Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 11688-6:2016 ISO/IEC 10373-6:2016 Thẻ định danh-Phương pháp thử-Phần 6: Thẻ cảm ứng

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 11688-6:2016

ISO 10373-6:2016

THẺ ĐỊNH DANH - PHƯƠNG PHÁP THỬ - PHẦN 6: THẺ CẢM ỨNG

Identification cards - Test methods - Part 6: Proximity cards

Lời nói đầu

TCVN 11688-6:2016 hoàn toàn tương đương với ISO/IEC 10373-6:2016.

TCVN 11688-6:2016 do Tiểu Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/JTC 1/SC 17 “Thẻ nhận dạng” biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ khoa học và Công nghệ công bố.

Hiện nay, bộ tiêu chuẩn TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) về Thẻ định danh - Phương pháp kiểm thử gồm các tiêu chuẩn:

- TCVN 11688-1:2016 (ISO/IEC 10373-1:2016 và Amd.1:2012), Phần 1: Đặc tính chung;

- TCVN 11688-2:2016 (ISO/IEC 10373-2:2015), Phần 2: Thẻ có sọc từ;

- TCVN 11688-3:2016 (ISO/IEC 10373-3:2010), Phần 3: Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan;

- TCVN 11688-6:2016 (ISO/IEC 10373-6:2016), Phần 6: Thẻ cảm ứng.

THẺ ĐỊNH DANH - PHƯƠNG PHÁP THỬ - PHẦN 6: THẺ CẢM ỨNG

Identification cards - Test methods - Part 6: Proximity cards

1  Phạm vi áp dụng

TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) xác định phương pháp thử các đặc tính của thẻ định danh theo định nghĩa đưa ra trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810). Mỗi phương pháp thử được tham chiếu chéo với hoặc nhiều tiêu chuẩn cơ bản, có thể là TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) hoặc một hay nhiều tiêu chuẩn bổ sung xác định công nghệ lưu trữ thông tin dùng cho các ứng dụng thẻ định danh.

CHÚ THÍCH 1 Các tiêu chí đối với khả năng chấp nhận không thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này, mà có thể trong các tiêu chuẩn khác đã nêu ở trên.

CHÚ THÍCH 2 Phương pháp thử mô tả trong tiêu chuẩn này được thực hiện riêng rẽ. Một thẻ không nhất thiết phải đạt qua tất cả thử nghiệm theo đúng trình tự.

Tiêu chuẩn này qui định các phương pháp thử đối với các thẻ và đối tượng không tiếp xúc, và các thiết bị nối kết không tiếp xúc, xác định trong TCVN 11689-1 (1SO/IEC 14443-1), TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2), TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) và TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4).

TCVN 11688-1 (ISO/IEC 10373-1) xác định các phương pháp thử chung cho hoặc nhiều công nghệ thẻ mạch tích hợp và các tiêu chuẩn khác trong bộ TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) xác định các phương pháp thử công nghệ cụ thể.

2  Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu viện dẫn sau rất cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản mới nhất, bao gồm cả sửa đổi (nếu có).

TCVN 11165 (ISO/IEC 7810), Thẻ định danh - Đặc tính vật lí;

TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp không tiếp xúc - Thẻ cảm ứng - Phần 1: Đặc tính vật lí;

TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp không tiếp xúc - Thẻ cảm ứng - Phần 2: Giao diện tín hiệu và công suất tần số radio;

TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp không tiếp xúc - Thẻ cảm ứng - Phần 3: Khởi tạo và chống va chạm;

TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp không tiếp xúc - Thẻ cảm ứng - Phần 4: Giao thức truyền dẫn;

IEC 61000-4-2:20081, Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-2: Testing and measurement techniques - Electrostatic discharge immunity test (Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-2: Phương pháp đo và thử - Miễn nhiễm phóng điện đối với hiện tượng phóng điện);

3  Thuật ngữ và định nghĩa, ký hiệu và thuật ngữ viết tắt

3.1  Thuật ngữ và định nghĩa

Tiêu chuẩn này áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa trong TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1), TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2), TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3), TCVN 11689-4 (ISO/IEC 14443-4) và sau đây.

CHÚ THÍCH Các yếu tố trong dấu ngoặc vuông đậm [ ] là các định nghĩa tùy chọn.

