm với phóng tĩnh điện được mô phỏng (ESD, mô hình cơ thể con người) và hoạt động cơ bản của PICC đã kiểm tra sau khi phơi nhiễm (xem Hình 7).

Hình 7 - Mạch thử nghiệm ESD

6.2.2.2  Dụng cụ

Tham khảo IEC 61000-4-2:2008.

a) Qui định kỹ thuật chính của bộ tạo ESD:

- điện dung lưu trữ năng lượng: 150 pF ± 10 %;

- điện trở phóng: 330 Ω ± 10 %;

- điện trở nạp: giữa 50 MΩ và 100 MΩ ;

- thời gian gia tăng: 0,7 ns đến 1 ns.

b) Qui định kỹ thuật được chọn từ các hạng mục tùy chọn:

- kiểu thiết bị: thiết bị đầu bàn thử;

- phương pháp phóng: áp dụng trực tiếp phóng không khí đến thiết bị đang thử nghiệm;

- các điện cực phóng của bộ tạo ESD: đầu dò mũi tròn có đường kính 8 mm.

6.2.2.3  Quy trình thử nghiệm

Nối chân nối đất của dụng cụ với tấm dẫn điện đặt PICC.

Áp dụng phóng liên tục trong phân cực thông thường đối với mỗi vùng trong 20 vùng thử nghiệm như trong Hình 8. Sau đó lặp lại quy trình tương tự với phân cực đảo ngược. Cho phép giai đoạn giảm mát giữa các xung liên tiếp trong ít nhất 10 s.

CẢNH BÁO - Nếu PICC gồm các tiếp xúc, tiếp xúc nên đối diện nhau và vùng có các tiếp xúc không nên phơi nhiễm với việc phóng này.

Kiểm tra các hoạt động như dự định khi kết thúc thử nghiệm.

Hình 8 - Các vùng thử nghiệm trên PICC đối với thử nghiệm ESD

6.2.2.4  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu có hay không các hoạt động như dự định.

6.3  Thử nghiệm PXD

Thử nghiệm PCD và PICC phải được áp dụng như sau:

- khi PXD trong chế độ PCD, phải áp dụng thử nghiệm được xác định trong 6.1;

- khi PXD trong chế độ PICC, phải áp dụng thử nghiệm được xác định trong 6.2.

Trong chế độ luân phiên tự động, PXD có thể bị bắt buộc vào chế độ được yêu cầu.

7  Thử nghiệm thông số của TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2)

7.1  Thử nghiệm PCD

Tất cả các thử nghiệm PCD mô tả dưới đây phải được thực hiện theo bộ qui tắc hoạt động như định nghĩa bởi nhà sản xuất PCD đối với từng lớp được hỗ trợ.

Tất cả các thử nghiệm PCD về thông số của TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2) phải được thực hiện bởi các PICC tham chiếu 1, 2 và 3 và các PICC tham chiếu tương ứng tùy chọn khác để các lớp tùy chọn được hỗ trợ bởi PCD, với các thông số và bộ lắp ráp PCD thử nghiệm liên quan như trong Bảng 3.

Bảng 3 - Lớp các thông số

CHÚ THÍCH V_tải có thể phù hợp với 4,5 V cho tất cả các lớp trong các phiên bản tương lai của tiêu chuẩn này.

7.1.1  Cường độ trường PCD

7.1.1.1  Mục đích

Thử nghiệm này đo cường độ trường tạo bởi một PCD trong bộ qui tắc hoạt động của PCD đó. Giá trị cường độ trường lớn nhất và nhỏ nhất được sử dụng với mỗi PICC tham chiếu đã cho trong Bảng 1, TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

CHÚ THÍCH Thử nghiệm có tính đến tải PICC của PCD.

7.1.1.2  Quy trình thử nghiệm

7.1.1.2.1  Quy trình cho thử nghiệm H_max

a) Chỉnh PICC tham chiếu đến 19 MHz như trong 5.4.3 các bước từ a) đến g).

b) Hiệu chuẩn bộ lắp ráp PCD thử nghiệm để tạo điều kiện hoạt động H_max trên cuộn dây hiệu chuẩn.

c) Đặt PICC tham chiếu vào trong vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm. Chuyển chân nối J1 đến vị trí ‘b’ và điều chỉnh R2 đạt điện áp DC bằng 3 V đo tại đầu kết nối CON3. Ngoài ra, chân nối J1 có thể được đặt là vị trí ‘c’ và điện áp tác dụng trên CON2 được điều chỉnh đạt đến điện áp DC 3 V ở đầu kết nối CON3. Trong cả 2 trường hợp, điều kiện trường hoạt động phải được xác bởi việc giám sát điện áp trên cuộn dây hiệu chuẩn và được điều chỉnh, nếu cần.

CẢNH BÁO - Giá trị R2 nên nằm giữa 75 và 85 Ω. Kểm tra dải này ít nhất 1 lần trước khi sử dụng phương pháp thay thế.

d) Vị trí PICC tham chiếu trong bộ qui tắc hoạt động xác định của PCD đang thử nghiệm. Điện áp DC tại CON3 không được vượt quá 3 V.

7.1.1.2.2  Quy trình cho thử nghiệm H_min

a) Chỉnh PICC tham chiếu đến 13,56 MHz như trong 5.4.3.

b) Đặt PICC tham chiếu vào vị trí DUT trên việc sản xuất bộ lắp ráp PCD thử nghiệm với điều kiện vận hành Hmin trên cuộn dây hiệu chuẩn. Kiểm tra chân nối J1 được thiết lập ở vị trí ‘b’ và điện áp DC V_tải như trong Bảng 3 đo tại đầu nối CON3. Ngoài ra, chân nối J1 được thiết lập ở vị trí ‘c’ và điện áp trên đầu nối CON2 được điều chỉnh để có được điện áp DC V_tải như trong Bảng 3 tại đầu nối CON3. Trong cả hai trường hợp, điều kiện trường hoạt động phải được kiểm tra bằng việc kiểm tra điện áp trên cuộn dây hiệu chuẩn và điều chỉnh nếu cần.

CẢNH BÁO - Giá trị R2 nên nằm giữa R2_min và R2_max như trong Bảng 3. Kểm tra dải này ít nhất 1 lần trước khi sử dụng phương pháp thay thế.

c) Vị trí PICC tham chiếu trong bộ qui tắc hoạt động xác định của PCD đang thử nghiệm. Điện áp DC tại CON3 không được vượt quá V_tải như trong Bảng 3.

7.1.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải kiểm tra bộ qui tắc hoạt động trong điện áp DC đo được tại CON3 cho R2 hoặc điện trở tải biến thiên điều chỉnh đến cường độ trường H_min và H_max thỏa mãn các yêu cầu được xác định trong các bước cuối cùng của 2 quy trình trong phần 7.1.1.2.

7.1.2  Bỏ trống

Hoạt động hỗ trợ cường độ trường PCD với các PICC “Lớp 1”, được xác định trong TCVN 11688-6 (ISO/IEC 10373-6), bị xóa bỏ.

7.1.3  Bỏ trống

Truyền tải công suất PCD đến PICC được xác định trong TCVN 11688-6 (ISO/IEC 10373-6), bị xoá bỏ.

7.1.4  Chỉ số điều chế và dạng sóng

7.1.4.1  Mục đích

Thử nghiệm này được sử dụng để xác định chỉ số điều chế của trường PCD cũng như số lần gia tăng và giảm xuống và các giá trị vượt quá như trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2) cho tất cả các tốc độ bit từ PCD được hỗ trợ đến PICC.

7.1.4.2  Quy trình

a) Vị trí cuộn dây hiệu chuẩn tại một vị trí tùy ý trong bộ qui tắc hoạt động xác định và hiển thị điện áp cuộn cảm trên một máy hiện sóng phù hợp. Xác định chỉ số điều chế và đặc tính dạng sóng bằng cách sử dụng công cụ phân tích xác định trong Phụ lục E.

b) Chỉnh PICC tham chiếu đến 16,5 MHz như trong 5.4.3 các bước từ a) đến g) và chuyển chân nối J1 đến vị trí ‘c’.

c) Đặt PICC tham chiếu tại một vị trí riêng trong bộ qui tắc hoạt động PCD.

d) Tác dụng và điều chỉnh điện áp DC tại CON2 để đạt điện áp DC tại đầu kết nối CON3 V_tải như trong Bảng 3.

Nếu điện áp DC V_tải không thể đạt đến vị trí được chọn, thì nên dùng điện áp đạt được lớn nhất cho thử nghiệm.

e) Nếu điện áp chưa điều chế trên CON4, thì được đo với máy hiện sóng phù hợp (các yêu cầu xem 5.1.1) dưới 1 V (đỉnh-tới-đỉnh), sử dụng một cuộn dây thụ âm thay thế để xác định đặc tính dạng sóng.

Cuộn dây thụ âm thay thế này nên có một hình dạng "số 8" với bán kính 15 mm cách PICC tham chiếu xa nhất để nối kết nhỏ nhất và càng gần ăng-ten PCD càng tốt để có điện áp cảm ứng lớn nhất.

f) Xác định chỉ số điều chế và đặc tính dạng sóng từ điện áp tại CON4 hoặc tại cuộn dây thụ âm thay thế sử dụng công cụ phân tích xác định trong Phụ lục E.

g) Lặp lại các bước c) đến f) cho các vị trí khác nhau trong bộ qui tắc hoạt động và tất cả các tốc độ bit từ PCD được hỗ trợ đến PICC.

CHÚ THÍCH 1 Vị trí được chọn của cuộn dây hiệu chuẩn trong bộ qui tắc hoạt động dự kiến không ảnh hưởng đến kết quả.

CHÚ THÍCH 2 Tải PICC tham chiếu không thể hiện tác động tải trong trường hợp xấu nhất của PICC. Các tác động tải cao hơn có thể đạt được với tần số cộng hưởng gần với tần số sóng mang (ví dụ như 15 MHz hoặc 13,56 MHz).

7.1.4.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra chỉ số điều chế đo được của trường PCD, số lần gia tăng và giảm xuống và các giá trị vượt quá, trong bộ qui tắc hoạt động xác định trong các điều kiện có tải và không tải.

7.1.5  Tiếp nhận điều chế tải tiếp nhận

7.1.5.1  Mục đích

Thử nghiệm này được dùng để kiểm tra rằng PCD phát hiện chính xác điều chế tải của một PICC phù hợp với TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2) cho các tốc độ bit từ PICC đến PCD fc/128, fc/8, fc/4 và fc/2, nếu được hỗ trợ.

7.1.6.2  Quy trình thử nghiệm

PICC tham chiếu và quy trình hiệu chuẩn PICC cho phép đánh giá độ nhạy của một PCD đến điều chế tải. PICC tham chiếu không mô phỏng tác động tải của tất cả kiểu PICC.

a) Chỉnh PICC tham chiếu đến 13,56 MHz như trong 5.4.3 và chuyển chân nối J1 đến vị trí ‘c’.

b) Đặt PICC tham chiếu tại một vị trí riêng trong bộ qui tắc hoạt động PCD.

c) Tác dụng và hiệu chỉnh điện áp DC ở CON2 để đạt điện áp DC ở đầu kết nối CON3 V_tải như trong Bảng 3.

d) Tăng biên độ tín hiệu điều chế ở CON1 để tạo các đáp ứng cho đến khi PCD phát hiện ít nhất 10 biên độ liên tục

e) Đặt PICC tham chiếu trong vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm.

f) Điều chỉnh bộ lắp ráp PCD thử nghiệm để tạo một cường độ trường H cho điện áp tương tự tại CON3 và ghi chú cường độ trường tương ứng bởi việc đọc điện áp cuộn dây hiệu chuẩn.

g) Đo biên độ điều chế tải PICC tham chiếu V_LMA như trong 7.2.1 và so sánh nó với giới hạn chuẩn V_LMA,PCD liên quan đến cường độ trường được lưu ý. Mức V_LMA được đo này xác định các tiêu chí độ nhạy PCD để so sánh với giới hạn chuẩn V_LMA,PCD để tiến hành các phép đo thử nghiệm này.

h) Lặp lại các bước b) đến g) cho các vị trí khác nhau trong bộ qui tắc hoạt động cho các tốc độ bit từ PICC đến PCD fc/128, fc/8, fc/4 và fc/2, nếu được hỗ trợ.

i) Lặp lại các bước a) đến h) với tần số cộng hưởng PICC tham chiếu 15 MHz.

