Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 7186:2018 (CISPR 15:2018) Đo đặc tính nhiễu tần số radio của thiết bị chiếu sáng

  • Thuộc tính
  • Nội dung
  • Tiêu chuẩn liên quan
  • Lược đồ
  • Tải về
Mục lục Đặt mua toàn văn TCVN
Lưu
Theo dõi văn bản

Đây là tiện ích dành cho thành viên đăng ký phần mềm.

Quý khách vui lòng Đăng nhập tài khoản LuatVietnam và đăng ký sử dụng Phần mềm tra cứu văn bản.

Báo lỗi
  • Báo lỗi
  • Gửi liên kết tới Email
  • Chia sẻ:
  • Chế độ xem: Sáng | Tối
  • Thay đổi cỡ chữ:
    17
Ghi chú

Tiêu chuẩn Việt Nam TCVN 7186:2018

Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 7186:2018 (CISPR 15:2018) Giới hạn và phương pháp đo đặc tính nhiễu tần số radio của thiết bị chiếu sáng và thiết bị tương tự
Số hiệu:TCVN 7186:2018Loại văn bản:Tiêu chuẩn Việt Nam
Cơ quan ban hành: Lĩnh vực: Công nghiệp
Năm ban hành:2018Hiệu lực:
Người ký:Tình trạng hiệu lực:
Đã biết

Vui lòng đăng nhập tài khoản gói Tiêu chuẩn hoặc Nâng cao để xem Tình trạng hiệu lực. Nếu chưa có tài khoản Quý khách đăng ký tại đây!

Tình trạng hiệu lực: Đã biết
Ghi chú
Ghi chú: Thêm ghi chú cá nhân cho văn bản bạn đang xem.
Hiệu lực: Đã biết
Tình trạng: Đã biết

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA

TCVN 7186:2018

CISPR 15:2018

GIỚI HẠN VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO ĐẶC TÍNH NHIỄU TẦN SỐ RADIO CỦA THIẾT BỊ CHIẾU SÁNG VÀ THIẾT BỊ ĐIỆN TƯƠNG TỰ

Limits and methods of measurement of radio disturbance characteristics of electrical lighting and similar equipment

Lời nói đầu

TCVN 7186:2018 thay thế cho TCVN 7186:2010;

TCVN 7186:2018 hoàn toàn tương đương với CISPR 15:2018;

TCVN 7186:2018 do Ban kỹ thuật Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN/TC/E9 Tương thích điện t biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

GIỚI HẠN VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO ĐẶC TÍNH NHIỄU TẦN SỐ RADIO CỦA THIẾT BỊ CHIẾU SÁNG VÀ THIẾT BỊ ĐIỆN TƯƠNG TỰ

Limits and methods of measurement of radio disturbance characteristics of electrical lighting and similar equipment

1  Phạm vi áp dụng

Tiêu chuẩn này áp dụng cho phát xạ (bức xạ hoặc dẫn) của nhiễu tần số radio phát ra từ:

- thiết bị chiếu sáng (3.3.16);

- phần chiếu sáng của thiết bị đa chức năng trong đó một trong các chức năng chính là chiếu sáng;

CHÚ THÍCH 1: Ví dụ như thiết bị chiếu sáng có hệ thống truyền thông bằng ánh sáng nhìn thấy được và hệ thống chiếu sáng giải trí.

- thiết bị bức xạ UV và IR sử dụng trong khu dân cư và không sử dụng trong công nghiệp;

- biển hiệu quảng cáo;

CHÚ THÍCH 2: Ví dụ như biển hiệu quảng cáo đèn nê ông.

- chiếu sáng trang trí;

- biển báo khẩn cấp.

Tiêu chuẩn này không áp dụng cho:

- linh kiện hoặc môđun được thiết kế để lắp trong thiết bị chiếu sáng và người dùng không thay thế được;

CHÚ THÍCH 3: Xem CISPR 30 (tất cả các phần) đi với bộ điều khiển lắp trong.

- thiết bị chiếu sáng hoạt động trong bằng tần ISM (như định nghĩa trong Nghị quyết 63 (1979) của qui định kỹ thuật về radio của ITU);

- thiết bị chiếu sáng dùng cho máy bay và phương tiện sân bay (đường chạy, phương tiện dịch vụ, sân bay);

- tín hiệu hình ảnh;

- hệ thống lắp đặt;

- thiết bị có các yêu cầu về tương thích điện từ trong dải tần số radio được trình bày rõ trong các tiêu chuẩn khác, ngay cả khi thiết bị có lắp chức năng chiếu sáng lắp trong.

CHÚ THÍCH 4: Ví dụ v các loại trừ gồm:

- Thiết bị có cơ cu chiếu sáng lắp trong dùng để chiếu sáng phía sau màn hình, chiếu sáng thang đo và báo hiệu;

- Màn hiển thị SSL;

- Máy hút mùi, tủ lạnh, t đông;

- Máy photocopy, máy chiếu;

- Thiết bị chiếu sáng dùng cho phương tiện giao thông đường bộ (thuộc phạm vi áp dụng của CISPR 12)

Dải tần được đề cập là từ 9 kHz đến 400 GHz. Không cần thực hiện các phép đo tại các tần số mà không được quy định giới hạn trong tiêu chuẩn này.

Thiết bị đa chức năng phải chịu đồng thời các điều khác nhau của tiêu chuẩn này và/hoặc các tiêu chuẩn khác thì phải đáp ứng các quy định của từng điều/tiêu chuẩn với các chức năng hoạt động liên quan.

Đối với các thiết bị nằm ngoài phạm vi qui định của tiêu chuẩn này đồng thời chức năng chiếu sáng chỉ là chức năng phụ thì không cần đánh giá riêng chức năng chiếu sáng theo tiêu chuẩn này với điều kiện chức năng chiếu sáng hoạt động suốt quá trình đánh giá theo tiêu chuẩn được áp dụng.

CHÚ THÍCH 5: Ví dụ về thiết bị có chức năng chiếu sáng phụ có thể là máy hút mùi, quạt, tủ lạnh, tủ đông, lò và tivi với ánh sáng xung quanh.

Yêu cầu về phát xạ bức xạ trong tiêu chuẩn này không nhằm áp dụng cho việc truyền dẫn có chủ ý từ một máy phát tần số radio theo định nghĩa trong ITU, và cũng không áp dụng cho việc phát xạ giả liên quan đến việc truyền dẫn có chủ ý này.

Trong tiêu chuẩn này, khi sử dụng thuật ngữ “thiết bị chiếu sáng hoặc “EUT” có nghĩa là thiết bị chiếu sáng và thiết bị điện tương tự thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này.

2  Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu viện dẫn sau đây là cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu ghi năm công bố thì áp dụng bản được nêu. Đối với các tài liệu không ghi năm công bố thì áp dụng bản mới nhất (kể cả các sửa đổi).

TCVN 5175 (IEC 61195), Bóng đèn huỳnh quang hai đầu - Qui định về an toàn

TCVN 6479 (IEC 60921), Balát dùng cho bóng đèn huỳnh quang dạng ống - Yêu cầu về tính năng

TCVN 7670 (IEC 60081), Bóng đèn huỳnh quang hai đầu - Yêu cầu tính năng

TCVN 7722-1:2017 (IEC 60598-1:2014 with amendment 1:2017), Đèn điện - Phần 1: Yêu cu chung và các thử nghiệm

TCVN 7995 (IEC 60038), Điện áp tiêu chuẩn

IEC 60050-161, International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Chapter 161: Electromagnetic compatibility (Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế (IEV) - Phần 161: Tương thích điện từ

IEC 60050-845:1987, International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 845: Lighting (Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế - Phần 845: Chiếu sáng)

IEC 60061-1, Lamp caps and holders together with gauges for the control of interchangeability and safety - Part 1: Lamp caps (Đầu đèn và đui đèn cùng với dưỡng đo để kiểm tra tính lắp lẫn và an toàn - Phần 1: Đầu đèn)

IEC 61000-4-20:2010, Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-20: Testing and measurement techniques - Emission and immunity testing in transverse electromagnetic (TEM) waveguides (Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-10: Kỹ thuật thử nghiệm và đo - Thử nghiệm phát xạ và miễn nhiễm trong ống dẫn điện từ ngang (TEM))

IEC 62504:20141, General lighting - Light emitting diode (LED) products and related equipment - Terms and definitions (Chiếu sáng thông dụng - sản phm đi ốt phát quang (LED) và thiết bị liên quan - Thuật ngữ và định nghĩa)

CISPR 16-1-1:20152, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Measuring apparatus (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 1-1: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Thiết bị đo)

CISPR 16-1-2:20143, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Coupling devices for conducted disturbance measurements (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần s radio - Phần 1-2: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Thiết bị kết hợp - Nhiễu dẫn)

CISPR 16-1-4:2010 with amendment 1:2012 và amendment 2:20174, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Antennas and test sites for radiated disturbance measurements (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 1-4: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Anten và vị trí thử nghiệm dùng để đo nhiễu bức xạ)

CISPR 16-2-1:2014 with amendment 1:20175, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-1: Methods of measurement of disturbances and immunity - Conducted disturbance measurements (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 2-1: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm - Đo nhiễu dẫn)

CISPR 16-2-3:20166, Specification for radio disturbances and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-3: Methods of measurement of disturbances and immunity - Radiated disturbance measurements (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 2-3: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm - Đo nhiễu bức xạ)

CISPR 16-4-2:2011 with amendment 1:2014, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 4-2: Uncertainties, statistics and limit modelling - Measurement instrumentation uncertainty (Quy định kỹ thuật đối với thiết bị và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 4-2: Độ không đảm bảo, thống kê và mẫu giới hạn - Độ không đảm bảo của thiết bị đo)

CISPR TR 30-1:2012, Test method on electromagnetic emissions - Part 1: Electronic control gear for single- and double-capped fluorescent lamps (Phương pháp thử phát xạ điện từ - Phần 1: Bộ điều khiển điện tử dùng cho bóng đèn huỳnh quang một đầu và hai đầu)

CISPR 32:2015, Electromagnetic compatibility of multimedia equipment - Emission requirements (Tương thích điện từ đối với thiết bị đa phương tiện - Yêu cầu về phát xạ)

TCVN ISO/IEC 17025:2007 (ISO/IEC 17025:2005)7, Yêu cầu chung về năng lực của phòng thử nghiệm và hiệu chuẩn

3  Thuật ngữ, định nghĩa và chữ viết tắt

3.1  Quy định chung

Trong tiêu chuẩn này, áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa được cho trong IEC 60050-161, IEC 62504, IEC 60050-845 và các thuật ngữ và định nghĩa dưới đây.

3.2  Thuật ngữ và định nghĩa chung

3.2.1

Đế của đèn điện (base of the luminaire)

Bề mặt lắp vào của đèn điện trong quá trình sử dụng bình thường, thường là phía đối diện với cửa sổ quang.

3.2.2

Tần số xung nhịp (clock frequency)

Tần số cơ bản của tín hiệu bất kỳ được dùng trong EUT ngoại trừ các tần số được phát ra bên trong mạch tích hợp (IC) và các tần số chỉ được sử dụng bên trong cùng mạch tích hợp nhưng không tiếp cận được bên ngoài mạch IC và ngoại trừ các tần số được sử dụng riêng cho việc truyền dẫn radio hoặc cho các chức năng thu sóng radio.

CHÚ THÍCH: Các tần s cao thường được phát bên trong mạch tích hợp (IC) bi các mạch vòng lặp khóa pha (PLL) xuất phát từ các tần số của bộ dao động xung nhịp thấp hơn bên ngoài mạch tích hợp (IC).

3.2.3

Điện áp cực thấp (extra-low voltage)

ELV

Điện áp không vượt quá 50 V xoay chiều hoặc 120 V một chiều không nhấp nhô giữa các dây dẫn hoặc giữa dây dẫn bất kỳ với đất (dải điện áp 1 của IEC 60449) được đặt vào giao diện tải cung cấp điện cho thiết bị chiếu sáng, ngoại trừ các giao diện được sử dụng trong truyền thông hoặc truyền dữ liệu.

CHÚ THÍCH: Không nhấp nhô thường được định nghĩa đối với điện áp nhấp nhô hình sin là thành phần nhấp nhô không quá 10 % giá trị hiệu dụng: giá trị đỉnh lớn nhất không được vượt quá 140 V đối với hệ thống dòng điện một chiều không nhấp nhô 120 V danh nghĩa.