3.1.1

Tiêu chuẩn cơ bản (Base standard)

Tiêu chuẩn đưa ra phương pháp thử được sử dụng để kiểm tra sự phù hợp.

3.1.2

Mức phân tầng (CascadeLevels)

Số các mức phân tầng của PICC.

3.1.3

Tập lệnh (Command Set)

Tập mô tả các lệnh PICC trong quá trình khởi tạo và chống va chạm.

CHÚ THÍCH Xem 6.4, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) đối với PICC kiểu A và 7.5, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) đối với PICC kiểu B.

3.1.4

Tác động tải (Loading Effect)

Thay đổi dòng ăng-ten PCD bởi sự có mặt (các) PICC trong trường do điều chỉnh nối kết lẫn nhau của cộng hưởng ăng-ten PCD và hệ số chất lượng.

3.1.5

Mute (chặn đáp ứng) (Mute)

Không đáp ứng trong suốt thời gian tạm ngưng được qui định, ví dụ như việc hết hạn của FWT.

3.1.6

Trạng thái PICC (PICC States)

Trạng thái PICC khác nhau trong quá trình khởi tạo và chống va chạm.

CHÚ THÍCH Xem 6.3, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) đối với PICC kiểu A và 7.4, TCVN 11689-3 (ISO/IEC 14443-3) đối với PICC kiểu B.

3.1.7

Kịch bản (Scenario)

Ứng dụng và giao thức điển hình xác định quy định việc trao đổi thông tin được sử dụng với các phương pháp thử được xác định trong tiêu chuẩn này.

3.1.8

Trạng thái khởi đầu thử nghiệm (Test initial State)

TIS

Yếu tố từ trạng thái PICC, là trạng thái PICC trước khi thực hiện một lệnh PICC cụ thể từ Tập lệnh.

3.1.9

Phương pháp thử (Test method)

Phương pháp để thử nghiệm đặc tính của thẻ định danh với mục đích kiểm tra sự tuân thủ của thẻ với các tiêu chuẩn.

3.1.10

Trạng thái đích thử nghiệm (Test Target State)

TTS

Yếu tố từ trạng thái PICC, là trạng thái PICC sau khi thực hiện một lệnh PICC cụ thể từ Tập lệnh.

3.2  Ký hiệu và thuật ngữ viết tắt

Bảng 1 - Ánh xạ từ UID đến UIDTX

4  Hạng mục mặc định áp dụng đối với các phương pháp thử

4.1  Môi trường thử nghiệm

Trừ khi có qui định khác, thử nghiệm phải được thực hiện trong môi trường nhiệt độ 23 ^oC ± 3 ^oC (73 ^oF ± 5 ^oF) và độ ẩm tương đối từ 40 % đến 60 %.

4.2  Điều kiện ổn định trước

Phương pháp thử trong tiêu chuẩn này không yêu cầu điều kiện ổn định trước về môi trường đối với các PICC hay PCD.

4.3  Dung sai mặc định

Trừ khi có qui định khác, một dung sai mặc định ± 5 % phải được áp dụng với các giá trị đại lượng cho trước qui định đặc tính của thiết bị thử nghiệm (ví dụ như kích thước tuyến tính) và các quy trình phương pháp thử (ví dụ: hiệu chỉnh thiết bị thử nghiệm).

4.4  Điện cảm giả

Các điện trở và tụ điện nên có điện cảm không đáng kể.

4.5  Độ không đảm bảo đo tổng

Độ không đảm bảo đo tổng đối với mỗi đại lượng được xác định bởi các phương pháp thử phải được nêu rõ trong báo cáo thử nghiệm.

Thông tin cơ bản được đưa ra trong ISO/IEC Guide 98-3:2008.

5  Dụng cụ và mạch đối với thử nghiệm thông số trong TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1) và TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2)

Điều này xác định dụng cụ và mạch thử nghiệm đối với việc kiểm tra hoạt động của PICC hoặc PCD theo TCVN 11689-1 (ISO/IEC 14443-1) và TCVN 11689-2 (ISO/IEC 14443-2). Dụng cụ thử nghiệm gồm:

- Dụng cụ đo (xem 5.1);

- Cuộn dây hiệu chuẩn (xem 5.2);

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm (xem 5.3);

- PICC tham chiếu (xem 5.4).

- Thiết lập thử nghiệm EMD (xem 5.5).

Các dụng cụ này được mô tả trong các Điều dưới đây.