Bất kì vị trí nào có độ nhạy PCD trên giới hạn chuẩn V_LMA,PCD phải xem xét ngoài bộ qui tắc hoạt động.

Khoảng đo thử nghiệm có thể được mở rộng bởi việc dùng các tần số cộng hưởng dưới 13,56 MHz cũng như 12 MHz và 10 MHz.

Độ nhạy PCD nên dưới giới hạn chuẩn V_LMA,PCD để đảm bảo việc tiếp nhận tốt của điều chế tải PICC.

CHÚ THÍCH Thử nghiệm này không kiểm tra việc nhận PCD độc lập với pha điều chế tải PICC. Do đó, nó không thể đảm bảo nhận chính xác bất kì biên độ PICC phù hợp với TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

7.1.5.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra độ nhạy điều chế tải PCD cho các vị trí đã thử nghiệm.

7.1.6  Thử nghiệm miễn dịch EMD PCD

7.1.6.1  Mục đích

Mục đích của thử nghiệm này là xác định xem PCD không nhạy với bất kỳ biên độ điều chế tải dưới V_E,PCD hay không.

7.1.6.2  Quy trình

a) Chỉnh PICC tham chiếu đến 13,56 MHz như trong 5.4.3 và chuyển chân nối J1 đến vị trí ‘c’.

b) Đặt PICC tham chiếu tại vị trí được chỉ định theo bộ qui tắc hoạt động PCD.

c) Tác dụng và điều chỉnh điện áp DC tại CON2 để đạt điện áp DC tại điểm kết nối CON3 là V_tải như trong Bảng 3.

d) Gửi mẫu thử nghiệm như chỉ ra trong Hình 9. Mẫu thử nghiệm là một khung tiêu chuẩn hợp lệ bao gồm một byte đơn (01011101)b. Biên độ điều chế tải ban đầu V_EMD của mẫu thử nghiệm phải đủ thấp để PCD phát hiện trả lời PICC được gửi trong bước e).

e) Ngay sau mẫu thử nghiệm này, việc áp dụng không có khoảng cách, gửi trả lời PICC thích hợp đến lệnh PCD với biên độ điều chế tải V_LMA, được đo như trong 7.2.1, ở một mức độ cao hơn, ví dụ cặp đôi lần, hơn giá trị nhỏ nhất của cường độ trường đã áp dụng H.

f) Tăng V_EMD bằng cách điều chỉnh điện áp tại CON1 cho đến khi PCD không còn phát hiện câu trả lời chính xác. Điều này có thể xác định bằng việc kiểm tra lệnh PCD tiếp theo ngay sau trả lời PICC, xem Hình 9.

g) Đặt PICC tham chiếu vào trong vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm.

h) Điều chỉnh bộ lắp ráp PCD thử nghiệm để tạo ra cường độ trường H đưa ra cùng điện áp tại CON3 và chú ý cường độ trường tương ứng bởi việc đọc điện áp cuộn dây hiệu chuẩn.

i) Trích dẫn giá trị hiện tại của V_EMD trên PICC tham chiếu bởi việc áp dụng số đo công suất so với thời gian như trong 5.5.2.

j) So sánh giá trị VEMD đo được này với V_E,PCD.

Lặp lại các bước b) đến j) cho các vị trí được chỉ định khác theo bộ qui tắc hoạt động.

Hình 9 - Thử nghiệm miễn dịch PCD (chung cho Kiểu A và Kiểu B)

7.1.6.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ PCD không nhạy với bất kỳ biên độ điều chế tải dưới V_E,PCD.

7.1.7  Thử nghiệm khôi phục EMD PCD

7.1.7.1  Mục đích

Mục đích của thử nghiệm này là xác định xem PCD có bị nhiễu bởi mẫu thử nghiệm được gửi t_E,PCD trước khi PICC trả lời.

7.1.7.2  Quy trình

a) Chỉnh PICC tham chiếu đến 13,56 MHz như trong 5.4.3.

b) Hiệu chỉnh bộ lắp ráp PCD thử nghiệm để tạo H_min điều kiện vận hành theo cuộn hiệu chỉnh.

c) Đặt PICC tham chiếu vào trong vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm. Đóng chân nối J1 đến vị trí ‘c’ và điều chỉnh điện áp DC tại CON2 để đạt đến điện áp DC tại đầu nối CON3 là V_tải như trong Bảng 3. Điều kiện trường hoạt động phải được kiểm tra bằng việc kiểm tra điện áp trong cuộn dây hiệu chỉnh và điện áp điều chỉnh khi cần thiết.

d) Tìm điện áp truyền động phù hợp tại CON1 để tạo ra biên độ điều chế tải V_LMA, được đo như trong 7.2.1, cao hơn giới hạn cho H_min, xác định trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

e) Đặt PICC tham chiếu tại một vị trí theo bộ qui tắc hoạt động PCD với V_tải đạt được tại CON3.

f) Gửi một trình tự, như minh họa trong Hình 10 sử dụng tE,PCD kết hợp với FDT/TR0 nhỏ nhất,

CHÚ THÍCH 1 Thời gian EMD thấp t_E,PCD là một chức năng của FDT/TR0 như trong 8.2, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

- Một mẫu thử nghiệm, bắt đầu gửi 2 dữ liệu bit b1 = (0)b sau b2 = (1)b theo cách hợp lệ đến PCD, nhưng ngắt ngay lập tức sau khi bit thứ 2 được gửi, như minh họa trong Hình 11 cho Kiểu A và Hình 12 cho Kiểu B.

CHÚ THÍCH 2 Phụ thuộc vào FDT/TR0, mẫu thử nghiệm có thể bắt đầu trước khi kết thúc lệnh PCD.

- Giai đoạn chưa điều chế tải trong khoảng thời gian t_E,PCD,

- Trả lời thích hợp đối với lệnh PCD.

g) Kiểm tra nếu các cách hoạt động PCD theo cách tương tự như khi không có mẫu thử nghiệm. Điều này có thể được đo bằng việc kiểm tra lệnh PCD tiếp theo sau PICC trả lời, xem Hình 10.

h) Lặp lại các bước f) và g) 10 lần.

i) Lặp lại các bước f) đến h) thay thế FDT/TR0 nhỏ nhất bằng FDT/TR0 lớn nhất.

Hình 10 - Trình tự thử nghiệm khôi phục EMD (chung cho Kiểu A và Kiểu B)

Hình 11 - Mẫu thử nghiệm cho thử nghiệm khôi phục EMD (Kiểu A)

Hình 12 - Mẫu thử nghiệm cho thử nghiệm khôi phục EMD (Kiểu B)

7.1.7.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải báo cáo xem PCD có bị nhiễu bởi mẫu thử nghiệm gửi t_E,PCD trước khi PICC trả lời (hoặc có thể khôi phục mẫu thử nghiệm).

7.2  Thử nghiệm PICC

7.2.1  PICC truyền dẫn

7.2.1.1  Mục đích

Mục đích của thử nghiệm này là để xác định biên độ điều chế tải V_LMA của PICC trong khoảng trường vận chuyển [Hmin, Hmax] như qui định trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2) cho các tốc độ bit từ PICC đến PCD fc/128, fc/8, fc/4 và fc/2, nếu được hỗ trợ. Ngoài chức năng của PICC đối với Kiểu A và Kiểu B trong các khoảng điều chế tương ứng như trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2) phải được xác định.

7.2.1.2  Quy trình thử nghiệm

Bước 1:

Mạch thử nghiệm điều chế tải ở Hình 2 và bộ lắp ráp PCD thử nghiệm ở Hình 3 xác định cho lớp PICC (xem 8.2.2, TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2)) được sử dụng. Nếu PICC không yêu cầu phù hợp với các yêu cầu của một lớp riêng như qui định trong TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1), chọn bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1.

Điều chỉnh công suất RF được truyền bởi bộ tạo tín hiệu đến ăng-ten PCD thử nghiệm để đáp ứng cường độ trường đã đo được bởi cuộn dây hiệu chuẩn. Kết nối đầu ra của mạch thử nghiệm điều chế tải ở Hình 2 với máy hiện sóng lấy mẫu kỹ thuật số. 10 Ω điện thế kế P1 phải được cắt giảm tối thiểu sóng mang còn lại. Tín hiệu này phải ít nhất là 40 dB thấp hơn tín hiệu đạt được bởi việc làm ngắn mạch một cuộn cảm.

CẢNH BÁO - Thử nghiệm biên độ điều chế tải PICC phải được thực hiện bởi cường độ trường từ 0 A/m (rms), do đó việc kiểm tra sự hoạt động PICC đúng bắt đầu từ H_min.

Bước 2:

PICC đang thử nghiệm phải được đặt trong vị trí DUT, trung tâm của cuộn cảm a. RF vận hành trong ăng-ten PCD thử nghiệm phải được điều chỉnh lại để đáp ứng cường độ trường.

Một lệnh liên tục REQA hoặc REQB như trong TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) phải được gửi bởi thử nghiệm PCD để đạt được một tín hiệu hoặc đáp ứng điều chế tải từ PICC khi thử nghiệm truyền dẫn PICC tại một tốc độ bit fc/128. Một S(PARAMETERS) liên tục như trong TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4) và một khối-l phải được gửi bằng PCD thử nghiệm để đạt một tín hiệu hoặc đáp ứng điều chế tải từ PICC khi thử nghiệm truyền dẫn PICC tùy chọn các tốc độ bit fc/8, fc/4 và fc/2.

CHÚ THÍCH Không có thử nghiệm điều chế tải được yêu cầu cho các tốc độ bit fc/64, fc/32 và fc/16 vì các tốc độ bit này sử dụng tần suất sóng mang điều chế như nhau là c/128.

Hiển thị một đoạn của ít nhất 6 chu kì dạng sóng của điều chế tải sóng mang điều chế trên trên máy hiện sóng lấy mẫu kĩ thuật số và lưu trữ dữ liệu lấy mẫu trong một tập tin để phân tích bởi một chương trình phần mềm máy tính (xem Phụ lục F).

Chú ý trong việc áp dụng phương pháp đồng bộ hóa riêng cho điều chế tải biên độ thấp.

Biến đổi Fourier với đúng một cửa sổ Bartlett 6 chu kì sóng mang điều chế của điều chế dạng sóng mẫu sử dụng phù hợp với phần mềm máy tính (như một phần trong Phụ lục F). Sử dụng một biến đổi Fourier rời rạc với tỷ lệ như là những kết quả tín hiệu hình sin thuần khiết trong biên độ đỉnh của nó. Để giảm thiểu ảnh hưởng tạm thời, tránh việc phân tích một chu kì sóng mang điều chế tức thời sau một giai đoạn chưa điều chế hoặc một pha chuyền sóng mang điều chế. Sự biến đổi Fourier rời rạc phải được thực hiện tại các tần số giải biên được tạo bởi PICC đang thử nghiệm, ví dụ fc + fs và fc - fs.