[NGUỒN: IEC 61347-1:2015 with amendment 1:2017, 3.27, có sửa đổi - Làm rõ định nghĩa]

3.2.4

Truyền công suất cảm ứng (inductive power transfer)

Quá trình truyền năng lượng điện cảm ứng theo thời gian từ một nguồn đến một ti riêng khi chúng được đặt tiếp xúc vật lý (mà không phải tiếp xúc điện) hoặc đặt gần sát với nhau.

D: Ví dụ là đèn điện nạp lại được có lắp bộ truyền công suất cảm ứng hoặc bóng đèn không có điện cực có bộ truyền công suất cảm ứng.

CHÚ THÍCH 1: Ngoài ra, nếu công nghệ tần số radio, như định nghĩa của ITU, được sử dụng hoặc được thêm vào chức năng truyền công suất của thiết bị truyền công suất kiểu cảm ứng đối với mục đích truyền dữ liệu thì áp dụng các tiêu chuẩn thích hợp đối với công nghệ tần số radio này.

CHÚ THÍCH 2: Sự lan truyền năng lượng điện từ bất kỳ bên ngoài hệ thống của nguồn điện cảm ứng và tải được coi là nhiễu điện từ và do đó phải chịu sự đánh giá của tiêu chuẩn này.

3.2.5

Cửa sổ quang (optical window)

Phần thiết bị chiếu sáng mà từ đó ánh sáng phát ra.

3.2.6

Chức năng chính (primary function)

Chức năng của một thiết bị được chỉ định bởi nhà chế tạo.

3.2.7

Chức năng phụ (secondary function)

Chức năng bất kỳ của một thiết bị không cần thiết đ thực hiện chức năng chính, được chỉ định bi nhà chế tạo.

3.2.8

Bố trí thử nghiệm (test arrangement)

Bố trí quy định của EUT, hệ thống đi cáp, thiết bị phụ trong quá trình thử nghiệm.

3.3  Thuật ngữ và định nghĩa liên quan đến thiết bị

3.3.1

Biển hiệu quảng cáo (advertising sign)

Khối sử dụng ánh sáng dùng cho quảng cáo, bảng tín hiệu giao thông, biển báo đường bộ hoặc tương tự.

3.3.2

Thiết bị phụ trợ (ancillary equipment)

Thiết bị chuyển đi (ví dụ như đầu đo dòng điện và đầu đo điện áp và mạng giả) và thiết bị khác (ví dụ như cáp, bộ tiền khuếch đại, bộ suy giảm, bộ lọc, bộ phối hợp) được nối với máy thu đo hoặc với EUT và được sử dụng trong việc truyền tín hiệu nhiễu giữa EUT và máy thu đo.

CHÚ THÍCH 1: Các CISPR đưa ra các định nghĩa khác nhau về thiết bị kết hợp, thiết bị phụ trợ và thiết bị phụ. Các định nghĩa được nêu trong tiêu chuẩn này dựa vào CISPR 16-2-3. Xem thêm 3.3.3 và 3.3.4.

CHÚ THÍCH 2: Xem thêm Hình 2.

[NGUỒN: CISPR 16-2-3:2016, 3.1.2, có sửa đi - Bổ sung các ví dụ trong định nghĩa và chú thích].

3.3.3

Thiết bị kết hợp (associated equipment)

AE

Thiết bị, không phải là một phần của hệ thống cần thử nghiệm, nhưng cần thiết để hỗ trợ vận hành EUT.

VÍ DỤ: Thiết bị để phát ra tín hiệu điều khiển ánh sáng.

CHÚ THÍCH: Xem thêm Hình 2.

[NGUỒN: CISPR 16-2-3:2016, 3.1.5, có sửa đổi - Bổ sung các ví dụ và chú thích].

3.3.4

Thiết bị phụ (auxiliary equipment)

AuxEq

Thiết bị ngoại vi là một phần của hệ thống cần thử nghiệm.

VÍ DỤ: Trong CISPR TR 30-1 hoặc CISPR TR 30-2, đèn điện chuẩn, trong trường hợp thử nghiệm balát hoặc bộ điều khiển.

CHÚ THÍCH: Xem thêm Hình 2.

[NGUỒN: CISPR 16-2-3:2016, 3.1.6, có sửa đổi - Bổ sung các ví dụ và chú thích].

3.3.5

Bộ điều khiển (controlgear)

Cơ cấu bằng điện giữa nguồn và một hoặc nhiều (các) nguồn sáng có thể sử dụng để biến đổi điện áp nguồn, giới hạn dòng điện của (các) nguồn sáng đến giá trị quy định, cung cấp điện áp khởi động và dòng điện nung nóng trước, ngăn ngừa khởi động nguồn hiệu chỉnh hệ số công suất, triệt nhiễu tần số radio, kể cả dùng để điều chỉnh độ sáng và các chức năng điều khiển khác.

CHÚ THÍCH: Định nghĩa này khác với TCVN 7722-1 (IEC 60598-1).

[NGUỒN: IEC 62504:2014; 3.6.1, có sửa đi - Chữ viết tắt “LED” trong thuật ngữ được xóa bỏ và các sửa đi khác về định nghĩa.]

3.3.6

Chiếu sáng trang trí (decorative lighting)

Thiết bị phát ra ánh sáng cho mục đích khí quyển, nghệ thuật hoặc xung quanh.

3.3.7

Bộ phối hợp của bóng đèn hai đầu (double-capped lamp adapter)

Thành phần được thiết kế để lắp đặt trong đèn điện, có kết cu dùng cho bóng đèn có đường kính ống (theo TCVN 7670 (IEC 60081) và TCVN 5175 (IEC 61195)) và chiều dài ống quy định với mục đích là để chứng nhận bóng đèn có đường kính ống khác hoặc chiều dài ống khác thay thế.

CHÚ THÍCH: Bộ phối hợp bóng đèn có thể có lắp cơ cấu đóng cắt hoặc cầu chảy hoặc bộ điều khiển bóng đèn điện tử dùng đ vận hành bóng đèn tần số cao.

3.3.8

Bóng đèn hai đầu có balát lắp liền (double capped self-ballasted lamp)

Khối mà có thể bị hỏng vĩnh viễn nếu tháo rời ra, được cung cấp kèm theo một hoặc nhiều nguồn sáng và hai đầu đèn và các linh kiện bổ sung bất kỳ cần thiết để khi động và vận hành ổn định nguồn sáng.

CHÚ THÍCH: Xem thêm chú thích 1 và chú thích 2 được cho trong 3.3.21.

3.3.9

Nửa đèn điện có hai đầu (double-capped semi-luminaire)

Khối tương tự với bóng đèn có balát lắp liền nhưng được thiết kế để sử dụng cho nguồn sáng có thể thay thế được và/hoặc cơ cấu khởi động.

CHÚ THÍCH 1: Nửa đèn điện dùng cho bóng đèn huỳnh quang compact và bóng đèn nung sáng, đôi khi được gọi là bộ phối hợp, và là thiết bị được trang bị, trên một phía, với đầu đèn tiêu chuẩn theo IEC 60061-1 đẻ cho phép lắp trong đui đèn tiêu chuẩn, phía còn lại, với đui đèn cho phép lắp nguồn sáng thay thế được.

CHÚ THÍCH 2: Thành phần nguồn sáng và/hoặc cơ cấu khởi động của nửa đèn điện có thể thay thế được một cách dễ dàng.

CHÚ THÍCH 3: Đối với công nghệ phóng điện qua khí, thành phần balát không thay thế được và cũng không được sử dụng mỗi lần để thay thế nguồn sáng.

3.3.10

Bóng đèn hai đầu dùng để thay thế (double-capped retrofit lamp)

Bóng đèn dạng ống dùng công nghệ thay thế cho công nghệ huỳnh quang và có thể được sử dụng như sự thay thế cho bóng đèn huỳnh quang hai đầu mà không yêu cầu bất kỳ sửa đổi bên trong nào trong đèn điện và, sau khi lắp đặt, duy trì ở cùng mức an toàn của bóng đèn được thay thế trong đèn điện.

CHÚ THÍCH: Sự thay thế tắc te chớp sáng theo IEC 60115 bằng tắc te thay thế dùng cho LED có cùng kích thước và thích hợp đối với chức năng điều chỉnh của bóng đèn LED có hai đầu, không được coi là sửa đổi về đèn điện.

3.3.11

Bóng đèn không có điện cực (electrodeless lamp)

Bóng đèn phóng điện qua khí mà trong đó năng lượng cần thiết để phát sáng được truyền từ bên ngoài bóng đèn đến khí bên trong thông qua trường điện hoặc trường từ.

3.3.12

Thiết bị cần thử nghiệm (equipment-under-test)

EUT

Thiết bị thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này phải chịu các thử nghiệm sự phù hợp (đánh giá sự phù hợp) về EMC (phát xạ).

VÍ DỤ: EUT có thể là đèn điện k cả (các) bóng đèn, bóng đèn balát lắp liền, chuỗi dây đèn hoặc môđun.

CHÚ THÍCH: Xem thêm Hình 2.

[NGUỒN: CISPR 16-2-3:2016, 3.1.14, có sửa đổi - Sửa đi định nghĩa và bổ sung ví dụ và chú thích 2).

3.3.13

Bóng đèn (lamp)

Khối có chứa một hoặc nhiều nguồn sáng và một hoặc hai đầu đèn tiêu chuẩn để ghép.

3.3.14

Nguồn sáng LED (LED light source)

Thiết bị có cha một LED hoặc tập hợp các LED được dùng cho mục đích chiếu sáng.

3.3.15

Nguồn sáng (light source)

Thiết bị phát ra ánh sáng được tạo ra bằng cách chuyển đổi điện năng.

CHÚ THÍCH: Thiết bị chiếu sáng phát ra ánh sáng trong phạm vi chiều dài sóng nhìn thấy được từ 400 nm đến 780 nm.

[NGUỒN: IEC 60050-845:1987, 845-07-01, có sửa đi - Làm rõ định nghĩa và bổ sung chú thích].

3.3.16

Thiết bị chiếu sáng (lighting equipment)

Thiết bị có thể được sử dụng như một khối độc lập để chiếu sáng khung cảnh, vật thể hoặc môi trường xung quanh các vật thể sao cho chúng có thể được nhìn thấy và các modul được thiết kế để sử dụng trong hoặc với thiết bị này hoặc cơ cấu lắp ráp của thiết bị.

CHÚ THÍCH: Ví dụ về thiết bị chiếu sáng là đèn điện, bóng đèn có balát lắp liền, bóng đèn ELV và các mođun được sử dụng cho mục đích chiếu sáng, chiếu sáng đường/đèn pha được thiết kế để s dụng ngoài trời, thiết bị chiếu sáng được lắp đặt trong hoặc trên các phương tiện giao thông mà không thuộc phạm vi áp dụng của CISPR 12.

[NGUỒN: IEC 60050-845:1987, 845-09-01, có sửa đi - Làm rõ định nghĩa]

3.3.17

Đèn điện (luminaire)

Thiết bị chiếu sáng phân phối, lọc hoặc truyền ánh sáng phát ra từ một hoặc nhiều bóng đèn hoặc nguồn sáng và bao gồm tất cả các bộ phận cần thiết để đỡ, cố định và bảo vệ các bóng đèn, nhưng không bao gồm bản thân bóng đèn và trong trường hợp cần thiết còn bao gồm các mạch điện phụ trợ cùng với các phương tiện nối chúng với nguồn, kể cả bộ điều khiển, khối điều khiển, đi cáp, vỏ và lắp đặt.

CHÚ THÍCH: Định nghĩa này lấy từ định nghĩa TCVN 7722-1 (TCVN 60598-1). Trong tiêu chuẩn này, đèn điện không bao gồm bóng đèn, trừ khi bóng đèn là bộ phận tích hợp. Tuy nhiên, đối với mục đích thử nghiệm phát xạ của tiêu chuẩn này, đèn điện luôn luôn chứa bóng đèn hoặc nguồn sáng hoặc tải điện trở.

[NGUỒN: IEC 60598-1:2014, 1.2.1, có sửa đổi - Làm rõ định nghĩa]

3.3.18

Môđun (Module)

Bộ phận điện tử hoặc điện thực hiện chức năng cụ thể hoặc các chức năng của ứng dụng chiếu sáng và có thể có nguồn tần số radio, được thiết kế cho ứng dụng trong đèn điện hoặc trong hệ thống lắp đặt bi người sử dụng cuối và được thiết kế để được bán riêng rẽ với thiết bị hoặc hệ thống chiếu sáng.

CHÚ THÍCH: Ví dụ: bóng đèn có balát lp liền, tcte, bộ điều khiển bóng đèn, bộ điều chỉnh độ sáng gắn tưng, khối điều khiển, môđun LED.