5.1  Yêu cầu tối thiểu đối với dụng cụ đo

5.1.1  Máy hiện sóng

Máy hiện sóng lấy mẫu kỹ thuật số phải có khả năng lấy mẫu ở tốc độ ít nhất 500 triệu mẫu/s với độ phân giải ít nhất 8 bit tại thang đo tối ưu và phải có băng thông tổng tối thiểu 250 MHz. Máy hiện sóng nên có khả năng xuất dữ liệu được lấy mẫu như tệp văn bản để tạo thuận lợi cho việc tính toán và các hoạt động khác như tạo cửa sổ trên dữ liệu được lấy mẫu bằng cách sử dụng các chương trình phần mềm (xem các Phụ lục E và F).

CHÚ THÍCH Băng thông tổng là kết hợp của băng thông máy hiện sóng và băng thông hệ thống dò.

5.2  Cuộn dây hiệu chuẩn

Điều này xác định kích cỡ, chiều dày và đặc tính của các cuộn dây hiệu chuẩn 1 và 2.

Cuộn dây hiệu chuẩn 1 phải chỉ được dùng trong khối lắp ráp PCD thử nghiệm 1 và cuộn dây hiệu chuẩn 2 phải chỉ được dùng trong khối lắp ráp PCD thử nghiệm 2.

5.2.1  Kích cỡ thẻ cuộn dây hiệu chuẩn

Thẻ cuộn dây hiệu chuẩn phải gồm một vùng có chiều cao và chiều rộng kiểu ID-1 xác định trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) chứa một cuộn dây vòng xoắn đồng tâm với viền ngoài của thẻ (xem Hình 1).

Hình 1 - Các cuộn dây hiệu chuẩn 1 và 2

5.2.2  Chiều dày và vật liệu của thẻ cuộn dây hiệu chuẩn

Chiều dày của thẻ cuộn dây hiệu chuẩn phải nhỏ hơn thẻ ID-1. Thẻ cuộn dây hiệu chuẩn phải được làm bằng vật liệu cách điện phù hợp:

5.2.3  Đặc tính cuộn dây

Cuộn dây trên thẻ cuộn dây hiệu chuẩn phải có một vòng xoắn. Dung sai kích thước tương đối phải bằng ± 2 %.

Kích cỡ bên ngoài của cuộn dây phải là 72 mm x 42 mm với bán kính góc 5 mm.

CHÚ THÍCH 1 Diện tích trên đó mà trường được tích hợp là 3000 mm².

CHÚ THÍCH 2 Tại 13,56 MHz điện cảm xấp xỉ 250 nH và điện trở xấp xỉ 0,4 Ω.

Hệ số hiệu chuẩn mạch hở đối với cuộn dây hiệu chuẩn 1 là 0,318 V (rms) [tương đương 900 mV (đỉnh-đỉnh) trên mỗi A/m (rms)].

Kích cỡ ngoài của cuộn dây hiệu chuẩn 2 là 46 mm x 24 mm với bán kính góc 2 mm.

CHÚ THÍCH 3 Diện tích trên đó mà trường được tích hợp là 1100 mm².

CHÚ THÍCH 4 Tại 13,56 MHz điện cảm xấp xỉ 140 nH và điện trở xấp xỉ 0,3 Ω.

Hệ số hiệu chuẩn mạch hở đối với cuộn dây hiệu chuẩn 2 là 0,118 V (rms) [tương đương 333 mV (đỉnh-đỉnh) trên mỗi A/m (rms)].

Cuộn dây phải được làm như một cuộn dây in sẵn trên bảng mạch in sẵn (PCB) được mạ bằng 35μm đồng. Chiều rộng của rãnh phải là 500 μm với dung sai tương đối ± 20%. Kích cỡ các tấm lót liên kết phải là 1,5 mm x 1,5 mm.

Đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao với dẫn nạp đầu vào tương đương với điện dung song song Cp 14 pF và một điện trở song song Rp > 9 kΩ tại 13,56 MHz phải được sử dụng để đo (mạch hở) điện áp cảm ứng trong cuộn dây.

Nối đất đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao càng ngắn càng tốt, ngắn hơn 20 mm hoặc nối đồng trục.

5.3  Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm

Xác định 2 bộ lắp ráp PCD thử nghiệm:

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1 đối với các PICC “Lớp 1”, “Lớp 2”, “Lớp 3” và đối với các PICC không tuyên bố tuân thủ lớp nào;

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1 đối với các PICC “Lớp 4”, “Lớp 5”, “Lớp 6”.