Kết quả các biên độ đỉnh của giải biên cao hơn và thấp hơn tại fc + fs và fc - fs phải nằm trên giá trị xác định 8.2.2, trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

CHÚ THÍCH 2 Đối với thử nghiệm điều chế tải PICC Kiểu B, tùy chọn máy hiện sóng FFT (Fast Fourier Transform) cũng có thể sử dụng trên một số lượng lớn của các chu kì sóng mang điều chế với hoặc không hiệu ứng tạm thời hoặc không chuyển pha (ví dụ trên một phần ổn định của thời gian đồng bộ hóa TR1 xác định trong 9.2.5 TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2) hoặc trên một phần ổn định của SOF xác định trong 7.1.4, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3)).

7.2.1.3  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra các biên độ đỉnh đo được của các giải biên cao hơn và thấp hơn tại fc + fs và fc - fs và các trường và các điều chế được áp dụng.

7.2.2  Mức độ EMD PICC và thử nghiệm thời gian EMD thấp

7.2.2.1  Mục đích

Mục đích của thử nghiệm này là xác định PICC không tạo ta một biên độ nhiễu điện V_EMD cao hơn V_E,PICC trong t_E,PICC với trường hợp ngoại lệ xác định trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

CHÚ THÍCH 1 Thời gian EMD thấp t_E,PICC là một chức năng của FDT/TR0 như trong 8.2, ISO/IEC 14443-3.

CHÚ THÍCH 2 EMD giới hạn V_E,PICC là một chức năng của cường độ trường.

7.2.2.2  Các yêu cầu tạp âm

Để đảm bảo một dãy động cao và đủ độ nhạy với EMD, điều kiện ổn định trước thử nghiệm nền tạp âm xác định trong 5.5.3 phải thực hiện trước thử nghiệm này.

7.2.2.3  Các lệnh thử nghiệm

Thử nghiệm EMD PICC phải được thực hiện theo các lệnh của ISO/IEC 14443-3. Tùy thuộc vào ứng dụng PICC, các lệnh lớp cao hơn bổ sung phải bao hàm trong kế hoạch thử nghiệm.

7.2.2.4  Quy trình

Thử nghiệm này phải thực hiện ít nhất áp dụng H_min và H_max. Việc sử dụng bộ lắp ráp PCD thử nghiệm, thực hiện theo các bước sau:

a) Điều chỉnh công suất RF được truyền bởi bộ tạo tín hiệu đến ăng ten PCD thử nghiệm với cường độ trường được yêu cầu như đo được bởi cuộn dây hiệu chuẩn.

b) Đặt PICC trong điều kiện thử nghiệm vào vị trí DUT. Ổ đĩa RF vào trong ăng ten PCD thử nghiệm phải được điều chỉnh lại theo cường độ trường được yêu cầu nếu cần thiết.

c) Thiết lập lại PICC bằng cách đóng và mở trường RF; sau đó nếu cần thiết gửi một chuyển của các lệnh liên tiếp để đặt PICC trong trạng thái khởi động thử nghiệm, (xem Phụ lục G.3.3.2.1 cho PICC Kiểu A và Phụ lục G.4.4.1.1 cho PICC Kiểu B).

d) Gửi lệnh được thử nghiệm.

e) Ghi tín hiệu cuộn cảm trong một khoảng thời gian ít nhất 200 μs trước khi bắt đầu hệ sóng mang điều chế PICC. Ngoài ra, ghi ít nhất 50 μs sau khi sóng mang điều chế được phát hiện đầu tiên để đo chính xác vị trí trả lời PICC.

f) Đo giá trị t_E,PICC từ tín hiệu thu được: nếu PCD điều chế hiện rõ dấu hiệu thì đo thời gian giữa cạnh tăng cuối cùng của PCD điều chế và sự bắt đầu tạo sóng mang điều chế PICC và tính t_E,PICC với công dưa đã có trong 8.2, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3); nếu PCD điều chế không thể hiện dấu hiệu thì t_E,PICC bằng với giá trị lớn nhất của nó trong 8.2, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

g) Tính toán cường độ tín hiệu tại các tần số fc + fs và fc - fs như một chức năng thời gian như trong 5.5.2.

h) Việc sử dụng dữ liệu đạt được trong bước g), xác định xung nhịp thời gian t_START tương ứng với nửa bên trên biên độ băng trong cạnh tăng lên của việc truyền PICC. Kiểm tra về biên độ tín hiệu trong khoảng thời gian [t_START - _tE,PICC; t_START - 10/fc] tuân thủ các yêu cầu xác định trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

i) Lặp lại bước h) cho tần số băng tần thấp hơn.

j) Lặp lại các bước d) đến i) cho lệnh thử nghiệm tiếp theo.

7.2.2.5  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu xem mức độ EMD PICC trong khoảng t_E,PICC tuân thủ các yêu cầu xác định trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

Hơn nữa các báo cáo thử nghiệm phải cung cấp các mức độ nhiễu điện tối đa đo được của các dải băng cao và thấp hơn tại fc + fs và fc - fs trong t_E,PICC. Một biểu đồ hiển thị mức EMD trong t_E,PICC phải được đưa vào báo cáo trong trường hợp thử nghiệm không đạt.

7.2.3  Tiếp nhận PICC

7.2.3.1  Mục đích

Mục đích của thử nghiệm này là để kiểm tra khả năng PICC nhận các lệnh PCD.

7.2.3.2  PICC Kiểu A cho các tốc độ bit PCD đến PICC fc/128, fc/64, fc/32 và fc/16

7.2.3.2.1  Các điều kiện cho tốc độ bit PCD đến PICC fc/128

Ba điều kiện thử nghiệm được xác định với việc định xung nhịp thời gian tại ranh giới của dạng sóng điều chế PICC kiểu A định xung nhịp thời gian vùng các thông số xác định trong Hình 4, TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2):

- Điều kiện 1: : t1 -12 lớn nhất và t3 lớn nhất, không đạt vượt ngưỡng:

- Điều kiện 2: t1 -12 nhỏ nhất đạt được (với bộ lắp ráp PCD thử nghiệm) và t3 lớn nhất liên quan, đạt vượt ngưỡng lớn nhất:

- Điều kiện 3: t3 nhỏ nhất đạt được (với bộ lắp ráp PCD thử nghiệm) và t1 -12 lớn nhất liên quan, và vượt ngưỡng lớn nhất.

Biên độ sóng mang tại thời điểm kết thúc t2 phải ít hơn 4 %.

Ba điều kiện thử nghiệm này phải được thử nghiệm việc sử dụng ít nhất Hmin và Hmax trong khi thông số t1 là giá trị được qui định lớn nhất khi điều kiện 1 và 3 được sử dụng và là giá trị được qui định nhỏ nhất khi điều kiện 2 được sử dụng.

7.2.3.2.2  Các điều kiện cho tốc độ bit PCD đến PICC fc/64, fc/32 và fc/16

3 điều kiện thử nghiệm được xác định với việc định xung nhịp thời gian tại ranh giới của dạng sóng điều chế PICC kiểu A định xung nhịp thời gian vùng các thông số xác định trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2), các Hình 7, 8 và 9:

- Điều kiện 1: t1 -15 lớn nhất và t6 lớn nhất, không vượt ngưỡng;

- Điều kiện 2: t1 -15 nhỏ nhất đạt được (với bộ lắp ráp PCD thử nghiệm) và t6 lớn nhất liên quan, đạt vượt ngưỡng lớn nhất;

- Điều kiện 3: t6 nhỏ nhất đạt được (với bộ lắp ráp PCD thử nghiệm) và t1 -15 lớn nhất liên quan, và đạt vượt ngưỡng lớn nhất.

Ba điều kiện thử nghiệm này phải được thử nghiệm việc sử dụng ít nhất H_min và H_max trong khi:

- thông số a là giá trị được qui định lớn nhất khi điều kiện 1 được sử dụng và là giá trị nhỏ nhất có thể đạt được cho bộ lắp ráp PCD thử nghiệm khi điều kiện 2 và điều kiện 3 được sử dụng;

- thông số t1 là giá trị được qui định lớn nhất khi điều kiện 1 và điều kiện 3 được sử dụng và là giá trị được qui định nhỏ nhất khi điều kiện 2 được sử dụng.

7.2.3.2.3  Quy trình thử nghiệm

Trong các điều kiện xác định trong 7.2.3.2.1 PICC phải trả lời cho REQA với ATQA.

Đối với mỗi tốc độ bit PCD đến PICC tùy chọn được hỗ trợ bằng PICC, PICC phải vận hành trong các điều kiện xác định trong 7.2.3.2.2 sau khi lựa chọn tốc độ bit đó. PICC phải đáp ứng chính xác một khối-l được truyền tại tốc độ bit tùy chọn đó.

7.2.3.3  PICC Kiểu B cho các tốc độ bit PCD đến PICC fc/128, fc/64, fc/32 và fc/16

7.2.3.3.1  Các điều kiện thử nghiệm

3 điều kiện thử nghiệm được xác định với việc định xung nhịp thời gian tại ranh giới của dạng sóng điều chế PICC kiểu B định xung nhịp thời gian vùng các thông số xác định trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2:-9.1.2):

- Điều kiện 1: t_f lớn nhất và t_r lớn nhất, không dưới ngưỡng và vượt ngưỡng;

- Điều kiện 2: t_f nhỏ nhất đạt được (với bộ lắp ráp PCD thử nghiệm) và t_r lớn nhất liên quan, dưới và đạt vượt ngưỡng lớn nhất;

- Điều kiện 3: t_r nhỏ nhất đạt được (với bộ lắp ráp PCD thử nghiệm) và t_f lớn nhất liên quan, dưới và đạt vượt ngưỡng lớn nhất.

Ba điều kiện thử nghiệm này phải được thử nghiệm việc sử dụng ít nhất:

- H_min và H_max;

- chỉ số điều chế nhỏ nhất và lớn nhất m cho cường độ trường liên quan được áp dụng (xem 9.1.2, TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

7.2.2.3.2  Quy trình thử nghiệm

Trong các điều kiện xác định trong 7.2.3.3.1 việc vận hành PICC tại một tốc độ bit fc/128 phải trả lời cho REQB với ATQB.

Đối với mỗi tốc độ bit PCD đến PICC tùy chọn được hỗ trợ bằng PICC, PICC phải vận hành trong các điều kiện xác định trong 7.2.3.2.1 sau khi lựa chọn tốc độ bit đó. PICC phải đáp ứng chính xác một khối-l được truyền tại tốc độ bit tùy chọn đó.

7.2.3.4  PICC Kiểu A hoặc Kiểu B cho các tốc độ bit PCD đến PICC fc/8, fc/4 và fc/2

Xem 7.2.3.3

7.2.3.5  Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải kiểm tra hoạt động dự kiến theo tốc độ bit bắt buộc fc/128. Đối với các PICC hỗ trợ một hoặc nhiều tốc độ bit cao tùy chọn báo cáo thử nghiệm phải kiểm tra hoạt động dự kiến theo tốc độ bit hỗ trợ. Các điều kiện thử nghiệm được sử dụng phải có trong báo cáo thử nghiệm.

7.2.4  PICC tần số cộng hưởng (tham khảo)

7.2.4.1  Mục đích

Thử nghiệm có thể được dùng để đo tần số cộng hưởng của một PICC.

Khi 2 hay nhiều PICC được đặt trong trường công suất PCD tương tự nhau, tần số cộng hưởng của từng PICC giảm.

Chú ý trong việc thiết kế từng tần số cộng hưởng PICC.

CẢNH BÁO - Tần số cộng hưởng có thể phụ thuộc cường độ trường sử dụng trong đo lường.