3.3.19

Thiết bị cần thử nghiệm thụ động (passive EUT)

Thiết bị, mà bản chất và đặc tính vật lý vốn có của nó ví dụ như việc không có thành phần tích cực và biến đổi nhanh hoặc đóng ct dòng điện hoặc điện áp, không có khả năng tạo ra hoặc góp phần vào việc phát xạ điện từ vượt quá mức cho phép của việc thu tần số radio như dự kiến.

CHÚ THÍCH 1: EUT thụ động ít có khả năng sinh ra nhiễu điện từ. Xem 6.2.

CHÚ THÍCH 2: Điốt chính lưu lưới điện và tắc te điện tử chỉ hoạt động trong giai đoạn khởi động được coi là thành phần thụ động.

3.3.20

Bóng đèn ELV bị hạn chế (restricted ELV lamp)

Bóng đèn điện áp cực thấp có các hạn chế đặc biệt về loại nguồn điện và/hoặc chiều dài cáp có thể dùng cho bóng đèn, do nhà chế tạo cung cấp hoặc quy định.

CHÚ THÍCH: Bóng đèn ELV không có mô tả chi tiết về các hạn chế là bóng đèn không bị hạn chế.

3.3.21

Bóng đèn có balát lắp liền (self-ballasted lamp)

Cụm lắp liền có nguồn sáng và các thành phần b sung có thể cần thiết để khi động và đảm bảo vận hành n định nguồn sáng mà nếu tháo rời thì sẽ bị hỏng vĩnh viễn và được nối với đui đèn hoặc với đèn điện thông qua một hoặc hai đầu đèn tiêu chuẩn theo IEC 60061-1.

CHÚ THÍCH 1: Thành phần nguồn sáng của bóng đèn có balát lắp liền không thể thay thế được.

CHÚ THÍCH 2: Đối với công nghệ “phóng điện qua khí”, thành phần balát là bộ phận của bóng đèn có balát lắp liền; nó không phải là bộ phận của đèn điện.

CHÚ THÍCH 3: Thuật ngữ “bóng đèn có balát lắp liền” được sử dụng là thuật ngữ chung cho thiết kế tất cả bóng đèn mà có thể vận hành độc lập các phụ kiện hoặc thiết bị phụ trợ bên ngoài khác, ngoại trừ đui đèn. Điều này bao gồm cả các công nghệ phóng điện qua khi cũng như các công nghệ LED và OLED.

[NGUỒN: IEC 60598-1:2014,1.2.59, có sửa đổi - Làm rõ định nghĩa. Sửa đổi nội dung của chú thích 2 và chú thích 3 và xóa chú thích 4]

3.3.22

Nửa đèn điện (semi luminaire)

Cơ cấu (đôi khi được gọi là bộ phối hợp) được trang bị, trên một phía, có hệ thống đầu đèn tiêu chuẩn để cho phép lắp vào đui đèn tiêu chun, phía còn lại, có đui đèn cho phép lắp nguồn sáng thay thế được với đầu đèn.

3.3.23

Thiết bị phát xạ UV và IR (UV and IR radiation equipment)

Thiết bị phát xạ quang làm việc ở bước sóng nằm trong khoảng từ 780 nm đến 1 mm hoặc từ 1 nm đến 400 nm.

VÍ D: Ví dụ như các thiết bị được sử dụng cho y tế, chăm sóc thm mỹ và gia nhiệt tức thời.

[NGUỒN: IEC 60050-731:1991 và sửa đổi 1:2016, 731-01-05 và 731-01-06, có sửa đổi - Đã kết hợp các định nghĩa]

3.4  Thuật ngữ và định nghĩa liên quan đến giao diện và cổng

3.4.1

Giao diện cấp nguồn điện xoay chiều (AC electric power supply interface)

Điểm kết ni đến lưới điện xoay chiều.

3.4.2

Giao diện truyền thông/dữ liệu/mạng (communication/data/network interface)

Điểm kết ni dùng cho truyền d liệu và tín hiệu được thiết kế để nối liên kết hệ thống phân tán rộng khắp qua phương tiện tương tự như kết nối đến mạng viễn thông nhiều người sử dụng (ví dụ như mạng nội bộ giống Ethernet, token ring, v.v...).

3.4.3

Giao diện điều khiển (control interface)

Điểm mà tại đó dây dẫn hoặc cáp được gắn vào thiết bị chiếu sáng dùng cho mục đích điều khiển chức năng của thiết bị.

3.4.4

Giao diện cấp nguồn điện một chiều (DC electric power supply interface)

Điểm kết nối với lưới điện một chiều bên ngoài.

3.4.5

Giao diện cấp nguồn điện (electric power supply interface)

Điểm kết ni tại đó dây dẫn hoặc cáp mang điện năng sơ cấp cần thiết cho hoạt động (vận hành) của thiết bị chiếu sáng được kết nối và qua đó nhiễu dẫn điện từ cũng có thể kết hợp với môi trường điện từ.

CHÚ THÍCH: Có thể nối cáp với giao diện này để truyền điện từ hệ thống phân phối điện lưới một chiều và/hoặc xoay chiều có cấu trúc liên kết sao cho nhiễu điện từ kết hợp dễ dàng với môi trường điện từ.

3.4.6

Cổng vỏ (enclosure port)

Giao diện giả không dây không chú ý của thiết bị chiếu sáng qua đó nhiễu điện từ có thể bức xạ vào môi trường.

CHÚ THÍCH 1: Dựa vào IEC 61000-6-3:2006/AMD1:2010, 3.1.2.

CHÚ THÍCH 2: Giao diện giả có th gồm có ví dụ như mạch ghép và lỗ hổng trong vỏ kim loại vật lý, và cả các chiều dài giới hạn của từng giao diện có dây của nó. Điển hình trong dải tần cao hơn 30 MHz, một phần ba bước sóng của chiều dài của giao diện có dây có thể góp phần vào nhiễu bức xạ. Do đó, giao diện giả này cũng bao gồm cả giao diện có dây tới thiết bị phụ, được thiết kế để nối với cáp có chiều dài nhỏ hơn 3 m.

3.4.7

Giao diện về điện (electrical interface)

Điểm kết nối của thiết bị mà tại đó dây dẫn hoặc cáp được gắn vào dùng cho các mục đích khác nhau ví dụ như cấp nguồn, điều khiển hoặc truyền thông.

Ví DỤ: Xem Hình 3.

3.4.8

Đất chức năng (functional earth)

Đầu nối của thiết bị được thiết kế để kết ni với dây dẫn nối đất bên ngoài đối với mục đích chức năng và/hoặc tương thích điện từ.

3.4.9

Giao diện tải (load interface)

Điểm kết nối của thiết bị chiếu sáng cung cấp năng lượng điện cho hạng mục khác của thiết bị chiếu sáng.

3.4.10

Cổng có dây nội bộ (local wired port)

Giao diện của thiết bị chiếu sáng, nối trực tiếp với các cáp mà cáp này không được nối với mạng và có chiều dài lớn hơn hoặc bằng 3 m, hoặc cáp được nối gián tiếp với mạng thông qua thiết bị phụ.

VÍ DỤ: ví dụ như: giao diện cấp điện của bóng đèn ELV, giao diện của bộ điều khiển dùng để nối cáp tải dài ( 3 m), giao diện điều khiển của bộ cảm biến dùng để nối với cáp điều khiển ngắn (< 3 m) với đèn điện cấp nguồn xoay chiều, Xem Phụ lục D về các ví dụ.

CHÚ THÍCH: Cổng này có th phát xạ nhiễu điện từ.

3.4.11

Mạng (network)

Hệ thống lắp đặt điện gồm thiết bị và cáp ni liên kết hoặc hệ thống có dây dùng cho việc truyền và phân bố điện năng, tín hiệu điện dùng cho việc truyền dữ liệu hoặc truyền thông hoặc tương tự.

3.4.12

Cổng (port)

Loại giao diện cụ thể của EUT cung cấp đường ghép nối cho nhiễu điện từ từ EUT vào trong môi trường điện từ riêng biệt đối với loại đó.

CHÚ THÍCH: Cổng vỏ có thể gồm các giao diện có dây khác, có chiều dài nh hơn 3 m (xem 3.4.6).

Hình 1 - EMC-cổng của EUT

3.4.13

Đất bảo vệ (protective earth)

Đầu nối thiết bị được thiết kế để nối với dây dẫn bên ngoài dùng cho việc bảo vệ chống điện giật trong trường hợp có sự cố.

3.4.14

Cng mạng có dây (wired network port)

Giao diện có dây của thiết bị chiếu sáng, nối với cáp mà cáp được nối trực tiếp với một mạng và qua đó nhiễu dẫn điện từ có thể được nối với mạng đó.

3.5  Thuật ngữ viết tắt

AAN

artificial asymmetrical network

mạng giả không đi xứng

AC

alternating current

dòng điện xoay chiều

AE

associated equipment

thiết bị kết hợp

AMN

artificial mains network

mạng nguồn giả

AuxEq

auxiliary equipment

thiết bị phụ

CDNE

Coupling Decoupling Network Emission

phát xạ của mạng ghép khử ghép

CISPR

International Special Committee on Radio Interference

ban kỹ thuật đặc biệt về miễn nhiễm tần số radio

CM

common mode

phương thức chung

CP

current probe

đầu đo dòng điện

CVP

capacitive voltage probe

đầu đo điện áp kiểu điện dung

dB

decibel

deciben

DC

direct current

dòng điện một chiều

DALI

Digital Addressable Lighting Interface

giao diện chiếu sáng địa chỉ số hóa

DM

differential mode

phương thức vi sai

E

earth terminal

đầu nối đất

ELV

extra-low voltage

điện áp cực thấp

EMC

electromagnetic compatibility

tương thích điện từ

EUT

equipment under test

thiết bị cần thử nghiệm

FAR

fully anechoic room

phòng hấp thụ hoàn toàn

FE

functional earth

đất chức năng

GHz

gigahertz

gigahéc

GU10

glass U-shaped housing and cap of a multifaceted reflector (MR) light bulb

vkính hình chữ U và đầu của bóng đèn phản xạ đa diện (MR)

Hz

hertz

héc

IEC

International Electrotechnical Commission

ủy ban kỹ thuật điện quốc tế

IEV

International Electrotechnical Vocabulary

từ vựng kỹ thuật điện quốc tế

IR

infrared

hồng ngoại

ISM

industrial, scientific and medical

công nghiệp, khoa học và y tế

ISN

impedance stabilization network

mạng ổn định tr kháng

ITE

information tachnology equipment

thiết bị công nghệ thông tin

ITU

International Telecommunication Union

liên hiệp viễn thông quốc tế

kHz

kilohertz

kilohéc

L

line

pha

LAN

local area network

mạng nội bộ

LED

light emitting diode

điốt phát quang

LLAS

large loop antenna system

hệ thống anten vòng lớn

MHz

megahertz

megahéc

µA

microampere

microampe

µF

microfarad

microfara

µV

microvolt

microvôn

N

neutral

trung tính

N.A

not applicable

không áp dụng được

nf

nanofarad

nanofara

OATS

open area test site

khu vực thử nghiệm ngoài trời

OLED

organic light emitting diode

điốt phát quang hữu cơ

PE

protective earth

đất bảo vệ

PWM

pulse width modulation

điều chế độ rộng xung

RF

radio frequency

tần số radio

RGP

reference-ground plane

mặt phẳng nền chuẩn

SAC

semi anechoic chamber

buồng bán hấp thụ

SSL

solid state light

chiếu sáng rắn

TEM

transverse electromagnetic

ống dẫn sóng điện từ ngang

TR

technical report

báo cáo kỹ thuật

UV

ultraviolet

cực tím

Hình 2 - Mô tả đặc điểm chung về các định nghĩa của thiết bị thử nghim, thiết bị phụ tr, thiết bị phụ, thiết bị kết hợp đối với EUT và môi trường thử nghiệm/đo (các định nghĩa được nêu trong TCVN 6989-2-3 (CISPR 16-2-3))

4  Giới hạn

4.1  Quy định chung

Các yêu cầu đối với EUT được nêu trong điều này dựa trên cơ s về ba cng EMC cơ bản có thể có để có thể áp dụng cho từng giao diện EUT: cổng vỏ, cổng mạng có dây và cổng có dây nội bộ. Phân loại cổng và việc áp dụng giới hạn đối với từng giao diện có thể có của EUT được quy định tại Điều 5 và Điều 6.