Mỗi bộ lắp ráp PCD thử nghiệm phải gồm một ăng-ten PCD thử nghiệm hình tròn và 2 cuộn cảm song song: cuộn cảm a và cuộn cảm b, như chỉ ra trong Hình 2. Các cuộn cảm phải được kết nối để tín hiệu từ một cuộn dây ngược pha với cuộn kia. Điện thế kế P1 10 Ω để tinh chỉnh điểm cân bằng khi các cuộn cảm không được tải bởi một PICC hoặc mọi mạch nối kết từ tính. Tải điện dung của đầu dò gồm 5 điện dung kí sinh phải nhỏ hơn 14 pF.

Điện dung của các mối nối và của đầu dò máy hiện sóng nên giữ mức nhỏ nhất đối với khả năng phát lại.

Để tránh sai lệch ngoài ý muốn trong trường hợp một thiết lập không đối xứng với dải điều chỉnh của điện thế kế P1 chỉ là 10 Ω. Nếu thiết lập không thể bù bởi 10 Ω điện thế kế P1, thì nên kiểm tra sự đối xứng tổng thể của thiết lập đó.

Nối đất đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao nên càng ngắn càng tốt, ngắn hơn 20 mm hoặc nối đồng trục.

Hình 2 - Thiết lập thử nghiệm (nguyên tắc)

5.3.1  Ăng-ten PCD thử nghiệm

Trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1, ăng-ten PCD thử nghiệm 1 phải có đường kính 150 mm.

Trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 2, ăng-ten PCD thử nghiệm 2 phải có đường kính 100 mm

Mỗi cấu trúc ăng-ten PCD thử nghiệm phải phù hợp với bản vẽ tương ứng trong Phụ lục A.

Việc làm khớp mỗi ăng-ten PCD thử nghiệm nên được thực hiện bằng cách sử dụng một bộ phân tích trở kháng hoặc một bộ phân tích mạng hoặc một đồng hồ đo LCR. Nếu một bộ phân tích trở kháng hoặc một bộ phân tích mạng hoặc một đồng hồ đo LCR không có sẵn, thì việc làm khớp có thể thực hiện theo quy trình trong Phụ lục B.

5.3.2  Cuộn cảm

Trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1, kích cỡ các cuộn cảm 1 phải là 100mm x 70mm với bán kính góc 10mm.

Trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 2, kích cỡ các cuộn cảm 2 phải là 60 mm x 47 mm với bán kính góc 10 mm.

Mỗi cấu trúc cuộn cảm phải phù hợp với bản vẽ tương ứng trong Phụ lục C.

5.3.3  Bộ lắp ráp của PCD thử nghiệm

Các cuộn cảm 1 và ăng-ten PCD thử nghiệm 1 phải được lắp song song và với các cuộn cảm và ăng-ten đồng trục và để khoảng cách giữa các điện dẫn tích cực là 37,5 mm như chỉ ra trong Hình 3, Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1.

Các cuộn cảm 2 và ăng-ten PCD thử nghiệm 2 phải được lắp song song và với các cuộn cảm và ăng-ten đồng trục và để khoảng cách các điện dẫn tích cực là 23 mm như chỉ ra trong Hình 3, Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 2.

Dung sai kích thước phải lớn hơn ± 0,5 mm. Khoảng cách giữa cuộn dây trong DUT và cuộn dây hiệu chuẩn phải bằng với cuộn dây của ăng-ten PCD thử nghiệm.

CHÚ THÍCH Các khoảng cách này được chọn để đưa ra một từ trường mạnh và đồng nhất ở vị trí DUT.

Hình 3 - Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 1 và Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm 2

5.4  PICC tham chiếu

Một PICC tham chiếu được xác định để thử nghiệm khả năng của một PCD để:

- tạo một cường độ trường ít nhất H_min và không vượt quá H_max;

- truyền công suất đến PICC;

- truyền một tín hiệu được điều chế đến PICC;

- nhận tín hiệu điều chế tải từ PICC;

trong bộ qui tắc hoạt động của PICC tham chiếu đó.