7.2.4.2  Quy trình

Tần số cộng hưởng của một PICC được đo bằng cách dùng một bộ phân tích trở kháng hoặc một bộ phân tích mạng lưới hoặc một LCR-met được kết nối với cuộn dây hiệu chuẩn. PICC phải được đặt trên cách cuộn dây hiệu chuẩn 10 mm, với các trục của 2 cuộn dây đồng dư. Tần số cộng hưởng là tần số mà tại đó phần điện trở của trở kháng phức đo được lớn nhất.

7.2.4.3  Báo cáo thử nghiệm

Khi báo cáo thử nghiệm được áp dụng phải đưa ra tần số cộng hưởng PICC và các điều kiện đo lường.

7.2.5  Tác động tải lớn nhất PICC

7.2.5.1  Mục đích

Thử nghiệm này được sử dụng để đo tác động tải PICC.

7.2.5.2  Quy trình

Tùy thuộc vào lớp PICC được yêu cầu, lựa chọn:

- H_min liên quan như trong Bảng 2, TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2);

- PICC tham chiếu liên quan như trong Bảng 3 và điện áp V_tải của nó;

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm liên quan như trong Bảng 3.

Nếu PICC không yêu cầu bất kỳ lớp đặc biệt nào như qui định trong TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1), thì các thông số PICC Lớp 1, dụng cụ thử nghiệm và các mạch phải được sử dụng trong thử nghiệm này.

Tác động tải PICC tại H_min phải được đo bằng bộ lắp ráp PCD thử nghiệm. Nếu nó không vượt quá tác động tải của PICC tham chiếu được chọn chỉnh đến 13,56 MHz và hiệu chỉnh để đạt V_tải ở CON3 tại H_min. Quy trình của phương pháp thay thế này như sau.

a) Chỉnh PICC tham chiếu được chọn đến 13,56 MHz như trong 5.4.3.

b) Hiệu chỉnh bộ lắp ráp PCD thử nghiệm để tạo điều kiện vận hành H_min trên cuộn dây hiệu chuẩn.

c) Đặt PICC tham chiếu vào trong vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm. Chuyển chân nối J1 đến vị trí ‘b’ và điều chỉnh R2 đạt điện áp DC V_tải đo tại đầu kết nối CON3. Ngoài ra, chân nối J1 có thể được đặt là vị trí ‘c’ và điện áp được áp dụng trên CON2 được điều chỉnh đạt đến điện áp DC V_tải ở đầu kết nối CON3. Trong cả 2 trường hợp, điều kiện trường hoạt động phải được xác bởi việc giám sát điện áp trên cuộn dây hiệu chuẩn và được hiểu chỉnh, nếu cần.

CẢNH BÁO - Giá trị R2 nên nằm giữa R2 nhỏ nhất và R2 lớn nhất như trong Bảng 3. Kiểm tra dải này ít nhất một lần trước khi sử dụng phương pháp thay thế.

d) Gỡ bỏ PICC tham chiếu.

e) Đặt PICC trong thử nghiệm vào vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm.

f) Đo cường độ trường HC được giám sát bằng cuộn dây hiệu chuẩn. Cường độ trường HC phải lớn hơn H_min.

7.2.5.3  Báo cáo thử nghiệm

Kết quả thử nghiệm chỉ là ĐẠT nếu cường độ trường được đo trong bước f) lớn hơn H_min, còn không là KHÔNG ĐẠT

Báo cáo thử nghiệm phải đưa ra giá trị về cường độ trường đo được.

7.3  Các phương pháp thử cho các tốc độ bit 3fc/4, fc, 3fc/2 và 2fc từ PCD đến PICC

Xem Phụ lục K.

7.4  Thử nghiệm PXD

Thử nghiệm PCD và PICC phải được áp dụng như sau;

- khi PXD trong chế độ PCD, thử nghiệm xác định trong 7.1 và 7.3 tùy chọn phải được áp dụng:

- khi PXD trong chế độ PICC, thử nghiệm xác định trong 7.2 và 7.3 tùy chọn phải được áp dụng.

CHÚ THÍCH Trong luân phiên chế độ tự động, PXD có thể bị bắt buộc vào chế độ được yêu cầu.

8  Thử nghiệm thông số của TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) và TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4)

8.1  Thử nghiệm PCD

Xem Phụ lục H và Phụ lục I.

8.2  Thử nghiệm PICC

Xem Phụ lục G.

8.3  Thử nghiệm PXD

8.3.1  Các chế độ PCD và PICC

Thử nghiệm PCD và PICC phải được áp dụng như sau:

- khi PXD trong chế độ PCD, thử nghiệm được xác định trong 8.1 phải được áp dụng:

- khi PXD trong chế độ PICC, thử nghiệm được xác định trong 8.2 phải được áp dụng.

CHÚ THÍCH Trong luân phiên chế độ tự động, PXD có thể bị bắt buộc vào chế độ được yêu cầu.

8.3.2  Luân phiên chế độ tự động

Thử nghiệm này xác định trong điều phụ này chỉ áp dụng đối với PXD hỗ trợ luân phiên chế độ tự động.

Một chu kì được xác định là một khoảng thời gian giữa 2 khởi đầu liên tục của chế độ PCD (trường RF mở).

8.3.2.1  Chu kì luân phiên chế độ PCD và PICC

8.3.2.1.1  Mục đích

Thử nghiệm này kiểm tra

- mỗi chu kì không dài hơn t_cyc,

- trong mỗi chu kì, chế độ PICC kéo dài hơn chế độ PCD, và

- khoảng thời gian của chế độ PICC thay đổi ngẫu nhiên và khác biệt bởi t_diff nhất.

8.3.2.1.2  Điều kiện

PXD không nên ở gần với PXD, PCD hoặc PICC khác.

8.3.2.1.3  Quy trình

Trường RF của PXD phải được giám sát và đánh giá ít nhất trong 10 chu kì liên tục.

a) Đảm bảo PXD là luân phiên chế độ tự động.

b) Đo tất cả trường RF mở ra và trường RF ngắt.

8.3.2.1.4  Báo cáo thử nghiệm

Kết quả thử nghiệm là ĐẠT nếu tất cả các điều kiện dưới đây phù hợp:

- không chu kì nào kéo dài hơn t_cyc;

- đối với mỗi t_cyc khoảng thời gian chế độ PICC (Trường RF ngắt) dài hơn khoảng thời gian chế độ PCD (Trường RF mở);

- các khoảng thời gian chế độ PICC khác nhau;

- các khoảng thời gian chế độ PICC lớn nhất và nhỏ nhất khác nhau bởi t_diff ít nhất.

Kết quả thử nghiệm khác là KHÔNG ĐẠT.

CHÚ THÍCH 1 Đánh giá cao tính ngẫu nhiên của khoảng thời gian chế độ PICC có thể được thực hiện với các phương pháp thống kê chung.

CHÚ THÍCH 2 Vì các lí do thông kê kết quả thử nghiệm có thể KHÔNG ĐẠT và thử nghiệm có thể được lặp lại.

8.3.2.2  Chế độ PCD

8.3.2.2.1  Kiểm soát vòng

8.3.2.2.1.1  Mục đích

Thử nghiệm này kiểm tra PXD có trong các kiểm soát vòng luân phiên chế độ tự động hay không đối với các PICC Kiểu A và Kiểu B như trong TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3), 5.3 trong từng chu kì của chế độ PCD.

8.3.2.2.1.2  Điều kiện

PXD không nên gần với PXD, PCD hoặc PICC khác.

8.3.2.2.1.3  Quy trình

Tất cả các điều chế trong chế độ PCD phải được giám sát, và các thời gian giữa các lệnh yêu cầu phải được đo trong ít nhất 10 chu kì liên tục.

a) Đảm bảo PXD trong chế độ luân phiên tự động.

b) Giám sát tất cả các lệnh yêu cầu trong chế độ PCD.

c) Đo các thời gian trước và giữa mỗi lệnh.

8.3.2.2.1.4  Báo cáo thử nghiệm

Kết quả thử nghiệm là ĐẠT nếu tất cả các điều kiện dưới đây phù hợp trong từng chu kì:

- ít nhất một lệnh REQA/WUPA được gửi bởi PXD;

- ít nhất một lệnh REQB/WUPB được gửi bởi PXD;

- khoảng thời gian trường không được điều chế trước khi ít nhất một trong các lệnh REQA/WUPA lớn hơn 5 ms;

- khoảng thời gian trường không được điều chế trước khi ít nhất một trong các lệnh REQB/WUPB lớn hơn 5 ms.

Kết quả thử nghiệm khác là KHÔNG ĐẠT.

8.3.2.2.2  Kết thúc chế độ PCD

8.3.2.2.2.1  Mục đích

Thử nghiệm này kiểm tra PXD có trong luân phiên chế độ tự động rời khỏi chế độ PCD sau khi Xử lý một PICC, và lại tiếp tục trở lại luân phiên chế độ tự động với chế độ PICC đầu tiên.

8.3.2.2.2.2  Điều kiện

Dụng cụ-thử nghiệm-PCD phải được sử dụng.

8.3.2.2.2.3  Quy trình

Thực hiện các bước sau:

a) Đặt Dụng cụ-thử nghiệm-PCD theo bộ qui tắc hoạt động của PXD.

b) Gửi các đáp ứng đến các lệnh chống va chạm gửi bởi PXD cho đến khi dụng cụ-thử nghiệm-PCD ở trong trạng thái ACTIVE hoặc PROTOCOL.

c) Không trả lời thêm bất kì lệnh PXD.

8.3.2.2.2.4  Báo cáo thử nghiệm

Kết quả thử nghiệm là ĐẠT nếu PXD tiếp tục trở lại luân phiên chế độ tự động, có thể sau khi áp dụng việc Xử lý lỗi hoặc nguyên tắc kiểm tra có mặt PICC, với chế độ PICC đầu tiên, kết quả thử nghiệm khác là KHÔNG ĐẠT.

8.3.2.3  Chế độ PICC

8.3.2.3.1  Phản ứng để kiểm soát vòng

8.3.2.3.1.1  Mục đích

Thử nghiệm này kiểm tra PXD trong luân phiên chế độ tự động đáp ứng các lệnh yêu cầu Kiểu A hoặc Kiểu B như trong 5.3, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) trong từng chu kì của chế độ PICC.

8.3.2.3.1.2  Điều kiện

Dụng cụ-thử nghiệm-PICC phải được sử dụng.

8.3.2.3.1.3  Quy trình 1

Thực hiện các bước sau:

a) Tắt trường hoạt động RF dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

b) Đặt PXD vào trong vị trí thử nghiệm của Dụng cụ-thử nghiệm-PICC và đảm bảo PXD ở trong chế độ luân phiên tự động.

c) Bật trường hoạt động RF dụng cụ-thử nghiệm-PICC trong khi trường RF PXD đang mở.

d) Gửi một lệnh REQA 5 ms sau khi bắt đầu chế độ PICC (Trường RF PXD ngắt).

e) Gửi một lệnh REQB 5 ms sau khi kết thúc lệnh REQA.

f) Ghi sự hiện diện và nội dung của đáp ứng PXD.

8.3.2.3.1.4  Quy trình 2

Thực hiện các bước sau:

a) Tắt trường hoạt động RF dụng cụ-thử nghiệm-PICC

b) Đặt PXD vào trong vị trí thử nghiệm của dụng cụ-thử nghiệm-PICC và đảm bảo PXD ở trong chế độ luân phiên tự động.

c) Bật trường hoạt động RF dụng cụ-thử nghiệm-PICC trong khi trường RF PXD đang mở.

d) Gửi một lệnh REQB 5 ms sau khi bắt đầu chế độ PICC (Trường RF PXD ngắt).

e) Gửi một lệnh REQA 5 ms sau khi kết thúc lệnh REQB.

f) Ghi sự hiện diện và nội dung của đáp ứng PXD.