Giới hạn nhiễu được quy định đối với các kiểu cụ thể của bộ tách sóng, nghĩa là bộ tách sóng tựa đnh hoặc bộ tách sóng trung bình (xem quy định kỹ thuật của máy thu đo CISPR trong CISPR 16-1-1). Nếu giới hạn áp dụng được trên một dải tần cụ thể được quy định cho cả bộ tách sóng tựa đỉnh và cả bộ tách sóng trung bình, miễn là mức nhiễu của EUT được đo bằng bộ tách sóng tựa đnh đáp ứng các giới hạn trung bình thì EUT phải được coi là đáp ứng cả hai giới hạn và không cần thực hiện phép đo theo bộ tách sóng trung bình đối với dải tần đó.

Trong trường hợp có thể áp dụng phương pháp khác có các giới hạn liên quan thì báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ phương pháp được sử dụng và giới hạn được áp dụng.

CHÚ THÍCH: Giới hạn trong tiêu chuẩn này đã được xác định dựa trên cơ s xác suất. Trong trường hợp ngoại lệ. yêu cầu phải có các điều khoản bổ sung.

4.2  Dải tần

Các giới hạn và phương pháp đo trong 4.3, 4.4 và 4.5 đối vi đặc tính nhiễu radio được cho dưới dạng hàm số của dải tần. Không cần thực hiện các phép đo tại các tần số không quy định giới hạn.

4.3  Giới hạn và phương pháp đánh giá cổng mạng có dây

4.3.1  Giao diện cấp nguồn điện

Giới hạn và phương pháp đo đối với việc đánh giá điện áp nhiễu dẫn tại đầu nối giao diện cấp nguồn điện AC hoặc DC trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 1.

Bảng 1 - Giới hạn điện áp nhiễu tại giao diện cấp nguồn điện

Dải tần

Giới hạna

dBµV

Phương pháp

Tựa đỉnh

Trung bình

9 kHz đến 50 kHz

110

-

CISPR 16-2-1 và 8.3

50 kHz đến 150 kHz

90 đến 80b

-

150 kHz đến 0,5 MHz

66 đến 56b

56 đến 46b

0,5 MHz đến 5,0 MHz

56c

46c

5 MHz đến 30 MHz

60

50

a Áp dụng giới hạn thấp hơn tại các tần số chuyển tiếp

b Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số từ 50 kHz đến 150 kHz và từ 150 kHz đến 0,5 MHz

c Đối với thiết bị chiếu sáng có lắp bóng đèn không điện cực chuyên dụng, trong dải tần từ 2,2 MHz đến 3,0 MHz áp dụng các giới hạn tựa đỉnh 73 dBµV và trung bình 63 dBµV.

4.3.2  Giao diện mạng có dây không phi cấp nguồn điện

Giới hạn và phương pháp đo đối với việc đánh giá điện áp nhiễu dẫn tại giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz được cho Bảng 2 và Bảng 3.

Có thể áp dụng phương pháp và giới hạn kết hợp từ Bảng 2 hoặc Bảng 3 để chứng minh sự phù hợp.

Bảng 2 - Giới hạn điện áp nhiễu giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện

Dải tần

(MHz)

Giới hạn

dBµV

Phương pháp

Tựa đnh

Trung bình

CISPR 16-2-1 và 8.4

0,15 đến 0,50

84 đến 74

74 đến 64

0,50 đến 30

74

64

CHÚ THÍCH 1: Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số trong dải tần từ 0,15 MHz đến 0,5 MHz.

CHÚ THÍCH 2: Gii hạn điện áp nhiễu được lấy để sử dụng với mạng giả không đối xứng (AAN), mạng này đưa ra tr kháng phương thức chung (phương thức không đối xứng) là 150 Ω cho giao diện được đo.

Bảng 3 - Giới hạn dũng điện nhiễu tại giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện

Dải tần

(MHz)

Giới hạn

dBµA

Phương pháp

Tựa đnh

Trung bình

CISPR 16-2-1 và 8.4

0,15 đến 0,50

40 đến 30

30 đến 20

0,50 đến 30

30

20

CHÚ THÍCH 1: Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tn số trong dải tần từ 0,15 MHz đến 0,5 MHz.

CHÚ THÍCH 2: Giới hạn dòng điện nhiễu được lấy để sử dụng tr kháng phương thức chung (phương thức không đi xứng) là 150 Ω. Do đó, hệ số chuyển đi được đặt là 20 log(150) = 44 dBΩ.

4.4  Giới hạn và phương pháp đo để đánh giá cổng có dây nội bộ

Tiêu chuẩn này phân biệt giữa hai loại “cổng có dây nội bộ". Hai loại này là:

a) Giao diện EUT nối gián tiếp với mạng, qua thiết bị phụ (thiết bị này gồm giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV);

b) Giao diện EUT không được nối trực tiếp hoặc gián tiếp với mạng và có thể được nối với cáp có chiều dài lớn hơn hoặc bằng 3 m.

Đối với hai loại “cổng có dây nội bộ” này, như đã liệt kê ở trên, các giới hạn đối với nhiễu dẫn được quy định trong điều này.

Giới hạn và phương pháp đo đối với việc đánh giá điện áp nhiễu dẫn của cng có dây nội bộ trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 1, Bảng 4, Bảng 5 và Bảng 6.

Giới hạn và phương pháp áp dụng được cho giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV được cho trong Bảng 1 và Bảng 4, đối với lần lượt bóng đèn ELV bị hạn chế và không bị hạn chế, cùng các yêu cầu bổ sung đối với phương pháp thử nghiệm trong 6.4.7.

Bảng 4 - Giới hạn điện áp nhiễu của cổng có dây nội bộ: giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV bị hạn chế

Dải tn

Giới hạn a c d

dBµV

Phương pháp

Tựa đỉnh

Trung bình

CISPR 16-2-1 và A.5.1

9 kHz đến 50 kHZ

50 kHz đến 150 kHz

150 kHz đến 0,5 MHz

0,5 MHz đến 5,0 MHz

5,0 MHz đến 3,0 MHz

136

116 đến 106b

92 đến 82b

82

86

-

-

82 đến 72b

72

76

a Áp dụng giới hạn thấp hơn tại các tn số chuyển tiếp.

b Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số từ 50 kHz đến 150 kHz và từ 150 kHz đến 0,5 MHz.

c Áp dụng giới hạn trong bảng này nếu không áp dụng bộ suy giảm 26 dB (xem Hình A.3).

d Gii hạn điện áp nhiều đối với bóng đèn ELV bị hạn chế được cho trong Bảng 1 (xem 6.4.7).

Giới hạn và phương pháp cho trong Bảng 5 hoặc Bảng 6 phải được áp dụng cho cổng có dây nội bộ không phải giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV.

Bảng 5 - Giới hạn điện áp nhiễu tại cổng có dây nội bộ: cổng có dây nội bộ không phải giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV

Dải tần

MHz

Giới hn

dBµV a

Phương pháp

Tựa đnh

Trung bình

CISPR 16-2-1 (phương pháp đầu đo điện áp) xem 8.5.2.2

0,15 đến 0,50

80

74

0,50 đến 30

74

64

a Áp dụng giới hạn thấp hơn tại các tần số chuyển tiếp.

Bảng 6 - Giới hạn dòng điện nhiễu tại cổng có dây nội bộ: cổng có dây nội bộ không phải giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV

Dải tần

MHz

Giới hạn

dBµA

Phương pháp

Tựa đnh

Trung bình

CISPR 16-2-1

Xem 8.5.2.3

0,15 đến 0,50

0,50 đến 30

40 đến 30

30

30 đến 20

20

CHÚ THÍCH 1: Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số trong dải từ 0,15 MHz đến 0,5 MHz.

CHÚ THÍCH 2: Giới hạn dòng điện nhiễu được lấy để sử dụng tr kháng phương thức chung (phương thức không đối xứng) là 150 Ω và hệ số chuyển đổi được đặt là 20 log(150) = 44 dBΩ.

4.5  Giới hạn và phương pháp đánh giá cổng vỏ

4.5.1  Yêu cầu chung

Điều này đưa ra các giới hạn nhiễu bức xạ đối với cổng vỏ dưới dạng hàm số của di tần.

4.5.2  Dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz

Giới hạn nhiễu trường bức xạ trong di tần từ 9 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 8 và Bng 9.

Giới hạn trong Bảng 8 được thể hiện dưới dạng dòng điện đo được trong hệ thống anten vòng lớn (LLAS) như quy định trong CISPR 16-1-4. Dòng điện này là dòng điện đo theo mức trường từ xung quanh EUT. Giới hạn này, áp dụng cho bộ tách sóng tựa đỉnh của máy thu đo CISPR, được đưa ra đối với ba kích thước hệ thống thống anten vòng lớn khác nhau trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz.

Phạm vi kích thước lớn nhất của EUT đối với từng đường kính của ba anten vòng được cho trong Bảng 7.

Đối với kích thước EUT lớn hơn 1,6 m, có thể áp dụng các giới hạn cho trong Bảng 9 kết hợp với phương pháp đo anten vòng trường từ được quy định trong 9.3.3.

Giới hạn trong Bảng 8 và Bảng 9 đưa ra các lựa chọn khác nhau. Trong tình trạng bất kỳ, nếu cần xác nhận kết quả đo ban đầu thì phương pháp đo được chọn ban đầu phải được sử dụng đ đm bảo tính nhất quán của các kết quả. Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ phương pháp được s dụng và giới hạn được áp dụng.

Bảng 7 - Kích thước EUT lớn nhất có thể được sử dụng để thử nghiệm bằng LLAS có các đường kích khác nhau

Kích thước lớn nhất của EUT, D

m

Đường kính anten vòng

m

D 1,6

2

D 2,6

3

D 3,6

4

Bảng 8 - Giới hạn nhiễu bức xạ LLAS trong di tần từ 9 kHz đến 30 MHz

Dải tần

Giới hạn tựa định đối với ba đường kính vòng

dBµA/m

Phương pháp

2 m

3 m

4 m

CISPR 16-2-3 và 9.3.2

9 kHz đến 70 kHz

70 kHz đến 150 kHz

150 kHz đến 3,0 MHz

3,0 MHz đến 30 MHz

88

88 đến 58a

58 đến 22 a b

22

81

81 đến 51a

51 đến 15 a b

15 đến 16c

75

75 đến 45a

45 đến 9 a b

9 đến 12c

a Giảm tuyến tính theo logarit của tần số.

b Đối với thiết bị chiếu sáng có lắp bóng đèn không có điện cực chuyên dụng, giới hạn trong dải tần từ 2,2 MHz đến 3,0 MHz là 58 dBµA đối với đường kính vòng 2 m, 51 dBµA đối với đường kính vòng 3 m và 45 dBµA đi với đường kính bằng 4 m.

c Tăng tuyến tính theo logarit của tần số.

4.5.3  Dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz

Giới hạn nhiễu trường bức xạ và phương pháp đo trong di tần từ 30 MHz đến 1 GHz được cho trong Bảng 10 theo giá trị tựa đỉnh của thành phần trường điện.

Bảng 10 cùng cấp các lựa chọn khác nhau. Trong tình trạng bất kỳ, nếu cần xác nhận kết quả đo ban đầu thì phương pháp đo được chọn ban đầu phải được s dụng để đảm bo tính nhất quán của các kết quả. Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ phương pháp được sử dụng và giới hạn được áp dụng.