5.4.1  Kích thước của PICC tham chiếu

PICC tham chiếu phải gồm một vùng chứa các cuộn dây có chiều cao và chiều rộng xác định trong TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) đối với kiểu ID-1. Bên ngoài vùng này, chứa mạch mô phỏng các chức năng PICC được yêu cầu phải được gắn theo cách giống như cho phép chèn vào các thiết lập thử nghiệm và do vậy không gây nhiễu đến thử nghiệm. Kích thước như chỉ ra trong Hình 4.

Hình 4 - Kích thước PICC tham chiếu

5.4.2  Cấu trúc PICC tham chiếu

Cấu trúc PICC tham chiếu được xác định trong Phụ lục D. Nếu các đầu nối được sử dụng giữa các cuộn và mạch, các đầu nối đó phải nhỏ nhất, nếu có, tác động đến các phép đo RF.

PICC tham chiếu phải có một sơ đồ mạch như trong Hình 5 và các giá trị thành phần như trong Bảng 2.

Hình 5 - Sơ đồ mạch PICC tham chiếu

CHÚ THÍCH Vị trí 'd' chân nối J1 là RFU.

Bảng 2 - Danh sách thành phần PICC tham chiếu

Tại CON1 tín hiệu điều chế tải phải được áp dụng. Điều chế tải có thể được xác định trong bộ lắp ráp PCD thử nghiệm. Khi không được sử dụng, bộ tạo tín hiệu điều chế tải phải ngắt kết nối hoặc đặt là 0 V.

Với điện áp tại CON2, tải PICC tham chiếu có thể được điều chỉnh đến khi điện áp DC yêu cầu chỉ tại CON3.

Điện áp DC PICC tham chiếu phải được đo tại CON3 sử dụng một vôn kế trở kháng cao và các dây kết nối nên là dây xoắn hoặc đồng trục.

Các thông số dạng sóng PCD thu được tại CON4 sử dụng một đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao. Nối đất đầu dò máy hiện sóng trở kháng cao càng ngắn càng tốt, ngắn hơn 20 mm hoặc nối đồng trục.

Vị trí ‘a’ của J2 phải được sử dụng cho thử nghiệm tốc độ bit fc/128, fc/64, fc/32 và fc/16.

Vị trí ‘b’ của J2 phải được sử dụng cho thử nghiệm tốc độ bit fc/8, fc/4 và fc/2.

5.4.3  Chỉnh tần số cộng hưởng PICC tham chiếu

Tần số cộng hưởng PICC tham chiếu phải được hiệu chuẩn với quy trình sau:

a) Đặt chân nối J1 đến vị trí ‘a’

b) Kết nối cuộn dây hiệu chuẩn trực tiếp với bộ tạo tín hiệu và đầu kết nối PICC tham chiếu CON3 với vôn kế trở kháng cao. Kết nối tất cả các đầu kết nối với thiết bị tương tự như sử dụng cho thử nghiệm.

c) Định vị PICC tham chiếu với khoảng cách d = 10 mm trên cuộn dây hiệu chuẩn với các trục của 2 cuộn dây (cuộn dây hiệu chuẩn và cuộn dây chính PICC tham chiếu) tương tự nhau (xem Hình 6).

d) Vận hành cuộn dây hiệu chuẩn với sóng hình sin đặt là tần số cộng hưởng mong muốn.

e) Điều chỉnh các tụ điện PICC tham chiếu C1 và C2 để nhận điện áp DC lớn nhất ở CON3.

f) Điều chỉnh mức vận hành bộ tạo tín hiệu để đọc điện áp DC V_tải ở CON3.

g) Lặp lại các bước e) và f) cho đến khi điện áp lớn nhất sau bước e) là V_tải.

h) Hiệu chuẩn bộ lắp ráp PCD thử nghiệm để tạo điều kiện hoạt động H_min trên cuộn dây hiệu chuẩn.

i) Đặt PICC tham chiếu vào trong vị trí DUT trên bộ lắp ráp PCD thử nghiệm. Chuyển chân nối J1 đến vị trí ‘b’ và điều chỉnh R2 đạt điện áp DC là V_tải đo tại đầu kết nối CON3. Điều kiện trường hoạt động được kiểm tra bởi việc giám sát điện áp trên cuộn dây hiệu chuẩn và được hiệu chỉnh, nếu cần.

j) Lặp lại các bước b) đến g) với giá trị thu được của R2.