8.3.2.3.1.5  Báo cáo thử nghiệm

Kết quả thử nghiệm là ĐẠT nếu đáp ứng PXD là một trong những trường hợp sau:

- ATQA trong từng quy trình của 2 quy trình (Chế độ PICC Kiểu A):

- ATQB trong từng quy trình của 2 quy trình (Chế độ PICC Kiểu B);

- ATQA trong quy trình 1 và ATQB trong quy trình 2 (Chế độ PICC Kiểu A và Kiểu B).

Kết quả thử nghiệm khác là KHÔNG ĐẠT.

8.3.2.3.2  Khoảng thời gian chế độ PICC và các điều kiện thoát khỏi

8.3.2.3.2.1  Mục đích

Thử nghiệm này kiểm tra xem sau việc tiếp nhận lệnh REQA/WUPA hoặc REQB/WUPB hợp lệ, PXD trong luân phiên chế độ tự động không vận hành chế độ PCD trước một trạng thái POWER-OFF.

8.3.2.3.2.2  Điều kiện

Dụng cụ-thử nghiệm-PICC phải được sử dụng.

8.3.2.3.2.3  Quy trình

Thực hiện các bước sau:

a) Bật trường hoạt động RF dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

b) Đảm bảo PXD trong chế độ luân phiên tự động và đặt PXD vào trong vị trí thử nghiệm của Dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Gửi một lệnh REQA ít nhất 5 ms sau khi bắt đầu chế độ PICC (Trường RF PXD ngắt).

d) Gửi một lệnh REQB 5 ms sau khi kết thúc lệnh REQA nếu không có câu trả lời đối với lệnh REQA.

e) Giữ Dụng cụ-thử nghiệm-PICC trường RF mở hơn 2 s.

f) Tiếp tục với các lệnh chống va chạm để đặt PXD trong trạng thái ACTIVE hoặc PROTOCOL và kiểm tra các đáp ứng PXD.

g) Gửi một lệnh HALT hoặc S(DESELECT) để đặt PXD trong trạng thái HALT.

h) Giữ Dụng cụ-thử nghiệm-PICC trường RF mở hơn 2 s.

i) Gửi một lệnh yêu cầu theo Kiểu được trả lời theo bước c) hoặc d) và kiểm tra việc không có đáp ứng PXD.

j) Gửi một lệnh Wake-up theo Kiểu được trả lời theo bước c) hoặc d) và kiểm tra việc có đáp ứng PXD.

k) Tắt trường hoạt động RF dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

l) Kiểm tra luân phiên tự động bắt đầu trở lại ít hơn 1 s bởi việc giám sát PXD Trường RF.

8.3.2.3.2.4  Báo cáo thử nghiệm

Kết quả thử nghiệm là ĐẠT nếu tất cả các bước của quy trình thành công, nếu không kết quả thử nghiệm là KHÔNG ĐẠT.

Phụ lục A

(qui định)

Ăng-ten PCD thử nghiệm

A.1  Bố trí ăng-ten PCD thử nghiệm gồm mạng phối hợp trở kháng

Các Hình A.1, A.2, A.3 và A.4 minh họa bố trí ăng-ten PCD thử nghiệm. Các bản vẽ không theo tỉ lệ.

Rãnh cuộn dây ăng-ten có chiều rộng 1,8 mm (ngoại trừ qua các lỗ kim loại dẹt).

Bắt đầu từ mạng phối hợp trở kháng góc cắt chéo 45 ^o.

Bảng mạch in (PCB): Vật liệu FR4, chiều dày 1,6 mm, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH 1 Bố trí của mạng phối hợp trở kháng là thông tin.

CHÚ THÍCH 2 Các bảng mạch in như vậy và các điện trở R_ext có sẵn từ các nguồn thương mại khác nhau.

Hình A.1 - Bố trí ăng-ten PCD thử nghiệm gồm mạng phối hợp trở kháng với tốc độ bit fc/128 (Xem từ mặt trước)

Hình A.2 - Bố trí ăng-ten PCD thử nghiệm gồm mạng phối hợp trở kháng với tốc độ bit fc/128 (xem từ mặt sau)

Hình A.3 - Bố trí ăng-ten PCD thử nghiệm gồm mạng phối hợp trở kháng với các tốc độ bit cao hơn fc/128 (xem từ mặt trước)

Hình A.4 - Bố trí ăng-ten PCD thử nghiệm gồm mạng phối hợp trở kháng với các tốc độ bit cao hơn fc/128 (xem từ mặt sau)

A.2  Mạng phối hợp trở kháng

Trở kháng ăng-ten (R_ant, L_ant) được thích ứng với trở kháng đầu ra bộ tạo tín hiệu (Z = 50 Ω) bởi một mạch kết hợp (xem A.2.1 và A.2.2). Các tụ điện C1, C1a, C1b, C2 và C3 có các giá trị cố định. Pha trở kháng đầu vào có thể được điều chỉnh với tụ điện biến thiên C4.

Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm như trong 5.3 và trong Phụ lục dự định được sử dụng đối với những đo lường giới hạn thời gian, để tránh yếu tố riêng quá nóng. Nếu thử nghiệm vận hành liên tục, tản nhiệt phải được cải thiện. Chú ý giữ cho điện áp và tản nhiệt lớn nhất trong các giới hạn qui định của yếu tố riêng.

Hai mạng phối hợp trở kháng được mô tả: mạng phối hợp trở kháng cho tốc độ bit fc/128 và mạng phối hợp trở kháng cho các tốc độ bit cao hơn fc/128. Xem Bảng A.1.

Bảng A.1 - Các trường hợp sử dụng mạng phối hợp trở kháng

CHÚ THÍCH 1 Dung sai trở kháng ăng-ten phối hợp là ± 5 Ω và ± 10 ^o.

CHÚ THÍCH 2 R_ext được đặt ở phía bên mặt của cuộn dây ăng-ten.

CHÚ THÍCH 3 Khoảng công suất và điện áp gồm một ngưỡng an toàn.

Bộ điều khiển công suất 50 Ω đầu ra biến đổi méo thấp tuyến tính phải có khả năng tạo các điều chế Kiểu A và B cho việc truyền dẫn REQA và REQB như trong 7.2.2. Công suất đầu ra phải được điều chỉnh để truyền các trường H trong khoảng từ 1,5 A/m (rms) - 12 A/m (rms). Chú ý với khoảng thời gian của các trường ở dải hoạt động cao hơn bằng 7,5 A/m (rms).

A.2.1  Mạng phối hợp trở kháng cho tốc độ bit fc/128

Bảng thành phần

Hình A.5 - Mạng phối hợp trở kháng cho tốc độ bit fc/128

CHÚ THÍCH 1 R_ext có thể xây dựng bởi việc kết nối 5 điện trở 4,7 Ω 2 W song song.

CHÚ THÍCH 2 R_ext có thể vẫn đặt ở vị trí đánh dấu với đường viền ngoài gạch như chỉ ra trong Hình A.5.

CHÚ THÍCH 3 R_ext có thể 4 W nếu trường lớn nhất lên đến 7,5 A/m (rms).

CHÚ THÍCH 4 Điện dung kí sinh của ăng-ten không được chỉ ra trong Hình A.5.

A.2.2  Mạng phối hợp trở kháng cho các bit tốc độ fc/64, fc/32 và fc/16

Bảng thành phần:

Hình A.6 - Mạng phối hợp trở kháng cho các bit tốc độ cao hơn fc/128

CHÚ THÍCH 1 R_ext có thể được dựng bởi một mạch 2 điện trở song song 4,7 Ω 5 W mắc nối tiếp.

R_ext nên được đặt trên phía tiếp đất của ăng-ten như Hình A.6.

CHÚ THÍCH 2 Điện dung kí sinh của ăng-ten không được thể hiện trong Hình A.6.

A.3  Ăng ten PCD thử nghiệm 2

A.3.1  Bố trí ăng ten PCD thử nghiệm 2 bao gồm mạng phối hợp trở kháng

Hình A.7 và Hình A.8 minh họa bố trí ăng ten PCD thử nghiệm 2. Các bản vẽ không theo tỉ lệ.

Rãnh cuộn dây ăng-ten có chiều rộng 1,8 mm (ngoại trừ xuyên qua các lỗ kim loại dẹt).

Bắt đầu từ mạng phối hợp trở kháng có các góc cắt chéo 45 ^o.

Bảng mạch in (PCB): Vật liệu FR4, chiều dày 1,6 mm, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH 1 Bố trí và vị trí của mạng phối hợp trở kháng là tham khảo. Kích thước PCB bên ngoài là tham khảo.

CHÚ THÍCH 2 Các bảng mạch in như vậy và các điện trở R_ext có sẵn từ các nguồn thương mại khác nhau.

Hình A.7 - Bố trí ăng ten PCD thử nghiệm 2 gồm mạng phối hợp trở kháng (xem từ mặt trước)

Hình A.8 - Bố trí ăng ten PCD thử nghiệm 2 gồm mạng phối hợp trở kháng (xem từ mặt sau)

A.3.2  Mạng phối hợp trở kháng 2

Bảng thành phần:

Hình A.9 - Mạng phối hợp trở kháng 2

CHÚ THÍCH 1 R_ext có thể được dựng bởi một trong mạch song song gồm 2 nhánh bằng nhau có 2 điện trở là 2,7 Ω 5 W mắc nối tiếp của từng mạch hoặc một mạch song song gồm 10 Ω, 10 Ω, 10 Ω và 15 Ω, 5 W.

R_ext phải được đặt trong mặt phẳng của ăng ten như vẽ trong Hình A.9.

CHÚ THÍCH 2 Điện dung kí sinh của ăng ten không được thể hiện trong Hình A.9.

Phụ lục B

(tham khảo)

Chỉnh Ăng-ten PCD thử nghiệm

Các Hình B.1 và B.2 chỉ ra 2 bước trong quy trình chỉnh pha đơn giản để phối hợp trở kháng của ăng-ten mà vận hành máy phát. Sau 2 bước của quy trình chỉnh bộ tạo tín hiệu phải được nối trực tiếp với đầu ra ăng-ten cho thử nghiệm.

Bước 1:

Điện trở có độ chính xác cao 50 Ω ± 1 % (ví dụ như điện trở BNC 50 Ω) được chèn vào dòng tín hiệu giữa đầu ra bộ tạo tín hiệu và đầu kết nối ăng-ten. Hai đầu dò máy hiện sóng được kết nối với cả 2 mặt của điện trở tham chiếu nối tiếp. Máy hiện sóng hiển thị một hình Lissajous khi nó thiết lập trong cách thể hiện Y đến X. Bộ tạo tín hiệu được đặt là:

- Dạng sóng: Hình sin;

- Tần số: 13,56 MHz;

- Biên độ: 2 V (rms) - 5 V (rms).

Đầu ra được chấm dứt với điện trở có độ chính xác cao thứ hai 50Ω ± 1% (ví dụ như điện trở cuối cùng BNC 50 Ω). Đầu dò song song với đầu kết nối đầu ra có một điện dung kí sinh nhỏ Cprobe. Một điện dung hiệu chuẩn Ccal song song với điện trở tham chiếu bù với máy có khả năng đầu dò nếu C_cal = C_probe. Máy có khả năng đầu dò được bù khi hình Lissajous được đóng hoàn toàn.

Hình B.1 - Thiết lập hiệu chuẩn (Bước 1)

CHÚ THÍCH Cáp mặt đất phải được vận hành gần với đầu dò để tránh các điện áp cảm ứng gây ra bởi từ trường.