Bảng 9 - Giới hạn nhiễu bức xạ anten vòng trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz đối với thiết bị có kích thước > 1,6 m

Dải tần

MHz

Giới hạn tại khoảng cách 3 m

Tựa đnh

dBµA/m

Phương pháp

0.009 đến 0,070

69

9.3.3

0,070 đến 1,150

69 đến 39 b

0,150 đến 4,0

39 đến 3 a b

4,0 đến 30

3

a Đối với thiết bị chiếu sáng có lắp bóng đèn không điện cực chuyên dụng, giới hạn trong dải tần từ 2,2 MHz đến 3,0 MHz là 39 dBµA/m.

b Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số

Bảng 10 - Giới hạn nhiễu bức xạ và phương pháp đo kết hợp trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz

Phương pháp thử nghiệm a

Tham chiếu g

Dải tn

MHz

Giới hạn tựa đnh d

OATS hoặc SAC

Tại khoảng cách 10 m

CISPR 16-2-3

30 đến 230

230 đến 1 000

30 dBµV/m

37 dBµV/m

OATS hoặc SAC

Tại khoảng cách 3 m

CISPR 16-2-3

30 đến 230

230 đến 1 000

40 dBµV/m

47 dBµV/m

FAR

Tại khoảng cách 3m

CISPR 16-2-3

30 đến 230

230 đến 1 000

42 đến 35 e dBµV

42 dBµV

TEM-ống dẫn sóng điện từ ngang b

IEC 61000-4-20

30 đến 230

230 đến 1 000

30 dBµV

37 dBµV

Phương pháp CDNE c,f

CISPR 16-2-1

30 đến 100

100 đến 200

200 đến 300

64 đến 54 e dBµV

54 dBµV

54 đến 51 e dBµV

a Có th áp dụng phương pháp hoặc giới hạn kết hợp bt kỳ để chứng minh sự phù hợp.

b Phương pháp TEM-ống dẫn sóng điện từ ngang được giới hạn với các EUT không gắn cáp và có kích thước lớn nht theo 6.2 của IEC 61000-4-20 (kích thước lớn nhất của v bằng mt bước sóng 300 mm tại tn số đo 1 GHz).

c Phương pháp CDNE và giới hạn kết hợp lên đến 300 MHz chỉ có thể áp dụng được cho các EUT có tần số xung nhịp thấp hơn hoặc bằng 30 MHz. Trong trường hợp này, sản phẩm được xem là phù hợp với các yêu cầu nằm trong khoảng 300 MHz đến 1 000 MHz. Giới hạn CDNE nằm trong khoảng từ 200 MHz đến 300 MHz được quy định trong Bảng 10 là nghiêm ngặt hơn các giới hạn được cho trong CISPR 15:2013. Lượng dư tăng (lên đến 10 dB tại 300 MHz) đã được áp dụng trong khoảng từ 200 MHz đến 300 MHz. Nếu thử nghiệm CDNE bị lỗi thì vẫn có thể áp dụng phương pháp và giới hạn kết hợp bất kỳ khác.

d Áp dụng giới hạn thấp hơn tại các tần số chuyn tiếp.

e Giảm tuyến tính theo logarit của tn số.

f Không áp dụng giới hạn kích thước EUT của CISPR 16-2-1. Đối với phương pháp CDNE, kích thước lớn nhất của EUT là 3 m x 1 m x 1 m (I x w x h). Ch áp dụng các hạn chế CDNE cho EUT và không áp dụng cho hệ thống có dây hoặc kích thước tổng của hệ thống cần thử nghiệm, xem Hình 2.

g Xem thêm 9.3.4.

5  Áp dụng các giới hạn

5.1  Quy định chung

Việc áp dụng các giới hạn đối với EUT được cho trong điều này. Hướng dẫn/yêu cầu bổ sung đi với việc áp dụng các giới hạn để quy định kiểu EUT được cho trong Điều 6. Xem Hình 4.

Điều kiện hoạt động chung đối với EUT được cho trong Điều 7. Phương pháp đo đối với nhiễu dẫn và nhiễu bức xạ được quy định trong Điều 8 và Điều 9.

5.2  Nhận biết giao diện phải chịu thử nghiệm

Nếu EUT không thuộc một trong số các phân loại được quy định trong Điều 6 thì các trường hợp thử nghiệm áp dụng được đối với các giao diện EUT khác nhau phải được đưa ra như sau.

Trước tiên, đặc tính vật lý liên quan đến EMC của EUT và các giao diện có dây của nó cần được xác định; xem Hình 3 về hướng dẫn. Đối với lần lượt từng giao diện có dây, thì phải đưa ra một quyết định rằng nó có được nối với mạng theo cách trực tiếp hoặc gián tiếp hay không. Khi biết được các kiểu giao diện và kết nối thì từng giao diện được chỉ định cho một trong số ba cổng EMC tiêu chuẩn như được nêu chi tiết dưới đây:

• cổng vỏ;

• cổng mạng có dây;

• cổng có dây nội bộ.

Sau đó phải lựa chọn phương pháp thử nghiệm, bố trí thử nghiệm kết hợp và các giới hạn áp dụng được cho lần lượt từng giao diện, phụ thuộc vào phân loại cổng và yêu cầu tại 5.3.

5.3  Áp dụng các giới hạn cho giao diện

5.3.1  Quy định chung

Sơ đồ luồng miêu tả quy trình quyết định đối với việc áp dụng các giới hạn được cho trên Hình 4.

5.3.2  Yêu cầu về nhiễu dẫn đối với cổng mạng có dây

5.3.2.1  Yêu cầu về nhiễu dẫn đối với giao diện cấp nguồn điện

Giới hạn điện áp nhiễu và phương pháp đo giao diện cấp nguồn điện trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 1.

Áp dụng các giới hạn này đối với giao diện cấp nguồn được nối trực tiếp với mạng cấp nguồn (Hình 4)

5.3.2.2  Yêu cầu về nhiễu dẫn đối với giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn

Các giới hạn được quy định trong điều này áp dụng cho giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn được nối trực tiếp với mạng (xem Hình 4).

Giới hạn điện áp nhiễu và phương pháp đo của giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn (ví dụ như dùng cho truyền thông hoặc truyền dữ liệu) trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 2 đối với việc sử dụng với mạng gi không đối xứng (ANN). Nếu không có sẵn mạng ghép dùng cho giao diện không đáng tin cậy thì phải áp dụng các giới hạn dòng điện nhiễu cho trong Bảng 3 bằng cách sử dụng phương pháp đo dòng điện cho trong 8.4.

5.3.3  Yêu cầu về nhiễu dẫn đi với cổng có dây nội bộ

Các giới hạn này áp dụng cho các kiểu giao diện (Hình 4):

1) được nối gián tiếp với mạng thông qua thiết bị khác, kể cả giao diện cấp nguồn của bóng đèn ELV;

2) không được ni với mạng và có chiều dài cáp lớn hơn hoặc bằng 3 m.

Đối với cổng có dây cục bổ không phải giao diện cấp nguồn của bóng đèn ELV, phải áp dụng giới hạn điện áp nhiễu hoặc dòng điện nhiễu được cho trong Bảng 5 hoặc Bảng 6 bằng cách sử dụng phương pháp đo cho trong 8.5.2.2 và 8.5.2.3. Phương pháp đo và giới hạn áp dụng được đối với giao diện cấp nguồn của bóng đèn ELV được mô tả trong 6.4.7.

CHÚ THÍCH: Giao diện không được nối với một mạng và có chiều dài cáp ngắn hơn 3 m được đánh giá qua thử nghiệm cổng v. Tuy nhiên, giao diện cp nguồn điện của bóng đèn ELV thường phải chịu thử nghiệm phát xạ nhiễu dẫn, theo 6.4.7.

5.3.4  Yêu cu về nhiễu bức xạ đối với cổng vỏ

5.3.4.1  Dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz

Áp dụng các giới hạn nhiễu trường phát xạ trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz (Bảng 8 hoặc Bảng 9) cho cổng v của EUT. Tuy nhiên, EUT cần được thử nghiệm đối với phát xạ bức xạ ch trong khoảng từ 9 kHz đến 30 MHz, nếu ứng dụng, kết cấu hoặc công nghệ của EUT có thể gây ra momen lưỡng cực từ. Trong trường hợp có nghi ngờ, hoặc nếu không có thông tin này thì thử nghiệm được coi là hoàn thành. Mômen lưỡng cực từ thu được nếu dòng điện nhiễu đáng kể đang chạy trong vòng lặp bao quanh bề mặt lớn, (nhưng không giới hạn cho) ví dụ như trong các trường hợp sau:

- nhà chế tạo cho phép giao diện có dây bên ngoài được nối với EUT bằng cáp một ruột dẫn;

- EUT áp dụng hệ thống có dây một ruột dn bên trong và nối liên kết riêng rẽ (hoặc các đường mạch PCB) để tạo ra mạch vòng và lưỡng cực từ kết hợp;

- các EUT áp dụng các công nghệ truyền điện cảm ứng.

VÍ DỤ: Đèn điện có đường dây cấp nguồn riêng biệt; bóng đèn không có điện cực có truyền điện cảm ứng và đèn điện nạp lại được có lắp bộ truyền điện cảm ứng được coi là thiết bị có mômen lưỡng cực từ lớn. Nguồn sáng LED được cấp điện một chiều và đèn điện có balát dây quấn từ tính 50 Hz hoặc 60 Hz là ví dụ về thiết bị chiếu sáng được coi là có mômen lưỡng cực rất nh và do đó không cần thử nghiệm.

Nếu EUT không thể sinh ra mômen lưỡng cực từ lớn thì không yêu cầu thử nghiệm và EUT được coi là phù hợp với giới hạn nhiễu trường bức xạ trong dải tn từ 9 kHz đến 30 MHz.

5.3.4.2  Dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz

EUT phải được đánh giá về phát xạ bức xạ trong dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz bằng cách thử nghiệm theo một trong các phương pháp trong Bảng 10.

Khi sử dụng phương pháp CDNE và tất cả các tần số xung nhịp của EUT thấp hơn hoặc bằng 30 MHz thì sản phẩm được coi là phù hợp với các yêu cầu nằm trong khoảng từ 300 MHz đến 1 000 MHz nếu phát xạ phù hợp với giới hạn trong giải tần từ 30 MHz đến 300 MHz như quy định trong Bảng 10.

5.3.5  Nhiều giao diện có cùng kiểu

Trong trường hợp EUT có nhiều hơn một giao diện có cùng kiểu thì chúng phải được lựa chọn để thử nghiệm như dưới đây:

• nếu có nhiều giao diện tương tự được nối với cùng một thẻ hoặc môđun thì có thể cấp nhận một trong số các giao diện này;

• trong trường hợp có các cổng có cùng một loại trên các thẻ hoặc môđun khác nhau thì có thể chấp nhận một cổng điền hình trên mỗi loại thẻ hoặc mỗi loại môđun.

Có thể áp dụng thử nghiệm trên cho phép đo phát xạ dẫn ch trên cổng mạng và cổng có dây nội bộ.

Báo cáo thử nghiệm phải chỉ ra cổng được đánh giá. Tất cả các giao diện và cổng còn lại được coi là phù hợp với giới hạn áp dụng được trong tiêu chuẩn này với điều kiện là tuân thủ các yêu cầu trên theo cách lựa chọn cổng để thử nghiệm và đưa ra tất c các cổng được thử nghiệm đã được chứng minh là phù hợp với giới hạn áp dụng được của tiêu chuẩn này.

5.3.6  Giao diện có thể được phân loại là loại nhiều cổng

Nếu một giao diện thỏa mãn định nghĩa của nhiều loại cổng được nêu trong tiêu chuẩn này thì giao diện này phải chịu các yêu cầu áp dụng cho từng loại cổng mà nó thỏa mãn.

VÍ DỤ: Cáp mạng cấp nguồn có thể được chỉ ra là cả cổng mạng có dây mạng (kết nối Ethernet) và cả cổng có dây nội bộ (cấp điện một chiều). Đối với cổng mạng có dây (kết ni Ethernet), áp dụng giới hạn trong Bảng 2 hoặc Bảng 3. Đối với cổng có dây nội bộ (cấp điện một chiều) áp dụng giới hạn trong Bảng 5 hoặc Bảng 6. Trong trường hợp này, giới hạn dòng điện nhiễu của Bảng 3 và Bảng 6 là như nhau. Giới hạn điện áp nhiễu trong Bảng 2 và Bảng 5 là chênh lệch nhỏ hơn 0,5 MHz do phương pháp khác nhau. Trong ví dụ này, giới hạn đối với loại cổng này cơ bản là giống nhau. Công suất trên băng thông rộng và truyền thông trên đường dây tải điện là ví dụ khác mà trong đó giao diện đang được xem xét có thể được phân loại là loại cổng mạng có dây khác (4.3).

6  Yêu cầu áp dụng giới hạn đối với sản phẩm cụ thể

6.1  Quy định chung

Điều này bao gồm các yêu cầu áp dụng giới hạn đối với các loại thiết bị chiếu sáng cụ thể và phải được sử dụng cùng với các yêu cầu chung của Điều 5. Điều 5 áp dụng cho thiết bị không đưc liệt kê trong Điều 6 (ô quyết định đầu tiên trên Hình 4).

Ứng dụng quy định sản phẩm lưu ý liên quan đến việc thiết lập phép đo hoặc điều kiện làm việc cụ thể được cho trong Phụ lục A.

6.2  EUT thụ động

EUT thụ động được coi làm đáp ứng các yêu cầu của tiêu chuẩn này mà không cần thử nghiệm thêm. Ví dụ về các thiết bị này gồm: đèn điện phù hợp dùng cho bóng đèn nung sáng hoặc bóng đèn có balát lắp liền, máy biến áp dùng cho bóng đèn nung sáng hoặc bóng đèn có balát lắp liền không điều chỉnh điện áp bằng các thành phần điện tử tích cực, đèn điện chỉ được lắp LED và thành phần thụ động. Điốt chỉnh lưu nguồn lưới được coi là thành phần thụ động.