CHÚ THÍCH Có thể sử dụng thay thế bộ tạo tín hiệu bằng một bộ phân tích mạng véc-tơ nếu đủ công suất cung cấp để tạo V_tải tại CON3 trong khi đạt đến phần điện trở lớn nhất của trở kháng phức đo được của cuộn dây hiệu chuẩn.

Hình 6 - Thiết lập điều chỉnh tần số PICC tham chiếu (nguyên tắc)

5.5  Thiết lập thử nghiệm EMD

5.5.1  Mô tả chung

Thiết lập thử nghiệm EMD gồm:

- Bộ tạo tín hiệu với tạp âm pha thấp, được sử dụng để tổng hợp cả mẫu thử nghiệm EMD và các lệnh thử nghiệm PCD gửi đến PICC trong quá trình thử nghiệm;

- Bộ lắp ráp PCD thử nghiệm;

- Thiết bị phân tích biên độ tín hiệu:

- hoặc một thiết bị thu nhận tín hiệu (ví dụ máy hiện sóng) và phần mềm tính toán phù hợp,

- hoặc một bộ phân tích quang phổ (xem những điều bắt buộc bổ sung trong 5.5.2).

Thiết bị phân tích biên độ tín hiệu phải có khả năng phát công suất đối với các phép đo thời gian với tần số cố định, băng thông cố định, dải động cao, độ không đảm bảo đo thấp và độ phân giải thời gian cao.

CHÚ THÍCH Thử nghiệm EMD PICC có thể được thực hiện bằng việc sử dụng tín hiệu đầu ra RF của một PCD thương mại. Thử nghiệm EMD PICC có thể sử dụng mô phỏng PICC để tạo mẫu thử nghiệm EMD.

5.5.2  Tính toán công suất so với thời gian

Khởi đầu tín hiệu thu được phải được tạo cửa sổ Bartlett với độ chính xác 2 chu kì sóng mang điều chế. Biến đổi Fourier của các mẫu được tạo cửa sổ này tạo một giá trị công suất. Bằng cách dịch cửa sổ Bartlett qua các bước 1/fc từ khi khởi động đến lúc kết thúc tín hiệu thu được, kết quả công suất so với thời gian mong muốn được tính toán cuối cùng.

CHÚ THÍCH Kết quả băng thông 3 dB của cửa sổ được mô tả ở trên là 531 kHz và tạp âm của nó tương đương một lượng băng thông 843 kHz.

Việc tính toán công suất so với thời gian phải được thực hiện tại fc+ fs và fc - fs, sử dụng thang đo như một tín hiệu hình sin thuần túy cho kết quả biên độ đỉnh của tín hiệu đó. Một ví dụ về tính toán được đưa ra trong Phụ lục J.

Trong trường hợp sử dụng một bộ phân tích quang phổ, bộ phân tích đó phải có ít nhất một băng thông phân tích tương đương. Nó phải vượt qua thử nghiệm điều kiện ổn định trước nền tạp âm, như trong 5.5.3, và có lượng dư bổ sung 10/fc trên t_EPICC yêu cầu và không có đỉnh nhọn trên giới hạn EMD.

5.5.3  Thử nghiệm điều kiện ổn định trước nền tạp âm

5.5.3.1  Mục đích

Để đảm bảo một dải động cao và đủ nhạy, phép đo nền tạp âm phải được thực hiện và đạt qua bởi thiết lập thử nghiệm EMD. Mục đích của thử nghiệm đặt trước này là để xác minh dụng cụ được sử dụng cho phép đo mức EMD thỏa mãn một yêu cầu tạp âm nhỏ nhất.

Thử nghiệm nền tạp âm đạt qua nếu độ lệch chuẩn tạp âm nhỏ hơn ít nhất 3 lần giới hạn EMD V_{E, PICC}, khi được đo như trong 5.5.3.2.

Độ lệch chuẩn tạp âm được đo bởi việc tính giá trị căn bậc hai của trung bình bình phương của các kết quả biến đổi Fourier, như trong 5.5.2.

CHÚ THÍCH Nền tạp âm này có thể đạt được hoặc với bộ số hóa 14-bit tại một tốc độ lấy mẫu 100 triệu mẫu trên mỗi giây hoặc một máy hiện sóng kỹ thuật số 8-bit tại tốc độ lấy mẫu 1000 triệu mẫu trên mỗi giây.

5.5.3.2  Quy trình thử nghiệm