Bước 2:

Việc sử dụng các giá trị giống nhau như thiết lập đối với bước 1, trong bước 2 mạch kết hợp được kết nối với đầu ra ăng-ten. Tụ điện C4 trên bảng ăng-ten được dùng để chỉnh pha đến 0.

Hình B.2 - Thiết lập hiệu chuẩn (Bước 2)

Phụ lục C

(qui định)

Cuộn cảm

C.1  Bố trí cuộn cảm

C.1.1  Bố trí cuộn cảm 1

Hình C.1 minh họa bố trí cuộn cảm 1, kích thước tính theo mi-li-mét (các bản vẽ không theo tỉ lệ).

Rãnh cuộn cảm rộng 0,5 mm với dung sai tương đối ± 20% (ngoại trừ qua các lỗ kim loại dẹt). Kích cỡ của các cuộn dây đề cập đến kích thước bên ngoài.

Bảng mạch in (PCB): vật liệu FR4, chiều dày 1,6 mm, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH Các bảng mạch in có sẵn từ các nguồn thương mại khác nhau.

Hình C.1 - Bố trí các cuộn cảm 1 (a và b)

C.1.2  Bố trí cuộn cảm 2

Hình C.2 minh họa bố trí cuộn cảm 2, kích thước tính theo mi-li-mét (các bản vẽ không theo tỉ lệ).

Rãnh cuộn cảm rộng 0,5 mm với dung sai tương đối ± 20% (ngoại trừ qua các lỗ kim loại dẹt). Kích cỡ của các cuộn dây đề cập đến kích thước bên ngoài.

Bảng mạch in (PCB): vật liệu FR4, chiều dày 1,6 mm, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH Các bảng mạch in có sẵn từ các nguồn thương mại khác nhau.

Hình C.2 - Bố trí các cuộn cảm (a và b)

C.1.3  Bộ lắp ráp cuộn cảm

Hình C.3 minh họa bộ lắp ráp cuộn cảm.

Hình C.3 - Bộ lắp ráp cuộn cảm

Phụ lục D

(qui định)

PICC tham chiếu

D.1  Bố trí cuộn dây PICC tham chiếu 1

Hình D.1 qui định bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 1.

Hình D.1 - Bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 1

Kích thước so với trung tâm rãnh (các bản vẽ không theo tỉ lệ).

Cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính phải đồng tâm.

2 cuộn dây có chiều rộng rãnh và cách khoảng phải là 0,5 mm với dung sai tương đối ± 20 %.

Bảng mạch in (PCB): vật liệu FR4, chiều dày 0,76 mm với dung sai tương đối ± 10 %, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH 1 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây chính L1 là 2,3 μH ± 10 % và điện trở là 1,8 Ω ± 10 %.

CHÚ THÍCH 2 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây thụ âm L2 là 375 nH ± 10 % và điện trở xấp xỉ 0,65 Ω ± 10%.

CHÚ THÍCH 3 Các bảng mạch in như vậy có sẵn từ các nguồn thương mại khác nhau.

D.2  Bố trí cuộn dây PICC tham chiếu 2

Hình D.2 qui định bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 2.

Hình D.2 - Bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 2

Kích thước so với trung tâm rãnh (các bản vẽ không theo tỉ lệ).

Kích thước cuộn chính: 75 mm x 24 mm (các kích thước bên ngoài).

Cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính phải đồng tâm.

2 cuộn dây có chiều rộng rãnh và khoảng cách phải là 0,5 mm với dung sai tương đối ± 20 %.

Tất cả các góc cuộn dây chính phải có bán kính 2 mm.

Bảng mạch in (PCB): vật liệu FR4, chiều dày 0,76 mm với dung sai tương đối ± 10 %, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH 1 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây chính L1 là 2,4 μH ± 10 % và điện trở là 1,9 Ω ± 10 %.

CHÚ THÍCH 2 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây thụ âm L2 là 417 nH ± 10 % và điện trở xấp xỉ 0,8 Ω ± 10%.

D.3  Bố trí cuộn dây PICC tham chiếu 3

Hình D.3 qui định bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 3.

Hình D.3 - Bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 3

Kích thước so với trung tâm rãnh (các bản vẽ không theo tỉ lệ).

Kích thước cuộn chính: 46 mm x 32 mm (các kích thước bên ngoài).

Cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính phải đồng tâm.

Chiều rộng rãnh cuộn dây thụ âm phải là 0,5 mm với dung sai tương đối ± 20 %.

Chiều rộng rãnh cuộn dây chính và khoảng trống phải là 0,3 mm với dung sai tương đối ±20 %.

Bảng mạch in (PCB): vật liệu FR4, chiều dày 0,76 mm với dung sai tương đối ± 10 %, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH 1 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây chính L1 là 2,39 μH ± 10 % và điện trở là 2,18 Ω ± 10 %.

CHÚ THÍCH 2 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây thụ âm L2 là 405 nH ± 10 % và điện trở xấp xỉ 0,76 Ω ± 10 %.

D.4  Bố trí cuộn dây PICC tham chiếu 4

Hình D.4 qui định bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 4.

Hình D.4 - Bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 4

Kích thước so với trung tâm rãnh (các bản vẽ không theo tỉ lệ).

Kích thước cuộn chính: 47 mm x 24 mm (các kích thước bên ngoài).

Cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính phải đồng tâm.

Chiều rộng rãnh cuộn dây thụ âm phải là 0,5 mm với dung sai tương đối ± 20 %.

Tất cả các góc cuộn dây chính phải có bán kính 2 mm.

Chiều rộng rãnh cuộn dây chính phải là 0,4 mm và khoảng trống phải là 0,35 mm với dung sai tương đối ± 20 %.

Bảng mạch in (PCB): vật liệu FR4, chiều dày 0,76 mm với dung sai tương đối ± 10 %, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH 1 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây chính L1 là 2,3 μH ± 10 % và điện trở là 1,8 Ω ± 10 %.

CHÚ THÍCH 2 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây thụ âm 12 là 390 nH ± 10 % và điện trở xấp xỉ 0,7 Ω ± 10%.

D.5  Bố trí cuộn dây PICC tham chiếu 5

Hình D.5 qui định bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 5.

Hình D.5 - Bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 5

Kích thước so với trung tâm rãnh (các bản vẽ không theo tỉ lệ).

Kích thước cuộn chính: 38 mm x 22 mm (các kích thước bên ngoài).

Cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính phải đồng tâm.

Chiều rộng rãnh cuộn dây thụ âm phải là 0,5 mm với dung sai tương đối ± 20 %.

Tất cả các góc cuộn dây chính phải có bán kính 2 mm.

Chiều rộng rãnh cuộn dây chính và khoảng trông phải là 0,35 mm với dung sai tương đối ± 20 %.

Bảng mạch in (PCB): vật liệu FR4, chiều dày 0,76 mm với dung sai tương đối ± 10 %, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH 1 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây chính L1 là 2,4 μH ± 10 % và điện trở là 1,9 Ω ± 10 %.

CHÚ THÍCH 2 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây thụ âm L2 là 380 nH ± 10 % và điện trở xấp xỉ 0,7 Ω ± 10%.

D.6  Bố trí cuộn dây PICC tham chiếu 6

Hình D.6 qui định bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 6.

Hình D.6 - Bố trí cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính PICC tham chiếu 6

Kích thước so với trung tâm rãnh (các bản vẽ không theo tỉ lệ).

Kích thước cuộn chính: 25 mm x 20 mm (các kích thước bên ngoài).

Cuộn dây thụ âm và cuộn dây chính phải đồng tâm.

Chiều rộng rãnh cuộn dây thụ âm phải là 0,5 mm với dung sai tương đối ± 20 %.

Tất cả các góc cuộn dây chính phải có bán kính 1 mm.

Chiều rộng rãnh cuộn dây chính phải là 0,3 mm và khoảng trống phải là 0,2 mm với dung sai tương đối ± 20 %.

Bảng mạch in (PCB): vật liệu FR4, chiều dày 0,76 mm với dung sai tương đối ± 10 %, 2 mặt 35 μm bằng đồng.

CHÚ THÍCH 1 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây chính L1 là 2,3 μH ± 10 % và điện trở là 2,2 Ω ± 10 %.

CHÚ THÍCH 2 Tại 13,56 MHz độ tự cảm của cuộn dây thụ âm L2 là 370 nH ± 10 % và điện trở xấp xỉ 0,7 Ω ± 10%.

Phụ lục E

(qui định)

Chỉ số điều chế và công cụ phân tích dạng sóng

E.1  Tổng quan

Nguyên tắc làm việc của công cụ phân tích chỉ số điều chế và dạng sóng được minh họa trong Hình E.1.

Hình E.1 - Sơ đồ khối công cụ phân tích chỉ số điều chế và dạng sóng

Mỗi khối được mô tả trong các điều sau đây.

E.2  Lấy mẫu

E.2.1  Lấy mẫu cho các tốc độ bit fc/128, fc/64, fc/32 và fc/16

Máy hiện sóng sử dụng để thu giữ tín hiệu phải thực thi các yêu cầu xác định trong 5.1.1.

Dữ liệu thời gian và điện áp của một xung điều chế (xem Hình E.2) phải được chuyển sang một máy tính phù hợp.

Hình E.2 - Điều chế xung

E.2.2  Lấy mẫu cho các tốc độ bit fc/8, fc/4 và fc/2

Máy hiện sóng sử dụng để thu giữ tín hiệu phải thực thi các yêu cầu xác định trong 5.1.1.

Dữ liệu thời gian và điện áp của một khung PCD chứa các xung điều chế dài và ngắn (có thể là một lệnh S(DESELECT) hoàn chỉnh) như minh họa trong Hình E.3, với ít nhất 20 khoảng thời gian sóng mang trước xung điều chế đầu tiên và sau xung điều chế cuối cùng, phải được chuyển sang một máy tính phù hợp.

Hình E.3 - Xung điều chế

E.3  Việc lọc

E.3.1  Việc lọc cho các tốc độ bit fc/128, fc/64, fc/32 và fc/16

Một bộ lọc thông dải kiểu Butterworth bậc 4, với tần số trung tâm 13,56 MHz và 10 MHz độ rộng băng thông 3-dB phải được sử dụng để lọc DC và thành phần hài cao. Đặc tính của bộ lọc được minh họa trong Hình E.4.

Hình E.4 - Đặc tính của bộ lọc

E.3.2  Việc lọc cho các tốc độ bit fc/8, fc/4 và fc/2

Một bộ lọc thông dải kiểu Butterworth bậc 4, với tần số trung tâm 13,56 MHz và 15 MHz độ rộng băng thông 3-dB phải được sử dụng cho việc lọc DC và thành phần hài cao.

E.4  Tạo đường bao

Tín hiệu được lọc phải được biến đổi Hilbert và độ lớn của biến đổi phức này thể hiện đường bao tín hiệu.

E.5  Làm trơn đường bao

E.5.1  Làm trơn đường bao cho các tốc độ bit fc/128, fc/64, fc/32 và fc/16

Đường bao tín hiệu phải làm trơn với bộ lọc trung bình di chuyển và khoảng thời gian lọc phải là một khoảng thời gian sóng mang. Tín hiệu đường bao làm trơn được minh họa trong Hình E.5.

Hình E.5 - Làm trơn đường bao

E.5.2  Làm trơn đường bao cho các tốc độ bit fc/8, fc/4 và fc/2

Phải không làm trơn đường bao tín hiệu.