CHÚ THÍCH: Trong tiêu chuẩn này ở những chỗ dùng thuật ngữ "bóng đèn nung sáng", thì có nghĩa là tất cả các loại bóng đèn nung sáng kể c bóng đèn halogen.

VÍ DỤ: Bóng đèn nung sáng thường là thiết bị thụ động, mặc dù cần lưu ý rằng một vài kiểu bóng đèn nung sáng có sợi nung sáng rất dài có thể sinh ra nhiễu quá mức.

EUT có bộ điều khiển điện từ có thể được coi là chỉ có các thành phần thụ động. Tuy nhiên do các đặc tính vật lý của bóng đèn phóng điện nên yêu cầu phải đánh giá thêm. Thiết bị này phi phù hợp với giới hạn điện áp nhiễu tại đầu nối giao diện cấp nguồn điện cho trong Bảng 1. Tuy nhiên, đèn điện dùng cho bóng đèn phóng điện chỉ có bộ điều khiểu khiển thụ động và có lắp tụ điện điều chỉnh hệ số công suất hoặc tụ khử ( tối thiểu 47 nF) chạy qua đầu nối nguồn lưới được coi là phù hợp với các yêu cầu của tiêu chuẩn này mà không cần đo. Có thể đạt được sự phù hợp bằng cách xem xét.

6.3  Chuỗi đèn

6.3.1  Quy định chung

Chuỗi đèn ví dụ như chuỗi đèn giáng sinh, dây đèn, được sử dụng cho các ứng dụng khác nhau cả trong nhà và ngoài trời trong khu vực chung hoặc khu vực chiếu sáng hiệu ứng. Căn cứ vào ứng dụng và kết cấu, có thể áp dụng nguồn sáng hoặc công nghệ bóng đèn khác nhau, ví dụ như bóng đèn nung sáng hoặc bóng đèn LED. Bộ điều khiển dùng cho chuỗi đèn có thể là độc lập hoặc được kết hợp. Cũng có thể có chuỗi đèn không có bộ điều khiển.

6.3.2  Yêu cầu đối với chuỗi đèn

Chuỗi đèn có các thành phần điện tử đóng cắt tích cực phải phù hợp với giới hạn điện áp nhiễu tại đầu nối nguồn lưới cho trong Bảng 1 và phù hợp với giới hạn nhiễu bức xạ cho trong Bng 8 hoặc Bảng 9 nếu thuộc đối tượng áp dụng, và trong Bảng 10.

Thiết lập và bố trí thử nghiệm được quy định trong Điều A.3.

6.4  Môđun

6.4.1  Quy định chung

Điều này quy định về cách định hình một hệ thống cần thử nghiệm trong trường hợp EUT là một môđun được thiết kế để được bán riêng rẽ với thiết bị hoặc hệ thống chiếu sáng và do đó được sử dụng bởi người sử dụng cuối cùng trong thiết bị hoặc hệ thống chiếu sáng.

Có thể phân biệt được các kiểu môđun khác nhau, ví dụ như EUT có thể là (Hình 5):

• Môđun thay thế được, ví dụ như bóng đèn có balát lắp liền, bóng đèn ELV hoặc tắc te;

• Môđun bên ngoài, ví dụ như bộ điều khiển hoặc bộ mồi độc lập, bộ điều chỉnh độ sáng gắn tường hoặc bộ điều khiển từ xa;

• Môđun bên trong, ví dụ như bộ điều khiển;

• Môđun lắp đt, ví dụ như nguồn sáng, bộ phối hợp hoặc thẻ giao diện mạng.

Môđun bên trong, lắp đặt, thay thế được hoặc bên ngoài phải được đánh giá với tối thiểu một hệ thống chủ đại điện như thiết bị phụ.

(Các) cổng của môđun bất kỳ cần đánh giá phải được đấu nối theo 7.9. Chức năng của hệ thống ch phải là đặt trưng cho môđun cần đánh giá phải được sử dụng trong suốt phép đo. Môđun được xem là đáp ứng các yêu cầu của tiêu chuẩn này trong một hệ thống ch đại diện thì được coi là đáp ứng các yêu cầu của tiêu chuẩn này khi được sử dụng trong hệ thống ch bất kỳ. Hệ thống chủ và môđun được sử dụng trong phép đo phải được liệt kê trong báo cáo thử nghiệm.

Nhà chế tạo môđun phải chỉ định hệ thống chủ hoặc kiểu đèn điện và mạch kết hợp phù hợp và đại diện cho việc s dụng cùng với môđun. Điều này phải được dựa vào việc phân tích các ứng dụng điển hình khác nhau có thể có đối với môđun cụ thể sao cho hệ thống ch được chọn là đại diện sử dụng điển hình về các nhiễu giảm nhẹ từ môđun đang được xem xét.

Nhiễu từ chính thiết bị phụ (kể cả hệ thống ch) phải đủ thấp hơn mức giới hạn áp dụng được.

Yêu cầu đối với các kiểu môđun cụ thể được cho từ 6.4.3 đến 6.4.10.

6.4.2  Môđun có nhiều ứng dụng

Môđun có chức năng và kết nối cho phép môđun có thể thay thế được, bên trong, lắp đặt và/hoặc bên ngoài phải được thử nghiệm theo từng cấu hình ứng dụng của môđun. Nếu có thể cho thấy rằng một cấu hình cụ thể đưa ra tình trạng xấu nhất thì thử nghiệm theo cấu hình này là đủ để thể hiện sự phù hợp.

6.4.3  Môđun bên trong

Đối với môđun bên trong, khả năng ứng dụng các giới hạn được xác định bằng cách sử dụng quy trình cho trong 5.3. Quy trình đó phải được áp dụng cho từng giao diện của máy chủ có thể bị ảnh hưng bi phát xạ (dẫn hoặc bức xạ) được sinh ra bi môđun cần thử nghiệm. Đối với các giao diện của hệ thống ch không được thử nghiệm thì báo cáo thử nghiệm phải bao gồm lý do tại sao giao diện đó được coi là không bị ảnh hưng bi phát xạ được sinh ra bi môđun cần thử nghiệm.

Hệ thống ch có môđun là EUT, được thử nghiệm như đèn điện phù hợp Điều B.6 (Hình B.1b) và Điều C.4 (Hình C.4) hoặc thiết lập CDNE theo CISPR 16-2-1.

6.4.4  Môđun bên ngoài

Đối với môđun bên ngoài, khả năng áp dụng của các giới hạn được xác định bằng cách sử dụng quy trình được cho trong 5.3 đối với từng giao diện của môđun.

CHÚ THÍCH: Đối với môđun bên ngoài, máy chủ được áp dụng là thiết bị phụ. Nhiễu được đo tại đầu nối của EUT (môđun cần thử nghiệm). Xem ví dụ của Điều D.3 (Trường hợp 1 - ứng dụng 2).

Môđun bên ngoài là EUT được đo riêng rẽ để đảm bảo rằng thiết bị phụ (máy chủ) không biến đổi kết quả phép đo (không tác động lẫn nhau). Chi tiết về bố trí của môđun bên ngoài được cho trong Điu B.6 (Hình B.2) và Điều C.4 (Hình C.5) hoặc thiết lập CDNE theo CISPR 16-2-1.

6.4.5  Bóng đèn một đầu có balát lắp liền

Bóng đèn một đầu có balát lắp liền phải phù hợp với các giới hạn điện áp nhiễu tại đầu nối điện lưới cho trong Bng 1 và phù hợp với giới hạn nhiễu bức xạ cho trong Bảng 8 hoặc Bảng 9, nếu thuộc đối tượng áp dụng và trong Bảng 10.

Việc thiết lập và bố trí thử nghiệm đối với bóng đèn một đầu có balát lắp liền được quy định trong Điều A.1.

6.4.6  Bóng đèn hai đầu có balát lắp liền, bộ phi hợp của bóng đèn hai đầu, nửa đèn điện hai đầu và bóng đèn hai đầu dùng để thay thế được sử dụng trong đèn điện có bóng đèn huỳnh quang

Bóng đèn hai đầu có balát lắp liền, bộ phối hợp của bóng đèn hai đầu, nửa đèn điện hai đầu và bóng đèn hai đầu dùng để thay thế được sử dụng trong đèn điện có bóng đèn huỳnh quang phải phù hợp với các giới hạn điện áp dùng cho giao diện cấp nguồn điện cho trong Bảng 1 và với giới hạn nhiễu bức xạ cho trong Bảng 8 hoặc Bảng 9, và trong Bảng 10 nếu thuộc đối tượng áp dụng.

Phương pháp thử nghiệm được quy định trong Điều A.4.

6.4.7  Bóng đèn ELV

Bóng đèn ELV phải phù hợp với một trong các yêu cầu sau:

a) Bóng đèn có điện áp cực thấp (ELV) không bị hạn chế (xem 3.3.20), được thiết kế để nối với mạng

ELV đối xứng, phải phù hợp với các điện áp nhiễu dẫn của cng có dây nội bộ trong Bảng 4 tại giao diện ELV, đo theo phương pháp được quy định tại A.5.1 và phù hợp với giới hạn nhiễu bức xạ trong Bảng 8 hoặc Bảng 9 và Bảng 10 nếu thuộc đối tượng áp dụng, đo theo phương pháp được quy định tại A.5.2.

CHÚ THÍCH 1: Tổn hao xen của bộ điều khiển được áp dụng thưng là 26 dB dựa trên các phép đo mô hình thực tế.

CHÚ THÍCH 2: Cần đặc biệt thận trọng để máy thu đo không bị quá ti.

CHÚ THÍCH 3: Việc thêm vào 26 dB là không áp dụng cho đánh giá nhiễu bức xạ.

b) Bóng đèn ELV bị hạn chế (xem 3.3.20) phải phù hợp với các giới hạn điện áp nhiễu điện lưới trong Bảng 1, được đo theo phương pháp quy định của A.5.1 và phù hợp với giới hạn nhiễu bức xạ trong Bng 8 hoặc Bảng 9, và trong Bảng 10 nếu thuộc đối tượng áp dụng, được đo theo phương pháp quy định của A.5.2.

CHÚ THÍCH 4: Bóng đèn ELV có mạch điện tử tích cực không được thiết kế đối với kết nối với mạng ELV không đối xứng.

6.4.8  Nửa đèn điện một đầu

Nửa đèn điện một đầu phải phù hợp với các yêu cầu nêu trong Điều 5, với bóng đèn điển hình thỏa mãn các yêu cầu về tải như quy định trong 7.4.

Nửa đèn điện một đầu phải được bố trí, thiết lập và đo như bóng đèn có balát lắp liền. Phương pháp thử nghiệm được quy định trong Điều A.1.

6.4.9  Bộ mồi độc lập

Bộ mồi độc lập dùng cho bóng đèn huỳnh quang và bóng đèn phóng điện khác phải phù hợp với giới hạn điện áp nhiễu điện lưới trong Bng 1, và được thử nghiệm trong mạch điện như mô tả tại Điều A.6.

6.4.10  Tắcte thay thế được dùng cho bóng đèn huỳnh quang

Nếu tắcte thay thế được có các thành phần điện từ tích cực thì tắc te phải phù hợp với giới hạn điện áp nhiễu điện lưới trong Bảng 1, khi tắc te được sử dụng và thử nghiệm theo máy chủ liên quan, nghĩa là đèn điện một bóng đèn được trang bị bóng đèn có thông số công suất lớn nhất mà tắc te được thiết kế. Nhà chế tạo phải quy định trong sổ tay vận hành về kiểu đèn điện và (các) mạch kết hợp phù hợp để sử dụng với tắc te. Máy chủ có tắc te thay thế được như EUT được thử nghiệm như đèn điện theo Điu B.5.

Nếu tắc te thay thế được lắp tụ điện có giá trị nằm trong khoảng từ 0,005 µF đến 0,02 µF và tụ điện được nối song song với các chân tiếp xúc của tắc te thì tụ điện được coi là phù hợp với yêu cầu của tiêu chuẩn này mà không cần thử nghiệm.

7  Điều kiện làm việc và thử nghiệm của EUT

7.1  Quy định chung

Khi cần thực hiện các phép đo nhiễu của EUT, thiết bị phải được cho làm việc trong các điều kiện quy định tại các điều từ 7.2 đến 7.9.

EUT cần được thử nghiệm được giao nhận bi nhà chế tạo, trong điều kiện làm việc bình thường, ví dụ như đã cho trong TCVN 7722-1 (IEC 60598-1) đối với đèn điện.

Áp dụng thêm các điều kiện đặc biệt có thể có được cho trong Điều 8 và Điều 9 đối với các phương pháp đo khác nhau, nếu thích hợp.

7.2  Cơ cấu đóng cắt

Không xét đến nhiễu gây ra do thao tác một thiết bị đóng cắt bằng tay hay tự động (lắp bên ngoài hoặc lắp kèm thiết bị) để nối hoặc cắt nguồn. Điều này bao gồm thao tác đóng/cắt bằng tay hoặc, ví dụ, thiết bị đóng cắt tác động bằng cảm biến hoặc bằng máy thu có điều khiển nhấp nhô. Tuy nhiên, trong ngoại lệ này không kể đến những thiết bị đóng cắt thường được tác động nhiều hơn một lần trong thời gian 10 giây (ví dụ như thiết bị đóng cắt của biển hiệu quảng cáo) (xem 7.5).

7.3  Điện áp và tần số nguồn

Điện áp nguồn nằm trong khoảng ± 2 % điện áp danh định. Trong trường hợp của dải điện áp, phải tiến hành phép đo trong phạm vi ± 2 % từng điện áp nguồn chuẩn của dải được cho trong IEC 60038. Tần số của nguồn điện lưới phải là tần số danh định dùng cho thiết bị. EUT có thể được cho làm việc từ nguồn cấp dòng điện một chiều hoặc xoay chiều, phải được đo trong cả hai điều kiện đó.

Nếu dải tần danh định bao gồm cả 50 Hz và 60 Hz thì phải thực hiện phép đo tại 50 Hz hoặc tại 60 Hz. Phát xạ tại các tần số nguồn lưới khác được đề cập trong phép đo này.

7.4  Tải bóng đèn danh định và điều chỉnh ánh sáng

Nếu EUT có dải tải bóng đèn thì chỉ đo với tải bóng đèn danh định lớn nhất.

Nếu EUT có khả năng giảm công suất đầu ra (điều chnh độ sáng) thì nhiễu trường điện của EUT phải được đo tại công suất đầu ra ánh sáng lớn nhất và nhỏ nhất.

Bộ điều chỉnh độ sáng theo pha được cho làm việc ở chế độ đặt xấu nhất như được xác định trong quá trình thử nghiệm sơ bộ.

7.5  Chế độ làm việc

Nếu EUT có khả năng được sử dụng ở các chế độ làm việc khác nhau, ví dụ như nháy sáng, chiếu sáng động, liên lạc bằng điều biến ánh sáng, thay đổi màu sắc, khẩn cấp, nạp điện, v.v..., thì phải thực hiện các phép đo ở chế độ làm việc xấu nhất.

CHÚ THÍCH: Có th sử dụng chế độ nạp nhiều bằng một số công nghệ pin/acquy trong quá trình nạp, nghĩa là nhanh, từ từ, chờ, PWM v.v... đối với các ứng dụng trong đèn pin, chiếu sáng khẩn cấp, v.v....

Việc xác định chế độ làm việc xấu nhất bằng cách quét trước mỗi chế độ làm việc ít nhất một lần lặp lại của từng chế độ cụ thể.

7.6  Điều kiện môi trường

Phép đo phải được tiến hành trong điều kiện phòng thí nghiệm bình thường. Nhiệt độ môi trường phải nằm trong dải từ 15 °C đến 30 °C hoặc trong dải quy định bởi nhà chế tạo trong sổ tay hướng dẫn vận hành nếu có hạn chế thêm.

7.7  Bóng đèn

7.7.1  Loại bóng đèn được sử dụng trong thiết bị chiếu sáng

Phép đo nhiễu của thiết bị chiếu sáng phải được thực hiện với bóng đèn được thiết kế cho thiết bị chiếu sáng.

Khi thiết bị chiếu sáng có lắp nhiều bóng đèn thì tất cả các bóng đèn này phải được cho làm việc cùng một lúc.

7.7.2  Thời gian già hóa

(Các) nguồn sáng hoặc (các) bóng đèn là bộ phận của EUT phải là các khối ổn định. Một vài công nghệ nguồn sáng cần thời gian già hóa tối thiểu để đạt được trạng thái mà trong đó đặc tính tính năng của nó ổn định đối với mục đích của thử nghiệm này.

Nếu không có quy định nào khác trong tiêu chuẩn này hoặc được quy định bi nhà chế tạo thì phải áp dụng thời gian già hóa dưới đây:

- 2 h đối với công nghệ nung sáng;

- 100 h đối với công nghệ phóng điện.

Đối với công nghệ LED và OLED, không yêu cầu thời gian già hóa từ điểm quan sát thử nghiệm EMC.

7.8  Thời gian ổn định

Trước khi đo, EUT bao gồm (các) nguồn sáng hoặc (các) bóng đèn là (các) bộ phận của EUT, phải được làm việc cho đến khi đạt được sự ổn định. Nếu không có qui định nào khác trong tiêu chuẩn này hoặc qui định của nhà chế tạo, thì phải tuân thủ thời gian ổn định sau:

- 15 min đối với các EUT không có công nghệ phóng điện qua khí;

- 30 min đối với các EUT có công nghệ phóng điện qua khí;

7.9  Hoạt động và tải của giao diện có dây

7.9.1  Quy định chung

Giao diện hoặc kết nối được ấn định là cổng có dây phải được cho làm việc với hệ thống đi dây và tải điển hình hoặc đầu nối phù hợp với quy định kỹ thuật của nhà chế tạo. Giao thức truyền bất kỳ được yêu cầu phải là điển hình đối với việc sử dụng bình thường và như quy định của nhà chế tạo.

7.9.2  Giao diện được thiết kế để truyền tín hiệu hoặc dữ liệu liên tục

Nếu giao diện được thiết kế dùng cho việc truyền tín hiệu liên tục (ví dụ như PWM) thì việc truyền tín hiệu phải làm việc trong quá trình đo ở tất cả các cổng của EUT. Việc truyền tín hiệu hoặc dữ liệu liên tục có thể được yêu cầu để duy trì tình trạng (ví dụ như mức điều chỉnh độ sáng) của EUT hoặc của thiết bị được nối với EUT.

7.9.3  Giao diện không được thiết kế dùng cho việc truyền tín hiệu hoặc dữ liệu liên tục

Nếu việc truyền không liên tục hoặc việc truyền dữ liệu liên tục là không cn thiết để duy trì tình trạng của EUT (ví dụ như lệnh điều chỉnh độ sáng gửi qua giao thức DALI) thì không áp dụng việc truyền liên tục trong quá trình thử nghiệm.

7.9.4  Tải

Tải của EUT phải được đặt như sau:

- giao diện tải phù hợp đối với cả bóng đèn nung sáng và cả thiết bị chiếu sáng loại khác (ví dụ như bóng đèn có balát lắp liền) phải được thử nghiệm với tải điện tr không cảm ứng;

CHÚ THÍCH: Bóng đèn nung sáng cũng được coi là tải điện tr không cảm ứng.

- giao diện tải chỉ phù hợp với thiết bị chiếu sáng không phải là bóng đèn nung sáng, phải được thử nghiệm với thiết bị chiếu sáng thích hợp như quy định của nhà chế tạo.

Yêu cầu mức tải được cho trong 7.4.

8  Phương pháp đo nhiễu dẫn

8.1  Quy định chung

Điều này quy định các phương pháp đo, bố trí EUT và quy trình liên quan đến các phép đo nhiễu dẫn và bao gồm cả các yêu cầu cụ thể được ưu tiên hơn các yêu cầu được cung cấp trong tiêu chuẩn cơ bản. Chi tiết về các bố trí EUT cụ thể đối với phép đo nhiễu dẫn được cho trong Phụ lục B.

8.2  Thiết bị và phương pháp đo

Nhiễu dẫn tại các điểm khác nhau phải được đo bằng cách áp dụng thiết bị đo, khu vực thử nghiệm, quy trình và phương pháp như được chỉ ra trong các tiêu chuẩn tham chiếu của Bảng 11.

Bảng 11 - Tổng quan về phương pháp đo chuẩn về nhiễu dẫn

Giao diện

Giới hạn

Di tần

Tham chiếu

Giao diện cấp nguồn điện

Bng 1

9 kHz đến 30 MHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-2 (thiết bị phụ trợ: AMN)

CISPR 16-2-1 (Phương pháp đo)

Giao diện mạng có dây không phải là giao diện cp nguồn điện (ví dụ như để truyền thông hoặc truyền dữ liệu)

Bảng 2

150 kHz đến 30 MHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-2 (ANN, CVP)

CISPR 16-2-1 và 8.4 (Phương pháp đo)

Bảng 3a

150 kHz đến 30 MHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-2 (đầu đo dòng điện)

CISPR 16-2-1 và 8.4 (Phương pháp đo)

Cổng có dây nội bộ - giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV

Bảng 1 hoặc Bảng 4

9 kHz đến 30 MHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-2 (thiết bị phụ trợ: AMN)

CISPR 16-2-1 và A.5.1 (Phương pháp đo)

Cổng có dây nội bộ - không phải giao diện cấp nguồn đin của bóng đèn ELV

Bảng 5

150 kHz đến 30 MHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-2 (đầu đo điện áp)

CISPR 16-2-1 và 8.5.2.2 (Phương pháp đo)

Bảng 6

150 kHz đến 30 MHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-2 (đầu đo dòng điện)

CISPR 16-2-1 và 8.5.2.3 (Phương pháp đo)

a Phụ thuộc vào cng EUT cần thử nghiệm và phụ thuộc vào phương pháp thử nghiệm được chọn, giới hạn áp dụng theo Bảng 2 hoặc Bảng 3 hoặc cả hai.

Ngoài các yêu cầu được nêu trong tiêu chuẩn cơ bản, áp dụng các yêu cầu dưới đây đối với bố trí và quy trình đo EUT.

8.3  Phép đo nhiễu của giao diện cấp nguồn điện

Phép đo điện áp nhiễu phải được thực hiện theo phương pháp CISPR 16-2-1 tại giao diện cấp nguồn điện của EUT bằng mạch điện và bố trí được mô tả trong Phụ lục B đối với kiểu thiết bị liên quan. Phải sử dụng mạng nguồn giả-V 50 Ω/50 µH + 5 Ω thỏa mãn các yêu cầu của CISPR 16-1-2 ở cả hai dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz và 150 kHz đến 30 MHz.

8.4  Phép đo nhiễu của giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện

Phép đo nhiễu điện áp tại giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện (ví dụ như dùng để truyền thông hoặc truyền dữ liệu) phải được thực hiện bằng phương thức mạng giả không đối xứng (AAN) như quy định trong CISPR 32. AAN phải liên kết với mặt phẳng nền chuẩn (xem Phụ lục B). Áp dụng phương pháp đo quy định trong CISPR 16-2-1.

Phép đo nhiễu dòng điện tại giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện (ví dụ như dùng để truyền thông hoặc truyền dữ liệu) phải được thực hiện bằng đầu đo dòng điện (CP) được quy định trong CISPR 16-2-1. Đầu đo dòng điện phải phù hợp với 5.1 của CISPR 16-1-2:2014

Ngoài ra, phép đo đầu đo điện áp và dòng điện kết hợp có thể được áp dụng bằng cách sử dụng giới hạn của cả Bảng 2 và Bảng 3 và phương pháp CVP/CP kết hợp được mô tả trong C.4.1.6.4 của CISPR 32:2015.

CHÚ THÍCH: Ch đo được nhiễu phương thức chung sinh ra, vì trong thực tế, nhiễu sinh ra từ tín hiệu điều khiển phương thức vi sai được b qua.

8.5  Phép đo nhiễu của cổng có dây nội bộ

8.5.1  Nguồn cấp điện của bóng đèn ELV

Phương pháp đo nhiễu dẫn tại giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV được quy định tại A.5.1.

8.5.2  Không phải nguồn cấp điện của bóng đèn ELV

8.5.2.1  Quy định chung

Phương pháp đo nhiễu dẫn tại cổng có dây nội bộ khác với giao diện ELV của bóng đèn ELV phải theo CISPR 16-2-1 và các điều sau.

8.5.2.2  Phương pháp đo bằng đầu đo điện áp

Khi đầu đo điện áp được sử dụng để đo nhiễu điện áp tại cổng có dây nội bộ, phải áp dụng mạch đo được thể hiện trên Hình B.2. Xem thêm B.3.5.

Điện áp được đo giữa từng dây đơn lẻ của cáp trên cng có dây nội bộ và đất.