E.6  Xác định chỉ số điều chế

Các biên độ tín hiệu đường bao điều chế ban đầu phải được xác định bằng cách tính toán biểu đồ tín hiệu đường bao làm trơn. Các giá trị thường xuyên nhất tương ứng với biên độ tín hiệu đường bao điều chế ban đầu. Đối với các tín hiệu điều chế Kiểu A chỉ biên độ tín hiệu đường bao điều chế ban đầu phải được xác định bằng việc sử dụng biểu đồ tần số.

Đối với các tốc độ bit fc/8, fc/4 và fc/2 giá trị nhỏ nhất của chỉ số điều chế m phải được xác định hoàn toàn trong khung PCD (xem Hình E.6). Khung PCD phải chứa (101010.10)b.

Hình E.6 - Giá trị nhỏ nhất của chỉ số điều chế m

E.7  Xác định định xung nhịp thời gian

Số lần đi gia tăng và giảm xuống phải được xác định theo các định nghĩa trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

Cho các tốc độ fc/8, fc/4 và fc/2 việc định xung nhịp thời gian tại các vị trí với các vị trí xung điều chế dài, ví dụ t_f tại vị trí chuyển tiếp đến SOF thấp và t_r tại vị trí chuyển tiếp đến EOF cao.

E.8  Xác định vượt ngưỡng và dưới ngưỡng

Tín hiệu đường bao làm trơn sẵn sàng phải được làm trơn hơn bằng một bộ lọc trung bình động trên 3 khoảng thời gian sóng mang trước khi xác định các giá trị vượt ngưỡng và dưới ngưỡng theo các định nghĩa trong TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2).

E.9  Chương trình công cụ phân tích chỉ số điều chế và dạng sóng (tham khảo)

Chương trình sau đây được viết theo ngôn ngữ C đưa ra một ví dụ về việc thực hiện công cụ phân tích chỉ số điều chế và dạng sóng.

Thực hiện C gồm 6 tập tin khác nhau được đặt trong cùng thư mục.

E.9.1  structure.h

E.9.2  fftrm.h

E.9.3  fftrm.c

E.9.4  hilbert.h

E.9.5  hilbert.c

E.9.6  functs.c

Phụ lục F

(tham khảo)

Chương trình cho việc đánh giá quang phổ

Chương trình sau đây được viết theo ngôn ngữ C đưa ra một ví dụ về việc tính toán tầm quan trọng của quang phổ từ PICC.

Phụ lục G

(qui định)

Phương pháp thử PICC bổ sung

G.1  Dụng cụ-thử nghiệm-PICC và phụ kiện

Điều này qui định dụng cụ thử nghiệm và mạch thử nghiệm cho việc kiểm tra hoạt động của PICC theo TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3). Dụng cụ thử nghiệm gồm:

- Cuộn dây hiệu chuẩn (xem 5.2);

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm (xem 5.3);

- Máy hiện sóng lấy mẫu kỹ thuật số (xem 5.1.1).

Chú ý để đảm bảo các kết quả không bị ảnh hưởng bởi hiệu năng RF của các mạch thử nghiệm.

G.1.1  Mô phỏng giao thức I/O

Dụng cụ-thử nghiệm-PICC có thể phải mô phỏng các giao thức Kiểu A và Kiểu B cần thiết để thử nghiệm một PICC.

G.1.2  Tạo kí tự I/O định xung nhịp thời gian trong chế độ tiếp nhận

Dụng cụ-thử nghiệm-PICC có thể phải tạo dòng bit I/O theo TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3). Các thông số định xung nhịp thời gian: độ dài bit bắt đầu, thời gian bảo vệ, chiều rộng bit, yêu cầu thời gian bảo vệ, bắt đầu chiều rộng khung, kết thúc chiều rộng khung phải được cầu hình.

G.1.3  Đo và giám sát giao thức I/O RF

Dụng cụ-thử nghiệm-PICC có thể phải đo và giám sát việc định xung nhịp thời gian của trạng thái cao và thấp lô-gic của đường ra/nhận RF tương đối so với tần số đồng hồ. Dụng cụ-thử nghiệm-PICC có thể giám sát sóng mang điều chế PICC.

G.1.4  Phân tích giao thức

Dụng cụ-thử nghiệm-PICC có thể phải phân tích dòng bit I/O theo giao thức Kiểu A và Kiểu B như qui định trong TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) và TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4) và trích xuất luồng dữ liệu lô-gic để phân tích giao thức chi tiết hơn.

G.1.5  Giá trị và trường RFU

Các trường RFU nên được giám sát liên tục trong quá trình thử nghiệm và luôn được kiểm tra chứa giá trị mặc định được gán. Một thử nghiệm phải là FAIL và PICC thử nghiệm phải được khai báo trong trường hợp không tuân thủ một trường RFU không được đặt là giá trị mặc định của nó bất kì lúc nào.

Các trường chức năng nên liên tục được giám sát trong suốt quá trình thử nghiệm và luôn được kiểm tra chỉ chứa các giá trị chức năng ghi trong tiêu chuẩn hoặc các giá trị riêng ghi trong tiêu chuẩn. Một thử nghiệm phải là FAIL và PICC thử nghiệm phải được khai báo trong trường hợp một trường chức năng không được đặt là các giá trị đã nói đến (và do đó được đặt là một RFU hoặc giá trị bị hạn chế) bất kì lúc nào.

G.1.6  Đo lường định xung nhịp thời gian

G.1.6.1  Phép đo định xung nhịp thời gian

Dụng cụ-thử nghiệm-PICC phải giám sát liên tục định dạng khung sau đây và các giá trị định xung nhịp thời gian:

Đối với PICC kiểu A:

- Thời gian trễ khung PCD đến PICC (xem 6.2.1.1, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3));

- Các định dạng khung (xem TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3), 6.2.3);

- Thời gian chờ đợi khung (xem 7.2, TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4)).

Đối với PICC kiểu B:

- Kí tự, định xung nhịp thời gian và định dạng khung (xem 7.1, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3));

- Thời gian chờ đợi khung (xem 7.2, TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4)).

Một thử nghiệm phải là FAIL và PICC thử nghiệm phải được khai báo trong trường hợp một trong những ràng buộc định xung nhịp thời gian được liệt kê bị vi phạm.

G.1.6.2  Báo cáo đo lường định xung nhịp thời gian

Điền vào Bảng G.59 đối với PICC kiểu A và/hoặc Bảng G.60 đối với PICC kiểu B với các giá trị định xung nhịp thời gian đo được.

G.2  Xem xét chung

G.2.1  Sử dụng các lệnh thử nghiệm (có thể cả những đáp ứng PICC bổ sung)

Các lệnh thử nghiệm được xác định trong 3.2.

Dụng cụ-thử nghiệm-PICC phải đưa vào tài khoản theo nguyên tắc sau đây.

G.2.1.1  Nguyên tắc về TEST_COMMAND1 và TEST_RESPONSE1

Nếu TEST_RESPONSE1 tạo chuỗi, Dụng cụ-thử nghiệm-PICC thích nghi bằng cách gửi R(ACK) tương ứng để tiếp tục kịch bản như quy định.

Nếu PICC gửi một hoặc một vài yêu cầu S(WTX) trước TEST_RESPONSE1, Dụng cụ-thử nghiệm-PICC thích nghi bằng cách gửi các đáp ứng S(WTX) cần thiết để tiếp tục kịch bản như qui định.

G.2.1.2  Nguyên tắc về TEST_COMMAND2 và TEST_RESPONSE2

Nếu PICC không hỗ trợ bất kì lệnh nào mong đợi một đáp ứng gồm n khối - I tạo chuỗi, các kịch bản sử dụng TEST_COMMAND2 không thể áp dụng.

Nếu PICC gửi một hoặc một vài yêu cầu S(WTX) trước TEST_RESPONSE2, Dụng cụ-thử nghiệm-PICC thích nghi bằng cách gửi các đáp ứng S(WTX) cần thiết để tiếp tục kịch bản như quy định.

G.2.1.3  Nguyên tắc về TEST_COMMAND3 và TEST_RESPONSE3

Nếu PICC không hỗ trợ bất kì lệnh nào cần nhiều thời gian FWT hơn cho việc thực hiện, thì các kịch bản sử dụng TEST_COMMAND3 không thể áp dụng

Nếu PICC gửi một hoặc một vài yêu cầu S(WTX) trước TEST_RESPONSE3, Dụng cụ-thử nghiệm-PICC thích nghi bằng cách gửi các đáp ứng S(WIX) cần thiết để tiếp tục kịch bản như quy định.

Nếu TEST_RESPONSE3 tạo chuỗi, Dụng cụ-thử nghiệm-PICC thích nghi bằng cách gửi R(ACK) cần thiết để tiếp tục kịch bản như quy định.

G.2.2  Mối quan hệ giữa các phương pháp thử với yêu cầu của tiêu chuẩn cơ bản

Bảng G.1 liệt kê thử nghiệm có thể áp dụng đối với các PICC Kiểu A.

Bảng G.2 liệt kê thử nghiệm có thể áp dụng đối với các PICC Kiểu B.

Bảng G.3 liệt kê thử nghiệm có thể áp dụng đối với các PICC Kiểu A và Kiểu B.

PICC trong TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4) cần tuân thủ TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) và theo cả các thử nghiệm TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) và TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4) đối với kiểu có thể áp dụng.

PICC tuân thủ TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) nhưng không tuân thủ TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4) và trong trạng thái ACTIVE hoặc ACTIVE* (xem G.3.3.7, G.3.3.12 và G.4.4.6) có thể đáp ứng với mọi khung (gồm trạng thái Mute (chặn đáp ứng)) đối với các khung không liên quan đến TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

Bảng G.1 - Phương pháp thử đối với thao tác lô-gic của giao thức PICC kiểu A

Bảng G.2 - Phương pháp thử đối với thao tác lô-gic của giao thức PICC kiểu B

Bảng G.3 - Phương pháp thử đối với thao tác lô-gic PICC kiểu A hoặc B

G.3  Phương pháp thử việc khởi tạo PICC kiểu A

G.3.1  Giới thiệu

Thử nghiệm trong phần này xác định xem một PICC kiểu A có phù hợp với TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) và chuỗi kích hoạt trong Điều 5, TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4). Nếu sự phù hợp với TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4) không được yêu cầu, tất cả thử nghiệm trong TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4) các lệnh không cần phải áp dụng.

G.3.2  Kịch bản G.1: Kiểm soát vòng

G.3.2.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trên việc nhận các lệnh REQA theo Điều 5.3, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

G.3.2.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau đối với 3 trường hoạt động khác nhau 1,5, 4,5 và 7,5 A/m (rms):

a) Đặt PICC vào trong trường và điều chỉnh nó.

b) Tắt trường hoạt động RF trong một khoảng thời gian nhỏ nhất để thiết lập lại một PICC (xem 5.4, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3)).

c) Bật mở trường hoạt động RF.

d) Trễ 5ms và gửi một khung lệnh REQA hợp lệ.

e) Ghi sự hiện diện và nội dung của đáp ứng PICC.

f) Tắt trường hoạt động RF trong một khoảng thời gian nhỏ nhất để thiết lập lại một PICC (xem 5.4, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3)).

g) Bật mở trường hoạt động RF.

h) Đợi 5 ms và gửi một khung lệnh REQB hợp lệ (sử dụng điều chế và mã hoá bit Kiểu B).

i) Đợi 5 ms và gửi một khung lệnh REQB hợp lệ.

j) Ghi sự hiện diện và nội dung của đáp ứng PICC.

G.3.2.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.4.

Bảng G.4 - Tiêu chí kết quả đối với Kịch bản G.1: Kiểm soát vòng

G.3.3  Thử nghiệm các chuyển tiếp trạng thái PICC kiểu A

G.3.3.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này kiểm tra việc thực hiện đúng sơ đồ trạng thái PICC Kiểu A như trong 6.3, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

G.3.3.2  Bố trí thử nghiệm chung

Đối với thử nghiệm toàn diện trạng thái PICC kiểu A mọi chuyển tiếp trạng thái phải được kiểm tra cách chính xác có thể. Việc kiểm tra trạng thái cụ thể sử dụng chuyển tiếp trạng thái cụ thể phải được thực hiện như sau:

Đầu tiên, thiết lập lại PICC và đặt nó trong trạng thái ban đầu thử nghiệm (TIS). Đây là một trong những trạng thái từ StateSet khi các chuyển tiếp (T) phải được kiểm tra. Sau đó thực hiện một chuyển tiếp (T) từ Chuyển tiếp Set. Sau khi thực hiện chuyển tiếp trạng thái kiểm tra xem PICC có trong trạng thái đích (TTS) mong muốn không. Có khó khăn trong cách thực hiện kiểm tra này, vì không thể kiểm tra trực tiếp trạng thái máy của PICC. Giải quyết vấn đề này làm thêm một vài chuyển tiếp trạng thái bổ sung và kiểm tra trả lời của PICC. Các chuyển tiếp vì mục đích này được chọn theo cách có thể xác định trạng thái từ những trả lời của PICC chính xác nhất có thể.

G.3.3.2.1  Chức năng đặt PICC trong trạng thái ban đầu thử nghiệm (TIS)

Đặt PICC vào trong trạng thái TIS phải được thực hiện bởi một trình tự các lệnh chuyển tiếp quy định như bảng dưới đây. Phương pháp chung như sau:

Để đặt PICC vào trong trạng thái TIS, tra cứu trình tự chuyển tiếp trạng thái tương ứng trong Bảng G.5. Sau đó liên tiếp áp dụng các chuyển tiếp trạng thái mô tả trong cột trình tự chuyển tiếp trạng thái bằng tra các lệnh tương ứng trong Bảng G.6. Luôn kiểm tra nội dung và tính toàn vẹn của đáp ứng PICC.

Bảng G.5 - Bảng trình tự chuyển tiếp trạng thái

Bảng G.6 - Bảng chuyển tiếp trạng thái

G.3.3.2.2  Chức năng kiểm tra tính hợp lệ của trạng thái đích thử nghiệm TTS

Bảng G.7 mô tả các chuyển tiếp trạng thái sử dụng để kiểm tra liệu PICC trong trạng thái S. Nội dung của trả lời PICC (ví dụ ATQA, SAK ...) nên được kiểm tra qua sự phù hợp với TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) và TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4). Lưu ý, thử nghiệm này có thể là khiến PICC thay đổi trạng thái.

Trạng thái READY(I)/ READY*(I) và ACTIVE/ACTIVE* không thể được phân biệt qua 1 lần vận hành thử nghiệm. Để phân biệt trạng thái-"*" với không- "*" thực hiện các bước:

a) Lặp lại thử nghiệm lần thứ 2, mà không kiểm tra TTS.

b) Gửi Lệnh REQA. Đáp ứng PICC phải ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng).

c) Gửi Lệnh REQA.

d) Nếu đáp ứng PICC ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng) thì trạng thái PICC ở trạng thái- "*".

e) Điều kiện khác PICC ở trạng thái không- "*"

Trạng thái HALT không thể phân biệt được READY*(I) và ACTIVE* với lần vận hành thử nghiệm. Để phân biệt trạng thái HALT thực hiện các bước sau:

a) Lặp lại thử nghiệm lần thứ 2, mà không kiểm tra TTS.

b) Gửi lệnh WUPA. Đáp ứng PICC phải là ATQA.

Bảng G.7 - Kiểm tra TTS

CHÚ THÍCH  Số khối có thể là 0 hoặc 1 phụ thuộc vào nguyên tắc đánh số khối xác định trong 7.5.4, TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4).

G.3.3.3  Kịch bản G. 2: cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái IDLE

G.3.3.3.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái IDLE theo 6.3.2, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

G.3.3.3.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau hoặc theo từng hàng của Bảng G.8:

a) Đặt PICC vào trạng thái IDLE.

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra xem đáp ứng PICC được chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS không.

Bảng G.8 - Chuyển từ trạng thái IDLE

G.3.3.3.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.9.

Bảng G.9 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái IDLE

G.3.3.4  Kịch bản G.3: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY(1)

G.3.3.4.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động PICC kiểu A trong trạng thái READY ở mức phân tầng 1 theo 6.3.3, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

G.3.3.4.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau đối với các PICCs và theo từng hàng của Bảng G.10:

a) Đặt PICC vào trạng thái READY(1).

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra đáp ứng PICC có như chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS

Bảng G.10 - Các chuyển tiếp từ trạng thái READY(1)

G.3.3.4.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.11.

Bảng G.11 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY(1)

G.3.3.5  Kịch bản G.4: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY(2)

G.3.3.5.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này được xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY ở mức phân tầng 2 theo 6.3.3, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3). Thử nghiệm này chỉ cho các PICC với kích cỡ UID cặp đôi hoặc cặp ba.

G.3.3.5.2  Quy trình

Thực hiện các bước cho tất cả các PICC với kích cỡ UID cặp đôi hoặc cặp ba và từng hàng của Bảng G.12:

a) Đặt PICC vào trạng thái READY(2).

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra đáp ứng PICC có như chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS

Bảng G.12 - Các chuyển tiếp từ trạng thái READY(2)

G.3.3.5.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.61 theo Bảng G.13.

Bảng G.13 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY(2)

G.3.3.6  Kịch bản G.5: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY(3)

G.3.3.6.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY theo 6.3.3, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3). Thử nghiệm này chỉ dành cho các PICC có UID kích cỡ cặp ba.

G.3.3.6.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau cho tất cả các PICC với UID kích cỡ cặp ba và từng hàng của Bảng G.14:

a) Đặt PICC vào trạng thái READY(3).

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra xem đáp ứng PICC được chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS.

Bảng G.14 - Các chuyển tiếp từ trạng thái READY(3)

G.3.3.6.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.15.

Bảng G.15 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY(3)

G.3.3.7  Kịch bản G.6: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái ACTIVE

G.3.3.7.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái ACTIVE theo 6.3.4, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443- 3).

G.3.3.7.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau cho từng hàng của Bảng G.16:

a) Đặt PICC vào trạng thái ACTIVE.

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra xem đáp ứng PICC được chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS

Bảng G.16 - Các chuyển tiếp từ trạng thái ACTIVE

G.3.3.7.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.17.

Bảng G.17 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trạng thái ACTIVE

G.3.3.8  Kịch bản G. 7: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái HALT

G.3.3.8.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái HALT theo 6.3.5, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

G.3.3.8.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau cho từng hàng của Bảng G.18:

a) Đặt PICC vào trạng thái HALT.

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra xem đáp ứng PICC được chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS

Bảng G.18 - Các chuyển tiếp từ trạng thái HALT

G.3.3.8.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.19.

Bảng G.19 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trạng thái HALT

G.3.3.9  Kịch bản G.8: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY*(1)

G.3.3.9.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY* của mức phân tầng 1 theo 6.3.6, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

G.3.3.9.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau cho từng hàng của Bảng G.20:

a) Đặt PICC vào trạng thái READY*(1).

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra xem đáp ứng PICC được chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS

Bảng G.20 - Các chuyển tiếp từ trạng thái READY*(1)

G.3.3.9.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.21.

Bảng G.21 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY*(1)

G.3.3.10  Kịch bản G.9: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY*(2)

G.3.3.10.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY* của mức phân tầng 2 theo 6.3.6, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3). Thử nghiệm này chỉ áp dụng đối với các PICC với UID kích cỡ cặp đôi và 3 lần.

G.3.3.10.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau cho từng hàng của Bảng G.22:

a) Đặt PICC vào trạng thái READY*(2).

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra xem đáp ứng PICC được chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS

Bảng G.22 - Các chuyển tiếp từ trạng thái READY*(2)

G.3.3.10.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.23.

Bảng G.23 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY*(2)

G.3.3.11  Kịch bản G.10: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY*(3)

G.3.3.11.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY* ở mức phân tầng 3 theo 6.3.6, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3). Thử nghiệm này dành cho các PICC có UID kích cỡ cặp ba.

G.3.3.11.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau cho từng hàng của Bảng G.24:

a) Đặt PICC vào trạng thái READY*(3).

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra xem đáp ứng PICC được chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS

Bảng G.24 - Các chuyển tiếp từ trạng thái READY*(3)

G.3.3.11.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.25.

Bảng G.25 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái READY*(3)

G.3.3.12  Kịch bản G.11: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái ACTIVE*

G.3.3.12.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái ACTIVE* theo 6.3.7, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443- 3).

G.3.3.12.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau cho từng hàng của Bảng G.26:

a) Đặt PICC vào trạng thái ACTIVE.

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra xem đáp ứng PICC được chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không ở trạng thái Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC phù hợp với giá trị được chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC ở trong trạng thái TTS

Bảng G.26 - Các chuyển tiếp từ trạng thái ACTIVE*

G.3.3.12.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.27.

Bảng G.27 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái ACTIVE*

G.3.3.13  Kịch bản G. 12: Cách hoạt động của PICC kiểu A trong trạng thái PROTOCOL

G.3.3.13.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này xác định cách hoạt động của PICC Kiểu A trong trạng thái PROTOCOL theo TCVN 6.3.8, 11689-4 (ISO/IEC 14443-4). Hoặc thử nghiệm này phải đảm bảo PICC đã kích hoạt không đáp ứng bất kì lệnh chống va chạm hoặc khởi động.

G.3.3.13.2  Quy trình

Thực hiện các bước sau cho từng hàng của Bảng G.28:

a) Đặt PICC vào trạng thái PROTOCOL.

b) Thực hiện chuyển tiếp trạng thái bằng cách gửi lệnh như đã chỉ trong cột dụng cụ-thử nghiệm-PICC.

c) Kiểm tra xem đáp ứng PICC được chỉ ra trong cột PICC.

d) Nếu đáp ứng PICC không Mute (chặn đáp ứng), kiểm tra thời gian trễ khung của PICC như đã chỉ ra trong cột FDT.

e) Kiểm tra nếu PICC có trong trạng thái TTS.

Bảng G.28 - Các chuyển tiếp từ trạng thái PROTOCOL

G.3.3.13.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.62 theo Bảng G.29.

Bảng G.29 - Tiêu chí kết quả đối với cách hoạt động của PICC kiểu A trạng thái PROTOCOL

G.3.4  Kịch bản G.13: Xử lý chống va chạm Kiểu A

G.3.4.1  Phạm vi áp dụng

Thử nghiệm này để thực hiện một vòng lặp chống va chạm bitwise đầy đủ theo 6.5.3, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3).

G.3.4.2  Quy trình

a) Đặt PICC vào trong trường.

b) Đặt PICC vào trong trạng thái READY(1).

c) Thực hiện AnticollisionA (chống va chạm A).

d) Đặt PICC vào trong trạng thái READY*(1).

e) Thực hiện AnticollisionA (chống va chạm A).

Mã giả: Quy trình chống va chạm Kiểu A

G.3.4.3  Báo cáo thử nghiệm

Điền vào hàng thích hợp trong Bảng G.61 theo Bảng G.30.

Bảng G.30 - Tiêu chí kết quả đối với Xử lý của chống va chạm Kiểu A

G.3.5  Xử lý của RATS

Xử lý của RATS được thử nghiệm trong G.3.3.7 và G.3.3.12.

Kịch bản G.14: Bỏ trống