Đầu đo điện áp phải như được chỉ ra trong 5.2 của CISPR 16-1-2:2014.

Kết quả phép đo phải hiệu chỉnh theo phân áp giữa đầu đo và máy đo. Trong hiệu chỉnh này, chỉ tính đến phần điện tr của trở kháng.

Chiều dài của cáp đồng trục giữa đầu đo và máy thu đo không được lớn hơn 2 m.

8.5.2.3  Phương pháp đo bằng đầu đo dòng điện

Khi sử dụng đầu đo dòng điện để đo nhiễu dẫn trên cng có dây nội bộ thì phi áp dụng mạch đo như thể hiện trên Hình B.2. Xem thêm B.3.5.

Đầu đo dòng điện phải phù hợp với 5.1 của CISPR 16-1-2:2014.

9  Phương pháp đo nhiễu bức xạ

9.1  Quy định chung

Điều này đưa ra các chi tiết về phương pháp đo, bố trí EUT và các quy trình kết hợp với phép đo nhiễu bức xạ và bao gồm cả các yêu cầu cụ thể được ưu tiên hơn các yêu cầu được cung cấp trong tiêu chuẩn cơ bản. Chi tiết về các bố trí EUT cụ thể đối với phép đo nhiễu bức xạ được cho trong Phụ lục C.

9.2  Bộ phát không dây có chủ ý

Nếu bộ phát không dây có chủ ý là bộ phận của EUT thì sự phát xạ từ các bộ phát không dây không được coi là phần của nhiễu bức xạ (xem Điều 1). Điều này được thực hiện bằng cách tắt chức năng không dây của EUT (nếu có thể và nếu nó không bao gồm các phát xạ điển hình không dự kiến) hoặc bằng cách bỏ qua phát xạ bức xạ có ch ý trong dải tần tương ứng.

CHÚ THÍCH: Đối với bộ phát không dây có chủ ý, Xem xét khả năng áp dụng các quy định cụ th của quốc gia/lãnh thổ.

9.3  Thiết bị và phương pháp đo

9.3.1  Quy định chung

Nhiễu bức xạ các cng khác nhau phải được đo bằng cách sử dụng thiết bị đo, khu vực thử nghiệm, quy trình và phương pháp được chỉ ra trong các tiêu chuẩn tham chiếu của Bảng 12.

Bảng 12 - Tổng quan về phương pháp đo nhiễu bức xạ tiêu chuẩn

Phương pháp

Giới hạn

Dải tần

Tiêu chuẩn tham chiếu

LLAS

Bảng 8

9 kHz đến 30 kHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-4 (thiết bị đo: anten và khu vực thử nghiệm)

CISPR 16-2-3 (phương pháp đo)

Anten vòng

Bảng 9

9 kHz đến 30 MHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-4 (thiết bị đo: anten và khu vực thử nghiệm)

9.3.3 (phương pháp do)

OATS/SAC

Bảng 10

30 MHz đến 1 GHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-4 (thiết bị đo: anten và khu vực thử nghiệm) CISPR 16-2-3 (phương pháp đo bức xạ)

FAR

Bảng 10

30 MHz đến 1 GHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-4 (thiết bị đo: anten và khu vực thử nghiệm)

CISPR 16-2-3 (phương pháp đo)

TEM

Bng 10

30 MHz đến 1 GHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

IEC 61000-4-20 (Phương pháp đo và thiết bị đo)

CDNE

Bảng 10

30 MHz đến 300 MHz

CISPR 16-1-1 (máy thu đo)

CISPR 16-1-2 (thiết bị đo: thiết bị ghép-CDNEs)

CISPR 16-2-1 (phương pháp đo CDNE)

Ngoài các yêu cầu được cho trong tiêu chuẩn cơ bản, áp dụng các yêu cầu dưới đây đối với bố trí EUT và quy trình đo.

9.3.2  Phương pháp đo nhiễu bức xạ LLAS trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz

9.3.2.1  Bố trí EUT

Thành phần từ phải được đo bằng hệ thống anten vòng lớn (LLAS) như mô tả trong CISPR 16-1-4. EUT phải được đặt tại tâm của LLAS như thể hiện trong Phụ lục C của CISPR 16-1-4:2010. Phải áp dụng các yêu cầu về định hướng cáp từ EUT và về vị trí của EUT bên trong LLAS được cho trong CISPR 16-1-4.

Nếu nhà chế tạo cho phép giao diện có dây bên ngoài được nối với EUT bằng cáp một ruột dẫn (mà có thể tạo ra mạch vòng và lưỡng cực từ kết hợp; xem 5.3.4.1) thì EUT phải được thử nghiệm bằng cách định hình từng giao diện trong số các giao diện bên ngoài với hệ thống đi dây một ruột dẫn có mạch vòng hình chữ nhật có diện tích là 1 m2. Có thể sử dụng tấm đỡ của Hình A.6 để thiết lập mạch vòng 1 m2 này. Hệ thống cần thử nghiệm, nghĩa là EUT bao gồm cả các giao diện bên ngoài của nó được bố trí trong một hoặc nhiều mạch vòng 1 m2, phải được bố trí sao cho nó nằm vừa bên trong hình cầu nhỏ nhất có th tại cùng thời điểm phù hợp với các yêu cầu dưới đây:

- khoảng cách giữa vỏ của EUT và mặt phẳng của giao diện bất kỳ của EUT được bố trí trong mạch vòng có diện tích 1 m2, bằng hoặc lớn hơn 10 cm;

- khoảng cách giữa diện tích mạch vòng của 2 giao diện liền kề bất kỳ của EUT được bố trí trong mạch vòng 1 m2, bằng hoặc lớn hớn 10 cm;

Hình cầu nh nhất có thể bao quanh EUT và các giao diện được bố trí trong mạch vòng có diện tích 1 m2, phải được bố trí với tâm của nó đặt tại tâm của LLAS.

9.3.2.2  Phép đo theo ba hướng

Dòng điện cảm ứng trong LLAS được đo theo 7.2 của CISPR 16-2-3:2016. Bằng thiết bị đóng cắt đồng trục, có thể đo lần lượt ba hướng từ trường của EUT. Kết quả phép đo đối với từng hướng phải phù hợp với các giới hạn.

9.3.3  Phép đo nhiễu bức xạ anten vòng trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz

Phép đo phải được thực hiện cách anten vòng có kích thước 60 cm một khoảng là 3 m như quy định trong 4.3.2 của CISPR 16-1-4:2010.

Áp dụng các yêu cầu bố trí và phương pháp đo dưới đây:

1) Phép đo phải được thực hiện ở OATS hoặc SAC;

CHÚ THÍCH: Các yêu cầu có hiệu lực đối với các phép đo dưới 30 MHz đang được xây dựng bi ban kỹ thuật về tương thích điện từ; đối với một số hướng dẫn, xem IEC PAS 62825.

2) Chiều cao của tâm anten vòng nằm phía trên GRP của OATS hoặc SAC phải là 1,3 m;

3) Anten vòng phải được bố trí theo hai vị trí vuông góc với GRP, nghĩa là trục đứng và đồng phẳng đứng;

4) Khoảng cách đo cần được tính giữa tâm của anten vòng và đường biên của EUT;

5) EUT phải được bố trí theo Điều C.4;

6) EUT phải được xoay theo hướng bất kỳ của anten vòng và giá trị lớn nhất được ghi lại đối với từng hướng của anten vòng phải phù hợp với các giới hạn cho trong Bảng 9.

9.3.4  Phép đo nhiễu bức xạ trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz

9.3.4.1  Phương pháp OATS hoặc SAC

Áp dụng yêu cầu về bố trí và phương pháp thử của CISPR 16-2-3 khi thực hiện thử nghiệm bằng cách sử dụng phương pháp bức xạ ở OATS hoặc SAR. Các quy định về bố trí EUT được nêu trong Phụ lục C.

Để nâng cao khả năng tái lập, cần đấu nối cáp nguồn lưới của EUT với CDNE (như đã nêu trong CISPR 16-1-2) được đặt trên mặt phẳng nền chuẩn (nếu áp dụng được) và cổng máy thu đo của CDNE được đấu nối với một trở kháng 50 Ω.

9.3.4.2  Phương pháp FAR

Áp dụng các yêu cầu về bố trí và phương pháp thử của CISPR 16-23 khi thực hiện thử nghiệm bằng cách sử dụng phương pháp bức xạ trong FAR. Các quy định về bố trí EUT được nêu trong Phụ lục C.

Để tăng khả năng tái lập, cần đấu nối cáp nguồn lưới của EUT với CDNE (như đã nêu trong CISPR 16-1-2) được đặt trên mặt phẳng nền chuẩn (nếu áp dụng được) và cổng máy thu đo của CDNE được đấu nối với một trở kháng 50 Ω

9.3.4.3  Phương pháp TEM

Áp dụng các yêu cầu về bố trí và phương pháp thử của IEC 61000-4-20 khi thực hiện thử nghiệm bằng cách sử dụng phương pháp bức xạ trong tế bào TEM.

9.3.4.4  Phương pháp CDNE

Áp dụng các yêu cầu về bố trí và phương pháp thử của CISPR 16-2-1 khi thực hiện thử nghiệm bằng cách sử dụng CDNE.

10  Sự phù hợp với tiêu chuẩn này

Tiêu chuẩn này đưa ra các lựa chọn để đánh giá các đặc tính EMC cụ th với việc lựa chọn các phương pháp đo, sự phù hợp có thể được thể hiện dựa vào bất kỳ giới hạn được quy định nào bằng cách sử dụng phương pháp đo thích hợp. Trong trường hợp bất kỳ nếu cần đo lại thiết bị để chứng minh sự phù hợp với tiêu chuẩn này thì phương pháp đo được chọn ban đầu phải được sử dụng để đảm bảo tính nhất quán của các kết quả.

CHÚ THÍCH: Nếu thử nghiệm các hạng mục riêng lẻ của thiết bị tạo thành một nhóm thì có khả năng thu được một loạt các kết quả, không phụ thuộc vào độ không đảm bảo đo. Phụ lục E đưa ra thông tin về phương pháp đánh giá thống kê thiết bị được sản xuất hàng loạt.

11  Độ không đảm bảo đo

Cho phép hướng dẫn về việc tính toán độ không đảm bảo đo của thiết bị đo được quy định trong CISPR 16-4-2, và đối với các phép đo này, việc xác định sự phù hợp với các giới hạn trong tiêu chuẩn này phải được tính đến độ không đảm bảo của thiết bị đo theo CISPR 16-4-2. Việc tính toán để xác định kết quả đo và việc điều chỉnh kết quả đo nếu yêu cầu khi độ không đảm bảo đo của phòng thí nghiệm lớn hơn giá trị của UCISPR cho trong CISPR 16-4-2 phải được nêu trong báo cáo thử nghiệm.

12  Báo cáo thử nghiệm

Áp dụng các yêu cầu chung của 5.10 trong ISO/IEC 17025:2005 để biên soạn báo cáo thử nghiệm. Chi tiết đầy đủ phải được cung cấp đ thuận tiện cho khả năng tái tạo của phép đo. Điều này phải bao gồm các ảnh chụp của EUT và cấu hình phép đo nếu phù hợp.

Báo cáo thử nghiệm phải bao gồm thông tin dưới đây:

- kích thước của EUT;

- phương pháp nhiễu trường bức xạ ở tần số thấp hơn 30 MHz được sử dụng và các giới hạn kết hợp đã được áp dụng;

- phương pháp nhiễu trường bức xạ ở tần số cao hơn 30 MHz được sử dụng và các giới hạn kết hợp đã được áp dụng;

- khi sử dụng phương pháp CDNE để chứng minh sự phù hợp ở tần số 1 GHz, nêu rõ (từ nhà chế tạo) rằng tần số xung nhịp thấp hơn 30 MHz;

- giao diện có dây đã được đánh giá cũng với cổng được chỉ định, phương pháp được sử dụng và giới hạn kết hợp (5.3);

- trong trường hợp của phép đo môđun, mô tả và bố trí của máy chủ và môđun được sử dụng trong phép đo (6.4);

- sự điều chỉnh kết quả thử nghiệm được yêu cầu khi độ không đm bảo của phòng thử nghiệm lớn hơn giá trị của UCISPR cho trong CISPR 16-4-2;

- độ lệch so với các yêu cầu về chiều dài cáp, trong trường hợp chiều dài cáp không như các yêu cầu khác về chiều dài hoặc kích thước cáp trong bố trí đo (B.2.1).

Hình 3 - EUT và các giao diện vật lý của nó